專(zhuān)利名稱(chēng)：：液晶顯示裝置和顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置和顯示設(shè)備，更具體地，涉及一種邊緣場(chǎng)切換(FFS)模式(也稱(chēng)為板內(nèi)切換(IPS)支持模式)的液晶顯示裝置以及包括該液晶顯示裝置的顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
：在FFS模式的液晶顯示裝置中，用于向液晶層施加基本上與基板表面平行的橫向電場(chǎng)的共電極和像素電極被設(shè)置同一基板側(cè)上，并且通過(guò)該橫向電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶元件用于顯示圖像。以下將參考圖14描述現(xiàn)有技術(shù)的FFS模式的液晶顯示裝置。圖14A的截面圖是沿圖14B中的線(xiàn)A-A'得到的。該附圖中所示的液晶顯示裝置是透射的。該液晶顯示裝置包括液晶面板，液晶面板由第一基板110、面向第一基板110的元件形成表面設(shè)置的第二基板120、以及介于這些第一基板110和第二基板120之間的液晶層130形成。而且，在該液晶面板中，偏光鏡140和150分別緊密接觸第一基板110和第二基板120的外表面設(shè)置。在第一基板110上的偏光鏡140的更外側(cè)，設(shè)置用作用于透射顯示的光源的背光(未示出)。第一基板110由諸如玻璃的透明基板形成。在其面向液晶層130的表面上，以矩陣形式排列多條掃描線(xiàn)111和多條信號(hào)線(xiàn)112。在條掃描線(xiàn)111和信號(hào)線(xiàn)112的每個(gè)交叉點(diǎn)處，設(shè)置用于驅(qū)動(dòng)各個(gè)像素的由薄膜晶體管(TFT)形成的驅(qū)動(dòng)元件。被掃描線(xiàn)lll和信號(hào)線(xiàn)112所包圍的區(qū)域用作像素區(qū)域IIOA。在掃描線(xiàn)111和用于相鄰像素的下一掃描線(xiàn)111之間，平行于這些掃描線(xiàn)111、接近用于相鄰像素的掃描線(xiàn)111設(shè)置共電位線(xiàn)113。此外，在同一平面，在除TFTl的形成區(qū)域外的像素區(qū)域110A中設(shè)置共電極114，以此方式使共電極114的端部與共電位線(xiàn)113重疊。共電極114與掃描線(xiàn)111設(shè)置在相同的平面上，因此，共電極114的排列受限于掃描線(xiàn)111。TFT1的柵電極2由掃描線(xiàn)111的一部分形成。在第一基板110上，設(shè)置柵極絕緣膜3以覆蓋掃描線(xiàn)111、共電位線(xiàn)113、和共電極114。此外，在覆蓋柵電極2的柵極絕緣膜3上圖樣化形成半導(dǎo)體層4。半導(dǎo)體層4直接位于柵電極2之上的一部分用作溝道層4a。在溝道層4a的兩個(gè)側(cè)面上，設(shè)置含有n型雜質(zhì)的源極區(qū)4b和漏極區(qū)4c。在源極區(qū)4b上，源電極6a經(jīng)設(shè)置連接至源極區(qū)4b，并且源電極6a連接至信號(hào)線(xiàn)112。在漏極區(qū)4c上，漏電極6b經(jīng)設(shè)置連接至漏極區(qū)4c。以此方式形成了TFT1。在柵極絕緣膜3上，設(shè)置層間絕緣膜115以覆蓋TFT1。在該層間絕緣膜115中，設(shè)置了連接到TFT1的漏極6b的接觸孔115a。在層間絕緣膜115上，設(shè)置通過(guò)接觸孔115a4連接至TFT1并具有多個(gè)狹縫的像素電極116。這些狹縫116a與掃描線(xiàn)111平行。此外，在層間絕緣膜115之上設(shè)置對(duì)準(zhǔn)層117，并且對(duì)準(zhǔn)層117覆蓋像素電極116。由于這種結(jié)構(gòu)，在共電極114和像素電極116的電極部分的端部之間產(chǎn)生電場(chǎng)，其中，這些電極部分夾著狹縫116a。因此，向液晶層130施加基本上平行于基板表面的橫向電場(chǎng)。第二基板120也由諸如玻璃基板的透明基板形成。在面向液晶層130的表面上，順序設(shè)置分別用于紅色(R)、綠色(G)、和藍(lán)色(B)的各種顏色的濾色片121、以及對(duì)準(zhǔn)層122。在具有上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置中，掃描線(xiàn)lll和共電極114位于第一基板110的同一平面上，因此共電極114的形成區(qū)域受掃描線(xiàn)111的限制。這會(huì)導(dǎo)致孔徑比(apertureratio)低和透光率低的問(wèn)題。為了解決這些問(wèn)題，已報(bào)道了液晶顯示裝置的一個(gè)實(shí)施例，這種液晶顯示裝置是通過(guò)在以上通過(guò)使用圖14所述的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)中，將具有狹縫116a的像素電極116設(shè)置在柵極絕緣膜3上以及將共電極114設(shè)置在層間絕緣膜115上而得到的(例如，參看第3742837號(hào)日本專(zhuān)利(專(zhuān)利文獻(xiàn)1))。此外，也已報(bào)道了以下的實(shí)施例，其中，在以上通過(guò)使用圖14所述的液晶顯示裝置中，共電極114被設(shè)置在柵極絕緣膜3上(例如，參看第3740514號(hào)日本專(zhuān)利和第3742836號(hào)日本專(zhuān)利(專(zhuān)利文獻(xiàn)2和3))。然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1所述的液晶顯示裝置中，盡管對(duì)共電極114的配置沒(méi)有任何限制，但是由于具有狹縫116a的像素電極116并沒(méi)有接近液晶層130設(shè)置，所以很難施加與基板表面平行的電場(chǎng)。因此，不能控制液晶層130，并因此本身就很難進(jìn)行液晶顯示。而且，在專(zhuān)利文獻(xiàn)2和3描述的液晶顯示裝置中，共電極114的配置受到信號(hào)線(xiàn)112的限制，因此很難維持高孔徑比。為了解決這些問(wèn)題，如圖15A的平面圖所示，經(jīng)形成在信號(hào)線(xiàn)側(cè)具有比共電極114更大尺寸的像素電極116'經(jīng)過(guò)設(shè)置與信號(hào)線(xiàn)112重疊。然而，在此結(jié)構(gòu)中，如圖15B的電路圖所示，在信號(hào)線(xiàn)112和像素電極116'之間生成寄生電容C1和C2，這會(huì)導(dǎo)致垂直的色度亮度干擾(crosstalk)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明需要提供一種可以提高孔徑比并抑制寄生電容的液晶顯示裝置，以及包括該液晶顯示裝置的顯示設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供了一種液晶顯示裝置，其包括介于第一基板和第二基板之間的液晶層，并且在第一基板側(cè)上具有用于向液晶層施加電場(chǎng)的共電極和像素電極。該液晶顯示裝置包括被配置為以矩陣形式設(shè)置在第一基板上的多條掃描線(xiàn)和多條信號(hào)線(xiàn)、被配置為設(shè)置在掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)之間的交叉點(diǎn)處的驅(qū)動(dòng)元件、以及被配置為設(shè)置在第一基板上并且蓋驅(qū)動(dòng)元件的第一絕緣膜。