專利名稱：一種液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種高透光率液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置的發(fā)光亮度是背光源亮度和像素透過(guò)率的乘積，在液晶顯示裝置的發(fā)光亮度一定的前提下，提高像素透過(guò)率可以降低背光源的亮度，從而實(shí)現(xiàn)節(jié)能降耗。提高像素開口率、液晶透過(guò)效率、偏光板透過(guò)率、彩色濾光片透過(guò)率可以提高像素透過(guò)率。其中，提高像素開口率是最常見(jiàn)，也是最有效的方法。如圖1和圖2所示為現(xiàn)有常見(jiàn)液晶顯示裝置的平面示意圖,現(xiàn)有液晶顯示裝置包括第一基板10、第二基板20、以及夾設(shè)在第一基板10和第二基板20之間的液晶(圖未示)，第一基板10的每個(gè)陣列單元11包括數(shù)據(jù)線12、掃描線13、存儲(chǔ)電容線14 (簡(jiǎn)稱Cs線)、晶體管15、以及像素電極16，像素電極16內(nèi)具有有效透光區(qū)域17，像素開口率是指陣列單元11中除去數(shù)據(jù)線11、掃描線12、存儲(chǔ)電容線14 (簡(jiǎn)稱Cs線)等配線區(qū)域、以及晶體管15區(qū)域(通常采用黑色矩陣隱藏)后的光線通過(guò)部分的面積與陣列單元整體面積之間的比例。開口率越高，即圖1中 有效透光區(qū)域17的面積越大，光線通過(guò)的效率越高。第一基板10和第二基板20貼合后，在兩個(gè)基板之間灌入液晶，就形成一個(gè)能夠顯示一定亮度的像素。在圖1中，使用專用的Cs線14與像素電極16重疊形成存儲(chǔ)電容，由于Cs線14的存在，明顯減少了像素電極16的有效透光區(qū)域。圖3所示為使用專用Cs線的陣列單元結(jié)構(gòu)的示意圖，在陣列單元11中，能夠用來(lái)透光的開口區(qū)域的上下距離為L(zhǎng)c。圖4所示為使用掃描線兼作存儲(chǔ)電容的陣列單元結(jié)構(gòu)的示意圖，就是用上一行陣列單元的掃描線13和下一行陣列單元的像素電極16重疊形成存儲(chǔ)電容，其能夠用來(lái)透光的開口區(qū)域的上下距離為L(zhǎng)g，一般的情況下，Lg的長(zhǎng)度大于Lc的長(zhǎng)度。在陣列單元中，能夠用來(lái)透光的開口區(qū)域的上下距離是提升像素開口率的一個(gè)重要課題，這個(gè)課題的一個(gè)重要對(duì)策是省略Cs線，或者縮小兼作存儲(chǔ)電容電極的掃描線的寬度。目前，在高精細(xì)化液晶顯示裝置中，圖5所示為常見(jiàn)的FFS(Fringe Field Switching,邊緣場(chǎng)開關(guān))像素結(jié)構(gòu)的示意圖，F(xiàn)FS液晶顯示裝置包括第一基板10、位于第一基板10下側(cè)的第一偏光板41、第二基板20、位于第二基板20上側(cè)的第二偏光板42、以及位于第一基板10和第二基板20之間的液晶層30，第一基板10上依序設(shè)有透明導(dǎo)電層43、絕緣層44、和像素電極45。FFS結(jié)構(gòu)的優(yōu)勢(shì)是像素透過(guò)率高，即圖1所示的有效透光區(qū)域面積比較大，原因是FFS結(jié)構(gòu)中，用可以透光的透明導(dǎo)電層43代替金屬Cs線。用透明導(dǎo)電層代替金屬Cs線雖然可以因省略Cs線而提高像素開口率，但是透明導(dǎo)電層本身不是100%透光，如果用ITO作為透明導(dǎo)電層，透光率一般在90%-93%左右，所以這種FFS結(jié)構(gòu)并沒(méi)有完全利用原來(lái)Cs線部分的面積。并且，由于透明導(dǎo)電層需要使用專門的成膜、光刻、刻蝕工藝，增加了制造成本和延長(zhǎng)了制造時(shí)間。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種新的存儲(chǔ)電容的實(shí)現(xiàn)方法的液晶顯示裝置，其不僅能夠大幅增加像素開口率，提高有效透光區(qū)域面積，還能縮短制造時(shí)間和降低制造成本。