顯示基板及其制造方法、顯示裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明實施例提供一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，涉及顯示【技術領域】。方法包括在基板上形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的步驟，形成所述刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的步驟包括：依次形成刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜，通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。本發(fā)明省去了刻蝕阻擋層圖形單獨形成的構圖工藝，簡化了工藝流程，節(jié)省了制作成本。本發(fā)明實施例用于制造顯示裝置。
【專利說明】顯示基板及其制造方法、顯示裝置
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示【技術領域】，尤其涉及一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置。
【背景技術】
[0002]隨著TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶體管液晶顯示器)顯示技術的不斷發(fā)展，越來越多的新技術不斷地被提出和應用?；贏DS (Advanced Super Dimension Switch, AD-SDS,簡稱 ADS,高級超維場轉換技術)模式的TFT-LCD憑借其低功耗、寬視角等特點，得到了越來越多人們的關注。
[0003]ADS技術主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。采用ADS技術的TFT-1XD產(chǎn)品不僅在畫面品質上有所提高，且具有高分辨率、高透過率、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋等優(yōu)點。
[0004]金屬氧化物為有源層的薄膜晶體管較現(xiàn)有技術中的a-Si (非晶硅)為有源層薄膜晶體管相比，具有遷移率高、制備溫度低、均一性好、對可見光透明和閾值電壓低等特點，可實現(xiàn)高開口率和低功耗，未來應用前景廣闊。
[0005]因此，集合ADS技術和金屬氧化物薄膜晶體管優(yōu)點的顯示基板具有更廣闊的應用前景。但是，金屬氧化物易受H2, H2O等影響，為防止在后續(xù)濕法刻蝕工藝中刻蝕液對金屬氧化物的影響，需要在金屬氧化物表面另加刻蝕阻擋層進行保護。通常刻蝕阻擋層需要單獨進行一次掩膜曝光工藝形成刻蝕阻擋層過孔，薄膜晶體管源漏極通過刻蝕阻擋層過孔與金屬氧化物連接。這種結構，增加了掩膜板的成本和工藝的復雜性。
[0006]對于金屬氧化物作為有源層的ADS型TFT-1XD而言，現(xiàn)有技術中通常需要通過7次構圖工藝制造完成，而每一次構圖工藝中又分別包括成膜、曝光、顯影、刻蝕和剝離等工藝。構圖工藝的次數(shù)過多將直接導致顯示裝置產(chǎn)品的成本上升，因此如何能夠進一步減少構圖工藝的次數(shù)也就成為了人們?nèi)找骊P注的問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明的實施例提供一種顯示基板及其制造方法、顯示裝置，可以減少在顯示基板制造過程中構圖工藝的次數(shù)，有效降低產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0008]為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術方案:
[0009]本發(fā)明實施例的一方面，提供一種顯示基板制造方法，步驟包括:
[0010]提供一基板，在所述基板上柵絕緣層、有源層的圖形；
[0011]依次形成刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜；
[0012]通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
[0013]本發(fā)明實施例的另一方面，提供一種顯示基板，所述顯示基板采用前述實施例提供的制造方法制造而成，所述顯示基板至少包含柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層和第一電極的圖形，其中:
[0014]所述刻蝕阻擋層圖形位于所述柵絕緣層與所述有源層之上且包括第一過孔區(qū)域、第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域；
[0015]所述刻蝕阻擋層圖形的第一過孔區(qū)域具有貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層的第一過孔圖形；
[0016]所述刻蝕阻擋層圖形的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層之上，對應于所述顯示基板的第一電極；
[0017]所述刻蝕阻擋層圖形的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域對應的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度；
[0018]所述第一電極圖形位于所述刻蝕阻擋層的第一厚度區(qū)域之上且擁有與第一厚度區(qū)域相同的邊界。
[0019]本發(fā)明實施例的又一方面，提供一種顯示裝置，所述顯示裝置包括如上所述的顯不基板。
[0020]本發(fā)明實施例提供的顯示基板以及制造方法、顯示裝置。本發(fā)明采用一次構圖工藝同時形成刻蝕阻擋層與第一電極的圖形。這樣一來，與現(xiàn)有技術相比，省去了形成刻蝕阻擋層圖形單獨的構圖工藝，可以將金屬氧化物為有源層的ADS型顯示基板制作過程中的構圖工藝使用次數(shù)從7次減少到6次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0021]圖1為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板制造方法的流程示意圖；
[0022]圖2為本發(fā)明實施例提供的通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的流程示意圖；
[0023]圖3為本發(fā)明實施例提供的另一種顯示基板制造方法的流程示意圖；
[0024]圖4為基板上形成柵極和公共電極線的結構示意圖
[0025]圖5為圖4所示的基板形成柵絕緣層的結構示意圖；
[0026]圖6為圖5所不的基板形成有源層的結構不意圖；
[0027]圖7為圖6所示的基板沉積刻蝕阻擋層薄膜、第一電極薄膜并涂覆正性光刻膠后的結構不意圖；
[0028]圖8為圖7所示的基板進行曝光顯影后的結構示意圖；
[0029]圖9為圖8所示的基板進行第一次刻蝕工藝后的結構示意圖；
[0030]圖10為圖9所示的基板進行第二次刻蝕工藝后的結構示意圖；
[0031]圖11為圖10所示的基板中的光刻膠進行灰化后的結構示意圖；
[0032]圖12為圖11所示的基板進行第三次刻蝕工藝后的結構示意圖；
[0033]圖13為圖12所示的基板進行第四次刻蝕工藝后形成的第一過孔圖形的一種結構示意圖；
[0034]圖14為圖12所示的基板進行第四次刻蝕后形成的第一過孔圖形的另一種結構示意圖
[0035]圖15為圖13所示的基板進行光刻膠剝離、形成數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管源極、薄膜晶體管漏極、導電溝道區(qū)域的結構示意圖；
[0036]圖16為圖15所示的基板上形成帶有第二過孔的鈍化層圖形的結構示意圖
[0037]圖17為本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的結構示意圖。
[0038]附圖標記說明:
[0039]I 一基板；2—柵電極；3—公共電極線；4一柵絕緣層；
[0040]5—有源層；6—刻蝕阻擋層；7—第一電極薄膜；8—正性光刻膠；
[0041]9 一第一電極；10—第一過孔；11 一薄膜晶體管源極；
[0042]12—薄膜晶體管溝道區(qū)域；13—薄膜晶體管漏極； 14一鈍化層；
[0043]15—第二過孔；16—第二電極。
【具體實施方式】
[0044]需要說明的是:
[0045]1、本發(fā)明中所述的例如“X設置于Y上”或“X上設置有Y”中的“上”包含了 X與Y接觸，并且X位于Y的上方的意思，本發(fā)明中如附圖所示，將基板定義為設置于最下方；
[0046]2、本發(fā)明所稱的構圖.工藝包括光刻膠涂覆、掩模、曝光、顯影、刻蝕、光刻膠剝離等工藝，光刻膠以正性光刻膠為例；
[0047]3、本發(fā)明中所述的“某某區(qū)域”是某某圖形在基板上映射的區(qū)域，即該區(qū)域與某某圖形具有相同的形狀，例如柵線區(qū)域，即為柵線的圖形在基板上的映射的區(qū)域，也可以理解為基板上將要設置柵線圖形的區(qū)域。
[0048]下面將結合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。