此外，該液晶顯示裝置還包括被配置為設(shè)置在第一絕緣膜上的共電極、被配置為設(shè)置在第一絕緣膜上并覆蓋共電極的第二絕緣膜、以及被配置為設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的在第二絕緣膜上并且具有多個(gè)狹縫的像素電極。像素電極經(jīng)由設(shè)置在第二絕緣膜和第一絕緣膜中的接觸孔連接至驅(qū)動(dòng)元件。共電極覆蓋第一絕緣膜上除接觸孔的形成區(qū)域外的像素區(qū)域、以及掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)中的至少一條。5根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，提供了包括液晶顯示裝置的顯示設(shè)備，該液晶顯示裝置包括介于第一基板和第二基板之間的液晶層，并且在第一基板側(cè)上具有用于向液晶層施加電場(chǎng)的共電極和像素電極。該顯示設(shè)備通過(guò)使用由液晶顯示裝置調(diào)制的光顯示影像(video)。該顯示設(shè)備包括被配置為以矩陣形式設(shè)置在第一基板上的多條掃描線(xiàn)和多條信號(hào)線(xiàn)、被配置為設(shè)置在掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)之間的交叉點(diǎn)處的驅(qū)動(dòng)元件、以及被配置為設(shè)置在第一基板上并且蓋驅(qū)動(dòng)元件的第一絕緣膜。此外，該液晶設(shè)備還包括被配置為設(shè)置在第一絕緣膜上的共電極、被配置為設(shè)置在第一絕緣膜上并覆蓋共電極的第二絕緣膜、以及被配置為設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的在第二絕緣膜上并且具有多個(gè)狹縫的像素電極。像素電極經(jīng)由設(shè)置在第二絕緣膜和第一絕緣膜中的接觸孔連接至驅(qū)動(dòng)元件。共電極覆蓋第一絕緣膜上除接觸孔的形成區(qū)域外的像素區(qū)域、以及掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)中的至少一條。在這種液晶顯示裝置和顯示設(shè)備中，共電極被設(shè)置在覆蓋信號(hào)線(xiàn)和掃描線(xiàn)的第一絕緣膜上，從而共電極不僅覆蓋除接觸孔的形成區(qū)域外的像素區(qū)域，并且還覆蓋掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)中的至少一條。這個(gè)特征使得有效像素區(qū)域增大，并且可以提高孔徑比。此外，由于提供了覆蓋掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)中的至少一條的共電極，所以抑制了在掃描線(xiàn)和像素電極之間或者信號(hào)線(xiàn)和像素電極之間的寄生電容。如上所述，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置和顯示設(shè)備，可以提高孔徑比。因此，增強(qiáng)了光的透射，并且提高了液晶顯示裝置的對(duì)比度。此外，由于抑制了在掃描線(xiàn)和像素電極之間或者信號(hào)線(xiàn)和像素電極之間的寄生電容，所以可以防止像素中出現(xiàn)信號(hào)干擾。因此，穩(wěn)定了所保持的像素電位，并且既不會(huì)出現(xiàn)垂直色度亮度干擾，也不會(huì)出現(xiàn)水平色度亮度干擾，這可以提高液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量。此外，由于來(lái)自信號(hào)線(xiàn)、掃描線(xiàn)以及像素電極的電場(chǎng)，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置以及包括該液晶顯示裝置的顯示設(shè)備沒(méi)有在由例如晶體管形成的驅(qū)動(dòng)元件的半導(dǎo)體層中生成反向溝道。因此，可以防止由于寄生的反向溝道所引起的不穩(wěn)定運(yùn)行。圖1A和圖1B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖和平面圖；圖2A和圖2B是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的第一基板的主要部分的沿圖1B中的線(xiàn)A-A'的放大截面圖；圖3A和圖3B是分別示出了在根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置中不設(shè)置共電位線(xiàn)的情況、和設(shè)置共電位線(xiàn)的情況的示意圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的第一基板的主要部分的沿圖1B中的線(xiàn)B-B'的放大截面圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的使用相鄰像素的像素電極之間距離的改變所測(cè)量的漏光(lightleakage)的曲線(xiàn)圖；圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的在與相鄰像素的像素電極之間距離的改變相關(guān)聯(lián)的信號(hào)線(xiàn)寬度和第二絕緣膜的厚度之間關(guān)系的曲線(xiàn)圖；圖7A和圖7B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的分別與y截距相關(guān)的對(duì)數(shù)近似(logapproximation)和線(xiàn)性近似的曲線(xiàn)圖，y截距是用于表示與作為變量的像素電極間的距離相關(guān)聯(lián)的信號(hào)線(xiàn)寬度的線(xiàn)性函數(shù)的術(shù)語(yǔ)，并且y截距取決于第二絕緣膜的膜厚度；圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示裝置的第一基板的主要部分的沿圖IB中的線(xiàn)B-B'的放大截面圖；圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的電路圖；圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的一個(gè)像素的電路圖；圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的另一個(gè)晶體管的結(jié)構(gòu)圖；圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變型實(shí)例1的平面圖；圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的變型實(shí)例2的平面圖；圖14A和圖14B是分別用于闡述現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的截面圖和平面圖；圖15A和圖15B是分別示出了現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置的問(wèn)題的平面圖和電路圖。具體實(shí)施例方式以下將詳細(xì)描述本發(fā)明實(shí)施例?！