本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)的第一基板和第二基板、以及夾設(shè)在第一基板和第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括像素電極、位于像素電極上的第一配向膜，該第一配向膜位于與第二基板相對(duì)的一側(cè)；所述第二基板包括至少一支撐柱、包覆支撐柱的透明導(dǎo)電層、位于透明導(dǎo)電層上的第二配向膜，該第二配向膜位于與第一基板相對(duì)的一側(cè)，其中，所述第一配向膜與第二配向膜在支撐柱的位置處呈貼合狀態(tài)。其中，所述第一基板為陣列基板，所述第二基板為彩膜基板，且所述第二基板包括色阻層和黑色矩陣，所述支撐柱位于色阻層下方。其中，所述第一基板為陣列基板，所述第二基板為彩膜基板，且所述第二基板包括黑色矩陣，所述支撐柱位于黑色矩陣下方。其中，第一基板的像素電極和第二基板的透明導(dǎo)電層在支撐柱所在位置的區(qū)域形成存儲(chǔ)電容，所述像素電極和透明導(dǎo)電層作為存儲(chǔ)電容的平行板電極。其中，所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的掃描線和第二基板的黑色矩陣之間。其中，所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線，每一列的陣列單元左右兩側(cè)均設(shè)有數(shù)據(jù)線，像素電極覆蓋兩側(cè)的數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的數(shù)據(jù)線和第二基板的黑色矩陣之間。其中，所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線，每一列的陣列單元只有一根數(shù)據(jù)線，像素電極覆蓋相鄰的兩數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的數(shù)據(jù)線和第二基板的黑色矩陣之間。其中，所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線、與掃描線平行的修復(fù)線，所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的修復(fù)線和第二基板的黑色矩陣之間。其中，支撐柱與第二基板的透明導(dǎo)電接觸的面為第二面，存儲(chǔ)電容的支撐柱的第二面周邊與像素電極邊緣之間的距離大于第一基板和第二基板的貼合精度值。其中，支撐柱與第二基板的透明導(dǎo)電接觸的面為第二面，像素電極邊緣與存儲(chǔ)電容的支撐柱的第二面周邊之間的距離大于第一基板和第二基板的貼合精度值。本發(fā)明又一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)的第一基板和第二基板、以及夾設(shè)在第一基板和第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括至少一支撐柱、包覆支撐柱的像素電極、位于像素電極上的第一配向膜，該第一配向膜位于與第二基板相對(duì)的一側(cè)；所述第二基板包括透明導(dǎo)電層、位于透明導(dǎo)電層上的第二配向膜，該第二配向膜位于與第一基板相對(duì)的一側(cè)，其中，所述第一配向膜與第二配向膜在支撐柱的位置處呈貼合狀態(tài)。
其中，所述第一基板為陣列基板，所述第二基板為彩膜基板，且所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線、位于掃描線與數(shù)據(jù)線之間的柵極絕緣、位于數(shù)據(jù)線與像素電極之間隔著保護(hù)絕緣層，所述支撐柱位于保護(hù)絕緣層上。其中，所述第一基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第二基板還包括色阻層和黑色矩陣，支撐柱對(duì)應(yīng)第二基板的黑色矩陣。其中，第一基板的像素電極和第二基板的透明導(dǎo)電層在支撐柱所在位置的區(qū)域形成存儲(chǔ)電容，所述像素電極和透明導(dǎo)電層作為存儲(chǔ)電容的平行板電極。本發(fā)明通過(guò)將像素電極或透明導(dǎo)電層包覆支撐柱，不需要在第一基板上設(shè)計(jì)專門的Cs線，也不需要加寬掃描線的寬度，與FFS結(jié)構(gòu)相比，不需要在第一基板上專門設(shè)計(jì)一層透明導(dǎo)電層。本發(fā)明不僅能夠大幅增加像素開口率，提高有效透光區(qū)域面積，還能縮短制造時(shí)間和降低制造成本。


