專利名稱：一種tft陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及平板顯示技術(shù)，特別涉及一種薄膜晶體管(TFT)陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著對(duì)信息顯示的關(guān)注和對(duì)便攜式信息介質(zhì)的需求的增加，對(duì)平板顯示技術(shù)的研 究正在蓬勃展開。其中，薄膜晶體管液晶顯示(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，簡(jiǎn)稱TFT-LCD)由于具有微功耗、低工作電壓、無X射線輻射、高清晰度、小體積等 優(yōu)點(diǎn)，目前廣泛應(yīng)用于手機(jī)、掌上電腦(Personal DigitalAssistant,PDA)等便攜式電子產(chǎn) 品中。隨著顯示屏的尺寸、分辨率以及顯示顏色種類的不斷增加，實(shí)現(xiàn)低功耗和高亮度顯示 是目前TFT-IXD的主要發(fā)展方向，這就對(duì)TFT陣列的結(jié)構(gòu)和制造工藝提出了更高的要求。降低功耗，提高顯示屏亮度，對(duì)顯示像素來講就是提高像素的開口率，優(yōu)化像素存 儲(chǔ)電容Cs，減小像素占據(jù)的顯示面積。因此，TFT陣列的設(shè)計(jì)需要兼顧提高開口率、優(yōu)化存 儲(chǔ)電容和保證顯示性能等多方面因素。為了提高開口率以滿足高分辨率液晶屏對(duì)顯示亮度 的要求，人們提出了柵電極掃描線上存儲(chǔ)電容(Cs-on-gate)方式。柵電極掃描線上存儲(chǔ)電 容是利用透明像素電極薄膜延伸至柵電極掃描線上方形成像素存儲(chǔ)電容。圖1為現(xiàn)有技術(shù) 的采用此電容的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖中，TFT陣列結(jié)構(gòu)包括柵電極掃描線11和與之 相交的數(shù)據(jù)線12，TFT 13形成于所述柵電極掃描線11與所述數(shù)據(jù)線12的交點(diǎn)處，透明像 素電極薄膜14延伸至柵電極掃描線11上方，交疊的部分形成像素存儲(chǔ)電容15。這種方式 雖然能較好地改善開口率，但是由于增大了柵電極掃描線和數(shù)據(jù)線與存儲(chǔ)電容間的交疊面 積，一方面易于引起陣列中的點(diǎn)或線缺陷，另一方面增大了信號(hào)線上的寄生電容，加重了信 號(hào)傳輸中的延遲現(xiàn)象。此外，存儲(chǔ)電容的下電極(即柵電極掃描線)為遮光材料，因此無法 兼顧開口率的提高和存儲(chǔ)電容的優(yōu)化這兩個(gè)方面
發(fā)明內(nèi)容
為解決上述問題，本發(fā)明的目的在于提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法，可同 時(shí)實(shí)現(xiàn)開口率的提高以及存儲(chǔ)電容的優(yōu)化。本發(fā)明提供一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，包括基板；柵電極掃描線和與所述柵電極掃描線一體的柵電極，形成于所述基板上；柵電極絕緣層，形成于所述柵電極掃描線和柵電極上；半導(dǎo)體有源層，形成于所述柵電極絕緣層上；數(shù)據(jù)線、漏電極、與所述數(shù)據(jù)線一體的源電極，形成于所述柵電極絕緣層上，其中， 漏電極和源電極部分搭接到所述半導(dǎo)體有源層上；公共電極，形成于所述柵電極絕緣層上；鈍化層，形成于所述數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和公共電極上，并在所述漏電極上形成鈍化層過孔；像素電極，形成于鈍化層上，并通過所述漏電極上的鈍化層過孔與所述漏電極相 連；其中，所述公共電極至少部分采用透明材料。 進(jìn)一步的，所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，其中，所述第一公共 電極與所述像素電極相交疊以形成存儲(chǔ)電容，所述第二公共電極作為引線以連接位于同一 行的或同一列的相鄰的所述第一公共電極。進(jìn)一步的，所述第一公共電極的面積比所述第二公共電極面積大。進(jìn)一步的，所述公共電極包括一段所述第一公共電極。進(jìn)一步的，所述公共電極包括至少兩段所述第一公共電極。進(jìn)一步的，第一公共電極采用透明材料，第二公共電極采用不透明材料。進(jìn)一步的，所述第二公共電極為雙層薄膜結(jié)構(gòu)。 進(jìn)一步的，所述數(shù)據(jù)線、漏電極和源電極為雙層薄膜結(jié)構(gòu)。