吹谝粚?shí)施例>圖1A是示出了FFS模式的透射型液晶顯示裝置的截面圖，以及圖1B是其平面圖。圖1A是沿圖IB中的線(xiàn)A-A'得到的。液晶顯示裝置100包括液晶面板，該液晶面板由第一基板10、面向第一基板10的元件形成表面設(shè)置的第二基板20、和介于第一基板10和第二基板20之間的液晶層30形成。液晶層30由向列型液晶構(gòu)成。在該液晶面板中，設(shè)置偏光鏡40和50，使用粘合劑作為中間物(未示出)，使偏光鏡40和50分別緊密接觸第一基板10和第二基板20的外表面。所設(shè)置的這些偏光鏡40和50處于為正交偏光鏡狀態(tài)(crossed-Nicolsstate)。在第一基板10上的偏光鏡40的更外側(cè)，設(shè)置用作用于進(jìn)行透射顯示的光源的背光(未示出)。除第一基板10夕卜，該結(jié)構(gòu)是一個(gè)很一般的結(jié)構(gòu)。例如，作為顯示側(cè)基板的第二基板20由諸如玻璃基板的透明基板形成。在其面向液晶層30的表面上，順序設(shè)置分別用于紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的濾色片21以及對(duì)準(zhǔn)層22。另一方面，作為背側(cè)基板的第一基板10具有特有結(jié)構(gòu)，因此，以下將對(duì)其進(jìn)行詳細(xì)描述。第一基板10由諸如玻璃基板的透明基板形成。在其面向液晶層30的表面上，以矩陣形式設(shè)置多條掃描線(xiàn)11和多條信號(hào)線(xiàn)12。作為掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12的材料，可以使用以下材料中的任意種鋁(Al)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉛(Pb)、任意這些材料的復(fù)合層(例如，Ti/Al)、以及金屬化合物層(MoSi、AlSi)。在本實(shí)例中，例如，這兩種線(xiàn)都由鋁(Al)構(gòu)成。然而，掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12可以由不同材料構(gòu)成。在掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12之間的每個(gè)交叉點(diǎn)處，設(shè)置用于驅(qū)動(dòng)各個(gè)像素的由底柵型TFT1形成的驅(qū)動(dòng)元件。被掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12包圍的區(qū)域用作像素區(qū)域1A。在本實(shí)例中，例如，平面圖中，此像素區(qū)域1A具有矩形形狀，該矩形形狀具有沿信號(hào)線(xiàn)12延伸的較長(zhǎng)邊，和沿掃描線(xiàn)11延伸的較短邊。如圖2A(沿線(xiàn)A-A'的主要部分的放大截面圖)所示，TFT1的柵電極2由掃描線(xiàn)711的一部分形成。在第一基板10上形成柵極絕緣膜3，并且柵極絕緣膜3覆蓋包括柵電極2的掃描線(xiàn)11。此外，在覆蓋柵電極2的柵極絕緣膜3上圖樣化形成半導(dǎo)體層4。例如，半導(dǎo)體層4由不定形硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、或單晶硅構(gòu)成。其在柵電極2正上方的部分用作溝道層4a。例如，在溝道層4a的兩側(cè)上，設(shè)置含有n型雜質(zhì)的源極區(qū)4b和漏極區(qū)4c。此外，在溝道層4a與源和漏極區(qū)4b和4c之間，設(shè)置雜質(zhì)濃度低于源和漏極區(qū)4b和4c的雜質(zhì)濃度的LDD區(qū)域4b'和4c'。在柵極絕緣膜3上，設(shè)置絕緣層5以覆蓋半導(dǎo)體層4。將源電極6a和漏電極6b經(jīng)由接觸孔連接至源和漏極區(qū)4b和4c，接觸孔被設(shè)置在絕緣層5中，從而能夠到達(dá)源和漏極區(qū)4b和4c。源電極6a由與信號(hào)線(xiàn)12相同的層形成。在絕緣層5上，設(shè)置第一絕緣膜13以覆蓋源和漏電極6a和6b。在接下來(lái)的步驟中，將以約20(TC到400°C的高溫，在第一絕緣膜13上沉積第二絕緣膜。因此，優(yōu)選地，第一絕緣膜13具有耐熱性。此外，由于將在第一絕緣膜13上形成共電極，所以?xún)?yōu)選地，第一絕緣膜13具有高平面性。此外，為了抑制寄生電容，優(yōu)選地，第一絕緣膜13具有高的透射性、低的膜應(yīng)力、和低的相對(duì)介電常數(shù)。作為具有這樣特性的第一絕緣膜13，例如，尤其優(yōu)選地，使用旋涂玻璃(spin-on-glass，SOG)膜。第一絕緣膜13的厚度對(duì)掃描線(xiàn)11、信號(hào)線(xiàn)12、和將在接下來(lái)的步驟中形成在第一絕緣膜13上的共電極的負(fù)載電容具有很大的影響教大的厚度得到教小的負(fù)載電容。因此，在與液晶顯示裝置的驅(qū)動(dòng)特性相關(guān)的容許范圍內(nèi)，例如，第一絕緣膜13優(yōu)選地具有約0.5iim4.0iim范圍的膜厚度。代替S0G薄膜，還可以將諸如通過(guò)化學(xué)汽相沉積(CVD)沉積的氧化硅(Si02)或氮化硅(SiN)的無(wú)機(jī)絕緣膜用作第一絕緣膜13?？蛇x地，可以使用有機(jī)絕緣膜。然而，比使用由CVD沉積的無(wú)機(jī)絕緣膜更優(yōu)選地，使用有機(jī)絕緣膜作為第一絕緣膜13，這是因?yàn)橛袡C(jī)絕緣膜具有更高的平面性和更低的相對(duì)介電常數(shù)，并且可以通過(guò)涂覆的方法輕易進(jìn)行沉積。對(duì)于有機(jī)絕緣膜，使用非感光樹(shù)脂或者感光樹(shù)脂。非感光樹(shù)脂的實(shí)例包括丙烯酸樹(shù)脂、聚酯、氯乙烯、聚碳酸酯、聚丙烯、聚乙烯、三乙酸酯、和聚酰亞胺。感光樹(shù)脂的實(shí)例包括丙烯酸樹(shù)脂、聚酰亞胺、和由SumitomoBakeliteCo.，Ltd.生產(chǎn)的SumiresinExcelCRC_8300。在表1中示出了有機(jī)絕緣膜的材料的性質(zhì)。表1-1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>*1.非感光性，PI(Literature)*2.非感光性，DuPont-Toray..非感光性，SumitomoBakelite作為本實(shí)施例的特性，共電極14被設(shè)置在第一絕緣膜13上，從而覆蓋除用于連接后述的像素電極和TFT1的接觸孔的形成區(qū)域外的像素區(qū)域1A、以及掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12中的至少一條。由于此特性，由于用共電極14覆蓋掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12中的至少一條，所以可以增大有效像素區(qū)域并且可以提高孔徑比。例如，此共電極14由氧化銦錫(IT0)或氧化銦鋅(IZ0)膜的透明電極膜形成。在本實(shí)例中，共電極14被設(shè)置在除接觸孔的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域上。在此情況中，從連接至顯示區(qū)域外側(cè)的Vcom端的金屬互連線(xiàn)(metalinterconnect)向共電極14提供電位，因此可以進(jìn)一步提高孔徑比。共電極14與接觸孔分離，從而能夠防止后述設(shè)置在接觸孔中的像素電極對(duì)共電極形成短路。