波長可變干涉濾波器、及其制造方法、光模塊及電子設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及波長可變干涉濾波器、及其制造方法、光模塊以及電子設(shè)備。其中，波長可變干涉濾波器的可動基板（52）具備可動部，以及在從基板厚度方向觀察可動基板（52）的俯視觀察中設(shè)置在可動部外側(cè)的槽（526），槽（526）具有槽的深度尺寸相同的底面（526C）和與底面（526C）連續(xù)的側(cè)面，側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷可動基板（52）的截面觀察中由圓弧形的第一曲面部（526A）和第二曲面部（526B）構(gòu)成。
【專利說明】波長可變干涉濾波器、及其制造方法、光模塊及電子設(shè)備
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及波長可變干涉濾波器、波長可變干涉濾波器的制造方法、濾光器設(shè)備、光模塊以及電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]目前，已知有在一對基板彼此相對的面上分別相對配置反射膜的波長可變干涉濾波器(例如參考專利文獻I)。
[0003]專利文獻I所述的波長可變干涉濾波器是使下部基板和上部基板接合后的波長可變干涉濾波器，在下部基板的與上部基板相對的面上設(shè)置下部反射鏡，在上部基板的與下部基板相對的面上設(shè)置與下部反射鏡相對的上部反射鏡。
[0004]另外，在上部基板上，在俯視圖中包圍上部反射鏡的區(qū)域設(shè)置隔膜，通過該隔膜在上下方向位移，使下部反射鏡與上部反射鏡之間的距離發(fā)生變化。
[0005]此處，通過對上部基板上進行濕式刻蝕形成槽來獲得隔膜。
[0006]但是，以可見光區(qū)域的光為對象的波長可變干涉濾波器一般使用可以透過可見光區(qū)域的光的玻璃作為下部基板和上部基板。在這種玻璃制的上部基板上進行濕式蝕刻形成隔膜的情況下，如圖17所示，使用具有與隔膜的形狀相對應(yīng)的開口的掩膜M9。這種情況下，通過各向同性蝕刻，蝕刻不僅向深度方向，而且從掩膜開口端M91向橫向發(fā)展，從隔膜的槽底面926B到上部基板92的上表面(形成掩膜的面)，以掩膜開口端M91為中心形成由圓弧形的曲面構(gòu)成的側(cè)面926A。因此存在如下課題:波長可變干涉濾波器的尺寸增大比該掩膜M9的開口更向橫向擴展的側(cè)面926A的區(qū)域D9的大小。
[0007]在先技術(shù)文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本專利特開2011-197386號公報
【發(fā)明內(nèi)容】

[0010]本發(fā)明的目的在于提供可小型化的波長可變干涉濾波器、波長可變干涉濾波器的制造方法、濾光器設(shè)備、光模塊以及電子設(shè)備。
[0011]本發(fā)明的波長可變干涉濾波器，其特征在于，具備:第一基板；第二基板，與上述第一基板相對配置；第一反射膜，設(shè)置在上述第一基板上，使入射光的一部分反射一部分透過；以及第二反射膜，設(shè)置在上述第二基板上，與上述第一反射膜相對，使入射光的一部分反射一部分透過，上述第二基板具有可動部以及在從基板厚度方向觀察上述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在上述可動部外側(cè)的槽，上述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與上述底面連續(xù)的側(cè)面，在沿著基板厚度方向截斷上述第二基板的截面觀察中，上述側(cè)面由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
[0012]在本發(fā)明中，設(shè)置在第二基板上的槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與底面連續(xù)的側(cè)面，側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
[0013]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與槽的側(cè)面只由一個曲面部構(gòu)成的結(jié)構(gòu)相比，可以縮小俯視圖中的槽的側(cè)面區(qū)域。由此可以縮小槽的寬度，從而可以使波長可變干涉濾波器小型化。
[0014]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器中，在上述截面觀察中，優(yōu)選多個上述曲面部的圓弧中心點位于從上述底面與上述側(cè)面的交界起沿著上述第二基板的基板厚度方向的虛擬直線上。
[0015]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，可以進一步縮小俯視圖中的槽的側(cè)面區(qū)域。
[0016]本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于，包括:第一基板形成工序，形成第一基板，在該第一基板上設(shè)置使入射光的一部分反射一部分透過的第一反射膜；第二基板形成工序，形成第二基板；第二反射膜形成工序，在設(shè)定于上述第二基板的可動部形成區(qū)域，形成使入射光的一部分反射一部分透過的第二反射膜；以及接合工序，以使上述第一反射膜和上述第二反射膜相對的方式接合上述第一基板和上述第二基板，上述第二基板形成工序包括槽形成工序，所述槽形成工序在從基板厚度方向觀察上述第二基板的俯視觀察中，在上述可動部形成區(qū)域外側(cè)形成具有槽的深度尺寸相同的底面以及與上述底面連續(xù)的側(cè)面的槽，上述槽形成工序包括:第一掩膜形成工序，在上述第二基板的表面上形成第一掩膜，該第一掩膜的與上述底面對應(yīng)的區(qū)域開口 ；第一蝕刻工序，利用上述第一掩膜對上述第二基板進行濕式蝕刻并形成第一槽；第二掩膜形成工序，在除去上述第一掩膜之后，在上述第二基板的表面上形成第二掩膜，該第二掩膜的與上述底面對應(yīng)的區(qū)域開口 ；以及第二蝕刻工序，利用上述第二掩膜對上述第二基板進行濕式蝕刻并形成第二槽。
[0017]例如，通過使用第一掩膜的一次濕式蝕刻在第二基板上形成槽的情況下，與槽的深度尺寸大致相同尺寸的側(cè)蝕刻正在進行。
[0018]與此相對，在本發(fā)明中，通過第一蝕刻工序和第二蝕刻工序形成槽。而且，第二掩膜的與槽的底面對應(yīng)的區(qū)域形成開口，因此第二蝕刻工序中的側(cè)蝕刻的起點位于從槽的底面與側(cè)面的交界起沿著第二基板的基板厚度方向的虛擬直線上。
[0019]因此，與通過利用第一掩膜的一次濕式蝕刻形成相同深度尺寸的槽的情況相比，可以縮小側(cè)蝕刻尺寸。
[0020]由此可以縮小形成在第二基板上的槽的寬度，從而可以使波長可變干涉濾波器小型化。
[0021]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法中，優(yōu)選上述第二掩膜形成工序包括:在形成有上述第一槽的上述第二基板的表面上，形成覆蓋構(gòu)成上述第一槽的側(cè)面和底面的掩膜部件的工序；在形成有上述掩膜部件的上述第二基板的表面上，形成覆蓋上述掩膜的以電鍍抗蝕劑為材料的抗蝕劑的工序；將形成的上述抗蝕劑圖案化的工序；以及將圖案化的上述抗蝕劑作為掩膜、對上述掩膜部件進行蝕刻從而形成上述第二掩膜的工序。
[0022]在形成有掩膜部件的第二基板的表面上例如利用旋涂法形成抗蝕劑的情況下，抗蝕劑有可能未徹底地固定在覆蓋第一槽的側(cè)面的掩膜部件上。
[0023]與此相對，在本發(fā)明中，由于抗蝕劑使用電鍍抗蝕劑，可以使抗蝕劑非?？煽康毓潭ㄔ诟采w第一槽的側(cè)面的抗蝕劑部件上。由此，可以高精度地進行抗蝕劑的圖案化。
[0024]在本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法中，上述抗蝕劑優(yōu)選正性抗蝕劑。
[0025]覆蓋掩膜部件的抗蝕劑例如是負性抗蝕劑的情況下，為了使抗蝕劑留在第一槽的側(cè)面上，需要使該側(cè)面上的抗蝕劑曝光。但是，由于光很難到達第一槽的側(cè)面，因此該側(cè)面上的抗蝕劑不能充分曝光，顯影的結(jié)果，有時該側(cè)面上的抗蝕劑被除去。
[0026]與此相對，根據(jù)本發(fā)明，由于抗蝕劑是正性，因此無需為了使抗蝕劑留在第一槽的側(cè)面上而對該側(cè)面上的抗蝕劑進行曝光。因此，可以進一步高精度地進行抗蝕劑的圖案化。