[0049]本發(fā)明實施例提供的一種顯示基板的制造方法，如圖1所示，所述顯示基板的制造方法包括如下步驟:
[0050]S101、提供一基板，在所述基板上形成柵絕緣層、有源層的圖形，形成所述柵絕緣層和有源層的圖形的具體步驟包括:
[0051 ] SlOlU在所述基板上形成柵絕緣層。
[0052]如圖5所示，采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)或磁控濺射方法，在基板上沉積柵絕緣層薄膜，柵絕緣層4的材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。
[0053]S1012、在柵絕緣層上形成有源層圖形。
[0054]在完成步驟SlOll的基板上沉積有源層薄膜，本發(fā)明實施例所述有源層具體為呈半導體特性的透明金屬氧化物材料，可以為InGaZnO、InGaO, ITZO、AlZnO等材料中的至少一種。在金屬氧化物薄膜上涂覆有一層光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬氧化物后去除剩余的光刻膠，如圖6所示，最終在柵絕緣層表面4上形成有源層5的圖形。
[0055]S102、在有源層圖形和柵絕緣層上沉積刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜。[0056]具體的，如圖7所示，采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)或磁控濺射方法在形成有金屬氧化物圖形5的基板上依次形成刻蝕阻擋層薄膜6和第一電極薄膜7。其中，刻蝕阻擋層薄膜可以是致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料，第一電極薄膜材料可以是ITO、ZnO, InGaZnO, InZnO, InGaO 等透明導電材料。
[0057]S103、通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
[0058]具體的，在依次形成有刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜的基板上可以通過一次構圖工藝形成該刻蝕阻擋層薄膜和第一電極的圖形，該刻蝕阻擋層的圖形位于有源層圖形和柵絕緣層的表面，且覆蓋薄膜晶體管的溝道區(qū)域，并且具有用于連接有源層與薄膜晶體管源漏極的第一過孔。
[0059]圖2為本發(fā)明顯示基板制造方法中形成刻蝕阻擋層和第一電極的圖形構圖工藝的具體流程圖，在圖1所示流程圖中，所述步驟S103具體包括；
[0060]S1031、如圖7所不,在所述第一電極薄膜上涂覆一層正性光刻膠8。
[0061]S1032、采用半色調或灰色調掩模板曝光，使光刻膠形成未曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域和完全曝光區(qū)域，其中，未曝光區(qū)域對應于第一電極所在區(qū)域；完全曝光區(qū)域對應于第一過孔圖形所在區(qū)域；部分曝光區(qū)域對應于上述區(qū)域以外區(qū)域。
[0062]S1033、對光刻膠進行顯影，未曝光區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，形成光刻膠完全保留區(qū)域；部分曝光區(qū)域的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠部分保留區(qū)域；完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域。如圖8所示，顯影后的光刻膠的厚度包括三組不同厚度的區(qū)域，其中對應第一電極區(qū)域的光刻膠83厚度為tl，對應第一電極區(qū)域和第一過孔區(qū)域之外的區(qū)域的光刻膠82厚度為t2，對應第一過孔區(qū)域的光刻膠81厚度為t3，三個厚度值滿足tl > t2，t3=0。
[0063]S1034、通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域對應的第一電極薄膜，露出此區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜，具體的，由于第一電極薄膜材料采用IT0、Zn0、InGaZn0、InZnO, InGaO等透明導電材料，工業(yè)上通常使用濕法刻蝕工藝刻蝕上述第一電極材料；刻蝕阻擋層薄膜采用致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料，而這些材料常常采用干法刻蝕工藝。因此為了保證完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域對應的第一電極薄膜，可采用一定選擇比的刻蝕液的濕法刻蝕工藝，刻蝕時間可以為所述光刻膠完全去除區(qū)域對應的第一電極膜層完全刻蝕時間的110%_300%，最終刻蝕完成后形成如圖9所示圖形。