盡管在本實(shí)施例中，從連接至顯示區(qū)域外側(cè)的Vcom端的金屬互連線(xiàn)向共電極14提供電位，但是圖2B所示的結(jié)構(gòu)也是可行的。具體地，在此結(jié)構(gòu)中，在第一絕緣膜13上平行于掃描線(xiàn)11設(shè)置由具有低于共電極14的電阻值的材料構(gòu)成的多條共電位線(xiàn)18。共電位線(xiàn)18連接至共電極14。例如，通過(guò)使用Al、Mo、Ti、Pb、W、Cr中的任意種、任意這些金屬的復(fù)合層(例如、Ti/Al)、以及金屬化合物層(MoSi，AlSi)形成共電位線(xiàn)18。在本實(shí)例中，與掃描線(xiàn)ll和信號(hào)線(xiàn)12類(lèi)似，例如，共電位線(xiàn)18由Al構(gòu)成。然而，掃描線(xiàn)11、信號(hào)線(xiàn)12、和共電位線(xiàn)18可以由不同材料構(gòu)成。圖3A是示出了沒(méi)有設(shè)置共電位線(xiàn)的情況的示意圖，以及圖3B是示出了設(shè)置有共電位線(xiàn)的情況的示意圖。這些圖用來(lái)對(duì)這些情況間的電阻值進(jìn)行比較。在圖3的這些實(shí)例中，連接至Vcom端V的金屬互連線(xiàn)19并列在配置有像素區(qū)域1A的顯示區(qū)域10A的兩側(cè)，并且從這些金屬互連線(xiàn)19向設(shè)置在除接觸孔的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域10A上的共電極14提供電位。由此，從兩條金屬互連線(xiàn)19向顯示區(qū)域10A的中心0提供電位。在圖3A的情況下，沒(méi)有設(shè)置共電位線(xiàn)并因此從設(shè)置在顯示區(qū)域10A外側(cè)的金屬互連線(xiàn)19直接向IT0構(gòu)成的共電極14提供電位，共電極14在從顯示區(qū)域10A的端部到中心0的范圍內(nèi)的電阻R1很高，因?yàn)镮T0的電阻為10Q/um2200Q/um2。因此，在從顯示區(qū)域10A的端部向中心0提供電位中出現(xiàn)時(shí)滯(timelag)，這將導(dǎo)致亮度在液晶面板的顯示區(qū)域10A中的各處不同。相反，在圖3B的情況下，為每個(gè)像素行設(shè)置了多條共電位線(xiàn)18，共電極14在從顯示區(qū)域10A的端部到中心o的范圍內(nèi)的電阻R2低于電阻R"這是因?yàn)楣搽娢痪€(xiàn)18的金屬材料具有比用于共電極14的IT0更低的電阻例如，A1和Mo的電阻分別為0.05Q/um2禾P0.5Q/um2。因此，可以防止從顯示區(qū)域10A的端部向中心0提供的電位中出現(xiàn)時(shí)滯，從而可以抑制亮度在顯示區(qū)域10A中的各處不同。優(yōu)選地，共電位線(xiàn)18與掃描線(xiàn)11或者信號(hào)線(xiàn)12重疊，因?yàn)檫@種結(jié)構(gòu)能夠所設(shè)置的共電位線(xiàn)18不會(huì)對(duì)孔徑比起反作用。盡管在圖3的實(shí)施例中，在顯示區(qū)域10A的兩側(cè)上設(shè)置兩個(gè)金屬互連線(xiàn)19，但另一種在顯示區(qū)域10A的一側(cè)上僅設(shè)置一個(gè)金屬互連線(xiàn)19的結(jié)構(gòu)也是可行的。然而，優(yōu)選地，在顯示區(qū)域10A的兩側(cè)上設(shè)置兩個(gè)金屬互連線(xiàn)19，因?yàn)榭梢詼p小共電極14從顯示區(qū)域10A的端部到其中心的范圍內(nèi)的電阻。盡管在本實(shí)例中共電位線(xiàn)18被設(shè)置在第一絕緣膜13和共電極14之間，但是只要連接至共電極14，可以將共電位線(xiàn)18設(shè)置在絕緣層5、柵極絕緣膜3、和第一基板10中的任一個(gè)上。再次參照?qǐng)D2A，在共電極14上，設(shè)置由例如通過(guò)CVD沉積的Si02或SiN薄膜的無(wú)機(jī)絕緣膜形成的第二絕緣膜15。使用通過(guò)CVD沉積的作為第二絕緣膜15的無(wú)機(jī)絕緣膜提供了防止預(yù)燒(burn-in)和提高成品率等優(yōu)點(diǎn)。代替無(wú)機(jī)絕緣膜，還可以由S0G薄膜或有機(jī)絕緣膜形成第二絕緣膜15。作為有機(jī)絕緣膜的材料，可以使用預(yù)上述用于第一絕緣膜13的材料相同的任意材料。在表2中示出了第一絕緣膜13和第二絕緣膜15之間的組合。表2第一絕緣膜第二絕緣膜體系lS0GCVD-無(wú)機(jī)絕緣膜體系2有機(jī)絕緣膜CVD-無(wú)機(jī)絕緣膜體系3CVD-無(wú)機(jī)絕緣膜CVD-無(wú)機(jī)絕緣膜體系4S0GS0G體系5有機(jī)絕緣膜S0G體系6CVD-無(wú)機(jī)絕緣膜S0G體系7S0G有機(jī)絕緣膜體系8有機(jī)絕緣膜有機(jī)絕緣膜體系9CVD-無(wú)機(jī)絕緣膜有機(jī)絕緣膜12雖然如表2所示第一絕緣膜13和第二絕緣膜15之間存在各種組合，但是優(yōu)選的是體系1和體系2的組合，其中，如上所述，SOG膜或者有機(jī)絕緣膜用作第一絕緣膜13，而將通過(guò)CVD沉積沉積的無(wú)機(jī)絕緣膜(表2中的"CVD-無(wú)機(jī)絕緣膜")用作第二絕緣膜15。在第二絕緣膜15和第一絕緣膜13中，設(shè)置到達(dá)漏電極6b的接觸孔15a和13a以彼此互通，即，在平面圖中相互重疊。在第二絕緣膜15上，設(shè)置像素電極16以經(jīng)由接觸孔15a和13a連接至漏電極6b。因?yàn)榻佑|孔15a和13a在平面圖中相互重疊，所以?xún)?yōu)選地，通過(guò)使用一個(gè)蝕刻掩膜的一次蝕刻形成這些孔。盡管本實(shí)施例還可以應(yīng)用于接觸孔15a和13a在平面圖中并不相互重疊的情況，但是優(yōu)選地，這些孔相互重疊，因?yàn)檫@樣的結(jié)構(gòu)提供更高的孔徑比。對(duì)準(zhǔn)層17被設(shè)置在第二絕緣膜15上并覆蓋像素電極16。如圖1B所示，像素電極16具有平行于信號(hào)線(xiàn)12設(shè)置的多個(gè)狹縫16a。當(dāng)因此平行于信號(hào)線(xiàn)12設(shè)置像素電極16的多個(gè)狹縫16a時(shí)，與以上圖14所述的現(xiàn)有技術(shù)相同，與平行于掃描線(xiàn)11設(shè)置多個(gè)狹縫的情況相比，增大了有效像素區(qū)域。這是由于以下原因。具體地，當(dāng)狹縫平行于掃描線(xiàn)11時(shí)，接近信號(hào)線(xiàn)12的狹縫的短邊附近的區(qū)域?qū)⒉挥米饔行袼貐^(qū)域，因?yàn)橐壕Х肿觤的取向受到限定這些短邊的電極部分的約束。相反，當(dāng)平行于信號(hào)線(xiàn)12設(shè)置狹縫16a時(shí)，甚至包括像素電極16在信號(hào)線(xiàn)側(cè)上的端部也可以用作有效像素區(qū)域。同樣，在這種情況中，像素電極16在狹縫16a的短邊附近的區(qū)域也不用作有效像素區(qū)域。然而，如果這個(gè)區(qū)域與掃描線(xiàn)11重疊，那么可以順利確保高孔徑比。參照?qǐng)D4，其是在圖1B中沿線(xiàn)B-B'的截面圖，用于驅(qū)動(dòng)像素的驅(qū)動(dòng)電壓受到狹縫16a在像素電極16的中心部分的寬度、電極部分16b在狹縫16a間的寬度、以及第二絕緣膜15的厚度的限定。如果相鄰像素的像素電極16間的距離X過(guò)小，從相鄰像素會(huì)出現(xiàn)漏光。因此，優(yōu)選地，使像素電極16彼此分隔預(yù)定距離或更遠(yuǎn)的距離。