本申請(qǐng)屬于fpd行業(yè)的opc，尤其一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。

背景技術(shù)：

1、伴隨著經(jīng)濟(jì)全球化的不斷發(fā)展，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)也越來(lái)越激烈，根據(jù)cinno?research統(tǒng)計(jì)顯示，2023年第三季度，全球市場(chǎng)的主要國(guó)產(chǎn)品牌amoled智能手機(jī)中，采用國(guó)產(chǎn)amoled面板的比例已經(jīng)接近86％，增長(zhǎng)勢(shì)頭強(qiáng)勁。這種環(huán)境下，面板廠要想提高產(chǎn)能，唯有從技術(shù)端提高產(chǎn)品的良率。

2、大到微米級(jí)別，小到納米級(jí)別，在曝光過(guò)程中都會(huì)發(fā)生光的干涉衍射，導(dǎo)致設(shè)計(jì)圖形在轉(zhuǎn)移時(shí)發(fā)生走樣，在此之前面板廠沒有引進(jìn)opc修正技術(shù)，主要通過(guò)人工修正方式，設(shè)計(jì)圖形經(jīng)過(guò)人工修正后發(fā)給mask?shop,等待mask制作返廠。線上曝光量測(cè)關(guān)鍵位置cd尺寸是否滿足要求，如果不滿足，需要根據(jù)量測(cè)值退回到設(shè)計(jì)圖形二次修正，重復(fù)以上過(guò)程，直到cd尺寸符合要求。同時(shí)隨著客戶設(shè)計(jì)越來(lái)越復(fù)雜，加之面板廠工藝與ic端相比會(huì)更加簡(jiǎn)單，前層做完后不做平坦層，直接進(jìn)行下一層制作，這樣就導(dǎo)致了當(dāng)前層制作時(shí)本身就已存在高低起伏問(wèn)題，導(dǎo)致跨線處產(chǎn)生的cd?loss也越來(lái)越嚴(yán)重，short風(fēng)險(xiǎn)越來(lái)越大，對(duì)面板acd工程師帶來(lái)更大的挑戰(zhàn)，cd更難作準(zhǔn)，嚴(yán)重影響了產(chǎn)品的良率。

3、為此，一種有效減小cd?loss的方法有待提出。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)通過(guò)提供一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)，有效解決了如何減小cd?loss以及有效減小人工修正方式造成的short風(fēng)險(xiǎn)的技術(shù)問(wèn)題。

2、本申請(qǐng)?zhí)峁┑姆桨溉缦拢?/p>

3、本實(shí)施例介紹了一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，包括：

4、通過(guò)光刻成像模型擬晶圓不同跨層曝光過(guò)程，獲取每層材料光刻圖像的預(yù)測(cè)結(jié)果；

5、將目標(biāo)版圖作為光刻成像模型的輸入，進(jìn)行opc修正，對(duì)預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行修正，輸出修正后的mask版圖文件；

6、通過(guò)opc?verify設(shè)立檢查項(xiàng)，對(duì)修正后的mask版圖文件進(jìn)行像素點(diǎn)epe檢查以及修正后的mask的準(zhǔn)確性檢查，輸出最優(yōu)修正后的mask版圖文件。

7、可選地，光刻成像模型包括：abbe成像模型和hopkins空間成像光學(xué)模型；

8、以及反應(yīng)速率方程、擴(kuò)散方程構(gòu)成的光刻膠模型。

9、可選地，通過(guò)光刻成像模型擬晶圓不同跨層曝光過(guò)程，獲取每層材料光刻圖像的預(yù)測(cè)結(jié)果，包括：

10、設(shè)置光刻成像模型中的film?stack信息、光源文件、mask信息，其中，film?stack信息包括各層材料的折射率、厚度多種關(guān)鍵參數(shù)，光源文件包括光源的波長(zhǎng)、強(qiáng)度分布多種關(guān)鍵參數(shù)，mask信息包括mask的圖案、材料類型多種關(guān)鍵參數(shù)；

11、模擬金屬層或非金屬層的光線傳播和成像質(zhì)量，輸出每層材料的光刻圖像的預(yù)測(cè)結(jié)果。

12、可選地，將每層預(yù)測(cè)生成不同跨線情況下的topography?model進(jìn)行組合，構(gòu)成該層的opc?topography?model。

13、可選地，通過(guò)跨線和非跨線的量測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)光刻成像模型進(jìn)行監(jiān)督。

14、可選地，通過(guò)跨線和非跨線的量測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)光刻成像模型進(jìn)行監(jiān)督之前，包括：

15、對(duì)跨線和非跨線的量測(cè)數(shù)據(jù)進(jìn)行數(shù)據(jù)預(yù)處理，得到預(yù)處理數(shù)據(jù)；

16、并將預(yù)處理數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換為gauge格式數(shù)據(jù)。

17、可選地，將目標(biāo)版圖作為光刻成像模型的輸入，進(jìn)行opc修正，對(duì)預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行修正，輸出修正后的mask版圖文件，包括：