[0064]S1035、通過第二次刻蝕工藝部分去除光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層薄膜，如步驟S1034所述，第二次刻蝕工藝可以選用干法刻蝕工藝，為保證此次刻蝕只部分去除光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層薄膜，具體干法刻蝕時間小于所述光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層完全刻蝕時間，通過第二次刻蝕工藝最終形成如圖10所示圖形。
[0065]S1036、按照光刻膠部分保留區(qū)域的厚度灰化去除光刻膠，使光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠完全去除，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度減薄。灰化后的光刻膠圖形如圖11所示，與圖10所示光刻膠圖形相比，按照光刻膠部分保留區(qū)域的厚度灰化處理后，圖10中光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠圖形82被完全去除，露出第一電極薄膜。光刻膠完全保留區(qū)域83的光刻膠厚度減薄，最終形成光刻膠圖形84。
[0066]S1037、通過第三次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域對應的第一電極薄膜。與第一次刻蝕工藝類似，第三次刻蝕工藝可選用濕法刻蝕工藝對光刻膠部分保留區(qū)域對應的第一電極薄膜進行刻蝕，以完全去除此區(qū)域的第一電極薄膜。經(jīng)過第三次刻蝕工藝后最終形成如圖12所示圖形。應當注意的是，如背景介紹中所述，刻蝕阻擋層設置的目的在于防止應用濕法刻蝕工藝刻蝕金屬時刻蝕液對有源層產(chǎn)生破壞。因此步驟S1035中第二次刻蝕工藝之所以部分去除光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層薄膜是考慮到若完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層薄膜，步驟S1037中濕法刻蝕光刻膠部分保留區(qū)域對應的第一電極薄膜時，刻蝕液會對有源層產(chǎn)生影響。
[0067]S1038、通過第四次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域剩余的刻蝕阻擋層薄膜，露出有源層，光刻膠部分保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜按照S1037步驟后光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層薄膜的厚度減薄，形成刻蝕阻擋層圖形，刻蝕阻擋層圖形具有連接有源層與薄膜晶體管源漏極的第一過孔。第四次刻蝕工藝可以為干法刻蝕，為了形成第一過孔圖形，完全露出金屬氧化物有源層，并且保證光刻膠部分去除區(qū)域剩余的刻蝕阻擋層薄膜經(jīng)過刻蝕后仍有一定厚度以防止在后續(xù)刻蝕源漏金屬時刻蝕液對溝道處的有源層產(chǎn)生影響，此次刻蝕工藝應控制刻蝕時間參數(shù)。具體刻蝕時間應大于光刻膠完全去除區(qū)域剩余的刻蝕阻擋層薄膜的完全刻蝕時間并且小于光刻膠部分保留區(qū)域對應的剩余刻蝕阻擋層薄膜的完全刻蝕時間。最終形成如圖13所示圖形，刻蝕阻擋層的圖形包含第一過孔區(qū)域、第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域。第一過孔區(qū)域具有至少兩個貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層5的第一過孔10，所述第一過孔10邊緣完全位于有源層5之上。由于第一過孔10的作用是用來電連接所述有源層5與薄膜晶體管的源漏電極，可以理解的是，只要能夠實現(xiàn)上述功能，不同形狀的第一過孔都是可以采用的，因此采用適當形狀的掩膜板，按照S1031至S1038的步驟，也可以形成圖14所述過孔圖形。圖14所示第一過孔10的邊緣一端位于有源層5之上，另一端位于柵絕緣層之上。由于圖14中所述的第一過孔可以使有源層5的側面露出，所以較圖13中的第一過孔可以獲得更大的接觸面積。所述刻蝕阻擋層圖形6的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層4之上，對應于所述顯示基板的第一電極9。所述刻蝕阻擋層圖形6的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域對應的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度，需要指出的是，如圖13或14所示，保護薄膜晶體管中有源層不受后續(xù)源漏金屬刻蝕液影響的刻蝕阻擋層位于第二厚度區(qū)域。