為了控制相鄰像素的像素電極16間的距離X，存在于像素電極16在信號(hào)線(xiàn)側(cè)上的端部和最接近信號(hào)線(xiàn)12的狹縫16a間的電極部分16b'的寬度經(jīng)過(guò)調(diào)節(jié)不同于電極部分16b除這個(gè)電極部分16b'外的寬度。圖5是示出了通過(guò)測(cè)量從彼此相鄰的白色顯示像素B到黑色顯示像素A的漏光而得到的曲線(xiàn)圖。在曲線(xiàn)圖的縱坐標(biāo)上繪制漏光作為透射率。通過(guò)使像素A和B的像素電極16間的距離X變?yōu)?、4、6、7、8、10、12、16、和20iim執(zhí)行測(cè)量。如該圖所示，證明相鄰像素的像素電極16間的較小距離X會(huì)導(dǎo)致更高程度的漏光。由Al構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)12用作光屏蔽體。因此，可以通過(guò)增加信號(hào)線(xiàn)12的線(xiàn)寬度Z防止漏光。通過(guò)模擬研究信號(hào)線(xiàn)12的優(yōu)選寬度。對(duì)于這個(gè)模擬，黑色顯示像素A中0.1或更低的透射率用作了在像素A中無(wú)法視覺(jué)識(shí)別漏光的狀態(tài)的標(biāo)準(zhǔn)。圖6是示出了作為模擬結(jié)果得到的提供了透射率為0.1或更低的黑色顯示像素A的信號(hào)線(xiàn)12的寬度Z的曲線(xiàn)圖。在曲線(xiàn)圖中，在橫坐標(biāo)上繪制相鄰像素的像素電極16間的距離X。通過(guò)使第二絕緣膜15的厚度Y變?yōu)?00、400、600、800、和1000nm進(jìn)行模擬。如該曲線(xiàn)圖所示，發(fā)現(xiàn)通過(guò)線(xiàn)性函數(shù)表示信號(hào)線(xiàn)的寬度Z(y)，線(xiàn)性函數(shù)的變量是像素電極16間的距離X，并且與第二絕緣膜15的厚度無(wú)關(guān)，該函數(shù)的斜率幾乎為常數(shù)。此外，發(fā)現(xiàn)函數(shù)的y截距取決于第二絕緣膜15的厚度，并且較大的第二絕緣膜15的厚度需要用作光屏蔽體的信號(hào)線(xiàn)的寬度更大。如下歸納了線(xiàn)性函數(shù)的表達(dá)式。具體地，作為歸納表達(dá)式的斜率，采用作為對(duì)于第二絕緣膜15的不同厚度得到的模擬結(jié)果的五個(gè)表達(dá)式的斜率的平均值。通過(guò)使用近似等式獲得歸納表達(dá)式的截距。圖7A和圖7B是分別示出了關(guān)于截距的對(duì)數(shù)近似和線(xiàn)性近似的曲線(xiàn)圖?；跉w納表達(dá)式，當(dāng)采用對(duì)數(shù)(log)近似時(shí)，通過(guò)表達(dá)式(1)表示信號(hào)線(xiàn)12的優(yōu)選寬度Z，而當(dāng)采用線(xiàn)性近似時(shí)，通過(guò)表達(dá)式(2)表示信號(hào)線(xiàn)12的優(yōu)選寬度Z。Z>-0.92558X+3.2371n(Y)-10.593...表達(dá)式(1)Z>-0.92558X+0.0063Y+5.8833表達(dá)式(2)相鄰像素的像素電極間的距離X、第二絕緣膜的膜厚度Y、和光屏蔽體的線(xiàn)寬Z經(jīng)過(guò)設(shè)置以滿(mǎn)足這兩個(gè)表達(dá)式中的一個(gè)。更具體地，當(dāng)基于更精確的對(duì)數(shù)近似的表達(dá)式(1)設(shè)置各個(gè)值時(shí)，可以確保抑制漏光。然而，在本實(shí)施例中，光屏蔽體的功能通過(guò)信號(hào)線(xiàn)12實(shí)現(xiàn)，并且基于液晶顯示裝置的設(shè)計(jì)限定信號(hào)線(xiàn)12的寬度和第二絕緣膜15的厚度Y。然而，較小的寬度Z提供較高的孔徑比。因此，通過(guò)將寬度Z設(shè)為最小值，相鄰像素的像素電極間的距離X經(jīng)過(guò)設(shè)置以滿(mǎn)足表達(dá)式(1)或表達(dá)式(2)。此外，如圖8所示，像素電極16最接近信號(hào)線(xiàn)12的電極部分16b'的寬度經(jīng)過(guò)設(shè)置小于另一電極部分16b的寬度，從而調(diào)節(jié)相鄰像素的像素電極間的距離X。盡管在本實(shí)施例中信號(hào)線(xiàn)12還用作光屏蔽體，可以在信號(hào)線(xiàn)12下設(shè)置并不電連接至任何電極的光屏蔽體。再次參照?qǐng)D1，以下將描述液晶顯示裝置100的操作。當(dāng)不施加任何電場(chǎng)時(shí)，液晶層30中的液晶分子m經(jīng)過(guò)取向以不會(huì)產(chǎn)生任何相位差。因此，從背光發(fā)出并穿過(guò)偏光鏡40的光h被偏光鏡50吸收，其中，相對(duì)于偏光鏡40，以正交偏光鏡狀態(tài)設(shè)置偏光鏡50，從而顯示黑色。另一方面，當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)，由于光穿過(guò)液晶層30，液晶分子m的排列使其出現(xiàn)入/2的相位差。因此，作為穿過(guò)液晶層30的結(jié)果，從背光發(fā)出并穿過(guò)偏光鏡40的光h轉(zhuǎn)變?yōu)橛扇?2的相位差產(chǎn)生的90°旋轉(zhuǎn)線(xiàn)性偏光。因此，光穿過(guò)偏光鏡50，從而顯示白色。圖9是液晶顯示裝置100的電路圖。在液晶顯示裝置100的第一基板10上，限定顯示區(qū)域IOA和外圍區(qū)域IOB。該電路對(duì)應(yīng)于如上圖3A和圖3B所述的將用于提供電位的金屬互連線(xiàn)19僅安置在顯示區(qū)域10A外部的一側(cè)的外圍區(qū)域10B的情況。顯示區(qū)域IOA作為像素陣列部而形成，其中，以矩陣形式設(shè)置多條掃描線(xiàn)11和多條信號(hào)線(xiàn)12，并且在掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12的每個(gè)交叉點(diǎn)處設(shè)置一個(gè)像素A。此外，在外圍區(qū)域10B中安放以下單元逐行順序選擇在顯示區(qū)域10A中的各個(gè)像素A的垂直驅(qū)動(dòng)器61;將像素信號(hào)逐行寫(xiě)入各個(gè)像素A的水平驅(qū)動(dòng)器62;用于進(jìn)行時(shí)分驅(qū)動(dòng)的時(shí)分切換單元63;以及控制垂直和水平驅(qū)動(dòng)器61和62以及時(shí)分切換單元63的控制系統(tǒng)64。每個(gè)像素A均包括TFT1、顯示元件D、和輔助電容器S。TFT1的柵電極連接至掃描線(xiàn)11-1ll-m中之一，以及TFT1的源電極6a連接至信號(hào)線(xiàn)12-112-n中之一。顯示元件D的像素電極16連接至TFT1的漏電極6b。輔助電容器S的一個(gè)電極連接至TFT1的漏電極6b。在具有該結(jié)構(gòu)的每個(gè)像素A中，顯示元件D的共電極以及輔助電容器S的另一個(gè)電極連接至共電位線(xiàn)18。對(duì)共電位線(xiàn)18，提供與水平同步信號(hào)同步的預(yù)定DC電壓14或矩形波形電壓作為共電位VC0M。該液晶顯示裝置100是通過(guò)時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)的。