[0027]本發(fā)明的濾光器設(shè)備，其特征在于，具備:波長可變干涉濾波器和殼體，所述波長可變干涉濾波器具有第一基板，與上述第一基板相對配置的第二基板，設(shè)置在上述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透過的第一反射膜，以及設(shè)置在上述第二基板上、與上述第一反射膜相對、使入射光的一部分反射一部分透過的第二反射膜，上述殼體收容上述波長可變干涉濾波器，上述第二基板具有可動部，以及在從基板厚度方向觀察上述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在上述可動部外側(cè)的槽，上述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與上述底面連續(xù)的側(cè)面，上述側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷上述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
[0028]在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣，可以縮小形成在第二基板上的槽的寬度，從而可以使波長可變干涉濾波器小型化。其結(jié)果，可以使搭載有波長可變干涉濾波器的濾光器設(shè)備小型化。另外，由于波長可變干涉濾波器被收容于殼體內(nèi)，因此可以抑制由大氣中的氣體等引起的反射膜劣化以及異物吸附。
[0029]本發(fā)明的光模塊，其特征在于，具備:第一基板，與上述第一基板相對配置的第二基板，設(shè)置在上述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透過的第一反射膜、設(shè)置在上述第二基板上、與上述第一反射膜相對、使入射光的一部分反射一部分透過的第二反射膜、以及對射入上述第一反射膜與上述第二反射膜之間的光發(fā)生干涉而選擇的波長的光進行檢測的檢測部，上述第二基板具有可動部，以及在從基板厚度方向觀察上述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在上述可動部外側(cè)的槽，上述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與上述底面連續(xù)的側(cè)面，上述側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷上述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
[0030]在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣，可以縮小形成在第二基板上的槽的寬度，從而可以使光模塊小型化。
[0031]本發(fā)明的電子設(shè)備，其特征在于，具備:波長可變干涉濾波器和控制部，所述波長可變干涉濾波器具有第一基板，與上述第一基板相對配置的第二基板，設(shè)置在上述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透過的第一反射膜，以及設(shè)置在上述第二基板上、與上述第一反射膜相對、使入射光的一部分反射一部分透過的第二反射膜，上述控制部控制上述波長可變干涉濾波器，上述第二基板具有可動部，以及在從基板厚度方向觀察上述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在上述可動部外側(cè)的槽，上述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與上述底面連續(xù)的側(cè)面，上述側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷上述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
[0032]在本發(fā)明中，與上述發(fā)明同樣，可以縮小形成在第二基板上的槽的寬度，從而可以使波長可變干涉濾波器小型化。其結(jié)果，可以使搭載有波長可變干涉濾波器的電子設(shè)備小型化。
【專利附圖】

【附圖說明】[0033]圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的分光測定裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。
[0034]圖2是表示本實施方式的波長可變干涉濾波器的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖。
[0035]圖3是沿圖2中的II1-1II線截面的波長可變干涉濾波器的截面圖。
[0036]圖4是圖3的可動基板的槽附近的放大圖。
[0037]圖5是表示本實施方式的波長可變干涉濾波器的制造工序的流程圖。
[0038]圖6是表示圖5的固定基板形成工序中的第一玻璃基板的狀態(tài)的圖。
[0039]圖7是表示圖5的可動基板形成工序中的第二玻璃基板的狀態(tài)的圖。
[0040]圖8是表示圖5的可動基板形成工序中的第二玻璃基板的狀態(tài)的圖。
[0041]圖9是表示圖5的可動基板形成工序中的第二玻璃基板的狀態(tài)的圖。
[0042]圖10是表不圖5的基板接合工序的圖。
[0043]圖11是表示本發(fā)明的第二實施方式的濾光器設(shè)備的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0044]圖12是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的測色裝置的一例的框圖。
[0045]圖13是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的氣體檢測裝置的一例的概略圖。
[0046]圖14是表示圖13的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0047]圖15是表示作為本發(fā)明的電子設(shè)備的食物分析裝置的概略結(jié)構(gòu)的圖。
[0048]圖16是作為本發(fā)明的電子設(shè)備的分光照相機的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。
[0049]圖17是說明現(xiàn)有的波長可變干涉濾波器的課題的圖。
【具體實施方式】
[0050]第一實施方式
[0051 ] 以下根據(jù)附圖對本發(fā)明的第一實施方式進行說明。
[0052]分光測定裝置的結(jié)構(gòu)
[0053]圖1是表示本發(fā)明的第一實施方式的分光測定裝置的概略結(jié)構(gòu)的框圖。
[0054]分光測定裝置I是本發(fā)明的電子設(shè)備的一例，是根據(jù)被測定對象X反射的測定對象光，對測定對象光的光譜進行測定的裝置。在本實施方式中雖然示出測定被測定對象X反射的測定對象光的示例，但作為測定對象X使用例如液晶面板等發(fā)光體時，也可以將該發(fā)光體發(fā)出的光作為測定對象光。
[0055]如圖1所示，該分光測定裝置I具有光模塊10和控制部20。
[0056]光模塊的結(jié)構(gòu)
[0057]以下對光模塊10的結(jié)構(gòu)進行說明。
[0058]如圖1所示，光模塊10具備波長可變干涉濾波器5、檢測器11、1-V轉(zhuǎn)換器12、放大器13、A/D轉(zhuǎn)換器14以及電壓控制部15而構(gòu)成。
[0059]檢測器11接收透過光模塊10的波長可變干涉濾波器5的光，并根據(jù)所接收的光的光強度輸出檢測信號(電流)。
[0060]1-V轉(zhuǎn)換器12將由檢測器11輸出的檢測信號轉(zhuǎn)換成電壓值后向放大器13輸出。
[0061]放大器13將對應(yīng)于從1-V轉(zhuǎn)換器12輸入的檢測信號的電壓(檢測電壓)放大。
[0062]A/D轉(zhuǎn)換器14將從放大器13輸入的檢測電壓(模擬信號)轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號后向控制部20輸出。
[0063]波長可變干涉濾波器的結(jié)構(gòu)[0064]圖2是表示波長可變干涉濾波器5的概略結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖3是在圖2的II1-1II線上的波長可變干涉濾波器5的截面圖。
[0065]利用本發(fā)明的波長可變干涉濾波器的制造方法制造波長可變干涉濾波器5。此外，波長可變干涉濾波器的制造方法將在后面進行說明。
[0066]如圖2所示，該波長可變干涉濾波器5例如是平面為正方形的板狀的光學部件。如圖3所示，該波長可變干涉濾波器5具有作為本發(fā)明的第一基板的固定基板51和作為本發(fā)明的第二基板的可動基板52。這些固定基板51和可動基板52分別由例如蘇打玻璃、結(jié)晶性玻璃、石英玻璃、鉛玻璃、鉀玻璃、硼硅酸鹽玻璃、無堿玻璃等各種玻璃或水晶等形成。并且，通過利用由例如以硅氧烷為主要成分的等離子體聚合膜等構(gòu)成的接合膜53 (第一接合膜531和第二接合膜532)接合固定基板51的第一接合部513和可動基板52的第二接合部523，從而將這些固定基板51和可動基板52形成一體。
