專利名稱：有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)、液晶面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及能夠進(jìn)行短路修正的有源矩陣基板和液晶面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置具有高精細(xì)、薄、低電耗等優(yōu)異的特征，近年來， 其市場規(guī)模迅速擴(kuò)大。例如在專利文獻(xiàn)1中，公開了在一個像素中具 有多個像素電極的像素分割(多像素驅(qū)動)方式的液晶顯示裝置。根 據(jù)該像素分割方式的液晶顯示裝置，能夠在一個像素中形成不同的亮 度區(qū)域，能夠改善Y特性的視角依賴性(從正面觀測液晶顯示裝置時 的Y特性和從傾斜方向觀察時的Y特性的差異)。
此處，在專利文獻(xiàn)2中，公開了在像素分割方式的液晶顯示裝置 中能夠進(jìn)行配線缺陷的修正的結(jié)構(gòu)。在圖35中表示此結(jié)構(gòu)。如該圖所 示，在該液晶顯示裝置具有的有源矩陣基板700中，設(shè)置有相互正交 的掃描信號線702和數(shù)據(jù)信號線703，在各像素中，具有第一晶體管 707a、第二晶體管707b、第一像素電極705a、第二像素電極705b、第 一保持電容配線712a、第二保持電容配線712b、第一漏極引出配線 711a、第二漏極引出配線711b、第一漏極引出電極713a、和第二漏極 引出電極713b。第一晶體管707a具有源極電極709a、漏極電極710a、 和從掃描信號線702引出的柵極電極708a,第二晶體管707b具有源極 電極709b、漏極電極710b和從掃描信號線702引出的柵極電極708b。
另外，第一晶體管的源極電極709a和第二晶體管的源極電極709b 與數(shù)據(jù)信號線703連接，第一晶體管的漏極電極710a通過第一漏極引 出配線71 la與第一漏極引出電極713a連接，該第一漏極引出電極713a 和第一像素電極705a通過接觸孔連接。進(jìn)一步，利用第一漏極引出電 極713a和第一保持電容配線712a的伸出部714a形成保持電容。同樣 地，第二晶體管的漏極電極710b通過第二漏極引出配線711b與第二漏極引出電極713b連接，該第二漏極引出電極713b和第二像素電極 705b通過接觸孔連接。進(jìn)一步，利用第二漏極引出電極713b和第二保 持電容配線712b的伸出部714b形成保持電容。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，對第一像素電極705a和第二像素電極705b供給 相同的信號電信，但通過個別地控制第一保持電容配線和第二保持電 容配線712a、 712b的電位，能夠使第一像素電極705a和第二像素電 極705b為不同的電位，從而能夠在一個像素中形成不同的亮度區(qū)域。
在有源矩陣基板700中，在掃描信號線702形成有位于第一晶體 管的柵極電極708a與第二晶體管的柵極電極708b之間的開口部715。 從而，例如，在掃描信號線702和數(shù)據(jù)信號線703在它們的交叉部720 處短路，發(fā)生SG泄漏(源極-柵極間泄漏)的情況下，在開口部715 上的區(qū)域722和與第一像素電極705a相鄰的部分723切斷數(shù)據(jù)信號線 703，并且通過備用配線等從數(shù)據(jù)信號線703的相反側(cè)發(fā)送信號電位， 從而能夠修正SG泄漏。在該情況下，第一晶體管707a喪失其功能， 第二晶體管707b維持其功能。而且，在掃描信號線702與源極電極709a 短路，發(fā)生SG泄漏的情況下，也能夠在上述兩個位置切斷數(shù)據(jù)信號線 703，并且通過備用配線等從數(shù)據(jù)信號線703的相反側(cè)發(fā)送信號電位， 從而修正SG泄漏。
專利文獻(xiàn)1:日本國公開專利公報"日本特開2004—78157號公報 (
公開日2004年3月11日)"
專利文獻(xiàn)2:國際公開專利公報"WO2006/064789 (
公開日2006 年6月22日)"

發(fā)明內(nèi)容
但是，在該液晶顯示裝置中，是以一個晶體管的功能喪失為前提 進(jìn)行SG泄漏的修正。gp，存在即使是在SG泄漏由源極電極與掃描信 號線的短路引起的情況下，也必須以使一個晶體管的功能喪失為前提 進(jìn)行修正，而且需要利用備用配線等的問題。另外，關(guān)于備用配線的 利用，存在該連接耗費(fèi)時間、增大負(fù)荷的缺點(diǎn)。特別是在大型的液晶 顯示裝置中該缺點(diǎn)尤為顯著。
本發(fā)明鑒于上述問題提出，其目的在于，在一個像素區(qū)域中設(shè)置有多個晶體管的像素分割方式的有源矩陣基板和具有其的液晶顯示裝
置中，在盡可能地維持各晶體管的功能的同時修正SG泄漏。