[0068]S1039、去除剩余的光刻膠，露出第一電極圖形。
[0069]本發(fā)明實施例提供的顯示基板制造方法，采用一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形，與現(xiàn)有技術相比，省去了刻蝕阻擋層單獨形成的構圖工藝。
[0070]進一步地，本發(fā)明實施例提供的顯示基板制造方法，如圖3所示，具體包括:
[0071 ] S201、在基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線。
[0072]在顯示基板的實際生產(chǎn)過程當中，基板具體可以是采用玻璃或透明樹脂等具有一定堅固性的透明材料制成。在基板上需要采用一次構圖工藝以形成柵線、柵電極以及公共電極線等結構的圖形。
[0073]例如，可以采用等離子增強化學氣相沉積(PECVD)、磁控濺射、熱蒸發(fā)或其它成膜方法，在基板上形成金屬層。其中，該金屬層可以是鑰、鋁、鋁銣合金、鎢、鉻、銅等金屬形成的單層薄膜，也可以是以上金屬多層形成的多層薄膜。在該金屬層的表面形成有光刻膠，通過具有特定圖案的掩膜板進行曝光顯影以使光刻膠產(chǎn)生圖案，剝離掉未覆蓋光刻膠處的金屬層，如圖4所示，最終在基板I的表面形成柵線(圖4中未示出)、柵電極2以及公共電極線3的圖案。
[0074]S202、在基板、柵線、柵電極以及公共電極線上形成柵絕緣層。
[0075]S203、在柵絕緣層上形成有源層圖形。
[0076]S204、在柵絕緣層上沉積刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜，通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
[0077]上述三個步驟S202、S203、S204與前述實施例中S101、S102、S103中的步驟相同，此處不再贅述。
[0078]S205、形成數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管源極、薄膜晶體管漏極以及溝道區(qū)域。
[0079]在完成步驟S204的基板上沉積一層金屬薄膜，金屬薄膜可以采用Cr、W、T1、Ta、Mo、Al、Cu等金屬或合金,也可以采用由多層金屬薄膜構成的復合薄膜。如圖15所示,采用普通掩膜板通過構圖工藝在形成有刻蝕阻擋層6和第一電極圖形9的基板上形成數(shù)據(jù)線(圖中未標出)、所述薄膜晶體管的源極11、所述薄膜晶體管的漏極13以及所述薄膜晶體管溝道區(qū)域12。所述薄膜晶體管的源極11、所述薄膜晶體管的漏極13通過第一過孔10與有源層5電連接，所述薄膜晶體管的漏極13搭接在第一電極9上。
[0080]S206、在形成有數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管的源極以及薄膜晶體管的漏極的基板上形成含有第二過孔的鈍化層，所述第二過孔貫穿鈍化層、刻蝕阻擋層和柵絕緣層，露出公共電極線。
[0081]采用PECVD方法沉積鈍化層14。鈍化層14可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物，對應的反應氣體可以為SiH4、NH3、N2的混合氣體或SiH2Cl2、NH3、N2的混合氣體。如圖16所示，采用普通掩模板通過構圖工藝形成第二過孔15，第二過孔15位于公共電極線3的上方，貫穿所述鈍化層14、所述刻蝕阻擋層6與所述柵絕緣層4，并露出所述公共電極線3。本構圖工藝中，還同時形成有柵線接口區(qū)域(柵線PAD)的柵線接口過孔(圖中未標出)和數(shù)據(jù)線接口區(qū)域(數(shù)據(jù)線PAD)的數(shù)據(jù)線接口過孔(圖中未標出)等圖形。通過構圖工藝形成柵線接口過孔和數(shù)據(jù)線接口過孔圖形的工藝已廣泛應用于目前的構圖工藝中。
[0082]S207、通過構圖工藝在形成有鈍化層的基板上上形成第二電極圖形，第二電極圖形通過第二過孔與公共電極線3電連接。