在時(shí)分驅(qū)動(dòng)方法中，以使彼此相鄰的多條信號(hào)線(xiàn)12作為一個(gè)單元(部件)的方式劃分顯示區(qū)域10A，并且以時(shí)序(time-series)方式從水平驅(qū)動(dòng)器62的各個(gè)輸出端輸出將被提供給一個(gè)分割部件中的多條信號(hào)線(xiàn)12的信號(hào)電壓。此外，對(duì)許多信號(hào)線(xiàn)12提供時(shí)分切換單元63作為一個(gè)單元，并且通過(guò)時(shí)分切換單元63以時(shí)分方式采樣從水平驅(qū)動(dòng)器62輸出的時(shí)序信號(hào)電壓，接下來(lái)將這些電壓順序提供給多條信號(hào)線(xiàn)。時(shí)分切換單元63由用于以時(shí)分方式采樣從水平驅(qū)動(dòng)器62輸出的時(shí)序信號(hào)電壓的模擬開(kāi)關(guān)(傳輸開(kāi)關(guān))形成。以下將描述時(shí)分切換單元63的具體配置實(shí)例。為水平驅(qū)動(dòng)器62的各個(gè)輸出設(shè)置一個(gè)時(shí)分切換單元63。本實(shí)例對(duì)應(yīng)于對(duì)紅色(R)、綠色(G)和藍(lán)色(B)的三種顏色執(zhí)行三重時(shí)分驅(qū)動(dòng)(tripartite-time-divisionmanner)的情況。該時(shí)分切換單元63由每個(gè)均具有通過(guò)并聯(lián)連接PchM0S晶體管和NchM0S晶體管得到的CMOS配置的模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2、和63_3形成。盡管在本實(shí)施例中采用具有CMOS配置的開(kāi)關(guān)作為模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2、和63-3，但也可能使用具有PM0S或者NM0S配置的開(kāi)關(guān)。在該時(shí)分切換單元63中，三個(gè)模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2、和63_3的各個(gè)輸入端連接在一起，而其每個(gè)輸出端分別連接至三條信號(hào)線(xiàn)12-1、12-2和12-3的各個(gè)端部。對(duì)這些模擬開(kāi)關(guān)63-l、63-2、和63-3的各個(gè)輸入端，提供以時(shí)序方式從水平驅(qū)動(dòng)器62輸出的信號(hào)電位。如果本實(shí)施例的共電極14還被設(shè)置在模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2和63_3上，那么每個(gè)均由具有底柵結(jié)構(gòu)的TFT1形成的模擬開(kāi)關(guān)63-l、63-2和63_3可以消除由于來(lái)自附近的柵極選擇信號(hào)以及每個(gè)鄰近的信號(hào)線(xiàn)12-1、12-2、和12-3的寄生電容帶來(lái)的電位變化的影響。顯然，當(dāng)所形成模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2和63-3具有頂柵結(jié)構(gòu)時(shí)，也得到同樣的優(yōu)點(diǎn)。兩條控制線(xiàn)連接至一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)；提供總共六條控制線(xiàn)65-165-6。模擬開(kāi)關(guān)63-1的兩個(gè)控制輸入端(例如，CM0S晶體管的各個(gè)柵極)連接至控制線(xiàn)65-1和65-2。模擬開(kāi)關(guān)63-2的兩個(gè)控制輸入端連接至控制線(xiàn)65-3和65-4。模擬開(kāi)關(guān)63_3的兩個(gè)控制輸入端連接至控制線(xiàn)65-5和65-6。對(duì)六條控制線(xiàn)65-165-6，從后述的定時(shí)控制器(TC)66提供用于順序選擇三個(gè)模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2、和63-3的柵極選擇信號(hào)SlS3和XS1XS3。柵極選擇信號(hào)XS1到XS3是柵極選擇信號(hào)SlS3的反轉(zhuǎn)信號(hào)。同步于從水平驅(qū)動(dòng)器62輸出的時(shí)序信號(hào)電位，柵極選擇信號(hào)SlS3和XS1XS3，依次打開(kāi)三個(gè)模擬開(kāi)關(guān)63-1、63-2、和63_3。因而，在1H時(shí)間內(nèi)，模擬開(kāi)關(guān)63_1、63_2和63-3以三重時(shí)分方式取樣從水平驅(qū)動(dòng)器62輸出的時(shí)序信號(hào)電位，然后將信號(hào)電位分別提供給對(duì)應(yīng)信號(hào)線(xiàn)12-1、12-2、和12-3?？刂拼怪彬?qū)動(dòng)器61、水平驅(qū)動(dòng)器62、和時(shí)分切換單元63的控制系統(tǒng)64包括定時(shí)控制器(TC)66、基準(zhǔn)電壓發(fā)生源67、和DC-DC轉(zhuǎn)換器68等。這些電路與垂直驅(qū)動(dòng)器61、水平驅(qū)動(dòng)器62以及時(shí)分切換單元63—起被安裝在第一基板上的外圍區(qū)域10B中。對(duì)該控制系統(tǒng)64中的定時(shí)控制器66，經(jīng)由TCP(未示出)輸入來(lái)自外部電源單元(未示出)的電源電壓VDD、來(lái)自外部CPU(未示出)的數(shù)字圖像數(shù)據(jù)、以及來(lái)自外部時(shí)鐘發(fā)生器(未示出)的時(shí)鐘CLK。圖IO是示出了本實(shí)施例的液晶顯示裝置中的每個(gè)像素A的電路圖。如圖IO所示，由于共電極14被設(shè)置在除接觸孔的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域10A上，所以分別在信號(hào)線(xiàn)12和像素電極16間、以及掃描線(xiàn)11和像素電極16間產(chǎn)生的寄生電容C1和C2耦連至共電極14，從而抑制了對(duì)像素電位的影響。在這種液晶顯示裝置和包括其的顯示設(shè)備中，共電極14被設(shè)置在第一絕緣膜13上，以不僅覆蓋除接觸孔13a和15a的形成區(qū)域外的像素區(qū)域1A并且還覆蓋掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12中的至少一條。該特征可以增大有效像素區(qū)域，并且可以提高孔徑比。因此，可以提高透光率，并且可以提高對(duì)比度。此外，由于所提供的共電極14覆蓋掃描線(xiàn)11和信號(hào)線(xiàn)12中的至少一條，因此抑制了信號(hào)線(xiàn)12和像素電極16間或者掃描線(xiàn)11和像素電極16間的寄生電容。更具體地，在本實(shí)施例的液晶顯示裝置中，除接觸孔13a和15a的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域10A被共電極14覆蓋。該特征可以確保防止像素中出現(xiàn)信號(hào)干擾。因此，穩(wěn)定所保持的像素電位，并且既不會(huì)出現(xiàn)垂直色度亮度干擾，也不會(huì)出現(xiàn)水平色度亮度干擾，從而提高了液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量。