進(jìn)一步的，所述雙層薄膜結(jié)構(gòu)由透明導(dǎo)電薄膜和不透明導(dǎo)電薄膜所構(gòu)成。進(jìn)一步的，所述透明導(dǎo)電薄膜材料為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述不透明導(dǎo)電薄膜 材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。進(jìn)一步的，所述公共電極全部采用透明材料。進(jìn)一步的，所述透明材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。進(jìn)一步的，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括歐姆接觸層，所述歐姆接觸層形成于所述半 導(dǎo)體有源層之上，且位于所述源電極和所述漏電極之下。進(jìn)一步的，所述歐姆接觸層材料為摻雜非晶硅或摻雜多晶硅。進(jìn)一步的，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)膜層，所述有機(jī)膜層形成于鈍化層之上， 且位于所述像素電極之下。進(jìn)一步的，所述有機(jī)膜層材料為丙烯酸樹脂或聚酰亞胺。進(jìn)一步的，所述柵電極掃描線材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種
以上組合形成的合金。進(jìn)一步的，所述半導(dǎo)體有源層材料為非晶硅或多晶硅。進(jìn)一步的，所述像素電極的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。進(jìn)一步的，所述柵電極絕緣層材料為氧化物、氮化物或氧氮化合物。進(jìn)一步的，所述鈍化層材料為氧化物、氮化物或氧氮化合物。本發(fā)明還提供了一種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟1，在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形成柵電極掃描 線和柵電極；步驟2，在完成步驟1的基板上依次沉積柵電極絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜和歐 姆接觸層薄膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形成柵電極絕緣層、半導(dǎo)體有源層和歐姆接觸 層；步驟3，在完成步驟2的基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和不透明導(dǎo)電薄膜，采用半 色調(diào)掩模板，通過光刻、刻蝕和去膠工藝形成數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和公共電極；步驟4，在完成步驟3的基板上沉積鈍化層薄膜后，涂覆有機(jī)膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形成鈍化層、有機(jī)膜層和露出漏電極的開孔；步驟5，在完成步驟4的基板上沉積像素電極薄膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形 成像素電極和連通至漏電極的鈍化層過孔；其中，所述公共電極至少部分采用透明材料。
進(jìn)一步的，所述有機(jī)膜層材料為丙烯酸樹脂或聚酰亞胺。進(jìn)一步的，所述步驟3具體包括以下步驟在所述基板上依次沉積所述透明導(dǎo)電 薄膜、不透明導(dǎo)電薄膜和光刻膠膜；采用半色調(diào)掩模板，經(jīng)過曝光形成光刻膠圖形，所述光 刻膠圖形具有與位置相關(guān)的厚度，刻蝕未被光刻膠膜覆蓋的不透明導(dǎo)電薄膜、透明導(dǎo)電薄 膜和歐姆接觸層，形成導(dǎo)電溝道；減小所述光刻膠圖形的高度，以露出與像素電極交疊的公 共電極區(qū)域上的不透明導(dǎo)電薄膜；刻蝕所述與像素電極交疊的公共電極區(qū)域上的不透明導(dǎo) 電薄膜后，去除剩余的光刻膠，形成數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極、公共電極。