[0083]如圖17所示，在完成S206步驟的基板上，采用磁控濺射或熱蒸發(fā)的方法，沉積一層第二電極薄膜，第二電極薄膜可以采用ITO、ZnO> InGaZnO、InZnO、InGaO等透明導電材料。采用普通掩模板通過構圖工藝形成第二電極圖形16，第二電極圖形通過第二過孔15與公共電極線3電連接。
[0084]需要說明的是，在本發(fā)明實施例中，第一電極9為像素電極，其形狀為板狀；第二電極16為公共電極，其形狀為狹縫狀。第一電極9和第二電極16之間可以形成多維水平電場。
[0085]本發(fā)明實施例提供的顯示基板制造方法，采用一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。這樣一來，與現(xiàn)有技術相比，省去了刻蝕阻擋層的單獨形成的構圖工藝，可以將金屬氧化物作為有源層的ADS型顯示基板制作過程中的構圖工藝使用次數(shù)從7次減少到6次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0086]圖17為本發(fā)明實施例提供的顯示基板的截面圖，參照圖17，該顯示基板包括:[0087]形成在基板I上的柵線(圖中未標出)、柵電極2、公共電極線3，柵線2和公共電極線3隔離設置。
[0088]形成在柵線、柵電極2以及公共電極線3之上并將柵線、柵電極以及公共電極線覆蓋的柵絕緣層4，柵絕緣層4可采用等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)方法形成，柵絕緣層4材料可以采用氧化物、氮化物或氧氮化合物。
[0089]位于柵絕緣層4上的有源層5，其中，有源層5可以采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料，例如，有源層可以為InGaZnO、InGaO, ITZO, AlZnO等材料中的至少一種。
[0090]位于所述柵絕緣層4與所述有源層5之上的刻蝕阻擋層圖形6，刻蝕阻擋層6的作用是保護有源層5，以消除在刻蝕源漏金屬層時刻蝕液對金屬氧化物的影響，通?？涛g阻擋層可以采用致密的氮化硅、氧化硅、氮氧化硅等材料。如圖17所示，刻蝕阻擋層的圖形包含第一過孔區(qū)域、第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域。第一過孔區(qū)域具有至少兩個貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層5的第一過孔10。由于第一過孔10的作用是用來電連接所述有源層5與薄膜晶體管的源漏電極，可以理解的是，只要能夠實現(xiàn)上述功能，不同形狀的第一過孔都是可以采用的，如圖13所示，所述第一過孔10邊緣可以完全位于有源層5之上；也可以如圖14所示，所述第一過孔10的邊緣一端位于有源層5之上，另一端位于柵絕緣層4之上。由于圖14中所述的第一過孔可以使有源層5的側面露出，所以較圖13中的第一過孔，可以獲得更大的接觸面積。所述刻蝕阻擋層6的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層之上，對應于所述顯示基板的第一電極。所述刻蝕阻擋層圖形6的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域對應的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度，需要指出的是，如圖17所示，保護薄膜晶體管中有源層不受源漏金屬刻蝕液影響的刻蝕阻擋層位于第二厚度區(qū)域。
[0091]位于所述刻蝕阻擋層6的第一厚度區(qū)域之上的所述第一電極9，第一電極為像素電極，如前述顯示基板制造方法的實施例所述，刻蝕阻擋層圖形6和第一電極圖形9在同一次構圖工藝中形成，所以形成的第一電極圖形9與刻蝕阻擋層的第一厚度區(qū)域的圖形相對應，二者擁有相同的邊界。
[0092]位于刻蝕阻擋層6和第一電極圖形表面9的薄膜晶體管源極11、薄膜晶體管溝道區(qū)域12、和薄膜晶體管漏極13以及與薄膜晶體管源、漏極同時形成的數(shù)據(jù)線(圖中未標出)，所述薄膜晶體管的源極11、所述薄膜晶體管的漏極13通過第一過孔10與有源層5電連接，所述薄膜晶體管的漏極13搭接在第一電極9上。
[0093]位于所述數(shù)據(jù)線(圖中未標出)、所述薄膜晶體管的源極11以及所述薄膜晶體管的漏極13的表面的含有第二過孔15的鈍化層14，所述第二過孔15貫穿所述鈍化層14、刻蝕阻擋層6和所述柵絕緣層4，露出公共電極線3。
[0094]位于所述鈍化層表面的第二電極16，所述第二電極通過所述第二過孔15與所述公共電極線電連接3。