[0067]在固定基板51上設(shè)置有構(gòu)成本發(fā)明的第一反射膜的固定反射膜54，在可動基板52上設(shè)置有構(gòu)成本發(fā)明的第二反射膜的可動反射膜55。這些固定反射膜54和可動反射膜55隔著反射膜間間隙Gl相對配置。并且，在波長可變干涉濾波器5上設(shè)置有用于調(diào)整該反射膜間間隙Gl的靜電致動器56。該靜電致動器56由設(shè)置在固定基板51上的固定電極561和設(shè)置在可動基板52上的可動電極562構(gòu)成。這些固定電極561和可動電極562隔著電極間間隙G2 (G2 > Gl)相對。在此，這些電極561、562分別可以是直接設(shè)置在固定基板561和可動基板52的基板表面的結(jié)構(gòu)，也可以是隔著其他膜部件而設(shè)置的結(jié)構(gòu)。
[0068]另外，在從固定基板51 (可動基板52)的基板厚度方向觀察波長可變干涉濾波器5的圖2所示的濾光器俯視觀察中，固定基板51和可動基板52的俯視圖中心點O與固定反射膜54和可動反射膜55的中心點一致,且與后述的可動部521的中心點一致。
[0069]此外，在以下的說明中，將從固定基板51或可動基板52的基板厚度方向觀察的俯視觀察即，從固定基板51、接合膜53和可動基板52的層壓方向觀察波長可變干涉濾波器5的俯視觀察稱為濾光器俯視觀察。
[0070]固定基板的結(jié)構(gòu)
[0071]通過加工厚度形成為例如Imm的玻璃基板形成固定基板51。具體而言,如圖3所示，在固定基板51上通過蝕刻形成電極配置槽511和反射膜設(shè)置部512。該固定基板51形成大于可動基板52的厚度尺寸,從而不存在由向固定電極561和可動電極562之間施加電壓時的靜電引力或固定電極561的內(nèi)部應(yīng)力引起的固定基板51的撓曲。
[0072]另外，在固定基板51的頂點Cl (參考圖2)形成切口部514，后述的可動電極墊564P從波長可變干涉濾波器5的固定基板51側(cè)露出。
[0073]電極配置槽511在濾光器俯視圖中形成以固定基板51的平面中心點O為中心的環(huán)形。反射膜設(shè)置部512在上述俯視圖中，從電極配置槽511的中心部向可動基板52側(cè)突出形成。此處，電極配置槽511的槽底面成為配置有固定電極561的電極設(shè)置面511A。另夕卜，反射膜設(shè)置部512的突出前端面成為反射膜設(shè)置面512A。
[0074]另外，在固定基板51上設(shè)置有從電極配置槽511向固定基板51的外周緣的頂點Cl、頂點C2延伸的電極引出槽511B (參考圖2)。
[0075]在電極配置槽511的電極設(shè)置面51IA上設(shè)置有固定電極561。該固定電極561設(shè)置在電極設(shè)置面511A中與后述的可動部521的可動電極562相對的區(qū)域。另外，也可以采用在固定電極561上層壓用于確保固定電極561和可動電極562之間的絕緣性的絕緣膜的結(jié)構(gòu)。
[0076]并且，在固定基板51上設(shè)置有從固定電極561的外周緣向頂點C2方向延伸的固定引出電極563。這些固定引出電極563的延伸前端部(固定基板51位于頂點C2的部分)形成與電壓控制部15連接的固定電極墊563P。
[0077]此外，在本實施方式中示出在電極設(shè)置面51IA上設(shè)置一個固定電極561的結(jié)構(gòu)，但是也可以采用例如設(shè)置有成為以平面中心點O為中心的同心圓的兩個電極的結(jié)構(gòu)(雙重電極結(jié)構(gòu))等。
[0078]如上所述，反射膜設(shè)置部512與電極配置槽511同軸、并形成為直徑尺寸小于電極配置槽511的大致圓柱形，具有該反射膜配置部512的、與可動基板52相對的反射膜設(shè)置面 512A。
[0079]如圖3所示，在該反射膜設(shè)置部512上設(shè)置固定反射膜54。作為該固定反射膜54例如可以使用Ag等金屬膜或Ag合金等合金膜。另外，也可以使用高折射層為TiO2，低折射層為SiO2的電介質(zhì)多層膜。而且，也可以使用在電介質(zhì)多層膜上層壓有金屬膜(或合金膜)的反射膜或在金屬膜(或合金膜)上層壓有電介質(zhì)多層膜的反射膜、層壓有單層的折射層(TiO2或SiO2等)和金屬膜(或合金膜)的反射膜等。
[0080]另外，可以在固定基板51的光入射面(未設(shè)置固定反射膜54的面)上，在與固定反射膜54對應(yīng)的位置形成反射防止膜。該反射防止膜可以通過交替層壓低折射率膜和高折射率膜而形成，可以降低固定基板51表面的可見光的反射率，增大透過率。
[0081]并且，在固定基板51的與可動基板52相對的面中，未通過蝕刻形成電極配置槽511、反射膜設(shè)置部512和電極引出槽51IB的面構(gòu)成第一接合部513。在該第一接合部513設(shè)置有第一接合膜531,通過該第一接合膜531與設(shè)置在可動基板52上的第二接合膜532接合，如上所述，固定基板51和可動基板52接合。
[0082]可動基板的結(jié)構(gòu)
[0083]可動基板52通過加工厚度形成為例如600 μ m的玻璃基材而形成。
[0084]具體而言，可動基板52在圖2所示的濾光器俯視圖中，具有以平面中心點O為中心的圓形可動部521、與可動部521同軸且保持可動部521的保持部522、以及設(shè)置在保持部522外側(cè)的基板外周部525。
[0085]另外，如圖2所示，在可動基板52上與頂點C2對應(yīng)地形成切口部524，從可動基板52側(cè)觀察波長可變干涉濾波器5時，固定電極墊563P露出。
[0086]可動部521形成大于保持部522的厚度，例如在本實施方式中，形成與可動基板52的厚度尺寸相同的尺寸。在濾光器俯視觀察中，該可動部521形成至少大于反射膜設(shè)置面512A的外周緣的直徑尺寸的直徑尺寸。并且，在該可動部521上設(shè)置有可動電極562和可動反射膜55。
[0087]另外，與固定基板51同樣，也可以在可動部521的與固定基板51相反一側(cè)的面上形成反射防止膜。這樣的反射防止膜可以通過交替層壓低折射率膜和高折射率膜而形成，可以降低可動基板52表面的可見光的反射率，增大透過率。
[0088]可動電極562在可動基板52的與固定基板51相對的表面52A上，隔著電極間隙G2 (G2 > Gl)與固定電極561相對，并形成與固定電極561相同形狀的環(huán)形。并且，在可動基板52上具備從可動電極基板562的外周緣向可動基板52的頂點Cl延伸的可動引出電極564。這些可動引出電極564的延伸前端部(可動基板52位于頂點Cl的部分)形成與電壓控制部15連接的可動電極墊564P。
[0089]可動反射膜55在可動部521的可動面521A的中心部，隔著反射膜間間隙Gl與固定反射膜54相對設(shè)置。該可動反射膜55使用與上述固定反射膜54相同結(jié)構(gòu)的反射膜。
[0090]另外，在本實施方式中例示出反射膜間間隙Gl小于電極間間隙G2的結(jié)構(gòu)，但不局限于此。即，反射膜間間隙Gl和電極間間隙G2可以由波長可變干涉濾波器5取出的光的波長區(qū)域決定，例如反射膜間間隙Gl和電極間間隙G2可以是相同尺寸，也可以是反射膜間間隙Gl設(shè)定為大于電極間間隙G2的結(jié)構(gòu)。
[0091]在可動基板52的與表面52A相反的表面52B側(cè),在濾光器俯視圖中，在可動部521的外側(cè)形成環(huán)形槽526。圖4是圖3的可動基板的槽附近的放大圖。如圖4所示，槽526由槽深度尺寸相同的底面526C和與底面526C連續(xù)的側(cè)面構(gòu)成。側(cè)面包括第一曲面部526A和第二曲面部526B。
[0092]第一曲面部526A是與可動基板52的表面52B連續(xù)的面。第一曲面部526A是與表面52B在同一平面上，且在濾光器俯視圖中與底面526C的端部E52重合的、以虛擬的第一點01為中心形成為圓弧形的曲面部。
[0093]第二曲面部526B是與底面526C連續(xù)的面。第二曲面部526B是與第一點01相比位于底面526C側(cè)，且在濾光器俯視圖中與底面526C的端部E52重合的、以虛擬的第二點02為中心形成為圓弧形的曲面部。
[0094]S卩，底面526C的端部E52相當于底面526C與第二曲面部526B的交界。并且，第一點01和第二點02位于從該端部E52起沿著可動基板52的厚度方向的虛擬直線L上。
[0095]在此,第二點02位于第一曲面部526A的圓弧延長線上。
[0096]這樣，通過在可動基板52上形成槽526，得到保持部522。
[0097]保持部522是包圍可動部521周圍的隔膜，形成為小于可動部521的厚度尺寸。
[0098]這樣的保持部522比可動部521容易撓曲，通過微小的靜電引力就可以使可動部521向固定基板51側(cè)位移。此時，由于可動部521的厚度尺寸大于保持部522且剛性增大，因此即使在由于靜電引力而將保持部522向固定基板51側(cè)拉伸的情況下，也不會引起可動部521的形狀變化。因此，設(shè)置在可動部521上的可動反射膜55也不會產(chǎn)生撓曲，從而能夠使固定反射膜54和可動反射膜55始終維持平行狀態(tài)。
[0099]另外，在本實施方式中雖然例示出隔膜狀保持部522，但不局限于此。例如也可以采用設(shè)置有以平面中心點O為中心、等角度間隔配置的梁狀保持部的結(jié)構(gòu)等。