進(jìn)一步的，所述透明導(dǎo)電薄膜材料為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述不透明導(dǎo)電薄膜 材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法，利用半色調(diào)掩模板， 在像素電極的下方形成至少部分透明的公共電極，從而用透明的公共電極代替不透明的公 共電極與像素電極形成存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)，大幅度提高了開口率，同時(shí)可以通過增加透明的公 用電極的寬度，在不影響開口率的情況下增加存儲(chǔ)電容，此外，作為引線用的公共電極為雙 層薄膜結(jié)構(gòu)，可以降低引線電阻，達(dá)到兼顧開口率、存儲(chǔ)電容和引線電阻的優(yōu)化設(shè)計(jì)。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的采用柵極線上存儲(chǔ)電容的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2A為本發(fā)明第一實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2B為圖IA中A-A向的截面圖；圖3A至3G為本發(fā)明第一實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟相應(yīng)結(jié)構(gòu)的剖面示意圖；圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、特征更明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
作 進(jìn)一步的說明。在背景技術(shù)中已經(jīng)提及，現(xiàn)有TFT陣列結(jié)構(gòu)中存儲(chǔ)電容的下電極(即公共電極) 均為遮光材料，因此無法兼顧開口率的提高和存儲(chǔ)電容的優(yōu)化這兩個(gè)方面。本發(fā)明的核心思想在于，利用半色調(diào)掩模板，在像素電極的下方形成至少部分透 明的公共電極，從而用透明的公共電極代替不透明的公共電極與像素電極形成存儲(chǔ)電容結(jié) 構(gòu)，可以大幅度提高開口率，同時(shí)可以通過增加透明的公用電極的寬度，在不影響開口率的 情況下增加存儲(chǔ)電容，達(dá)到兼顧開口率的提高和存儲(chǔ)電容的優(yōu)化的目的。圖2A和圖2B給出了本發(fā)明第一實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)俯視圖和A-A向的截面圖。如圖所示，TFT陣列結(jié)構(gòu)100包括基板110 ；形成于基板110上的柵電極掃描線 121和與所述柵電極掃描線121 —體的柵電極122 ；形成于柵電極122上的柵電極絕緣層 131 ；形成于柵電極絕緣層131上的半導(dǎo)體有源層141 ；形成于柵電極絕緣層131上的數(shù)據(jù) 線132、漏電極162、與所述數(shù)據(jù)線132 —體的源電極161，其中漏電極162和源電極161部 分搭接到所述半導(dǎo)體有源層141上；形成于柵電極絕緣層131上的公共電極133 (圖2A中 虛線框部分)；形成于數(shù)據(jù)線132、漏電極162、源電極161和公共電極133上的鈍化層171， 并在漏電極162上形成鈍化層過孔172 ；形成于鈍化層171上的像素電極191，并通過所述 漏電極162上的鈍化層過孔172與所述漏電極162相連；其中，公共電極133至少部分采用 透明材料。

較佳的，公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，其中，第一公共電極與像素 電極相交疊以形成存儲(chǔ)電容，而第二公共電極作為引線以連接位于同一行的或同一列的相 鄰的第一公共電極。較佳的，第一公共電極的面積比第二公共電極面積大。在本實(shí)施例中， 公共電極133包括一段第一公共電極133A和兩段第二公共電極133B1、133B2，其中，第一公 共電極133A采用透明材料，第二公共電極133B1、133B2采用不透明材料。較佳的，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)100還包括歐姆接觸層151，所述歐姆接觸層151形成 于所述半導(dǎo)體有源層141之上，且位于所述源電極161和所述漏電極162之下。較佳的，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)100還包括有機(jī)膜層181，所述有機(jī)膜層181形成于鈍 化層171之上，且位于所述像素電極191之下。下面將結(jié)合剖面示意圖對(duì)本發(fā)明提供的TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法進(jìn)行更詳細(xì) 的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的 本發(fā)明，而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此下列描述并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。