圖1為現(xiàn)有常見(jiàn)液晶顯示裝置的第一基板的平面示意圖；圖2為現(xiàn)有常見(jiàn)液晶顯示裝置的第二基板的平面示意圖；圖3為現(xiàn)有使用專用Cs線的陣列單元結(jié)構(gòu)的示意圖；圖4為現(xiàn)有使用掃描線兼作存儲(chǔ)電容的陣列單元結(jié)構(gòu)的示意圖；圖5為現(xiàn)有FFS結(jié)構(gòu)的示意圖；圖6為本發(fā)明液晶顯示裝置的陣列單元的結(jié)構(gòu)示意圖；圖7為圖6所示第一基板的陣列單元的部分結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為圖7所示在A-A方向的剖視圖；圖9為本發(fā)明液晶顯示裝置的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖10為本發(fā)明液晶顯示裝置的第二實(shí)施例的另一結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為本發(fā)明液晶顯示裝置的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖12為本發(fā)明液晶顯示裝置的雙數(shù)據(jù)線設(shè)計(jì)的第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖13為本發(fā)明液晶顯示裝置的單數(shù)據(jù)線設(shè)計(jì)的第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖；圖14為本發(fā)明液晶顯示裝置增加修復(fù)線的第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例，進(jìn)一步闡明本發(fā)明，應(yīng)理解這些實(shí)施例僅用于說(shuō)明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍，在閱讀了本發(fā)明之后，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)本發(fā)明的各種等價(jià)形式的修改均落于本申請(qǐng)所附權(quán)利要求所限定的范圍。圖6至圖8是本發(fā)明液晶顯示裝置第一實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，如圖8所示，液晶顯示裝置包括相對(duì)的第一基板10、第二基板20、夾設(shè)在第一基板10和第二基板20之間的液晶層、以及支撐在第一基板10或第二基板20上的若干支撐柱40，所述第一基板10與第二基板20相對(duì)的表面均設(shè)有配向膜，并定義設(shè)于第一基板10上的配向膜稱為第一配向膜51，設(shè)于第二基板20上的配向膜稱為第二配向膜52。支撐柱40用于支撐第一基板10或第二基板20，使得液晶層能夠在第一基板10與第二基板20之間均勻分布。
其中，第一基板10為陣列基板(TFT基板)，第二基板20為彩膜基板(CF基板)。如圖6所示為液晶顯示裝置的陣列單元的結(jié)構(gòu)示意圖，所述第一基板10位于第一玻璃基板11上，其包括縱橫交錯(cuò)的若干掃描線12和數(shù)據(jù)線13、像素電極14、薄膜晶體管
15、以及位于像素電極14上的第一配向膜51，薄膜晶體管15包括與掃描線12連接的柵極(圖未示)、與數(shù)據(jù)線13連接的源極(圖未示)、以及與像素電極14連接的漏極(圖未示)，漏極和像素電極14之間的電學(xué)連接通過(guò)接觸孔(圖未示)，在本實(shí)施例中，像素電極14與數(shù)據(jù)線13之間在空間上沒(méi)有重疊區(qū)域。其中，掃描線12與數(shù)據(jù)線13之間隔著柵極絕緣16，數(shù)據(jù)線13與像素電極14之間隔著保護(hù)絕緣層17，由于柵極絕緣層16和保護(hù)絕緣層17為透明層，并且整面分布，故在圖6未標(biāo)注。如圖8所示，在本實(shí)施例中，第二基板20上分為顯示區(qū)和遮光區(qū)，所述支撐柱40位于第二基板20的遮光區(qū)內(nèi)。在本實(shí)施例中，第二基板20位于第二玻璃基板21上，其包括色阻層23和黑色矩陣23、位于色阻層22下方的支撐柱40、透明導(dǎo)電層24、以及第二配向膜52。