本發(fā)明的有源矩陣基板包括在行方向延伸(例如以橫切各像素 區(qū)域的方式在行方向延伸)的掃描信號線；在列方向延伸(例如沿著 各像素區(qū)域在列方向延伸)的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線和數(shù) 據(jù)信號線的交叉部附近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與該數(shù) 據(jù)信號線連接的第一晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置有與 第一晶體管連接的第一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二像素 電極，該有源矩陣基板的特征在于上述掃描信號線，在上述交叉部 附近具有開口部和作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向上 相對的第一掃描電極部和第二掃描電極部，上述第一晶體管包括設(shè)置 在第一掃描電極部上的漏極電極、和以夾著該漏極電極的方式設(shè)置的 兩個源極電極，其中 一個源極電極通過形成在開口部上的源極延伸電 極(第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線連接，另一個源極電極通 過形成在掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極(第一外側(cè)源極延 伸電極)與數(shù)據(jù)信號線連接，上述第二晶體管包括設(shè)置在第二掃描電 極部上的漏極電極、和以夾著該漏極電極的方式設(shè)置的兩個源極電極， 其中一個源極電極通過形成在開口部上的源極延伸電極(第二內(nèi)側(cè)源 極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線連接，另一個源極電極通過形成在掃描信 號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極(第二外側(cè)源極延伸電極)與數(shù)據(jù) 信號線連接。
在本有源矩陣基板中，與各源極電極連接的源極延伸電極與掃描 信號線(第一掃描電極部和第二掃描電極部)不重合，因此能夠切斷 它。此外，因?yàn)榈谝痪w管具有兩個源極電極，所以即使其中一個不 能夠起作用，第一晶體管自身也能夠發(fā)揮功能。同樣地，因?yàn)榈诙?體管也具有兩個源極電極，所以即使其中一個不能夠起作用，第二晶 體管自身也能夠發(fā)揮功能。
于是，在由數(shù)據(jù)信號線或與其相連的源極電極與掃描信號線的短 路引起的異常被認(rèn)為是在該數(shù)據(jù)信號線和該掃描信號線的交差部附近 的像素區(qū)域中的情況下，進(jìn)行包括下述工序中的至少一個的修正工序， 能夠在盡可能地維持各晶體管的功能的同時修正SG泄漏(源極-柵極間泄漏)切斷該像素區(qū)域的第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極和第二內(nèi)側(cè)源極延 伸電極以及該像素區(qū)域的第一外側(cè)源極延伸電極和第二外側(cè)源極延伸 電極中的任一個的工序；將該數(shù)據(jù)信號線在其與第一外側(cè)源極延伸電 極的連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將 該數(shù)據(jù)信號線在其與第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃 描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將該數(shù)據(jù)信號線在其與第二內(nèi) 側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切 斷的工序；將該數(shù)據(jù)信號線在其與第二外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分 和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將該掃描信號線
的第一掃描電極部在位于第一外側(cè)源極延伸電極和第一內(nèi)側(cè)源極延伸 電極的間隙下的部分切斷的工序；和將該掃描信號線的第二掃描電極 部在位于第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極和第二外側(cè)源極延伸電極的間隙下的 部分切斷的工序。
