本發(fā)明大體上涉及光刻掩模設(shè)計(jì)，且更特定來(lái)說(shuō)，涉及修補(bǔ)光刻掩模設(shè)計(jì)以減輕隨機(jī)缺陷。

背景技術(shù)：

1、對(duì)減小半導(dǎo)體裝置中的特征尺寸的需求導(dǎo)致光刻印刷工藝的更嚴(yán)格公差。雖然可大體上通過(guò)按比例縮小光刻工藝中使用的光的波長(zhǎng)來(lái)減小最小特征尺寸，但通常期望在特定波長(zhǎng)下制造接近或低于經(jīng)典分辨率極限的特征。在此機(jī)制下，與各種工藝的隨機(jī)性相關(guān)聯(lián)的隨機(jī)缺陷變得越來(lái)越成問(wèn)題。在半導(dǎo)體制造期間發(fā)生的隨機(jī)缺陷可歸因于構(gòu)成光刻圖案轉(zhuǎn)印工藝的大量物理現(xiàn)象(例如但不限于光子曝光及吸收、光產(chǎn)物擴(kuò)散、化學(xué)反應(yīng)物空間分布、化學(xué)反應(yīng)或類(lèi)似者)的固有隨機(jī)性。顯著地，隨機(jī)性不同于不確定性且與工藝內(nèi)的隨機(jī)變動(dòng)有關(guān)。用于特性化隨機(jī)晶片缺陷的典型方法包含基于從上而下掃描電子顯微鏡(sem)的檢驗(yàn)、顯影后檢驗(yàn)(adi)及/或蝕刻后檢驗(yàn)(aei)圖案邊緣放置的從上而下模擬及其檢驗(yàn)。然而，此類(lèi)技術(shù)可能過(guò)于耗時(shí)及/或可能無(wú)法提供導(dǎo)致對(duì)經(jīng)制造樣本的缺陷率的參數(shù)的充分測(cè)量，所述參數(shù)最終可受關(guān)注。因此，需要發(fā)展出解決此類(lèi)不足的系統(tǒng)及方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)一或多個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例，公開(kāi)一種系統(tǒng)。在一個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包含含有一或多個(gè)處理器的控制器。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器開(kāi)發(fā)在用于制造樣本上的特征的一或多個(gè)工藝步驟后的層厚度的基于模擬的模型，其中所述基于模擬的模型接受將在所述樣本上曝光的輸入掩模設(shè)計(jì)且至少提供在所述一或多個(gè)工藝步驟后的所述層厚度作為輸出。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器開(kāi)發(fā)制造工藝的變換模型，所述變換模型模仿所述基于模擬的模型且針對(duì)輸入或輸出中的至少一者的選定范圍具有比所述基于模擬的模型更快的評(píng)估速度，其中到所述變換模型的所述輸入包含所述輸入掩模設(shè)計(jì)，且其中所述變換模型的所述輸出包含與所述輸入掩模設(shè)計(jì)的制造相關(guān)聯(lián)的一或多個(gè)輸出參數(shù)以及描述所述一或多個(gè)輸出參數(shù)對(duì)所述輸入掩模設(shè)計(jì)的變動(dòng)的敏感度的一或多個(gè)敏感度度量。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包含在所述一或多個(gè)工藝步驟后的所述層厚度或基于所述層厚度的隨機(jī)缺陷率中的至少一者。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器接收候選掩模設(shè)計(jì)。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)。

2、根據(jù)一或多個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例，公開(kāi)一種方法。在一個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例中，所述方法包含開(kāi)發(fā)在用于制造樣本上的特征的一或多個(gè)工藝步驟后的層厚度的基于模擬的模型，其中所述基于模擬的模型接受將在所述樣本上曝光的輸入掩模設(shè)計(jì)且至少提供在所述一或多個(gè)工藝步驟后的所述層厚度作為輸出。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述方法包含開(kāi)發(fā)制造工藝的變換模型，所述變換模型模仿所述基于模擬的模型且針對(duì)輸入或輸出中的至少一者的選定范圍具有比所述基于模擬的模型更快的評(píng)估速度，其中到所述變換模型的所述輸入包含所述輸入掩模設(shè)計(jì)，且其中所述變換模型的所述輸出包含與所述輸入掩模設(shè)計(jì)的制造相關(guān)聯(lián)的一或多個(gè)輸出參數(shù)以及描述所述一或多個(gè)輸出參數(shù)對(duì)所述輸入掩模設(shè)計(jì)的變動(dòng)的敏感度的一或多個(gè)敏感度度量。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包含在所述一或多個(gè)工藝步驟后的所述層厚度或基于所述層厚度的隨機(jī)缺陷率中的至少一者。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述方法包含接收候選掩模設(shè)計(jì)。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述方法包含基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)。