圖3A至圖3G為本發(fā)明第一實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法的各步驟相應(yīng) 結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。首先，在基板110上，通過物理氣相沉積(PVD)或者化學(xué)氣相沉積(CVD)的方式沉 積柵金屬層薄膜，采用柵極掩模板(未圖示)，通過光刻和刻蝕工藝，在基板上形成柵電極 掃描線(未圖示)和柵電極122。接著，在形成有柵電極掃描線和柵電極122的基板上通過 化學(xué)氣相沉積(CVD)的方式連續(xù)沉積柵電極絕緣層薄膜、半導(dǎo)體有源層薄膜和歐姆接觸層 薄膜，采用半導(dǎo)體有源層的掩模板(未圖示)，通過光刻和刻蝕工藝，順序形成柵電極絕緣 層131、半導(dǎo)體有源層141和歐姆接觸層151，如圖3A所示。其中，歐姆接觸層151用于減 小源電極和漏電極與半導(dǎo)體有源層的源區(qū)和漏區(qū)之間的接觸電阻。優(yōu)選的，基板110為玻璃、石英或塑料等絕緣材質(zhì)。所述柵金屬層薄膜的材料可以 為諸如臨、0、1、11、1^^1、或01中的一種或至少兩種以上組合所形成的合金。所述柵電 極絕緣層薄膜的材料為氧化物、氮化物或氧氮化合物。所述半導(dǎo)體有源層薄膜的材料為非 晶硅(簡(jiǎn)寫成“a-Si”)或多晶硅。所述歐姆接觸層薄膜的材料為摻雜非晶硅或摻雜多晶 硅。具體地，在本發(fā)明第一實(shí)施例中所述半導(dǎo)體有源層薄膜的材料為氫化非晶硅，所述歐姆 接觸層薄膜的材料為摻雜氫化非晶硅。其中，柵金屬層薄膜、柵電極絕緣層薄膜、半導(dǎo)體有源層薄膜以及歐姆接觸層薄膜 的厚度根據(jù)實(shí)際的需要設(shè)定，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過實(shí)驗(yàn)獲得具體的工藝參數(shù)，例如，柵 金屬層薄膜的厚度為2500埃，柵電極絕緣層薄膜的厚度為2000埃，半導(dǎo)體有源層薄膜的厚度為2500埃，歐姆接觸層薄膜的厚度為1000埃。
接著，通過物理氣相沉積(PVD)的方式連續(xù)沉積透明導(dǎo)電薄膜160A和不透明導(dǎo) 電薄膜160B，如圖3B所示。所述透明導(dǎo)電薄膜160A的材料為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅 (IZO)，所述不透明導(dǎo)電薄膜160B的材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以 上組合所形成的合金。接下來，如圖3C所示，在不透明導(dǎo)電薄膜160B上沉積一定厚度的光刻膠膜，通過 半色調(diào)掩模板(HalfTone Mask)使所述光刻膠曝光并顯影，形成光刻膠圖形，露出不透明導(dǎo) 電薄膜160B的一部分。所述半色調(diào)掩模板包括透明基板112以及局部形成于透明基板112 上的可以部分傳輸紫外光UV的半色調(diào)圖案113A和113B。其中，半色調(diào)圖案113A為半色調(diào) 材料A構(gòu)成的單層半色調(diào)層，半色調(diào)圖案113B為半色調(diào)材料A和半色調(diào)材料B構(gòu)成的雙層 半色調(diào)層。半色調(diào)材料A和半色調(diào)材料B構(gòu)成的雙層半色調(diào)層比僅由半色調(diào)材料A構(gòu)成的 單層半色調(diào)層具有更低的透光率，因此，紫外光透過半色調(diào)圖案113A后比透過半色調(diào)圖案 113B具有更高的光能量，從而使得顯影后的光刻膠圖形對(duì)應(yīng)于半色調(diào)圖案113A和113B的 區(qū)域分別具有不同的厚度hi和h2。其中，厚度為hi的較薄的光刻膠區(qū)對(duì)應(yīng)于第一公共電 極133A的位置，厚度為h2的較厚的光刻膠區(qū)對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線、漏電極和源電極的位置。然后，刻蝕未被光刻膠覆蓋的不透明導(dǎo)電薄膜160B、透明導(dǎo)電薄膜160A和歐姆接 觸層151，形成導(dǎo)電溝道。