在其他實(shí)施例中，第二基板20也可能不包括色阻層，支撐柱40直接位于黑色矩陣的下方。透明導(dǎo)電層24為氧化銦錫(ΙΤ0)、或石墨烯(Graphene)、或碳納米管(CNT)、或銀納米線(Ag nano wire)等透明導(dǎo)電材料制成的薄膜,透明導(dǎo)電層24的透過(guò)率(@550nm)不低于80%，面電阻不高于103Q/sqm，透過(guò)率的均一度彡90%。第二基板20制造時(shí)，先在第 二玻璃基板21形成黑色矩陣23，再在黑色矩陣23上形成色阻層，23，再在色阻層22上形成位于支撐柱40，再覆蓋透明導(dǎo)電層24，最后形成第二配向膜52，通過(guò)這樣的制造過(guò)程，第二基板20的透明導(dǎo)電層24—部分覆蓋在支撐柱40上，一部分覆蓋在色阻層22上；第二配向膜52覆蓋透明導(dǎo)電層24，即將支撐柱40被包覆在透明導(dǎo)電層24和第二配向膜52內(nèi)。通過(guò)這種方式，第一基板10的第一配向膜51和第二基板20的第二配向膜52在支撐柱40位置處呈緊密貼合狀態(tài)，并形成如圖8所示的重疊區(qū)域100，該重疊區(qū)域100位于第一基板10的掃描線12的上方,且該重疊區(qū)域100位于第一基板10的掃描線12和第二基板20的黑色矩陣22之間。假定圖7所示為第m-Ι行和第m行的掃描線122、123、第η行數(shù)據(jù)線132的示意圖，第m行掃描線123對(duì)應(yīng)的陣列單元的像素電極143向上延伸到第m_l條掃描線122上，像素電極143與第m-Ι條掃描線122部分重疊，形成第一部分存儲(chǔ)電容Csg (Cs on Gate)18。在圖8所示的重疊區(qū)域100 (該重疊區(qū)域100位于掃描線12的上方)，隔著第一基板10側(cè)的第一配向膜51和第二基板20側(cè)的第二配向膜52，第一基板10的像素電極143與第二基板20側(cè)的透明導(dǎo)電層24之間形成第二部分存儲(chǔ)電容CsCC(Cs on CF COM)，所述像素電極14和透明導(dǎo)電層24作為存儲(chǔ)電容的平行板電極。支撐柱40與第二基板20的色阻層23接觸的面為第一面41、與第二基板20的透明導(dǎo)電層24接觸的面為第二面42，第二部分存儲(chǔ)電容Cscc是支撐柱40的第二面42和第一基板的像素電極143重疊的面積；第二部分存儲(chǔ)電容Cscc位于遮光區(qū)域內(nèi)，且第二部分存儲(chǔ)電容Cscc相對(duì)的兩平行板電極(像素電極14與透明導(dǎo)電層24)的兩側(cè)對(duì)應(yīng)的是第一基板10的掃描線和第二基板20的黑色矩陣22。對(duì)于m-Ι條掃描線122，Csg和Cscc是以串聯(lián)的形式影響m—Ι條掃描線122的信號(hào)延遲時(shí)間。所以，Cscc的存在并不會(huì)額外增加m-Ι條掃描線122的電容阻抗。在實(shí)際設(shè)計(jì)時(shí)，除了通過(guò)設(shè)計(jì)支撐柱40面積的不同值來(lái)控制Cscc的電容值外，還可以通過(guò)調(diào)整Cscc之間的配向膜總厚度，控制Cscc的電容值。第一基板10側(cè)和第二基板20側(cè)的配向膜51、52厚度均一般在800A左右，即Cscc(Cs on CF COM)的電容介質(zhì)層一般在1600 A左右，因?yàn)镃scc的配向膜絕緣介質(zhì)較薄,通過(guò)設(shè)計(jì)較小的支撐柱40面積就能獲得較大的Cscc電容值。所以，由于Cscc的存在，不需要對(duì)Csg的大小要求進(jìn)行苛刻的設(shè)置。這樣，一方面可以縮小掃描線的寬度，提高像素開口率。另一方面可以放寬對(duì)保護(hù)絕緣層，或者柵極絕緣層的厚度要求，從而使圖8中的保護(hù)絕緣層17可以使用微米級(jí)厚度的無(wú)機(jī)絕緣膜、有機(jī)絕緣膜、或者無(wú)機(jī)絕緣膜和有機(jī)絕緣膜的組合。本發(fā)明通過(guò)將支撐柱40包覆在透明導(dǎo)電層24和第二配向膜52內(nèi)，從而省略了公共電極線(Cs線)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，陣列單元中能夠用來(lái)透光的開口區(qū)域的上下距離為L(zhǎng)cc (如圖6所示)遠(yuǎn)大于Lc (如圖3)。像素的有效透光區(qū)域面積遠(yuǎn)大于圖3所示的結(jié)構(gòu)。