[0100]如上所述，在濾光器俯視觀察中，基板外周部525設(shè)置在保持部522的外側(cè)。該基板外周部525的與固定基板51相對的面上具有與第一接合部513相對的第二接合部523。并且，在該第二接合部523上設(shè)置有第二接合膜532，如上所述，通過將第二接合膜532與第一接合膜531接合，從而使固定基板51和可動基板52接合。
[0101]電壓控制部的結(jié)構(gòu)
[0102]電壓控制部15與波長可變干涉濾波器5的固定引出電極563(固定電極墊563P)、可動引出電極564 (可動電極墊564P)連接。
[0103]并且，電壓控制部15如果從控制部20接收與測定對象波長對應(yīng)的電壓指令信號，則向固定引出電極563及可動引出電極564之間施加相應(yīng)的電壓。由此，在波長可變干涉濾波器5的靜電致動器56 (固定電極561和可動電極562之間)產(chǎn)生基于施加電壓的靜電引力，可動部521向固定基板51側(cè)位移，反射膜間間隙Gl的大小發(fā)生變化。
[0104]控制部的結(jié)構(gòu)
[0105]控制部20例如通過組合CPU和存儲器等而構(gòu)成，控制分光測定裝置I的整體動作。如圖1所示，該控制部20具有濾光器驅(qū)動部21、光量取得部22以及分光測定部23。
[0106]另外，控制部20具有存儲各種數(shù)據(jù)的存儲部(省略圖示)，存儲部存儲有用于控制靜電致電器56的V-λ數(shù)據(jù)。
[0107]該V-λ數(shù)據(jù)記錄相對于施加在靜電致電器56上的電壓(V)的、透過波長可變干涉濾波器5的光的峰值波長(λ )。
[0108]濾光器驅(qū)動部21既設(shè)定通過波長可變干涉濾波器5取出的光的目標波長，又從存儲在存儲部的V-λ數(shù)據(jù)讀取與所設(shè)定的目標波長對應(yīng)的目標電壓值。并且，濾光器驅(qū)動部21向電壓控制部15輸出使其施加所讀取的目標電壓值的內(nèi)容的控制信號。由此，從電壓控制部15向靜電致電器56施加目標電壓值的電壓。
[0109]光量取得部22根據(jù)檢測器11取得的光量、取得透過波長可變干涉濾波器5的目標波長的光的光量。
[0110]分光測定部23根據(jù)光量取得部22取得的光量，對測定對象光的光譜特性進行測定。
[0111]作為分光測定部23的分光測定方法，例如可列舉出將通過檢測器11對測定對象波長檢測的光量作為該測定對象波長的光量來測定分光光譜的方法，和根據(jù)多個測定對象波長的光量推測分光光譜的方法等。
[0112]作為推測分光光譜的方法，例如通過將相對于多個測定對象波長的光量的每一個作為矩陣元素、生成測量光譜矩陣，使規(guī)定的轉(zhuǎn)換矩陣作用于該測量光譜矩陣，從而推測作為測定對象的光的分光光譜。這種情況下，利用分光測定裝置I測定分光光譜已知的多個試樣光，以使將轉(zhuǎn)換矩陣作用于根據(jù)測定得到的光量生成的測量光譜矩陣后的矩陣與已知的分光光譜的偏差最小的方式設(shè)定轉(zhuǎn)換矩陣。
[0113]波長可變干涉濾波器的制造方法
[0114]以下根據(jù)附圖對上述波長可變干涉濾波器5的制造方法進行說明。
[0115]圖5是表示波長可變干涉濾波器5的制造工序的流程圖。
[0116]制造波長可變干涉濾波器5，首先準備用于形成固定基板51的第一玻璃基板51Ρ、用于形成可動基板52的第二玻璃基板52Ρ，進行固定基板形成工序步驟SI和可動基板形成工序步驟S2。然后進行基板接合工序步驟S3，將通過固定基板形成工序步驟SI加工的第一玻璃基板51Ρ和通過可動基板形成工序步驟S2加工的第二玻璃基板52Ρ接合，按芯片單位裁成波長可變干涉濾波器5。
[0117]以下根據(jù)附圖對各工序步驟SI?步驟S3進行說明。
[0118]固定基板形成工序
[0119]圖6是表示固定基板形成工序步驟SI中的第一玻璃基板51Ρ的狀態(tài)的圖。
[0120]在固定基板形成工序步驟SI中，首先對作為固定基板51的制造原材料的第一玻璃基板51Ρ(例如厚度為Imm)的兩面進行精密拋光直到兩面的表面粗糙度Ra為Inm以下。[0121]然后，如圖6 (A)所示，在第一玻璃基板51P的兩面(整個表面)涂布第一掩膜層Ml (抗蝕劑)，利用光刻法對所涂布的第一掩膜層Ml進行曝光和顯影，以使形成電極配置槽511、電極引出槽511B (省略圖示)以及反射膜設(shè)置部512的位置開口的方式圖案化。在此，在本實施方式中，由一個第一玻璃基板51P形成多個固定基板51。因此，在該工序中，以在并列配置成陣列狀的狀態(tài)下制造多個固定基板51的方式，在第一玻璃基板51P上形成抗蝕圖案。
[0122]然后，如圖6 (B)所示，對第一玻璃基板51P進行蝕刻例如到0.5 μ m的深度尺寸。這里的蝕刻例如是使用氫氟酸水溶液等氫氟酸蝕刻溶液進行濕式蝕刻。由此，在第一玻璃基板51P上形成反射膜設(shè)置面512。
[0123]然后，在除去第一掩膜層Ml之后,在第一玻璃基板51P的整個表面上形成用于形成電極配置槽511的第二掩膜層M2 (抗蝕劑)。然后，如圖6 (C)所示，以使形成電極配置槽511 (和電極引出槽511B)的位置開口的方式圖案化。此外，在此示出在除去第一掩膜層Ml之后形成新的第二掩膜層M2的示例，也可以例如不除去第一掩膜層M1，而只在反射膜設(shè)置部512的形成位置形成新的第二掩膜層M2。
[0124]然后，對第一玻璃基板51P進行濕式蝕刻形成電極配置槽511和電極引出槽511B(省略圖示)。此時，例如以使電極設(shè)置面511A位于距離反射膜設(shè)置面512A的深度尺寸為I μ m的位置(距離第一玻璃基板51P的上表面的深度尺寸為1.5 μ m的位置)的方式進行濕式蝕刻。然后除去第二掩膜層M2。
[0125]由此，如圖6 (D)所示，決定形成有電極配置槽511、電極引出槽511B (省略圖示)和反射膜設(shè)置部512的固定基板51的基板形狀。
[0126]然后進行本發(fā)明的第一成膜工序。
[0127]在該第一成膜工序中，首先使在第一玻璃基板51P上形成固定電極561的電極材料成膜。作為固定電極561和固定引出電極563可以使用任何電極材料，但在本實施方式中，利用濺射法等形成0.1 μπι的ITO膜。然后，通過使電極材料化圖案，如圖6 (E)所示形成固定電極561和固定引出電極563 (省略圖示)。該圖案化中，例如在所形成的ITO上，在固定電極561和固定引出電極563的形成位置進行抗蝕圖案化。談后利用硝酸與鹽酸的混合液對ITO進行蝕刻，蝕刻之后除去抗蝕圖案。
[0128]另外，在固定電極561上使絕緣層成膜的情況下，在形成固定電極561之后，例如通過等離子CVD法等在固定基板51的與可動基板52相對的整個面上形成例如IOOnm左右厚度的絕緣膜(例如TEOS或Si02)。然后利用例如干式蝕刻等除去固定電極墊563P上的絕緣膜。
[0129]然后，如圖6 (F)所示，在反射膜設(shè)置面512A上設(shè)置固定反射膜54。此處，在本實施方式中，作為固定反射膜54使用Ag合金。作為固定反射膜54使用Ag等金屬膜或Ag合金等合金膜的情況下，在第一玻璃基板51P的形成了電極配置槽511和反射膜設(shè)置部512的面形成固定反射膜54的膜層之后，利用光刻法等進行圖案化。
[0130]另外，作為固定反射膜54使用電介質(zhì)多層膜的情況下，例如可以通過剝離工藝而形成。這種情況下，通過光刻法等在固定基板51上的反射膜形成部分以外的部分形成抗蝕齊U(剝離圖案)。然后利用濺射法或氣相沉積法等使用于形成固定反射膜54的材料(例如高折射層為TiO2，低折射層為Si02的電介質(zhì)多層膜)成膜。然后，在形成了固定反射膜54之后，利用剝離工藝除去不需要的部分的膜。
[0131]另外，使用在電介質(zhì)多層膜上進一步層壓有金屬膜或金屬合金膜的固定反射膜54的情況下，或者使用在電介質(zhì)膜(例如TiO2或SiO2等高折射層)上層壓有金屬膜或金屬合金膜的固定反射膜54的情況下，如上所述利用剝離工藝形成電介質(zhì)多層膜(電介質(zhì)膜)之后，利用濺射法或蒸鍍法等形成金屬膜或金屬合金膜，然后利用光刻法等進行圖案化。
[0132]通過上述方法形成陣列狀配置有多個固定基板51的第一玻璃基板51P。
[0133]可動基板形成工序
[0134]以下對可動基板形成工序步驟S2進行說明。圖7?圖9是表示可動基板形成工序步驟S2中的第二玻璃基板52P的狀態(tài)的圖。
[0135]在可動基板形成工序步驟S2中，首先對作為可動基板52的制造原材料的第二玻璃基板52P (例如厚度為0.6mm)的兩面進行精密拋光直到表面粗糙度Ra在Inm以下。
[0136]然后，如圖7(A)所示，利用濺射法在第二玻璃基板52P的兩面形成Cr膜/ Au膜的層壓膜El。此處對Cr膜和Au膜的厚度沒有特別限制，在本實施方式中將Cr膜形成50nm，將Au膜形成500nm。
[0137]然后，如圖7 (B)所示，利用旋涂法在第二玻璃基板52P的兩面涂布抗蝕劑，形成覆蓋層壓膜El的抗蝕劑REl。
[0138]然后，如圖7 (C)所示，利用光刻法使抗蝕劑REl曝光并顯影，以使可動基板52上的與槽526的底面526C對應(yīng)的區(qū)域開口的方式進行圖案化。此處，在本實施方式中，由一個第二玻璃基板52P形成多個可動基板52。因此，在該工序中，以在并列配置成陣列狀的狀態(tài)下制造多個可動基板52的方式，在第二玻璃基板52P上形成抗蝕圖案。