通過光刻膠揮發(fā)工藝去除hi厚度的光刻膠，露出對(duì)應(yīng)于第一公共 電極133A的位置上的不透明導(dǎo)電薄膜160B，并保留對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)線、漏電極和源電極的位置 上的光刻膠，其光刻膠厚度從h2減小為h2-hl，如圖3D所示。繼續(xù)參考圖3D和3E，刻蝕原較薄的光刻膠區(qū)保護(hù)的不透明導(dǎo)電薄膜160B，露出透 明導(dǎo)電薄膜160A，再去除剩余的光刻膠，形成雙層薄膜結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)線132、雙層薄膜結(jié)構(gòu)的 漏電極162、雙層薄膜結(jié)構(gòu)的源電極161和雙層薄膜結(jié)構(gòu)的不透明的第二公共電極133B1、 133B2(參考圖2A)，以及單層薄膜結(jié)構(gòu)的透明的第一公共電極133A。之后，通過化學(xué)氣相沉積的方式沉積鈍化層薄膜，再通過旋涂方法或狹縫涂布方 法涂覆有機(jī)膜，通過光刻和刻蝕工藝，形成鈍化層171、有機(jī)膜層181和露出漏電極162的開 孔，如圖3F所示。其中，所述鈍化層薄膜的材料為氧化物、氮化物或氧氮化合物，所述有機(jī) 膜的材料為丙烯酸樹脂(Acrylic Resin)或聚酰亞胺(Polymide)。 最后，如圖3G所示，沉積像素電極薄膜，采用像素電極掩模板(未圖示)，通過光刻 和刻蝕工藝，形成像素電極191和連通至漏電極162的鈍化層過孔172。所述像素電極191 的材料為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，且通過所述漏電極162上的鈍化層過孔172與 所述漏電極162相連。其中，像素電極191與第一公共電極133A相交疊，構(gòu)成存儲(chǔ)電容。綜上所述，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)100包括柵電極掃描線121和與之相交的數(shù)據(jù)線 132,TFT形成于所述柵電極掃描線121與所述數(shù)據(jù)線132的交點(diǎn)處，像素電極191與TFT的 漏電極162相連，像素電極191和透明的第一公共電極133A構(gòu)成存儲(chǔ)電容。本發(fā)明第一實(shí)施例所提供的TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法，利用半色調(diào)掩模板，在 與像素電極相交疊的區(qū)域形成透明的第一公共電極，從而用透明的公共電極代替不透明的 公共電極與像素電極形成存儲(chǔ)電容結(jié)構(gòu)，大幅度提高了開口率，同時(shí)可以通過增加透明的 公用電極的寬度，在不影響開口率的情況下增加存儲(chǔ)電容，而且第二公共電極為雙層薄膜 結(jié)構(gòu)，可以降低引線電阻，達(dá)到兼顧開口率、存儲(chǔ)電容和引線電阻的優(yōu)化設(shè)計(jì)。
圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖，其與第一實(shí)施例的相同 部分就不再贅述。TFT陣列結(jié)構(gòu)200的公共電極233 (虛線框部分)可以包括至少兩段第 一公共電極。本實(shí)施例中，公共電極233包括兩段第一公共電極233A1、233A2和三段第二 公共電極233B1、233B2、233B3，第二公共電極233B2作為引線連接第一公共電極233A1和 233A2。其中，第一公共電極233A1、233A2采用透明材料，第二公共電極233B1、233B2、233B3 采用不透明材料。圖5為本發(fā)明第三實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖，其與第一實(shí)施例的相同 部分就不再贅述。在本實(shí)施例中，TFT陣列結(jié)構(gòu)300的公共電極333(虛線框部分)包括一 段第一公共電極333A和兩段第二公共電極333B1、333B2。其中，公共電極333全部采用透 明材料。圖6為本發(fā)明第四實(shí)施例提出的TFT陣列結(jié)構(gòu)的俯視圖，其與第一實(shí)施例的相同 部分就不再贅述。TFT陣列結(jié)構(gòu)400的公共電極433 (虛線框部分)可以包括至少兩段第 一公共電極。本實(shí)施例中，公共電極433包括兩段第一公共電極433A1、433A2和三段第二 公共電極43381、43382、43383，第二公共電極43382作為引線連接第一公共電極433々1和 433A2。其中，公共電極433全部采用透明材料。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