本發(fā)明的有源矩陣基板包括在行方向延伸(例如以橫切各像素 區(qū)域的方式在行方向延伸)的掃描信號線；在列方向延伸(例如，沿 著各像素區(qū)域在列方向延伸)的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線和 數(shù)據(jù)信號線的交叉部附近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與該 數(shù)據(jù)信號線連接的第一晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置有 與第一晶體管連接的第一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二像 素電極，該有源矩陣基板的特征在于上述掃描信號線，在上述交叉 部附近具有開口部和作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向 上相對的第一掃描電極部和第二掃描電極部，第一晶體管和第二晶體 管具有共用的源極電極，該共用的源極電極以與第一掃描電極部和第 二掃描電極部以及開口部重合的方式配置，并且通過形成在開口部上 的源極延伸電極(共用的源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線連接，上述第 一晶體管包括設(shè)置在第一掃描電極部上的漏極電極、和與上述共用的 源極電極一同夾著該漏極電極的源極電極，該源極電極通過形成在掃 描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極(第一外側(cè)源極延伸電極)與 數(shù)據(jù)信號線連接，上述第二晶體管包括設(shè)置在第二掃描電極部上的漏 極電極、和與上述共用的源極電極一同夾著該漏極電極的源極電極， 該源極電極通過形成在掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極(第
12二外側(cè)源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線連接。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，與上述各源極電極連接的源極延伸電極與掃描信 號線(第一掃描電極部和第二掃描電極部)不重合，因此能夠切斷它。 此外，因?yàn)榈谝痪w管具有兩個源極電極(一個是共用的源極電極)， 所以即使其中任一個不能夠起作用，第一晶體管自身也能夠發(fā)揮功能。 同樣地，因?yàn)榈诙w管也具有兩個源極電極(一個是共用的源極電 極)，所以即使其中任一個不能夠起作用，第二晶體管自身也能夠發(fā)揮 功能。
于是，在由數(shù)據(jù)信號線或與其相連的源極電極與掃描信號線的短
路引起的異常被認(rèn)為是在該數(shù)據(jù)信號線和該掃描信號線的交差部附近
的像素區(qū)域中的情況下，進(jìn)行包括下述工序中的至少一個的修正工序，
能夠在盡可能地維持各晶體管的功能的同時修正SG泄漏切斷該像素
區(qū)域的共用的源極延伸電極以及該像素區(qū)域的第一外側(cè)源極延伸電極
和第二外側(cè)源極延伸電極中的任一個的工序；將該數(shù)據(jù)信號線在其與
第一外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分
之間切斷的工序；將該數(shù)據(jù)信號線在其與共用的源極延伸電極的連結(jié) 部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將該數(shù)據(jù)信
號線在其與共用的源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的 交叉部分之間切斷的工序；將該數(shù)據(jù)信號線在其與第二外側(cè)源極延伸 電極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序； 將該掃描信號線的第一掃描電極部在位于第一外側(cè)源極延伸電極和共 用的源極延伸電極的間隙下的部分切斷的工序；和將該掃描信號線的 第二掃描電極部在位于第二外側(cè)源極延伸電極和共用的源極延伸電極 的間隙下的部分切斷的工序。
在本有源矩陣基板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，第一掃描電極部中， 位于與第一晶體管所具有的兩個源極電極中的一個連接的源極延伸電 極和與另一個連接的源極延伸電極的間隙下的部分的至少一部分變 細(xì)，第二掃描電極部中，位于與第二晶體管所具有的兩個源極電極中 的一個連接的源極延伸電極和與另一個連接的源極延伸電極的間隙下 的部分的至少一部分變細(xì)。這樣，使源極延伸電極與掃描電極部的距 離局部變大，在該部分進(jìn)行源極延伸電極的切斷，能夠容易地進(jìn)行切斷工序。而且，也能夠?qū)⒃撟兗?xì)的部分用于掃描信號線的切斷用。例 如，在數(shù)據(jù)信號線下發(fā)生短路時，將該短路的掃描電極部在該變細(xì)的 部分和夾著數(shù)據(jù)信號線的相反側(cè)的部分進(jìn)行切斷，能夠?qū)⒃搾呙桦姌O 部從掃描信號線主體切離。
在本有源矩陣基板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，第一掃描電極部中， 位于與第一晶體管的源極電極連接的源極延伸電極和與上述共用的源