[0139]然后，利用該圖案化的抗蝕劑RE1，對層壓膜El進行蝕刻形成第一掩膜Mil。此時，利用碘與碘化鉀的混合液對構(gòu)成層壓膜El的Au膜進行蝕刻，利用硝酸鈰銨水溶液對Cr膜進行蝕刻。
[0140]以下，如圖7 (D)所示，將圖案化的抗蝕劑REl和第一掩膜Mll作為掩膜，利用緩沖氫氟酸對第二玻璃基板52P進行濕式蝕刻(第一蝕刻工序)。深度方向的蝕刻尺寸例如是
0.3mm。由此，在第二玻璃基板52P上形成由與第一掩膜Mll的開口對應(yīng)的底面T1B，以及連接底面TlB與第二玻璃基板52P的上表面的側(cè)面TlA構(gòu)成的第一槽Tl。
[0141]在此，由于各向同性蝕刻，與第一槽Tl的深度尺寸大致相同尺寸的側(cè)蝕刻正在進行。由此，側(cè)面TlA為以第一掩膜Mll的開口端MllA為中心形成為圓弧形的曲面。
[0142]另外，第一掩膜Mll的開口端MllA相當于可動基板52的虛擬第一點01，側(cè)面TlA構(gòu)成可動基板52的槽526的第一曲面部526A。
[0143]然后，如圖7 (E)所示，除去圖案化的抗蝕劑REl和第一掩膜Mil。
[0144]然后，如圖8 (A)所示，利用濺射法在第二玻璃基板52P的兩面形成覆蓋構(gòu)成第一槽Tl的側(cè)面TlA和底面TlB的Cr膜/ Au膜的層壓膜E2。這里對Cr膜和Au膜的厚度沒有特別限制，在本實施方式中Cr膜形成為50nm，Au膜形成為500nm。
[0145]然后，如圖8 (B)所示，在第二玻璃基板52P的兩面形成以覆蓋層壓膜E2的電鍍抗蝕劑為材料的抗蝕劑RE2。此處，抗蝕劑RE2是正性抗蝕劑。
[0146]然后，如圖8 (C)所示，通過光刻法使抗蝕劑RE2曝光并顯影，以使可動基板52上的與槽526的底面526C對應(yīng)的區(qū)域開口的方式圖案化。[0147]然后，利用該被圖案化的抗蝕劑RE2對層壓膜E2進行蝕刻形成第二掩膜M21。此時，利用碘與碘化鉀的混合液對構(gòu)成層壓膜E2的Au膜進行蝕刻，利用硝酸鈰銨水溶液對Cr膜進行蝕刻。
[0148]然后，如圖8 (D)所示，以圖案化的抗蝕劑RE2和第二掩膜M21作為掩膜，利用緩沖氫氟酸對第二玻璃基板52P進行濕式蝕刻(第二蝕刻工序)。深度方向的蝕刻尺寸例如是0.27mm。由此，在第二玻璃基板52P上形成由與第二掩膜M21的開口對應(yīng)的底面T2B，以及連接底面T2B與第二玻璃基板52P的上表面的側(cè)面T2A構(gòu)成的第二槽T2。
[0149]在此，由于各向同性蝕刻，與第二槽T2的深度尺寸大致相同尺寸的側(cè)蝕刻正在進行。由此，側(cè)面T2A為以第二掩膜M21的開口端M21A為中心形成為圓弧形的曲面。
[0150]另外，第二掩膜M21的開口端M21A相當于可動基板52的虛擬第二點02，底面T2B相當于可動基板52的槽526的底面526C，側(cè)面T2A相當于可動基板52的槽526的第二曲面部526B。
[0151]然后，如圖8 (E)所示，除去圖案化的抗蝕劑RE2和第二掩膜M21。
[0152]由此，得到在第二玻璃基板52P上形成槽526，厚度例如為30 μ m的保持部522。
[0153]然后,如圖9 (A)所不,在第二玻璃基板52P的與形成有槽526的表面相反一側(cè)的表面上形成可動電極562和可動引出電極564 (省略圖示)?？梢圆捎门c形成上述第一玻璃基板5IP上的固定電極561相同的方法形成該可動電極562和可動引出電極564。
[0154]然后，如圖9 (B)所示，在可動面521A上形成可動反射膜55。也可以采用與形成上述第一玻璃基板5IP上的固定反射膜54相同的方法形成該可動反射膜55。
[0155]通過上述方法制造成陣列狀配置有多個可動基板52的第二玻璃基板52P。
[0156]基板接合工序
[0157]以下對基板接合工序步驟S3進行說明。圖10是表示基板接合工序步驟S3中的第一玻璃基板51P和第二玻璃基板52P的狀態(tài)的圖。
[0158]在該基板接合工序步驟S3中，首先利用例如等離子CVD法等在第一玻璃基板51P的第一接合部513和第二玻璃基板52P的第二接合部523上，形成以聚有機硅氧烷為主要成分的等離子體聚合膜(接合膜52)。接合膜53的厚度例如形成為IOnm至IOOOnm即可。
[0159]然后，為了向第一玻璃基板51P和第二玻璃基板52P的等離子體聚合膜賦予活化能，進行等離子體處理或UV處理。在等離子體處理的情況下，照射以02、N2、Ar作為處理氣體的RF等離子，在UV處理的情況下，使用準分子UV (波長172nm)作為UV光源。
[0160]對等離子體聚合膜賦予活化能之后，進行這些第一玻璃基板51P和第二玻璃基板52P的對齊調(diào)整，隔著等離子體聚合膜使第一玻璃基板51P和第二玻璃基板52P重合，并向接合部分施加10分鐘例如98 (N)的負荷。由此將第一玻璃基板51P和第二玻璃基板52P彼此接合。
[0161]然后進行按芯片單位取出各波長可變干涉濾波器5的切割工序。具體而言，沿著圖10所示的線BI切割第一玻璃基板51P和第二玻璃基板52P的接合體?？梢岳美缂す馇懈畹冗M行切割。利用以上方法制造出芯片單位的波長可變干涉濾波器5。
[0162]第一實施方式的作用效果
[0163]本實施方式的波長可變干涉濾波器5中，由第一曲面部526A和第二曲面部526B構(gòu)成槽526的側(cè)面，第一曲面部526A和第二曲面部526B的圓弧的中心點即第一點01和02位于從槽526的底面526C的端部E52起沿著可動基板52的基板厚度方向的虛擬直線L上。
[0164]根據(jù)該結(jié)構(gòu)，與槽526的側(cè)面只由一個曲面部構(gòu)成的情況相比，可以縮小俯視圖中槽526的側(cè)面區(qū)域。由此可以縮小槽526的寬度，從而可以使波長可變干涉濾波器5小型化。
[0165]另外，本實施方式的波長可變干涉濾波器5的制造方法中，通過第一蝕刻工序和第二蝕刻工序形成槽526。而且,第二掩膜M21中，由于與槽526的底面526C對應(yīng)的區(qū)域開口，因此第二蝕刻工序中的側(cè)蝕刻的起點位于從槽525的底面526C的端部E52起沿著第二玻璃基板52P的基板厚度方向的虛擬直線上。
[0166]因此，與通過使用第一掩膜Mll的一次濕式蝕刻形成相同深度尺寸的槽526的情況相比，可以縮短側(cè)蝕刻尺寸。
[0167]例如，通過使第一工序中的蝕刻深度尺寸與第二蝕刻工序中的蝕刻深度尺寸大致相同，可以使側(cè)蝕刻的尺寸大約為一半。
[0168]由此，可以縮小槽526的寬度，從而可以使波長可變干涉濾波器5小型化。
[0169]另外，在形成有第一槽Tl的第二玻璃基板52P上形成的抗蝕劑RE2使用電鍍抗蝕劑。
[0170]通過例如旋涂法形成抗蝕劑RE2的情況下，抗蝕劑RE2有可能未徹底地固定在覆蓋第一槽Tl的側(cè)面TlA的層壓膜E2上。
[0171]與此相對，本發(fā)明中，由于抗蝕劑RE2使用電鍍抗蝕劑，因此可以使抗蝕劑RE2可靠地固定在覆蓋第一槽Tl的側(cè)面TlA的層壓膜E2上。由此可以高精度地進行抗蝕劑RE2的圖案化。
[0172]另外，抗蝕劑RE2使用正性抗蝕劑。
[0173]例如抗蝕劑RE2的情況下，為了將抗蝕劑RE2留在第一槽Tl的側(cè)面TlA上，需要對側(cè)面TlA上的抗蝕劑RE2進行曝光。但是，由于光難以到達側(cè)面T1A，因此側(cè)面TlA上的抗蝕劑RE2難以充分曝光，顯影的結(jié)果，有可能側(cè)面TlA上的抗蝕劑RE2被除去。
[0174]與此相對，根據(jù)本發(fā)明，由于抗蝕劑RE2是正性，無需為了將抗蝕劑RE2留在側(cè)面TlA上而對側(cè)面TlA上的抗蝕劑RE2進行曝光。因此，可以進一步高精度地進行抗蝕劑RE2的圖像化。
[0175]第二實施方式
[0176]以下根據(jù)附圖對本發(fā)明的第二實施方式進行說明。
[0177]在上述第一實施方式的分光測定裝置I中，采用波長可變干涉濾波器5直接設(shè)置在光模塊10上的結(jié)構(gòu)。但是，作為光模塊，還存在具有復雜結(jié)構(gòu)的光模塊，尤其是對于小型的光模塊而言，有時難以直接設(shè)置波長可變干涉濾波器5。在本實施方式中，下面對即使在這種光模塊中也可以容易地設(shè)置波長可變干涉濾波器5的濾光器設(shè)備進行說明。
[0178]圖11是表示本發(fā)明的第二實施方式的濾光器設(shè)備的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
[0179]如圖11所示，濾光器設(shè)備600具備波長可變干涉濾波器5和收容該波長可變干涉濾波器5的殼體601。
[0180]底部基板610例如由單層陶瓷基板構(gòu)成。在該底部基板610上設(shè)置有波長可變干涉濾波器5的可動基板52。作為將可動基板52設(shè)置在底部基板610上的方式，例如可以隔著粘合層等進行配置，也可以通過嵌合于其他固定部件等進行配置。另外，在底部基板610上開口形成光通過孔611。然后，以覆蓋該光通過孔611的方式與底部側(cè)玻璃基板630接合。作為底部側(cè)玻璃基板630的接合方法，例如可以利用玻璃料燒結(jié)接合、基于環(huán)氧樹脂等的粘接等，該玻璃料燒結(jié)接合使用通過高溫熔解玻璃原料并驟冷后的玻璃碎片的玻璃料。。