同樣，因?yàn)楸景l(fā)明對(duì)掃描線的寬度要求沒(méi)有圖4所示的結(jié)構(gòu)苛刻，使用本發(fā)明的掃描線寬度可以做得比圖4所示的結(jié)構(gòu)更小，所以與圖4所示的像素結(jié)構(gòu)相比，陣列單元中能夠用來(lái)透光的開口區(qū)域的上下距離為L(zhǎng)cc明顯大于Lg。圖9和圖10所示為本發(fā)明的第二實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，由于第一基板10和第二基板20貼合時(shí)存在一定的對(duì)位偏差σ (單位為um),為了保證液晶顯示裝置中所有像素的第二部分存儲(chǔ)電容Cscc電容值不受對(duì)位偏差σ的影響，可以對(duì)Cscc進(jìn)行如圖9或者圖10所示的電容補(bǔ)償設(shè)計(jì)。在圖9中，支撐柱40第一面41周邊的邊緣與像素電極14的邊緣距離a、b、C、d必須滿足a> σ , b> σ , c> σ , d> σ ,即即第二部分存儲(chǔ)電容Cscc (Cs on CFCOM)的支撐柱40的第二面42周邊與像素電極14邊緣之間的距離大于第一基板和第二基板的貼合精度值；對(duì)于圖10所示的方`案，像素電極的邊緣與支撐柱40的第二面42周邊的邊緣距離a’、b’、c’、d’必須滿足a’ > σ ;b’>o ;c’>o ;d’ > σ，即像素電極14邊緣與第二部分存儲(chǔ)電容Cscc (Cs on CF COM)的支撐柱40的第二面42周邊之間的距離大于第一基板和第二基板的貼合精度值。圖11所示為本發(fā)明的第三實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本第三實(shí)施例與上述第一實(shí)施例的區(qū)別是支撐柱40設(shè)置于第一基板10上，支撐柱40位于保護(hù)絕緣層17的上方，然后再在支撐柱40上覆蓋像素電極14，最后在像素電極14上鋪設(shè)第一配向膜51，這樣同樣使得第一基板10的第一配向膜51和第二基板20的第二配向膜52在支撐柱40位置緊密貼合。在支撐柱40的支撐下，像素電極14和第二基板20側(cè)的透明導(dǎo)電層24之間形成存儲(chǔ)電容Cscc，本第三實(shí)施例的效果與上述第一實(shí)施例相同，故不重復(fù)敘述。假定支撐柱40與第一基板10的像素電極14接觸的面為第一面41、與第一基板10的保護(hù)絕緣層17接觸的面為第二面42，存儲(chǔ)電容Cscc是支撐柱40的第一面41和第二基板的透明導(dǎo)電層24重疊的面積；第二部分存儲(chǔ)電容Cscc位于遮光區(qū)域內(nèi)，且第二部分存儲(chǔ)電容Cscc相對(duì)的兩平行板電極(像素電極14與透明導(dǎo)電層24)的兩側(cè)對(duì)應(yīng)的是第一基板10的掃描線和第二基板20的黑色矩陣22。
圖12所示為本發(fā)明的第四實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，當(dāng)?shù)谝换?0的保護(hù)絕緣層17膜厚度達(dá)到微米級(jí)別時(shí)，如保護(hù)絕緣層17的厚度為2um或者3um時(shí)，本陣列單元結(jié)構(gòu)為每一列的陣列單元都采用左右兩側(cè)都設(shè)有數(shù)據(jù)線13，像素電極14覆蓋到兩側(cè)的數(shù)據(jù)線13上，且對(duì)上下行陣列單元的像素電極進(jìn)行間隔驅(qū)動(dòng)輸入，支撐柱40位于相鄰兩數(shù)據(jù)線14之間的上方，通過(guò)用疊在相鄰兩陣列單元的數(shù)據(jù)線13上方的像素電極與第二基板的透明導(dǎo)電層形成第二部分存儲(chǔ)電容Cscc (Cs on CF COM)，第二部分存儲(chǔ)電容Cscc相對(duì)的兩平行板電極(像素電極14與透明導(dǎo)電層24)的兩側(cè)對(duì)應(yīng)的是第一基板10的數(shù)據(jù)線13和第二基板20的黑色矩陣22，支撐柱40可以位于第二基板20 —側(cè)，具體形成方式如上述第一實(shí)施例；支撐柱40也可以位于第一基板10 —側(cè)，具體形成方式如上述第三實(shí)施例，故不重復(fù)敘述。