一種TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括基板；柵電極掃描線和與所述柵電極掃描線一體的柵電極，形成于所述基板上；柵電極絕緣層，形成于所述柵電極掃描線和柵電極上；半導(dǎo)體有源層，形成于所述柵電極絕緣層上；數(shù)據(jù)線、漏電極、與所述數(shù)據(jù)線一體的源電極，形成于所述柵電極絕緣層上，其中，漏電極和源電極部分搭接到所述半導(dǎo)體有源層上；公共電極，形成于所述柵電極絕緣層上；鈍化層，形成于所述數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和公共電極上，并在所述漏電極上形成鈍化層過孔；像素電極，形成于鈍化層上，并通過所述漏電極上的鈍化層過孔與所述漏電極相連；其中，所述公共電極至少部分采用透明材料。
2.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極包括第一公共電極和 第二公共電極，其中，所述第一公共電極與所述像素電極相交疊以形成存儲(chǔ)電容，所述第二 公共電極作為引線以連接位于同一行的或同一列的相鄰的所述第一公共電極。
3.如權(quán)利要求2所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一公共電極的面積比所述第 二公共電極面積大。
4.如權(quán)利要求2中任一項(xiàng)所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極包括一段所 述第一公共電極。
5.如權(quán)利要求2中任一項(xiàng)所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極包括至少兩 段所述第一公共電極。
6.如權(quán)利要求2 5中任一項(xiàng)所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，第一公共電極采用透 明材料，第二公共電極采用不透明材料。
7.如權(quán)利要求6所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第二公共電極為雙層薄膜結(jié)構(gòu)。
8.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線、漏電極和源電極為雙層薄膜結(jié)構(gòu)。
9.如權(quán)利要求7或8中任一項(xiàng)所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述雙層薄膜結(jié)構(gòu)由 透明導(dǎo)電薄膜和不透明導(dǎo)電薄膜所構(gòu)成。
10.如權(quán)利要求9所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜材料為氧化銦 錫或氧化銦鋅，所述不透明導(dǎo)電薄膜材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以 上組合形成的合金。
11.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述公共電極全部采用透明材料。
12.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述透明材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。
13.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括歐姆接 觸層，所述歐姆接觸層形成于所述半導(dǎo)體有源層之上，且位于所述源電極和所述漏電極之 下。
14.如權(quán)利要求13所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述歐姆接觸層材料為摻雜非晶硅或摻雜多晶硅。
15.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)還包括有機(jī)膜 層，所述有機(jī)膜層形成于鈍化層之上，且位于所述像素電極之下。
16.如權(quán)利要求15所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)膜層材料為丙烯酸樹脂 或聚酰亞胺。
17.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極掃描線材料為Cr、W、 Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以上組合形成的合金。