[0181]在該底部基板610的與蓋620相對的底部內(nèi)側(cè)面612，分別對應(yīng)于與波長可變干涉濾波器5的各引出電極563、564而設(shè)置有內(nèi)側(cè)端子部615。此外，各引出電極563、564與內(nèi)側(cè)端子部615的連接例如可以采用FPC615A,通過例如Ag衆(zhòng),ACF(Anisotropic ConductiveFilm:各向異性導電膜)、ACP (Anisotropic Conductive Paste:各向異性導電膠)等接合。另外，不僅限于通過FPC615A連接，也可以進行例如基于引線接合法等的布線連接。
[0182]另外，底部基板610與設(shè)有各內(nèi)側(cè)端子部615的位置相對應(yīng)地形成有貫通孔614，各內(nèi)側(cè)端子部615經(jīng)由貫通孔614中填入的導電性部件與外側(cè)端子部616連接，該外側(cè)端子部616設(shè)置于底部基板610的、與底部內(nèi)側(cè)面612相反一側(cè)的底部外側(cè)面613上。
[0183]并且，在底部基板610的外周部設(shè)有與蓋620接合的底部接合部617。
[0184]如圖11所示，蓋620具備:與底部基板610的底部接合部617接合的蓋接合部624、與蓋接合部624連接并向與底部基板610分離的方向立起的側(cè)壁部625、以及與側(cè)壁部625連接并覆蓋波長可變干涉濾波器5的固定基板51 —側(cè)的頂部626。該蓋620可以由例如可伐合金等合金或金屬形成。
[0185]通過使蓋接合部624與底部基板610的底部接合部617接合，該蓋620與底部基板610緊密地接合。
[0186]作為該接合方法，除了激光焊接以外，還可以例舉出例如:使用銀焊料等的焊接、使用共晶合金層的密封、使用低熔點玻璃的焊接、玻璃粘接、玻璃料接合、基于環(huán)氧樹脂的粘接等?？梢愿鶕?jù)底部基板610和蓋620的材料和接合環(huán)境等適當?shù)剡x擇這些接合方法。
[0187]蓋620的頂部626與底部基板610平行。在該頂部626上開口形成光通過孔621。然后，以覆蓋該光通過孔631的方式接合蓋側(cè)玻璃基板640。蓋側(cè)玻璃基板640的接合方法與底部側(cè)玻璃基板630的接合相同，例如可以采用玻璃料接合和基于環(huán)氧樹脂的粘接等。
[0188]在上述本實施方式的濾光器設(shè)備600中，由于波長可變干涉濾波器5被殼體601保護，因此可以防止由外因引起的波長可變干涉濾波器5破損。另外，由于形成濾光器設(shè)備600的內(nèi)部被密封的結(jié)構(gòu)，因此，可以抑制水滴或帶電物質(zhì)等異物侵入，也可以抑制這些異物吸附在固定反射膜54或可動反射膜55上的不良情況。
[0189]其他實施方式
[0190]另外，本發(fā)明不僅限于上述實施方式，在可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)的變形、改良都包含在本發(fā)明中。
[0191]在上述第一實施方式中，通過第一和第二蝕刻工序的兩次蝕刻進行槽526的蝕亥IJ，但也可以反復進行第二蝕刻，通過進行三次以上的蝕刻工序形成槽526。即，也可以由三個以上的曲面部構(gòu)成槽526的側(cè)面。
[0192]這種情況下，可以進一步縮小俯視圖中構(gòu)成槽526的側(cè)面的區(qū)域。
[0193]在上述第一實施方式中，槽526是環(huán)形，但并不局限于此。例如，也可以由在過濾器俯視圖中，以平面中心點O為中心、以等角度間隔配置的圓弧形的多個槽構(gòu)成。
[0194]在上述第一實施方式中，抗蝕劑RE2使用電鍍抗蝕劑，但在適當?shù)剡M行抗蝕劑RE2的固定的情況下，則不受此限制。
[0195]另外，在上述第一實施方式中，抗蝕劑RE2使用正性抗蝕劑，但在適當?shù)剡M行曝光的情況下，也可以使用負性抗蝕劑。
[0196]在上述實施方式中雖然例不出通過由固定電極561和可動電極562構(gòu)成的靜電致動器56使反射膜間間隙Gl的尺寸可變的結(jié)構(gòu)，但并不局限于此。
[0197]例如，也可以采用使用由設(shè)置在固定基板51上的第一感應(yīng)線圈，以及設(shè)置在可動基板52上的第二感應(yīng)線圈或永磁磁鐵構(gòu)成的感應(yīng)致動器的結(jié)構(gòu)。
[0198]而且，也可以采用使用壓電致動器來取代靜電致動器56的結(jié)構(gòu)。這種情況下，例如通過使下部電極層、壓電膜和上部電極層層壓配置在保持部522上，再將向下部電極層和上部電極層之間施加的電壓作為輸入值并使其可變，可以使壓電膜伸縮而使保持部522撓曲。
[0199]而且，并不局限于通過施加電壓使反射膜間間隙Gl的大小發(fā)生變化的結(jié)構(gòu)，還可以例示出例如，通過改變相對于波長可變干涉濾波器5的外部的氣壓的、固定基板51和可動基板52之間的氣壓，從而調(diào)整反射膜間間隙Gl的大小的結(jié)構(gòu)等。
[0200]另外，在上述各實施方式中，雖然例示出分光測定裝置I作為本發(fā)明的電子設(shè)備，但除此之外，還可以根據(jù)各個領(lǐng)域應(yīng)用本發(fā)明的波長可變干涉濾波器5、光模塊以及電子設(shè)備。
[0201]例如，如圖12所示，也可以將本發(fā)明的電子設(shè)備應(yīng)用于用于測定顏色的測色裝置。
[0202]圖12是表示具備波長可變干涉濾波器5的測色裝置400的一例的框圖。
[0203]如圖12所示，該測色裝置400具備:向檢查對象A射出光的光源裝置410、測色傳感器420 (光模塊)以及控制測色裝置400的整體動作的控制裝置430 (控制部)。并且，該測色裝置400是如下的裝置:從光源裝置410射出的光在檢查對象A被反射，通過測色傳感器420接收被反射的檢查對象光，根據(jù)從測色傳感器420輸出的檢測信號來分析并測定檢查對象光的色度、即檢查對象A的顏色。
[0204]光源裝置410具備光源411和多個透鏡412 (圖12中僅記載一個)，對檢查對象A射出例如基準光(例如白色光)。另外，在多個透鏡412中也可以包含準直透鏡，在這種情況下，光源裝置410通過準直透鏡使從光源411射出的基準光變?yōu)槠叫泄?，并從未圖示的投射透鏡向檢查對象A射出。另外，在本實施方式中雖然例示出具備光源裝置410的測色裝置400，但是在檢查對象A是液晶面板等發(fā)光部件時，也可以采用未設(shè)置光源裝置410的結(jié)構(gòu)。
[0205]如圖12所示，測色傳感器420具備:波長可變干涉濾波器5、用于接收透過波長可變干涉濾波器5的光的檢測器11、以及用于控制向波長可變干涉濾波器5的靜電致動器56施加電壓的電壓控制部15。另外，也可以使用濾光器設(shè)備600來取代波長可變干涉濾波器
5。另外，測色傳感器420在與波長可變干涉濾波器5相對的位置上具備未圖示的入射光學透鏡，該入射光學透鏡將被檢查對象A反射的反射光(檢查對象光)向內(nèi)部導入。然后，該測色傳感器420通過波長可變干涉濾波器5將從入射光學透鏡入射的檢查對象光中的規(guī)定波長的光分光，并通過檢測器11接收分光后的光。
[0206]控制裝置430是本發(fā)明的控制部，控制測色裝置400的整體動作。
[0207]作為該控制裝置430，可以使用例如通用個人計算機和便攜式信息終端，除此以夕卜，還可以使用測色專用計算機等。并且，如圖12所示，控制裝置430構(gòu)成為具備光源控制部431、測色傳感器控制部432以及測色處理部433等。
[0208]光源控制部431與光源裝置410連接，例如根據(jù)用戶的設(shè)定輸入向光源裝置410輸出規(guī)定的控制信號，使其射出規(guī)定亮度的白色光。
[0209]測色傳感器控制部432與測色傳感器420連接，例如根據(jù)用戶的設(shè)定輸入設(shè)定由測色傳感器420接收的光的波長，并將旨在檢測該波長的光的光接收量的控制信號輸出至測色傳感器420。由此，測色傳感器420的電壓控制部15根據(jù)控制信號，向靜電致動器56施加電壓而驅(qū)動波長可變干涉濾波器5。
[0210]測色處理部433根據(jù)由檢測器11檢測到的光接收量來分析檢測對象A的色度。并且，測色處理部433也可以與上述第一實施方式相同，通過將由檢測器11得到的光量作為測量光譜D，利用估計矩陣MS推算分光光譜，從而分析檢查對象A的色度。
[0211]另外，作為本發(fā)明的電子設(shè)備的其他示例，可以例舉出用于檢測特定物質(zhì)的存在的基于光的系統(tǒng)。作為這種系統(tǒng)，例如可以例示出使用了波長可變干涉濾波器5的、采用分光測定方式高靈敏度地檢測特定氣體的車載用漏氣檢測器和呼吸檢查用的光聲稀有氣體檢測器等氣體檢測裝置。
[0212]以下，根據(jù)附圖對這種氣體檢測裝置的一例進行說明。
[0213]圖13是表示具備波長可變干涉濾波器5的氣體檢測裝置的一例的概略圖。
[0214]圖14是表示圖13的氣體檢測裝置的控制系統(tǒng)的結(jié)構(gòu)的框圖。