此外，由于來(lái)自于信號(hào)線(xiàn)11、掃描線(xiàn)12、和像素電極16的電場(chǎng)，本實(shí)施例的液晶顯示裝置以及包括其的顯示設(shè)備不會(huì)在對(duì)半導(dǎo)體層4采用a-Si、多晶-Si、或者單晶硅的底柵極TFTl的半導(dǎo)體層4中生成反向溝道。因此，可以防止由于寄生反向溝道帶來(lái)的不穩(wěn)定操作。顯然，也提供了與頂柵型TFT同樣的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)如圖11所示，TFT1為頂柵型晶體管時(shí)，在第一基板10上圖樣化形成a-Si、多晶-Si或者單晶硅構(gòu)成的半導(dǎo)體層4。在該半導(dǎo)體層4上，使用柵極絕緣膜3作為中間物圖樣化形成沿一個(gè)方向延伸并且具有作為柵電極2的一部分的掃描線(xiàn)11。在這種情況中，使用柵電極2作為注入掩膜離子注入n型雜質(zhì)。因此，直接位于柵電極2下方的半導(dǎo)體層4用作溝道層4a，并且在溝道層4a的兩側(cè)上的半導(dǎo)體層4用作源極區(qū)4b和漏極區(qū)4c。此外，絕緣層5被設(shè)置在柵電極2和柵極絕緣膜3上，并且源和漏極區(qū)4b和4c經(jīng)由設(shè)置在絕緣層5中的接觸孔5a和5b連接至源和漏電極6a和6b。此外，第一絕緣膜13經(jīng)過(guò)設(shè)置覆蓋源和漏電極6a和6b。〈變型實(shí)例1〉在上述第一實(shí)施例中，像素電極16具有矩形形狀，并且作為實(shí)例提供矩形狹縫16a。可選地，可以使用圖12的平面圖所示的多域結(jié)構(gòu)。具體地，在圖12的結(jié)構(gòu)中，像素電極16'具有通過(guò)在平面圖中使矩形電壓在縱向側(cè)的中心彎曲得到的形狀，S卩，通過(guò)將矩形電極彎曲成"V字型"得到的形狀。在這種情況中，像素電極16'的狹縫16a'也展開(kāi)成為"V字型"以匹配像素電極16'的外側(cè)形狀。在該結(jié)構(gòu)中，具有不同電場(chǎng)方向的兩個(gè)域存在于像素區(qū)域1A中。因此，像素區(qū)域1A中的液晶分子m的取向方向數(shù)也是二，從而可以大大改善視角特性。在圖12的結(jié)構(gòu)中，信號(hào)線(xiàn)12被設(shè)置成Z字型，從而匹配像素電極16'的彎曲。如下設(shè)計(jì)展開(kāi)成"V字型"的狹縫16a'的具體形狀。具體地，如果當(dāng)施加電場(chǎng)時(shí)，在上述兩個(gè)具有不同電場(chǎng)方向的域中，將液晶分子m的縱軸的排列方向設(shè)定為90。，則相對(duì)于液晶分子m的縱軸將狹縫16a'的縱向角度設(shè)為等于或大于45。并小于90°，并且優(yōu)選地設(shè)為等于或大于65。并等于或小于89。?！醋冃蛯?shí)例2〉16如圖13的平面圖所示，可以基本上平行于掃描線(xiàn)11設(shè)置像素電極16"的許多狹縫16a"。"主要地平行"意味著狹縫16a"相對(duì)于掃描線(xiàn)ll具有O。到約45°范圍內(nèi)的傾斜。同樣，在該結(jié)構(gòu)中，由于共電極14被設(shè)置在除接觸孔13a和15a的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域10A上，所以提高了孔徑比，并且抑制了信號(hào)線(xiàn)12和像素電極16"間以及掃描線(xiàn)11和像素電極16"間的寄生電容。然而，如以上第一實(shí)施例所述，優(yōu)選地，因?yàn)榈玫搅烁叩目讖奖?，所以平行于信?hào)線(xiàn)12設(shè)置像素電極16的狹縫16a。即使在這樣的液晶顯示裝置中，由于孔徑比的增大，提高了透光率，并且可以提高對(duì)比度。此外，因?yàn)橐种屏藪呙杈€(xiàn)和像素電極間或者信號(hào)線(xiàn)和像素電極間的寄生電容，所以可以防止像素中的信號(hào)干擾。因此，穩(wěn)定了所保持的像素電位，并且既不會(huì)出現(xiàn)垂直色度亮度干擾，也不會(huì)出現(xiàn)水平色度亮度干擾，從而提高了液晶顯示裝置的圖像質(zhì)量。同樣，對(duì)于變型實(shí)例2的結(jié)構(gòu)，如圖2B所述設(shè)置連接至共電極14的共電位。此外，可以應(yīng)用變型實(shí)例1所述的多域結(jié)構(gòu)。將上述實(shí)施例以及變型實(shí)例作為實(shí)施例應(yīng)用于透射型液晶顯示裝置。然而，本發(fā)明的實(shí)施例并不限于此，而可以應(yīng)用于反射型或具有反射區(qū)和透射區(qū)的半透明型的FFS模式液晶顯示裝置。實(shí)施例以下將具體描述實(shí)例的各個(gè)具體實(shí)施例?！磳?shí)施例1〉制造液晶顯示裝置，其中，類(lèi)似于關(guān)于第一實(shí)施例的圖1所述的結(jié)構(gòu)，共電極14被設(shè)置在第一絕緣膜13上除接觸孔的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域上，并且平行于信號(hào)線(xiàn)12設(shè)置像素電極16的多個(gè)狹縫。〈實(shí)施例2〉制造液晶顯示裝置，其中，類(lèi)似于關(guān)于變型實(shí)例2的圖13所述的結(jié)構(gòu)，共電極14被設(shè)置在第一絕緣膜13上除接觸孔的形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域上，并且平行于掃描線(xiàn)11設(shè)置像素電極16"的多個(gè)狹縫16a"?！幢容^實(shí)例1>作為關(guān)于實(shí)施例1和實(shí)施例2的比較實(shí)例，制造液晶顯示裝置，其中，類(lèi)似于關(guān)于現(xiàn)有技術(shù)的圖14所述的結(jié)構(gòu)，共電極114被設(shè)置在第一基板110上除TFT1的形成區(qū)域外的整個(gè)像素區(qū)域上，并且平行于掃描線(xiàn)111設(shè)置像素電極116的多個(gè)狹縫116a。測(cè)量并相互比較實(shí)施例1和2以及比較實(shí)例1的液晶顯示裝置的孔徑比和相對(duì)透射率。相對(duì)透射率表示了當(dāng)將入射光的比率限定為100%時(shí)提取的光的比率，并且該比率與孔徑比成比例。在表3中示出了測(cè)量結(jié)果。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>如表3所示，確定了實(shí)施例1和實(shí)施例2的液晶顯示裝置的孔徑比高于比較實(shí)例1的液晶顯示裝置的孔徑比當(dāng)將比較實(shí)例1的孔徑比限定為100%時(shí)，執(zhí)行的實(shí)例1和2的孔徑比分別為132%和120%。此夕卜，比較實(shí)例1的相對(duì)透射率為5.3%，而實(shí)例1和實(shí)例2的相對(duì)透射率分別為7.0%和6.4%。因此，確定隨著孔徑比的增大，相對(duì)透射率也增大。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)理解，根據(jù)設(shè)計(jì)要求和其他因素，可以有多種修改、組合、再組合和改進(jìn)，均應(yīng)包含在本發(fā)明的權(quán)利要求或等同物的范圍之內(nèi)。