18.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述半導(dǎo)體有源層材料為非晶硅或多晶硅。
19.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述像素電極的材料為氧化銦錫 或氧化銦鋅。
20.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述柵電極絕緣層材料為氧化物、 氮化物或氧氮化合物。
21.如權(quán)利要求1所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述鈍化層材料為氧化物、氮化物 或氧氮化合物。
22.—種TFT陣列結(jié)構(gòu)的制造方法，包括步驟1，在基板上沉積柵金屬層薄膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形成柵電極掃描線和 柵電極；步驟2，在完成步驟1的基板上依次沉積柵電極絕緣層薄膜、半導(dǎo)體層薄膜和歐姆接觸 層薄膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形成柵電極絕緣層、半導(dǎo)體有源層和歐姆接觸層；步驟3，在完成步驟2的基板上依次沉積透明導(dǎo)電薄膜和不透明導(dǎo)電薄膜，采用半色調(diào) 掩模板，通過光刻、刻蝕和去膠工藝形成數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和公共電極；步驟4，在完成步驟3的基板上沉積鈍化層薄膜后，涂覆有機(jī)膜，通過光刻、刻蝕和去膠 工藝，形成鈍化層、有機(jī)膜層和露出漏電極的開孔；步驟5，在完成步驟4的基板上沉積像素電極薄膜，通過光刻、刻蝕和去膠工藝，形成像 素電極和連通至漏電極的鈍化層過孔；其中，所述公共電極至少部分采用透明材料。
23.如權(quán)利要求22所述的TFT陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述有機(jī)膜層材料為丙烯酸樹脂 或聚酰亞胺。
24.如權(quán)利要求22所述的制造方法，其特征在于，所述步驟3具體包括以下步驟 在所述基板上依次沉積所述透明導(dǎo)電薄膜、不透明導(dǎo)電薄膜和光刻膠膜；采用半色調(diào)掩模板，經(jīng)過曝光形成光刻膠圖形，所述光刻膠圖形具有與位置相關(guān)的厚 度，刻蝕未被光刻膠膜覆蓋的不透明導(dǎo)電薄膜、透明導(dǎo)電薄膜和歐姆接觸層，形成導(dǎo)電溝 道；減小所述光刻膠圖形的高度，以露出與像素電極交疊的公共電極區(qū)域上的不透明導(dǎo)電薄膜；刻蝕所述與像素電極交疊的公共電極區(qū)域上的不透明導(dǎo)電薄膜后，去除剩余的光刻 膠，形成數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極、公共電極。
25.如權(quán)利要求24所述的制造方法，其特征在于，所述透明導(dǎo)電薄膜材料為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述不透明導(dǎo)電薄膜材料為Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu中的一種或至少兩種以上 組合形成的合金。
全文摘要
本發(fā)明揭露了一種TFT陣列結(jié)構(gòu)及其制造方法，所述TFT陣列結(jié)構(gòu)包括基板；形成于基板上的柵電極掃描線和與所述柵電極掃描線一體的柵電極；形成于柵電極上的柵電極絕緣層；形成于柵電極絕緣層上的半導(dǎo)體有源層；形成于柵電極絕緣層上的數(shù)據(jù)線、漏電極、與所述數(shù)據(jù)線一體的源電極，其中漏電極和源電極部分搭接到所述半導(dǎo)體有源層上；形成于柵電極絕緣層上的公共電極；形成于數(shù)據(jù)線、漏電極、源電極和公共電極上的鈍化層，并在漏電極上形成鈍化層過孔；形成于鈍化層上的像素電極，并通過所述漏電極上的鈍化層過孔與所述漏電極相連；其中，公共電極至少部分采用透明材料。本發(fā)明提供的TFT陣列結(jié)構(gòu)可以兼顧開口率的提高、存儲(chǔ)電容的優(yōu)化和引線電阻的降低。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101989015SQ20091005577
公開日2011年3月23日 申請(qǐng)日期2009年7月31日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月31日
發(fā)明者時(shí)偉強(qiáng), 李雄平, 袁劍峰, 趙本剛, 馬小軍 申請(qǐng)人:上海天馬微電子有限公司