極電極連接的源極延伸電極的間隙下的部分的至少一部分變細(xì)，第二 掃描電極部中，位于與第二晶體管的源極電極連接的源極延伸電極和 與上述共用的源極電極連接的源極延伸電極的間隙下的部分的至少一 部分變細(xì)。這樣，使源極延伸電極與掃描電極部的距離局部變大，在 該部分進(jìn)行源極延伸電極的切斷，能夠容易地進(jìn)行切斷工序。而且， 也能夠?qū)⒃撟兗?xì)的部分用于掃描信號線的切斷用。例如，在數(shù)據(jù)信號 線下發(fā)生短路時，將該短路的掃描電極部，在該變細(xì)的部分和夾著數(shù) 據(jù)信號線的相反側(cè)的部分進(jìn)行切斷，能夠?qū)⒃搾呙桦姌O部從掃描信號 線主體切離。
在本有源矩陣基板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，上述源極延伸電極， 其行方向的寬度比列方向的寬度大。這樣，通過將源極延伸電極形成 為細(xì)長形狀，能夠容易地進(jìn)行其切斷。
在本有源矩陣基板中，能夠采用上述開口部從像素區(qū)域外通過數(shù)
據(jù)信號線之下到達(dá)像素區(qū)域內(nèi)的結(jié)構(gòu)。這樣，在掃描電極部和數(shù)據(jù)信 號線短路時，能夠?qū)呙桦姌O部的短路位置從掃描信號線主體切離。 在該情況下，優(yōu)選以第一掃描電極部的位于行方向的兩個端部中位于 像素區(qū)域外的一方作為第一端部，以第二掃描電極部的位于行方向的 兩個端部中位于像素區(qū)域外的一方作為第二端部，第一端部和第二端 部分別形成有切入部。
在本有源矩陣基板中，能夠采用上述開口部是在行方向延伸的形 狀的結(jié)構(gòu)。
在本有源矩陣基板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，沿著上述數(shù)據(jù)信號線， 設(shè)置有與該數(shù)據(jù)信號線電連接的副配線，該副配線通過開口部上。根 據(jù)該結(jié)構(gòu)，在修正工序中切斷數(shù)據(jù)信號線時也不需要連接備用配線。 另外，因?yàn)楦迸渚€通過開口部上，所以能夠減少副配線自身與掃描信號線短路的可能性，此外，能夠減少在副配線與掃描信號線之間產(chǎn)生 的寄生電容。在該情況下，優(yōu)選上述副配線和數(shù)據(jù)信號線在開口部上 連接。
在本有源矩陣基板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，設(shè)置有與數(shù)據(jù)信號線 的上述交叉部的前后連接的旁通配線，該旁通配線通過開口部上。根 據(jù)該結(jié)構(gòu)，在修正工序中切斷數(shù)據(jù)信號線時也不需要連接備用配線。 另外，因?yàn)楦迸渚€通過開口部上，所以能夠減少副配線自身與掃描信 號線短路的可能性，此外，能夠減少在副配線與掃描信號線之間產(chǎn)生 的寄生電容。在該情況下，優(yōu)選上述旁通配線和數(shù)據(jù)信號線在開口部 上連接。
在本有源矩陣基板中，優(yōu)選在第一晶體管和第二晶體管的上層， 形成有無機(jī)層間絕緣膜、和比該無機(jī)層間絕緣膜厚的有機(jī)層間絕緣膜。 這樣，例如在從有源矩陣基板的背面對源極延伸部、掃描電極部進(jìn)行 激光切斷時，能夠以厚層間絕緣膜防止金屬斷片的巻起。
在本有源矩陣基板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，在第一掃描電極部的 變細(xì)的部分和第二掃描電極部的變細(xì)的部分各自的上層，形成有無機(jī) 柵極絕緣膜、和比其厚的柵極絕緣膜(例如有機(jī)柵極絕緣膜)。這樣， 在將第一或第二掃描電極部在該變細(xì)的部分切斷時，能夠以厚柵極絕 緣膜抑制金屬的巻起。
本液晶面板的特征在于包括上述有源矩陣基板。
在本液晶面板中，能夠采用下述結(jié)構(gòu)，在與有源矩陣基板對置的
基板上形成的黑矩陣與上述開口部重合。
本液晶顯示單元的特征在于包括上述液晶面板和驅(qū)動器。 本液晶顯示裝置的特征在于包括上述液晶顯示單元和照明裝置。 本電視接收機(jī)的特征在于包括上述液晶顯示裝置、和接收電視廣
播的調(diào)諧部。
本發(fā)明的液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩陣基板的 液晶面板，該有源矩陣基板包括在行方向延伸(例如，以橫切各像 素區(qū)域的方式在行方向延伸)的掃描信號線；在列方向延伸(例如， 沿著各像素區(qū)域在列方向延伸)的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線 和數(shù)據(jù)信號線的交叉部附近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與