[0215]如圖13所示，該氣體檢測裝置100構(gòu)成為具備傳感器芯片110、流道120以及主體部130，其中該流道120具有吸引口 120A、吸引流道120B、排出流道120C以及排出口 120D。
[0216]主體部130由具有可裝卸流道120的開口的傳感器部蓋131、排出單元133、殼體134、檢測裝置、處理被檢測出的信號并控制檢測部的控制部138以及供電的供電部139等構(gòu)成，其中，該檢測裝置包括:光學部135、濾波器136、波長可變干涉濾波器5以及光接收元件137 (檢測部)等。另外，也可以使用濾光器設(shè)備600來取代波長可變干涉濾波器5。另夕卜，光學部135由射出光的光源135A、分束器135B以及透鏡135C、135D、135E構(gòu)成，其中該分束器135B將從光源135A射入的光向傳感器芯片110側(cè)反射，并使從傳感器芯片側(cè)射入的光透過至光接收元件137偵U。
[0217]另外，如圖14所示，在氣體檢測裝置100的表面設(shè)置有操作面板140、顯示部141、用于與外部的接口的連接部142以及供電部139。當供電部139是二次電池時，也可以具備用于充電的連接部143。
[0218]而且，如圖14所示，氣體檢測裝置100的控制部138具備:由CPU等構(gòu)成的信號處理部144、用于控制光源135A的光源驅(qū)動電路145、用于控制波長可變干涉濾波器5的電壓控制部146、接收來自光接收元件137的信號的光接收電路147、傳感器芯片檢測電路149以及控制排出單元133的排出驅(qū)動電路150等，其中，該傳感器芯片檢測電路149讀取傳感器芯片110的碼，接收來自用于檢測有無傳感器芯片110的傳感器芯片檢測器148的信號。另外，氣體檢測裝置100具有存儲V-λ數(shù)據(jù)的存儲部(省略圖示)。
[0219]以下，對如上所述的氣體檢測裝置100的動作進行說明。
[0220]在主體部130的上部的傳感器部蓋131的內(nèi)部設(shè)置有傳感器芯片檢測器148，由該傳感器芯片檢測器148檢測有無傳感器芯片110。信號處理部144如果檢測到來自傳感器芯片檢測器148的檢測信號，則判斷為處于安裝有傳感器芯片110的狀態(tài)，并向顯示部141發(fā)出使其顯示旨在可以進行檢測動作的顯示信號。
[0221]然后，例如由使用者操作操作面板140，如果旨在開始檢測處理的指示信號從操作面板140向信號處理部144輸出，則首先信號處理部144向光源驅(qū)動電路145輸出光源工作信號以使光源135A動作。如果光源135A被驅(qū)動，則從光源135A射出單一波長且直線偏光穩(wěn)定的激光。另外，在光源135A中內(nèi)置有溫度傳感器和光量傳感器,其信息被輸出至信號處理部144。然后，信號處理部144根據(jù)從光源135A輸入的溫度和光量，判斷為光源135A正在穩(wěn)定工作時，則控制排出驅(qū)動電路150使排出單元133動作。由此，包括應(yīng)檢測的目標物質(zhì)(氣體分子)的氣體試樣從吸引口 120A被導向吸引流道120B、傳感器芯片110內(nèi)、排出流道120C、排出口 120D。另外，在吸引口 120A設(shè)置有灰塵過濾器120A1，可以除去比較大的粉塵和一部分水蒸氣等。
[0222]另外，傳感器芯片110是裝入有多個金屬納米結(jié)構(gòu)體，利用了局部表面等離子體共振的傳感器。在這樣的傳感器芯片110中，通過激光在金屬納米結(jié)構(gòu)體間形成增強的電場，當氣體分子進入該增強電場內(nèi)時，會產(chǎn)生包含分子振動信息的拉曼散射光和瑞利散射光。
[0223]這些瑞利散射光和拉曼散射光通過光學部135射入濾波器136，通過濾波器136分離瑞利散射光，而拉曼散射光則射入波長可變干涉濾波器5。然后，信號處理部144向電壓控制部146輸出控制信號。由此，如上述第一實施方式所示，電壓控制部146從存儲部讀取與測定對象波長對應(yīng)的電壓值，向波長可變干涉濾波器5的靜電致動器56施加該電壓，通過波長可變干涉濾波器5分光與作為檢測對象的氣體分子對應(yīng)的拉曼散射光。然后，當通過光接收元件137接收到分光后的光時，與光接收量相應(yīng)的光接收信號通過光接收電路147向信號處理部144輸出。這種情況下，可以高精度地從波長可變干涉濾波器5取出目標拉曼散射光。
[0224]信號處理部144將如上所述獲得的與作為檢測對象的氣體分子相對應(yīng)的拉曼散射光的光譜數(shù)據(jù)和存儲于ROM中的數(shù)據(jù)進行比較，并判斷是否是目標氣體分子，從而進行物質(zhì)的特定。然后，信號處理部144在顯示部141上顯示該結(jié)果信息或從連接部142向外部輸出。
[0225]在上述的圖13和圖14中例不出利用波長可變干涉濾波器5對拉曼散射光進行分光，并通過分光后的拉曼散射光進行氣體檢測的氣體檢測裝置100，但作為氣體檢測裝置，也可以用作通過檢測氣體固有的吸光度而對氣體種類進行特定的氣體檢測裝置。在這種情況下，使用使氣體流入傳感器內(nèi)部且檢測入射光中被氣體吸收的光的氣體傳感器作為本發(fā)明的光模塊。并且，將通過該氣體傳感器分析、判斷流入傳感器內(nèi)的氣體的氣體檢測裝置作為本發(fā)明的電子設(shè)備。在這樣的結(jié)構(gòu)中，也可以使用波長可變干涉濾波器5檢測氣體成分。
[0226]另外，作為用作檢測特定物質(zhì)存在的系統(tǒng)，并不僅限于如上所述的氣體檢測，還可以例示出基于近紅外線分光的糖類的非侵入性測定裝置，以及食物、生物、礦物等信息的非侵入性測定裝置等物質(zhì)成分分析裝置。
[0227]以下，作為上述物質(zhì)成分分析裝置的一例對食物分析裝置進行說明。
[0228]圖15是表示使用了波長可變干涉濾波器5的電子設(shè)備的一例的食物分析裝置的概略結(jié)構(gòu)圖。[0229]如圖15所示，該食物分析裝置200具備:檢測器210(光模塊)、控制部220和顯示部230。檢測器210具備:射出光的光源211、導入來自測定對象物的光的攝像透鏡212、對從攝像透鏡212導入的光進行分光的波長可變干涉濾波器5以及檢測分光后的光的攝像部213 (檢測部)。另外，也可使用濾光器設(shè)備600取代波長可變干涉濾波器5。
[0230]另外，控制部220具備:光源控制部221，進行光源211的亮燈/關(guān)燈控制、亮燈時的亮度控制；電壓控制部222，控制波長可變干涉濾波器5 ;檢測控制部223，控制攝像部213，并取得通過攝像部213拍攝到的分光圖像；信號處理部224 ;以及存儲部225。
[0231]當驅(qū)動系統(tǒng)時，該食物分析裝置200通過光源控制部221控制光源211，從光源211向測定對象物照射光。然后，被測定對象物反射的光通過攝像透鏡212射入波長可變干涉濾波器5。波長可變干涉濾波器5通過電壓控制部222的控制驅(qū)動波長可變干涉濾波器5。由此可以高精度地通過波長可變干涉濾波器5取出目標波長的光。然后，通過由例如CCD攝像機等構(gòu)成的攝像部213對取出的光進行拍攝。并且將拍攝到的光作為分光圖像存儲在存儲部225。另外信號處理部224控制電壓控制部222使施加給波長可變干涉濾波器5的電壓值改變，并取得針對各波長的分光圖像。
[0232]然后，信號處理部224對存儲部225存儲的各圖像中的各像素的數(shù)據(jù)進行運算處理，求出各像素中的光譜。并且，在存儲部225中存儲有例如與光譜相對的食物成分的相關(guān)信息，信號處理部224根據(jù)存儲部225所存儲的食物的相關(guān)信息對求得的光譜數(shù)據(jù)進行分析，并求出檢測對象中含有的食物成分及其含量。另外，也可以通過求得的食物成分和含量計算出食物卡路里和新鮮度等。而且，通過分析圖像內(nèi)的光譜分布，也可以進行檢查對象的食物中新鮮度正在降低的部分的提取等，并且可以進一步進行食物內(nèi)所含有的異物等的檢測。
[0233]然后，信號處理部224進行以下處理:在顯示部230顯示如上所述獲得的檢查對象的食物的成分和含量、卡路里和新鮮度等信息。
[0234]另外，在圖15中雖然示出食物分析裝置200的示例，但通過大致相同的結(jié)構(gòu)，也可以用作如上所述的其他信息的非侵入性測定裝置。例如可以用作進行血液等體液成分的測定、分析等分析生物成分的生物體分析裝置。作為這樣的生物體分析裝置，例如作為對血液等體液成分進行測定的裝置，如果作為檢測乙醇的裝置，則可用作檢測駕駛員的飲酒狀態(tài)的防止酒后駕駛裝置。另外，也可用作具備這種生物體分析裝置的電子內(nèi)窺鏡系統(tǒng)。
[0235]另外還可用作進行礦物成分分析的礦物分析裝置。
[0236]進而，作為本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光模塊、電子設(shè)備還可以應(yīng)用于以下的
>J-U ρ?α裝直。
[0237]例如，通過使各波長的光的強度隨著時間的變化而變化，可以利用各波長的光傳輸數(shù)據(jù)，在這種情況下，通過設(shè)置在光模塊中的波長可變干涉濾波器5對特定波長的光進行分光，再由光接收部接收光，從而可以提取出由特定波長的光傳輸?shù)臄?shù)據(jù)，并可通過具備這樣的數(shù)據(jù)提取用光模塊的電子設(shè)備處理各波長的光的數(shù)據(jù)，從而進行光通訊。