3、根據(jù)一或多個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例，公開(kāi)一種系統(tǒng)。在一個(gè)說(shuō)明性實(shí)施例中，所述系統(tǒng)包含含有一或多個(gè)處理器的控制器。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器開(kāi)發(fā)在用于制造樣本上的特征的一或多個(gè)工藝步驟后的層厚度的基于模擬的模型，其中到所述基于模擬的模型的輸入包含定義將在所述樣本上曝光的輸入掩模設(shè)計(jì)及與所述一或多個(gè)工藝步驟相關(guān)聯(lián)的一或多個(gè)工藝參數(shù)的配方，且其中所述基于模擬的模型的輸出至少包含在所述一或多個(gè)工藝步驟后的所述層厚度。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器開(kāi)發(fā)制造工藝的變換模型，所述變換模型模仿所述基于模擬的模型且針對(duì)輸入或輸出中的至少一者的選定范圍具有比所述基于模擬的模型更快的評(píng)估速度，其中到所述變換模型的所述輸入包含所述輸入掩模設(shè)計(jì)及所述一或多個(gè)工藝參數(shù)中的至少一者，且其中所述變換模型的所述輸出包含與用所述一或多個(gè)工藝步驟制造所述輸入掩模設(shè)計(jì)相關(guān)聯(lián)的一或多個(gè)輸出參數(shù)以及描述所述一或多個(gè)輸出參數(shù)對(duì)到所述變換模型的所述輸入的敏感度的一或多個(gè)敏感度度量。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包含在所述一或多個(gè)工藝步驟后的所述層厚度或基于所述層厚度的隨機(jī)缺陷率中的至少一者。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器接收包含候選掩模設(shè)計(jì)及所述一或多個(gè)工藝參數(shù)中的所述至少一者的候選配方。在另一說(shuō)明性實(shí)施例中，所述控制器基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生經(jīng)修補(bǔ)配方。

4、應(yīng)理解，前文一般描述及下文具體實(shí)施方式兩者僅為示范性的且說(shuō)明性的，且不一閾值化制如所主張的本發(fā)明。并入于本說(shuō)明書(shū)中且構(gòu)成本說(shuō)明書(shū)的一部分的附圖說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施例且連同一般描述一起用于說(shuō)明本發(fā)明的原理。

技術(shù)特征：

1.一種系統(tǒng)，其包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述層厚度包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述基于模擬的模型或所述變換模型中的至少一者在存在工藝變動(dòng)的情況下提供所述層厚度或所述層厚度的概率中的至少一者。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述候選掩模設(shè)計(jì)及所述經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)是由二進(jìn)制表示、多邊形表示、距離場(chǎng)表示或水平集表示中的至少一者表示。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生所述經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生所述經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)包括迭代地執(zhí)行以下步驟，直到滿足一或多個(gè)應(yīng)用公差為止：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)應(yīng)用公差包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的系統(tǒng)，其中在所述候選掩模設(shè)計(jì)未能符合所述應(yīng)用公差時(shí)基于所述一或多個(gè)敏感度度量更新所述候選掩模設(shè)計(jì)包括：

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中在所述候選掩模設(shè)計(jì)未能符合所述應(yīng)用公差時(shí)基于所述一或多個(gè)敏感度度量更新所述候選掩模設(shè)計(jì)進(jìn)一步包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中所述選定敏感度閾值對(duì)應(yīng)于基于所述一或多個(gè)敏感度度量具有最高敏感度的位置的選定百分比。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中基于所述一或多個(gè)敏感度度量產(chǎn)生所述候選掩模設(shè)計(jì)中的至少一些邊緣的所述更新向量包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述候選掩模設(shè)計(jì)及所述經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)是由定義一組多邊形的多邊形表示來(lái)表示，其中用所述更新向量更新所述候選掩模設(shè)計(jì)包括：

13.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述候選掩模設(shè)計(jì)及所述經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)是由水平集表示來(lái)表示，其中用所述更新向量更新所述候選掩模設(shè)計(jì)包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生所述經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其進(jìn)一步包括：

21.一種方法，其包括：

22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的方法，其進(jìn)一步包括：

23.一種系統(tǒng)，其包括：

24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述層厚度包括：

25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述基于模擬的模型或所述變換模型中的至少一者在存在工藝變動(dòng)的情況下提供所述層厚度或所述層厚度的概率中的至少一者。

26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述候選掩模設(shè)計(jì)及經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)是由二進(jìn)制表示、多邊形表示、距離場(chǎng)表示或水平集表示中的至少一者表示。

27.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生所述經(jīng)修補(bǔ)配方包括：

28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)包括：

29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

30.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

31.根據(jù)權(quán)利要求23所述的系統(tǒng)，其中所述一或多個(gè)輸出參數(shù)包括：

技術(shù)總結(jié)
一種用于掩模設(shè)計(jì)修補(bǔ)的系統(tǒng)可開(kāi)發(fā)在用于制造樣本上的特征的一或多個(gè)工藝步驟后的層厚度的基于模擬的模型，開(kāi)發(fā)制造工藝的變換模型，所述變換模型模仿所述基于模擬的模型且具有比所述基于模擬的模型更快的評(píng)估速度，且其中到所述變換模型的輸入包含輸入掩模設(shè)計(jì)，且其中所述變換模型的輸出包含與所述輸入掩模設(shè)計(jì)的制造相關(guān)聯(lián)的一或多個(gè)輸出參數(shù)以及描述所述一或多個(gè)輸出參數(shù)對(duì)所述輸入掩模設(shè)計(jì)的變動(dòng)的敏感度的一或多個(gè)敏感度度量。所述系統(tǒng)可進(jìn)一步接收候選掩模設(shè)計(jì)且基于所述變換模型及所述候選掩模設(shè)計(jì)產(chǎn)生經(jīng)修補(bǔ)掩模設(shè)計(jì)。

技術(shù)研發(fā)人員：P·悟卡達(dá)拉,G·帕爾賽,白昆倫,李笑晗,A·布羅夫,張草,J·S·格雷夫斯,J·比亞福爾
受保護(hù)的技術(shù)使用者：科磊股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9