[0095]在本發(fā)明實施例中，第一電極9為像素電極，其形狀為板狀；第二電極16為公共電極，其形狀為狹縫狀。第一電極9和第二電極16之間可以形成多維水平電場。本發(fā)明實施例提供的顯示基板，所述顯示基板中蝕阻擋層圖形和第一電極圖形采用一次構圖工藝形成。這樣一來，與現(xiàn)有技術相比，省去了刻蝕阻擋層的MASK工藝，可以將以金屬氧化物為有源層的ADS型顯示基板制作過程中的構圖工藝使用次數(shù)從7次減少到6次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0096]需要說明的是，上述實施例中是以刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形通過一次構圖工藝形成的顯示基板為例進行的說明。可以理解的是，凡是通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的顯示基板都屬于本發(fā)明所保護的范圍，因此，本發(fā)明實施例提供的顯示基板通過適當?shù)淖冃我部梢赃m用于其他類型的薄膜晶體管顯示基板。
[0097]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括如上所述的顯示基板。
[0098]該顯示基板具體包括薄膜晶體管、第一電極和第二電極。其中，薄膜晶體管中的刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形是在一次構圖工藝中形成的。
[0099]需要說明的是本發(fā)明所提供的顯示裝置可以為:液晶面板液晶電視、液晶顯示器、數(shù)碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產(chǎn)品或部件。
[0100]本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括顯示基板，該顯示基板采用一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。這樣一來，刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形可以通過一次構圖工藝加工得到，與現(xiàn)有技術相比，省去了刻蝕阻擋層單獨形成的構圖工藝，可以將ADS顯示基板制作過程中的構圖工藝使用次數(shù)從7次減少到6次，從而簡化了產(chǎn)品的生產(chǎn)步驟，顯著降低了產(chǎn)品的生產(chǎn)成本。
[0101]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實施方式】，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本【技術領域】的技術人員在本發(fā)明揭露的技術范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。
【權利要求】
1.一種顯示基板的制造方法，其特征在于，包括: 步驟1、提供一基板，在所述基板上形成柵絕緣層和有源層的圖形； 步驟2、在完成步驟I的基板上依次形成刻蝕阻擋層薄膜和第一電極薄膜； 步驟3、通過一次構圖工藝形成刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形。
2.根據(jù)權利要求1所述顯示基板的制造方法，其特征在于，所述方法中步驟3具體包括: 步驟31、在所述第一電極薄膜上涂覆一層正性光刻膠； 步驟32、采用半色調或灰色調掩模板曝光顯影，使光刻膠形成未曝光區(qū)域、部分曝光區(qū)域和完全曝光區(qū)域，其中，未曝光區(qū)域對應于第一電極圖形所在區(qū)域；完全曝光區(qū)域對應于第一過孔圖形所在區(qū)域；部分曝光區(qū)域對應于上述區(qū)域以外區(qū)域； 步驟33、顯影處理后，未曝光區(qū)域的光刻膠厚度沒有變化，形成光刻膠完全保留區(qū)域；部分曝光區(qū)域的光刻膠厚度變薄，形成光刻膠部分保留區(qū)域；完全曝光區(qū)域的光刻膠被完全去除，形成光刻膠完全去除區(qū)域； 步驟34、通過第一次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域對應的第一電極薄膜，露出此區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜； 步驟35、通過第二次刻蝕工藝部分去除`光刻膠完全去除區(qū)域對應的刻蝕阻擋層薄膜；步驟36、按照光刻膠部分保留區(qū)域的厚度灰化去除光刻膠，使光刻膠部分保留區(qū)域的光刻膠完全去除，光刻膠完全保留區(qū)域的光刻膠厚度減??；步驟37、通過第三次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠部分保留區(qū)域對應的第一電極薄膜；步驟38、通過第四次刻蝕工藝完全刻蝕掉光刻膠完全去除區(qū)域剩余的刻蝕阻擋層薄膜，露出有源層，光刻膠部分保留區(qū)域的刻蝕阻擋層薄膜按照光刻膠完全去除區(qū)域剩余的刻蝕阻擋層薄膜的厚度減薄，形成刻蝕阻擋層圖形，刻蝕阻擋層圖形具有連接有源層與薄膜晶體管源漏極的第一過孔； 步驟39、去除剩余的光刻膠，露出第一電極圖形。