[0238]另外，作為電子設(shè)備，也可以應(yīng)用于通過利用本發(fā)明的波長可變干涉濾波器5對光進行分光并拍攝分光圖像的分光照相機、分光分析儀等。作為這樣的分光照相機的一例，可以例舉出內(nèi)置有波長可變干涉濾波器5的紅外線照相機。
[0239]圖16是表示分光照相機的概略結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖16所示，分光照相機300具備照相機主體310、攝像透鏡單元320以及攝像部330 (檢測部)。
[0240]照相機主體310是由使用者把持和進行操作的部分。
[0241]攝像透鏡單元320設(shè)置在攝像機主體310上，將射入的圖像光導向攝像部330。另夕卜，如圖16所示，該攝像透鏡單元320構(gòu)成為具備物鏡321、成像透鏡322以及設(shè)置在這些透鏡間的波長可變干涉濾波器5。
[0242]攝像部330由光接收元件構(gòu)成，對通過攝像透鏡單元320導入的圖像光進行拍攝。
[0243]在這樣的分光照相機300中，通過波長可變干涉濾波器5使作為拍攝對象的波長的光透過，從而可以對所需波長的光的分光圖像進行拍攝。
[0244]而且，也可以將本發(fā)明的波長可變干涉濾波器作為帶通濾波器使用。例如也可以用作僅將發(fā)光元件射出的規(guī)定波長區(qū)域的光中、以規(guī)定波長為中心的狹窄波段的光通過波長可變干涉濾波器進行分光并使其透過的光學激光設(shè)備。
[0245]另外，也可以將本發(fā)明的波長可變干涉濾波器用作生物認證裝置，例如可以應(yīng)用于利用近紅外區(qū)域或可視區(qū)域的光的、血管、指紋、視網(wǎng)膜和虹膜等的認證裝置。
[0246]并且，可以將光模塊和電子設(shè)備用作濃度檢測裝置。在該情況下，利用波長可變干涉濾波器5對從物質(zhì)射出的紅外能量(紅外光)進行分光并進行分析，從而測定采樣中的被檢體濃度。
[0247]如上所述，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器、光模塊和電子設(shè)備可以應(yīng)用于對入射光中規(guī)定的光進行分光的任意裝置。并且，如上所述，本發(fā)明的波長可變干涉濾波器由于可以通過一臺設(shè)備對多個波長進行分光，因此可以高精度地進行多個波長的光譜測定、對多個成分進行檢測。因此，與通過多臺設(shè)備取出所需波長的現(xiàn)有裝置相比，可以促進光模塊和電子設(shè)備的小型化，例如可以優(yōu)選用作便攜用或車載用的光學設(shè)備。
[0248]此外，只要在可以實現(xiàn)本發(fā)明的目的的范圍內(nèi)，實施本發(fā)明時的具體結(jié)構(gòu)可以適當?shù)刈兏鼮槠渌Y(jié)構(gòu)等。
【權(quán)利要求】
1.一種波長可變干涉濾波器，其特征在于， 具備: 第一基板； 第二基板，與所述第一基板相對配置； 第一反射膜，設(shè)置在所述第一基板上；以及 第二反射膜，設(shè)置在所述第二基板上，與所述第一反射膜相對， 所述第二基板具備可動部和在從基板厚度方向觀察所述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在所述可動部的外側(cè)的槽， 所述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與所述底面連續(xù)的側(cè)面， 所述側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷所述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的波長可變干涉濾波器，其特征在于， 在所述截面觀察中，多個所述曲面部的圓弧中心點位于從所述底面與所述側(cè)面的交界起沿著所述第二基板的基板厚度方向的虛擬直線上。
3.一種波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于， 具有: 第一基板形成工序，形成第一基板，在所述第一基板上設(shè)置使光的一部分反射一部分透過的第一反射膜； 第二基板形成工序，形成第二基板； 第二反射膜形成工序，在設(shè)定于所述第二基板的可動部形成區(qū)域，形成使光的一部分反射一部分透過的第二反射膜；以及 接合工序，以使所述第一反射膜和所述第二反射膜相對的方式接合所述第一基板和所述第二基板， 所述第二基板形成工序包括槽形成工序，所述槽形成工序在從基板厚度方向觀察所述第二基板的俯視觀察中的所述可動部形成區(qū)域的外側(cè)形成具有槽的深度尺寸相同的底面以及與所述底面連續(xù)的側(cè)面的槽， 所述槽形成工序具有: 第一掩膜形成工序，在所述第二基板的表面上形成第一掩膜，所述第一掩膜的與所述底面對應(yīng)的區(qū)域開口； 第一蝕刻工序，利用所述第一掩膜對所述第二基板進行濕式蝕刻而形成第一槽； 第二掩膜形成工序，在除去所述第一掩膜之后，在所述第二基板的表面上形成第二掩膜，所述第二掩膜的與所述底面對應(yīng)的區(qū)域開口 ；以及 第二蝕刻工序，利用所述第二掩膜對所述第二基板進行濕式蝕刻而形成第二槽。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于， 所述第二掩膜形成工序具有:在形成有所述第一槽的所述第二基板的表面上，形成覆蓋構(gòu)成所述第一槽的側(cè)面和底面的掩膜部件的工序； 在形成有所述掩膜部件的所述第二基板的表面上，形成覆蓋所述掩膜部件的以電鍍抗蝕劑為材料的抗蝕劑的工序； 將形成的所述抗蝕劑圖案化的工序；以及將圖案化的所述抗蝕劑作為掩膜、對所述掩膜部件進行蝕刻從而形成所述第二掩膜的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的波長可變干涉濾波器的制造方法，其特征在于， 所述抗蝕劑是正性抗蝕劑。
6.—種濾光器設(shè)備,其特征在于， 具備:波長可變干涉濾波器以及殼體，所述波長可變干涉濾波器具備:第一基板；與所述第一基板相對配置的第二基板；設(shè)置在所述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透過的第一反射膜；以及設(shè)置在所述第二基板上、與所述第一反射膜相對、使入射光的一部分反射一部分透過的第二反射膜， 所述殼體收容所述波長可變干涉濾波器， 所述第二基板具有可動部、以及在從基板厚度方向觀察所述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在所述可動部外側(cè)的槽， 所述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與所述底面連續(xù)的側(cè)面， 所述側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷所述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
7.一種光模塊，其特征在于， 具備: 第一基板； 第二基板，與所述第一基板相對配置； 第一反射膜，設(shè)置在所述第一基板上，使入射光的一部分反射一部分透過； 第二反射膜，設(shè)置在所述第二基板上，與所述第一反射膜相對，使入射光的一部分反射一部分透過；以及 檢測部，對射入所述第一反射膜與所述第二反射膜之間的光發(fā)生干涉而選擇的波長的光進行檢測， 所述第二基板具備可動部、以及在從基板厚度方向觀察所述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在所述可動部外側(cè)的槽， 所述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與所述底面連續(xù)的側(cè)面， 所述側(cè)面在沿著基板厚度方向截斷所述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
8.—種電子設(shè)備,其特征在于， 具備:波長可變干涉濾波器以及控制部，所述波長可變干涉濾波器具備第一基板；與所述第一基板相對配置的第二基板；設(shè)置在所述第一基板上、使入射光的一部分反射一部分透過的第一反射膜；以及設(shè)置在所述第二基板上、與所述第一反射膜相對、使入射光的一部分反射一部分透過的第二反射膜， 所述控制部控制所述波長可變干涉濾波器， 所述第二基板具備可動部、以及在從基板厚度方向觀察所述第二基板的俯視觀察中設(shè)置在所述可動部外側(cè)的槽， 所述槽具有槽的深度尺寸相同的底面和與所述底面連續(xù)的側(cè)面， 所述側(cè)面在沿著基板厚度方向截 斷所述第二基板的截面觀察中由多個圓弧形的曲面部構(gòu)成。
【文檔編號】G02B5/28GK103885109SQ201310696048
【公開日】2014年6月25日 申請日期:2013年12月17日 優(yōu)先權(quán)日:2012年12月19日
【發(fā)明者】荒川克治 申請人:精工愛普生株式會社