15該數(shù)據(jù)信號線連接的第一晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置 有與第一晶體管連接的第一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二 像素電極，該液晶面板的制造方法的特征在于，包括形成掃描信號 線的第一工序，該掃描信號線具有位于上述交叉部附近的開口部、和 作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向上相對的第一掃描電 極部和第二掃描電極部；和第二工序，在該第二工序中形成位于第 一掃描電極部上的第一晶體管的漏極電極；位于夾著該漏極電極的位 置的第一晶體管的兩個源極電極；連接其中一個源極電極和數(shù)據(jù)信號 線，且位于開口部上的第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極；連接另一個源極電極 和數(shù)據(jù)信號線，且位于掃描信號線的外部區(qū)域上的第一外側(cè)源極延伸 電極；位于第二掃描電極部上的第二晶體管的漏極電極；位于夾著該 漏極電極的位置的第二晶體管的兩個源極電極；連接其中一個源極電 極和數(shù)據(jù)信號線，且位于開口部上的第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極；和連接 另一個源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位于掃描信號線的外部區(qū)域上的第 二外側(cè)源極延伸電極，而且，作為修正工序，包括下述工序中的至少 一個切斷第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極和第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極以及第一 外側(cè)源極延伸電極和第二外側(cè)源極延伸電極中的任一個的工序；將數(shù) 據(jù)信號線在其與第一外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃描電 極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第一內(nèi)側(cè)源極 延伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工 序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第 二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第二 外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間 切斷的工序；將第一掃描電極部在位于第一外側(cè)源極延伸電極和第一 內(nèi)側(cè)源極延伸電極的間隙下的部分切斷的工序；和將第二掃描電極部 在位于第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極和第二外側(cè)源極延伸電極的間隙下的部 分切斷的工序。
在本發(fā)明的液晶面板的制造方法中，在上述修正工序中包括檢 測由數(shù)據(jù)信號線或與其相連的源極電極與掃描信號線的短路引起的異 常，并且將該數(shù)據(jù)信號線在其與位于該數(shù)據(jù)信號線和該掃描信號線的 交叉部附近的像素區(qū)域的第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與該像素區(qū)域的第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分之間進(jìn)行切斷，從而判 定上述短路是位于該掃描信號線的第一掃描電極部還是位于第二掃描
電極部的工序；和在上述短路位于第一掃描電極部的情況下，將第一 掃描電極部在位于其行方向的兩個端部中位于像素區(qū)域外的一方切 斷，并且將其位于第一外側(cè)源極延伸電極和第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極的 間隙下的部分切斷，在這樣仍無法消除上述異常的情況下，切斷第一 外側(cè)源極延伸電極或第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極，在上述短路位于上述第 二掃描電極部的情況下，將第二掃描電極部在位于其行方向的兩個端 部中位于像素區(qū)域外的一方切斷，并且將其位于第二外側(cè)源極延伸電 極和第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極的間隙下的部分切斷，在這樣仍無法消除 上述異常的情況下，切斷第二外側(cè)源極延伸電極或第二內(nèi)側(cè)源極延伸 電極的工序。
本發(fā)明的液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩陣基板的 液晶面板，該有源矩陣基板包括在行方向延伸(例如，以橫切各像 素區(qū)域的方式在行方向延伸)的掃描信號線；在列方向延伸(例如， 沿著各像素區(qū)域在列方向延伸)的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線 和數(shù)據(jù)信號線的交叉部附近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與 該數(shù)據(jù)信號線連接的第一晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置 有與第一晶體管連接的第一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二