權(quán)利要求一種液晶顯示裝置，包括介于第一基板和第二基板之間的液晶層，并且在第一基板側(cè)上具有用于向所述液晶層施加電場(chǎng)的共電極和像素電極，所述液晶顯示裝置包括多條掃描線(xiàn)和多條信號(hào)線(xiàn)，被配置為以矩形形式設(shè)置在所述第一基板上；驅(qū)動(dòng)元件，被配置為設(shè)置在所述掃描線(xiàn)和所述信號(hào)線(xiàn)之間的交叉點(diǎn)處；第一絕緣膜，被配置為設(shè)置在所述第一基板上并覆蓋所述驅(qū)動(dòng)元件；共電極，被配置為設(shè)置在所述第一絕緣膜上；第二絕緣膜，被配置為設(shè)置在所述第一絕緣膜上并覆蓋所述共電極；以及像素電極，被配置為設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)并且具有多個(gè)狹縫，所述像素電極經(jīng)由設(shè)置在所述第二絕緣膜和所述第一絕緣膜中的接觸孔連接至所述驅(qū)動(dòng)元件，并且所述像素電極與所述信號(hào)線(xiàn)平行配置，其中，所述共電極覆蓋在所述第一絕緣膜上除所述接觸孔的形成區(qū)域外的所述像素區(qū)域、以及所述掃描線(xiàn)和所述信號(hào)電極。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中，所述共電極被配置成覆蓋包括所述驅(qū)動(dòng)元件的柵電極的掃描線(xiàn)的狀態(tài)，所述驅(qū)動(dòng)元件通過(guò)沿著所述信號(hào)線(xiàn)而圖樣化的半導(dǎo)體層和所述接觸孔連接到所述像素電極。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中，所述共電極被設(shè)置在所述第一絕緣膜上除所述接觸孔的所述形成區(qū)域外的包括相鄰像素間的區(qū)域上。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中，所述共電極被設(shè)置在所述第一絕緣膜上除所述接觸孔的所述形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域上。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中，所述第一絕緣膜由旋涂玻璃膜或有機(jī)絕緣膜形成。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，其中，所述第二絕緣膜通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜形成。7.根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中所述像素電極經(jīng)過(guò)配置，使所述像素電極在信號(hào)線(xiàn)側(cè)上的端部和最接近所述信號(hào)線(xiàn)的狹縫之間的電極部分的寬度不同于其它狹縫間的電極部分的寬度。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其中，當(dāng)所述信號(hào)線(xiàn)的線(xiàn)寬是Ziim、鄰接像素的像素電極間的間隔是Xiim、以及第二絕緣膜的膜厚是Ynm的時(shí)候，X>Z，并且，滿(mǎn)足關(guān)系式Z>-0.92558X+3.2371n(Y)-10.593。9.一種包括液晶顯示裝置的顯示設(shè)備，所述液晶顯示裝置包括介于第一基板和第二基板之間的液晶層，并且在第一基板側(cè)上具有用于向所述液晶層施加電場(chǎng)的共電極和像素電極，所述顯示設(shè)備通過(guò)使用由所述液晶顯示裝置調(diào)制的光來(lái)顯示影像，所述顯示設(shè)備包括多條掃描線(xiàn)和多條信號(hào)線(xiàn)，被配置為以矩形形式設(shè)置在所述第一基板上；驅(qū)動(dòng)元件，被配置為設(shè)置在所述掃描線(xiàn)和所述信號(hào)線(xiàn)之間的交叉點(diǎn)處；第一絕緣膜，被配置為設(shè)置在所述第一基板上并覆蓋所述驅(qū)動(dòng)元件；共電極，被配置為設(shè)置在所述第一絕緣膜上；第二絕緣膜，被配置為設(shè)置在所述第一絕緣膜上并覆蓋所述共電極；以及像素電極，被配置為設(shè)置在像素區(qū)域內(nèi)的所述第二絕緣膜上并且具有多個(gè)狹縫，所述像素電極經(jīng)由設(shè)置在所述第二絕緣膜和所述第一絕緣膜中的接觸孔連接至所述驅(qū)動(dòng)元件，并且所述像素電極與所述信號(hào)線(xiàn)平行配置，其中，所述共電極覆蓋在所述第一絕緣膜上除所述接觸孔的形成區(qū)域外的所述像素區(qū)域、以及所述掃描線(xiàn)和所述信號(hào)電極。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，所述共電極被配置成覆蓋包括所述驅(qū)動(dòng)元件的柵電極的掃描線(xiàn)的狀態(tài)，所述驅(qū)動(dòng)元件通過(guò)沿著所述信號(hào)線(xiàn)而圖樣化的半導(dǎo)體層和所述接觸孔連接到所述像素電極。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，所述共電極設(shè)置在所述第一絕緣膜上除所述接觸孔的所述形成區(qū)域外的包括相鄰像素間的區(qū)域上。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，所述共電極被設(shè)置在所述第一絕緣膜上除所述接觸孔的所述形成區(qū)域外的整個(gè)顯示區(qū)域上。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示設(shè)備，其中，所述第一絕緣膜由旋涂玻璃膜或有機(jī)絕緣膜形成。14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中，所述第二絕緣膜通過(guò)無(wú)機(jī)絕緣膜形成。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中所述像素電極經(jīng)過(guò)配置，使所述像素電極在信號(hào)線(xiàn)側(cè)上的端部和最接近所述信號(hào)線(xiàn)的狹縫之間的電極部分的寬度不同于其它狹縫間的電極部分的寬度。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示設(shè)備，其中，當(dāng)所述信號(hào)線(xiàn)的線(xiàn)寬是Ziim、鄰接像素的像素電極間的間隔是Xiim、以及第二絕緣膜的膜厚是Ynm的時(shí)候，X>Z，并且，滿(mǎn)足關(guān)系式<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>全文摘要本發(fā)明提供了一種液晶顯示裝置和顯示設(shè)備，其中，該液晶顯示裝置包括介于第一基板和第二基板之間的液晶層，并且在第一基板側(cè)上具有用于向所述液晶層施加電場(chǎng)的共電極和像素電極，該液晶顯示裝置包括多條掃描線(xiàn)和多條信號(hào)線(xiàn)；驅(qū)動(dòng)元件；第一絕緣膜；共電極；第二絕緣膜；以及像素電極，其中，共電極覆蓋第一絕緣膜上除接觸孔的形成區(qū)域外的像素區(qū)域、以及掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)。文檔編號(hào)G02F1/1362GK101750818SQ20091021584公開(kāi)日2010年6月23日申請(qǐng)日期2008年2月26日優(yōu)先權(quán)日2007年2月27日發(fā)明者中島大貴,豬野益充,田中大直,野口幸治,野津大輔,金谷康弘申請(qǐng)人:索尼株式會(huì)社