圖13所示為本發(fā)明的第五實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，本第五實(shí)施例與上述第四實(shí)施例區(qū)別的是每一列的陣列單元只有一根數(shù)據(jù)線13單獨(dú)進(jìn)行信號(hào)輸入，像素電極14也是覆蓋到相鄰的兩數(shù)據(jù)線13上，用疊在數(shù)據(jù)線13上方的像素電極14與第二基板的透明導(dǎo)電層24形成第二部分存儲(chǔ)電容Cscc (Cs on CF COM)，第二部分存儲(chǔ)電容Cscc相對(duì)的兩平行板電極(像素電極14與透明導(dǎo)電層24)的兩側(cè)對(duì)應(yīng)的是第一基板10的數(shù)據(jù)線13和第二基板20的黑色矩陣22，本第五實(shí)施例其他都與上述第四實(shí)施例相同，故不重復(fù)敘述。圖14所示為本發(fā)明的第六實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖，為了方便點(diǎn)缺陷或者線缺陷的修復(fù)，在陣列單元中增加與掃描線12平行的修復(fù)線19，通過(guò)用疊在修復(fù)線19上方的像素電極14與第二基板20的透明導(dǎo)電層24形成第二部分存儲(chǔ)電容Cscc (Cs on CF COM)，第二部分存儲(chǔ)電容Cscc相對(duì)的兩平行板電極(像素電極14與透明導(dǎo)電層24)的兩側(cè)對(duì)應(yīng)的是第一基板10的修復(fù)線19和第二基板20的黑色矩陣22，修復(fù)線19作為Cs線，在需要進(jìn)行修復(fù)的時(shí)候，用激光切割和激光打點(diǎn)切出其中的一段進(jìn)行電學(xué)特性的隔離或者連接。本第六實(shí)施例其他都與上述第四實(shí)施例相同，故不重復(fù)敘述。本發(fā)明通過(guò)將像素電極或透明導(dǎo)電層包覆支撐柱，不需要再第一基板上設(shè)計(jì)專門的Cs線，也不需要加寬掃描線的寬度，與FFS結(jié)構(gòu)相比，不需要在第一基板上專門設(shè)計(jì)一層透明導(dǎo)電層。本發(fā)明不僅能夠大幅增加像素開口率，提高有效透光區(qū)域面積，還能縮短制造時(shí)間和降低制造成本。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)的第一基板和第二基板、以及夾設(shè)在第一基板和第二基板之間的液晶層，其特征在于 所述第一基板包括像素電極、位于像素電極上的第一配向膜，該第一配向膜位于與第二基板相對(duì)的一側(cè)； 所述第二基板包括至少一支撐柱、包覆支撐柱的透明導(dǎo)電層、位于透明導(dǎo)電層上的第二配向膜，該第二配向膜位于與第一基板相對(duì)的一側(cè)，其中，所述第一配向膜與第二配向膜在支撐柱的位置處呈貼合狀態(tài)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一基板為陣列基板，所述第二基板為彩膜基板，且所述第二基板包括色阻層和黑色矩陣，所述支撐柱位于色阻層下方。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一基板為陣列基板，所述第二基板為彩膜基板，且所述第二基板包括黑色矩陣，所述支撐柱位于黑色矩陣下方。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3述的液晶顯示裝置，其特征在于第一基板的像素電極和第二基板的透明導(dǎo)電層在支撐柱所在位置的區(qū)域形成存儲(chǔ)電容，所述像素電極和透明導(dǎo)電層作為存儲(chǔ)電容的平行板電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求4述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的掃描線和第二基板的黑色矩陣之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求4述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線，每一列的陣列單元左右兩側(cè)均設(shè)有數(shù)據(jù)線，像素電極覆蓋兩側(cè)的數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的數(shù)據(jù)線和第二基板的黑色矩陣之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求4述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線，每一列的陣列單元只有一根數(shù)據(jù)線，像素電極覆蓋相鄰的兩數(shù)據(jù)線；所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的數(shù)據(jù)線和第二基板的黑色矩陣之間。