18、識(shí)別輸入的目標(biāo)版圖；

19、將目標(biāo)版圖的邊劃分為多段，根據(jù)各點(diǎn)位置坐標(biāo)、cd值、工藝條件進(jìn)行預(yù)測(cè)，得到預(yù)測(cè)結(jié)果，其中，預(yù)測(cè)結(jié)果為目標(biāo)版圖的輪廓；

20、通過(guò)量測(cè)預(yù)測(cè)結(jié)果與目標(biāo)版圖的距離，判斷opc修正結(jié)果的精確性；

21、經(jīng)過(guò)多次迭代，調(diào)整預(yù)測(cè)結(jié)果與目標(biāo)版圖的距離，輸出滿足設(shè)計(jì)要求的修正后的mask版圖文件。

22、本申請(qǐng)還提供了一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正裝置，包括：

23、建模模塊，用于通過(guò)光刻成像模型擬晶圓不同跨層曝光過(guò)程，獲取每層材料光刻圖像的預(yù)測(cè)結(jié)果；

24、修正模塊，用于將目標(biāo)版圖作為光刻成像模型的輸入，進(jìn)行opc修正，對(duì)預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行修正，輸出修正后的mask版圖文件；

25、檢驗(yàn)?zāi)K，通過(guò)opc?verify設(shè)立檢查項(xiàng)，對(duì)所述修正后的mask版圖文件進(jìn)行像素點(diǎn)epe檢查以及修正后的mask的準(zhǔn)確性檢查；

26、輸出模塊，用于輸出最優(yōu)修正后的mask版圖文件。

27、本申請(qǐng)還提供了一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如上述實(shí)施例中任一項(xiàng)一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法。

28、本申請(qǐng)的有益效果是：

29、提高精度：opc技術(shù)能夠顯著提高光刻的精度，使得實(shí)際光刻出的圖案更接近理想圖案。

30、減少波動(dòng)：通過(guò)光刻成像模型預(yù)測(cè)和控制工藝波動(dòng)，結(jié)合opc技術(shù)能夠減小仿真圖形的cd?loss，提高芯片的良率和性能。

31、降低成本：opc技術(shù)能夠減少因光刻不良而導(dǎo)致的芯片報(bào)廢和返工成本，從而降低整體生產(chǎn)成本。

32、減小出錯(cuò)：建立topography?model,用model?base?opc代替rule?base?opc,解決由人工修正導(dǎo)致的short問(wèn)題，改善產(chǎn)品良率，增加產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力。

技術(shù)特征：

1.一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，所述光刻成像模型包括：abbe成像模型及hopkins空間成像光學(xué)模型；

3.如權(quán)利要求1所述的一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，通過(guò)光刻成像模型擬晶圓不同跨層曝光過(guò)程，獲取每層材料光刻圖像的預(yù)測(cè)結(jié)果，包括：

4.如權(quán)利要求3所述的一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，將每層預(yù)測(cè)生成不同跨線情況下的topography?model進(jìn)行組合，構(gòu)成該層的opc?topographymodel。

5.如權(quán)利要求1所述的一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，通過(guò)跨線和非跨線的量測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)所述光刻成像模型進(jìn)行監(jiān)督。

6.如權(quán)利要求5所述的一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，通過(guò)跨線和非跨線的量測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)所述光刻成像模型進(jìn)行監(jiān)督之前，包括：

7.如權(quán)利要求1所述的一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法，其特征在于，將目標(biāo)版圖作為所述光刻成像模型的輸入，進(jìn)行opc修正，對(duì)所述預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行修正，輸出修正后的mask版圖文件，包括：

8.一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正裝置，其特征在于，包括：

9.一種計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，所述計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)存儲(chǔ)有計(jì)算機(jī)程序，其特征在于，所述計(jì)算機(jī)程序被處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)如權(quán)利要求1至7任一項(xiàng)所述一種基于opc技術(shù)的光刻圖像修正方法。

技術(shù)總結(jié)
本實(shí)施例提供的方案中一種基于OPC技術(shù)的光刻圖像修正方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)。其方法通過(guò)光刻成像模型擬晶圓不同跨層曝光過(guò)程，獲取每層材料光刻圖像的預(yù)測(cè)結(jié)果；將目標(biāo)版圖作為光刻成像模型的輸入，進(jìn)行OPC修正，對(duì)預(yù)測(cè)結(jié)果進(jìn)行修正，輸出修正后的Mask版圖文件；通過(guò)OPC?verify設(shè)立檢查項(xiàng)，對(duì)修正后的Mask版圖文件進(jìn)行像素點(diǎn)EPE檢查以及修正后的Mask的準(zhǔn)確性檢查，輸出最優(yōu)修正后的Mask版圖文件。有效解決了如何減小CD?Loss以及有效減小人工修正方式造成的Short風(fēng)險(xiǎn)的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：孔苓文,崔耀升,鄭振國(guó),雍曉
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海華大九天信息科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/6