像素電極，該液晶面板的制造方法的特征在于，包括形成掃描信號 線的第一工序，該掃描信號線具有位于上述交叉部附近的開口部、和 作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著幵口部在列方向上相對的第一掃描電 極部和第二掃描電極部；和第二工序，在該第二工序中形成作為第 一晶體管和第二晶體管的共用的源極電極起作用，與第一掃描電極部 和第二掃描電極部以及開口部重合的共用的源極電極；連接該共用的 源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位于開口部上的共用的源極延伸電極；位 于第一掃描電極部上的第一晶體管的漏極電極；與上述共用的源極電 極一同夾著該漏極電極的第一晶體管的源極電極；連接該源極電極和 數(shù)據(jù)信號線，且位于掃描信號線的外部區(qū)域上的第一外側(cè)源極延伸電 極；位于第二掃描電極部上的第二晶體管的漏極電極；與上述共用的 源極電極一同夾著該漏極電極的第二晶體管的源極電極；和連接該源
17極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位于掃描信號線的外部區(qū)域上的第二外側(cè)源 極延伸電極，而且，作為修正工序，包括下述工序中的至少一個切 斷上述共用的源極延伸電極以及第一外側(cè)源極延伸電極和第二外側(cè)源 極延伸電極中的任一個的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第一外側(cè)源極延 伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工 序；將數(shù)據(jù)信號線在其與共用的源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第一 掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與共用的 源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷 的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第二外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其 與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將第一掃描電極部在 位于第一外側(cè)源極延伸電極和共用的源極延伸電極的間隙下的部分切 斷的工序；和將第二掃描電極部在位于第二外側(cè)源極延伸電極和共用 的源極延伸電極的間隙下的部分切斷的工序。
這樣，根據(jù)本發(fā)明，在像素分割方式的有源矩陣基板中，能夠在 盡可能地維持各晶體管的功能的同時修正SG泄漏。


圖1是表示實(shí)施方式1的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖2是表示具有圖1的有源矩陣基板的液晶面板的結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖3是表示圖1的有源矩陣基板中的半導(dǎo)體層的位置的平面圖。 圖4是沿圖3所示的虛線P的截面圖。 圖5是沿圖3所示的虛線Q的截面圖。 圖6是沿圖3所示的虛線R的截面圖。
圖7是表示修正圖1的有源矩陣基板時的切斷位置和發(fā)生短路位 置的平面圖。
圖8是說明圖1所示的有源矩陣基板的修正方法的截面圖。
圖9是表示具有圖1的有源矩陣基板的液晶面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖10是說明圖9所示的液晶面板的修正方法的截面圖。
圖11是說明圖1所示的有源矩陣基板的黑點(diǎn)化處理的截面圖。
圖12是表示SG泄漏引起的十字線缺陷的示意圖。
圖13是表示實(shí)施方式2的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖14是表示修正圖13的有源矩陣基板時的切斷位置和發(fā)生短路
位置的平面圖。
圖15是表示實(shí)施方式3的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖16是表示修正圖15的有源矩陣基板時的切斷位置和發(fā)生短路
位置的平面圖。
圖17是表示實(shí)施方式4的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖18是表示修正圖17的有源矩陣基板時的切斷位置和發(fā)生短路
位置的平面圖。
圖19是表示實(shí)施方式5的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖20是表示修正圖19的有源矩陣基板時的切斷位置和發(fā)生短路