8.根據(jù)權(quán)利要求4述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第二基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線、與掃描線平行的修復(fù)線，所述存儲(chǔ)電容的平行板電極位于遮光區(qū)域內(nèi)，且存儲(chǔ)電容的平行板電極位于第一基板的修復(fù)線和第二基板的黑色矩陣之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求4述的液晶顯示裝置，其特征在于支撐柱與第二基板的透明導(dǎo)電接觸的面為第二面，存儲(chǔ)電容的支撐柱的第二面周邊與像素電極邊緣之間的距離大于第一基板和第二基板的貼合精度值。
10.根據(jù)權(quán)利要求4述的液晶顯示裝置，其特征在于支撐柱與第二基板的透明導(dǎo)電接觸的面為第二面，像素電極邊緣與存儲(chǔ)電容的支撐柱的第二面周邊之間的距離大于第一基板和第二基板的貼合精度值。
11.一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)的第一基板和第二基板、以及夾設(shè)在第一基板和第二基板之間的液晶層，其特征在于 所述第一基板包括至少一支撐柱、包覆支撐柱的像素電極、位于像素電極上的第一配向膜，該第一配向膜位于與第二基板相對(duì)的一側(cè)； 所述第二基板包括透明導(dǎo)電層、位于透明導(dǎo)電層上的第二配向膜，該第二配向膜位于與第一基板相對(duì)的一側(cè)，其中，所述第一配向膜與第二配向膜在支撐柱的位置處呈貼合狀態(tài)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一基板為陣列基板，所述第二基板為彩膜基板，且所述第一基板還包括縱橫交錯(cuò)的掃描線和數(shù)據(jù)線、位于掃描線與數(shù)據(jù)線之間的柵極絕緣、位于數(shù)據(jù)線與像素電極之間隔著保護(hù)絕緣層，所述支撐柱位于保護(hù)絕緣層上。
13.根據(jù)權(quán)利要求11述的液晶顯示裝置，其特征在于所述第一基板設(shè)有顯示區(qū)域和遮光區(qū)域，所述支撐柱設(shè)于遮光區(qū)域內(nèi)；所述第二基板還包括色阻層和黑色矩陣，支撐柱對(duì)應(yīng)第二基板的黑色矩陣。
14.根據(jù)權(quán)利要求12述的液晶顯示裝置，其特征在于第一基板的像素電極和第二基板的透明導(dǎo)電層在支撐柱所在位置的區(qū)域形成存儲(chǔ)電容，所述像素電極和透明導(dǎo)電層作為存儲(chǔ)電容的平行板電極。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置，包括相對(duì)的第一基板和第二基板、以及夾設(shè)在第一基板和第二基板之間的液晶層，所述第一基板包括像素電極、位于像素電極上的第一配向膜，該第一配向膜位于與第二基板相對(duì)的一側(cè)；所述第二基板包括至少一支撐柱、包覆支撐柱的透明導(dǎo)電層、位于透明導(dǎo)電層上的第二配向膜，該第二配向膜位于與第一基板相對(duì)的一側(cè)，其中，所述第一配向膜與第二配向膜在支撐柱的位置處呈貼合狀態(tài)。本發(fā)明通過(guò)將像素電極或透明導(dǎo)電層包覆支撐柱，不需要再第一基板上設(shè)計(jì)專門的存儲(chǔ)電容線，也不需要加寬掃描線的寬度，本發(fā)明不僅能夠大幅增加像素開口率，提高有效透光區(qū)域面積，還能縮短制造時(shí)間和降低制造成本。
文檔編號(hào)G02F1/1339GK103064218SQ20121058481
公開日2013年4月24日 申請(qǐng)日期2012年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月28日
發(fā)明者馬群剛 申請(qǐng)人:南京中電熊貓液晶顯示科技有限公司