3.根據(jù)權利要求1所述顯示基板的制造方法，其特征在于，在形成所述柵絕緣層的步驟之前，所述方法還包括: 通過構圖工藝在所述基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線的圖形。
4.根據(jù)權利要求3所述顯示基板的制造方法，其特征在于，在形成所述刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的步驟之后，所述方法還包括: 在形成有所述刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形的的顯示基板上形成數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極、所述薄膜晶體管的漏極以及所述薄膜晶體管溝道區(qū)域，所述薄膜晶體管的源極、所述薄膜晶體管的漏極通過第一過孔與有源層電連接，所述薄膜晶體管的漏極搭接在第一電極上； 在形成有所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極、所述薄膜晶體管的漏極以及所述薄膜晶體管溝道區(qū)域的基板上形成具有第二過孔的鈍化層，所述第二過孔貫穿所述鈍化層、所述刻蝕阻擋層、所述柵絕緣層，露出所述公共電極線； 在所述鈍化層上形成第二電極圖形，所述第二電極圖形通過所述第二過孔與所述公共電極線電連接。
5.一種采用權利要求1至4任一所述顯示基板的制造方法制造的顯示基板，所述顯示基板至少包含柵絕緣層、有源層、刻蝕阻擋層和第一電極的圖形，其特征在于， 所述刻蝕阻擋層圖形位于所述柵絕緣層與所述有源層之上且包括第一過孔區(qū)域、第一厚度區(qū)域和第二厚度區(qū)域； 所述刻蝕阻擋層圖形的第一過孔區(qū)域具有貫穿整個刻蝕阻擋層以部分露出所述有源層的第一過孔圖形； 所述刻蝕阻擋層圖形的第一厚度區(qū)域位于所述柵絕緣層之上，對應于所述顯示基板的第一電極； 所述刻蝕阻擋層圖形的第二厚度區(qū)域位于除所述第一過孔區(qū)域與第一厚度區(qū)域之外的區(qū)域，第二厚度區(qū)域對應的刻蝕阻擋層厚度小于第一厚度區(qū)域的刻蝕阻擋層厚度； 所述第一電極圖形位于所述刻蝕阻擋層的第一厚度區(qū)域之上且擁有與第一厚度區(qū)域相同的邊界。
6.根據(jù)權利要求5所述的顯示基板，其特征在于， 所述刻蝕阻擋層中的第一過孔圖形完全位于有源層之上。
7.根據(jù)權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述刻蝕阻擋層中的第一過孔圖形位于有源層與柵絕緣層之上。
8.根據(jù)權利要求5所述的顯示基板，其特征在于，所述顯示基板還包括: 基板； 位于所述基板之上且位于所述柵絕緣層之下的柵線、柵電極以及公共電極線； 位于所述刻蝕阻擋層圖形和第一電極圖形表面的薄膜晶體管源極和薄膜晶體管漏極以及與薄膜晶體管源、漏極同時形成的數(shù)據(jù)線，所述薄膜晶體管的源極、所述薄膜晶體管的漏極通過第一過孔與有源層電連接，所述薄膜晶體管的漏極搭接在第一電極上； 位于所述數(shù)據(jù)線、所述薄膜晶體管的源極以及所述薄膜晶體管的漏極的表面的含有第二過孔的鈍化層，所述第二過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層，露出所述公共電極線；位于所述鈍化層表面的第二電極，所述第二電極通過所述第二過孔與所述公共電極線電連接。
9.根據(jù)權利要求5至8任一所述的顯示基板，其特征在于，所述有源層采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料。
10.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求5至9任一所述的顯示基板。
【文檔編號】G02F1/1362GK103441100SQ201310370380
【公開日】2013年12月11日 申請日期:2013年8月22日 優(yōu)先權日:2013年8月22日
【發(fā)明者】段獻學, 白明基, 徐德智, 鄒志翔 申請人:合肥京東方光電科技有限公司, 京東方科技集團股份有限公司