位置的平面圖。
圖21是表示實(shí)施方式5的有源矩陣基板的另一結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖22是表示實(shí)施方式6的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖23是表示具有圖22的有源矩陣基板的液晶面板的結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖24是表示實(shí)施方式6的有源矩陣基板的另一結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖25是表示實(shí)施方式6的有源矩陣基板的另一結(jié)構(gòu)的截面圖。 圖26是表示實(shí)施方式7的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)的平面圖。 圖27是表示修正圖26的有源矩陣基板時的切斷位置和發(fā)生短路 位置的平面圖。
圖28 (a)是表示本液晶顯示單元的結(jié)構(gòu)的示意圖，(b)是表示本 液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)的示意圖。
圖29是表示對本液晶面板的偏光板安裝方法的示意圖。
圖30是表示本液晶顯示裝置的驅(qū)動方法的時序圖。
圖31是表示本液晶顯示裝置的另一驅(qū)動方法的時序圖。
圖32是說明本液晶顯示裝置的功能的框圖。
圖33是說明本電視接收機(jī)的功能的框圖。
圖34是表示本電視接收機(jī)的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
圖35是表示現(xiàn)有的有源矩陣基板的結(jié)構(gòu)及其修正方法的平面圖。
符號說明
3a 3d3x有源矩陣基板5像素區(qū)域 8a、 8b漏極電極 9ax、 9ay源極電極 9bx、 9by源極電極 9z共用源極電極
0ax、 10ay源極延伸電極
Obx、 10by源極延伸電極
2a第一晶體管
2b第二晶體管
5數(shù)據(jù)信號線
6掃描信號線
6a第一掃描電極部
6b第二掃描電極部
7a第一像素電極
7b第二像素電極
8a第一保持電容配線
8b第二保持電容配線
8ax第一保持電容配線延伸部
8bx第二保持電容配線延伸部 23柵極絕緣膜 25層間絕緣膜 29開口部 35彩色濾光片基板 100液晶顯示單元 110液晶顯示裝置 601電視接收機(jī) EP1、 EP2第一、第二端部 Wa、 Wb (掃描電極部的)變細(xì)部
具體實(shí)施例方式
使用圖1 34說明本發(fā)明的實(shí)施方式的例子，如下所述<[實(shí)施方式l]
圖1是表示本實(shí)施方式1的有源矩陣基板的一部分的(透視)平
面圖。如該圖所示，有源矩陣基板3a具有相互正交的數(shù)據(jù)信號線15 和掃描信號線16;第一保持電容配線和第二保持電容配線18a、 18b; 和配置為矩陣狀的像素區(qū)域5。其中，數(shù)據(jù)信號線15配置在掃描信號 線16的上層。掃描信號線16以橫穿各像素區(qū)域5的方式在行方向(圖 中左右方向)上延伸，數(shù)據(jù)信號線15沿著各像素區(qū)域在列方向(圖中 上下方向)上延伸，第一保持電容配線和第二保持電容配線18a、 18b 分別以與在列方向上相鄰的2個像素區(qū)域各自的端部重合的方式在行 方向(圖中左右方向)上延伸。
在各像素區(qū)域5中，形成有第一晶體管12a、第二晶體管12b、第 一像素電極17a、第二像素電極17b、第一保持電容配線18a的一部分、 第二保持電容配線18b的一部分、第一漏極引出配線27a、第二漏極引 出配線27b、第一接觸孔lla、和第二接觸孔llb。
在橫穿像素區(qū)域5的中央部的掃描信號線16，形成有從像素區(qū)域 外通過數(shù)據(jù)信號線15之下到達(dá)像素區(qū)域內(nèi)的長方形形狀的開口部29， 在掃描信號線16中，開口部29的兩側(cè)部分，即隔著開口部29在列方 向上相對的部分成為第一掃描電極部和第二掃描電極部16a、 16b。該 第一掃描電極部16a的一部分作為第一晶體管12a的柵極電極起作用， 第二掃描電極部16b的一部分作為第二晶體管12b的柵極電極起作用。 此外，令第一掃描電極部16a的位于行方向的兩個端部中位于像素區(qū) 域外的一方為第一端部EP1，令第二掃描電極部16b的位于行方向的 兩個端部中位于像素區(qū)域外的一方為第二端部EP2。
第一像素電極17a配置在掃描信號線16的一側(cè)(圖中上側(cè))，第 二像素電極17b配置在掃描信號線16的另一側(cè)(圖中下側(cè))，在使用 本有源矩陣基板3a構(gòu)成液晶面板的情況下，利用第一像素電極17a、 形成在彩色濾光片基板上的對置電極(共用電極)、和兩電極間的液晶 材料形成第一像素電容，利用第二像素電極17b、上述對置電極、和兩 電極間的液晶材料形成第二像素電容。此外，在以本有源矩陣基板3a 作為液晶面板的情況下，掃描信號線16的開口部29如圖2所示與黑 矩陣BM重合，因此不會有光泄漏等的擔(dān)憂。
21此處，第一晶體管12a包括設(shè)置在第一掃描電極部16a上的漏極 電極8a、和以在列方向上夾著漏極電極8a的方式設(shè)置的兩個源極電極 9ax、 9ay，源極電極9ax通過形成在開口部29上的漏極延伸電極10ax (第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線15連接，源極電極9ay跨過 第一掃描電極部16a通過形成在源極延伸電極10ax的相反側(cè)(掃描信 號線16的外部區(qū)域上)的源極延伸電極10ay(第一外側(cè)源極延伸電極) 與數(shù)據(jù)信號線15連接。此外，第二晶體管12b包括設(shè)置在第二掃描電 極部16b上的漏極電極8b、和以在列方向上夾著漏極電極8b的方式設(shè) 置的兩個源極電極9bx、 9by，源極電極9bx通過形成在開口部29上的 漏極延伸電極10bx (第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線15連接， 源極電極9by跨過第二掃描電極部16b通過形成在源極延伸電極10bx 的相反側(cè)(掃描信號線16的外部區(qū)域上)的源極延伸電極10by (第二 外側(cè)源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線15連接。
此外，第一掃描電極部16a，在俯視圖中，在被源極延伸電極10ax 與源極延伸電極10ay夾著的部分的至少一部分中具有變細(xì)部Wa，此 外，第二掃描電極部16b，在俯視圖中，在被源極延伸電極10bx與源 極延伸電極10by夾著的部分的至少一部分中具有變細(xì)部Wb。該變細(xì) 部Wa使得在SG泄漏修正時(后述)容易切斷源極延伸電極10ay、 10ax， 變細(xì)部Wb使得在SG泄漏修正時(后述)容易切斷源極延伸電極10bx、 10by。通過設(shè)置變細(xì)部Wa，使得能夠切斷位于掃描信號線16的外部 區(qū)域上的源極延伸電極10ay，并且能夠使其接近掃描信號線16 (第一 掃描電極部16a)，由此能夠提高開口率。同樣地，通過設(shè)置變細(xì)部 Wb,使得能夠切斷位于掃描信號線16的外部區(qū)域上的源極延伸電極 10by，并且能夠使其接近掃描信號線16 (第一掃描電極部16b)，由此 能夠提高開口率。
而且，第一晶體管的漏極電極8a通過第一漏極引出配線27a和接 觸孔lla與第一像素電極17a連接。此外，在第一像素電極17a和第一 保持電容配線18a的重疊部形成第一保持電容。同樣地，第二晶體管 的漏極電極8b通過第二漏極引出配線27b和接觸孔lib與第二像素電 極17b連接。此外，在第二像素電極17b和第二保持電容配線18b的 重疊部形成第二保持電容。此外，第一保持電容配線延伸部18ax從第一保持電容配線18a被引出，其前端部與漏極引出配線27a的前端部 重疊。此外，第二保持電容配線延伸部18bx從第二保持電容配線18b 被引出，其前端部與漏極引出配線27b的前端部重疊。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，從數(shù)據(jù)信號線15向第一像素電極17a和第二像素 電極17b供給相同的信號電位，但通過個別地控制第一第二保持電容 配線18a、 18b的電位，能夠通過第一保持電容和第二保持電容使第一 像素電極17a和第二像素電極17b為不同的電位。BP,在具有本有源 矩陣基板3a的液晶顯示裝置中，能夠在一個像素中形成不同的亮度區(qū) 域，表現(xiàn)基于面積灰度等級的中間灰度，能夠改善畫面的泛白。
圖3是表示圖1中的半導(dǎo)體層的位置的圖，圖4是沿圖3的虛線P 的向視截面圖。如圖3、 4所示，在本有源矩陣基板3a中，在基板30 上形成有第一掃描電極部16a (掃描信號線16),在其上層形成有柵極 絕緣膜23。在柵極絕緣膜23的上層，隔著半導(dǎo)體層24，形成有兩個 源極電極9ax、 9ay和被它們夾著的漏極電極8a。在源極電極9ax、 9ay 和漏極電極8a的上層形成有層間絕緣膜(無機(jī)層間絕緣膜)25,在層 間絕緣膜25上形成有第一像素電極17a。而且，第一像素電極17a被 取向膜79覆蓋。
圖5是沿圖3的虛線Q的向視截面圖。如圖3、 5所示，在本有源 矩陣基板3a中，在基板30上形成有從保持電容配線18a引出的保持 電容延伸部18ax，在其上層形成有柵極絕緣膜23。在柵極絕緣膜23 的上層形成有漏極引出配線27a。此處，第一保持電容配線延伸部18ax 的前端部和漏極引出配線27a的前端部重疊。進(jìn)而，在漏極引出配線 27a的上層形成有層間絕緣膜(無機(jī)層間絕緣膜)25，在層間絕緣膜 25上形成有第一像素電極17a。該第一像素電極17a被取向膜79覆蓋。 另外，以與第一保持電容配線延伸部18ax和漏極引出配線27a的重疊 部重合的方式形成有接觸孔lla。在該接觸孔lla中除去層間絕緣膜25， 從而達(dá)到漏極引出配線27a和第一像素電極17a的連接。
圖6是沿圖3的虛線R的向視截面圖。如圖3、 6所示，在本有源 矩陣基板3a中，在基板30上形成有第一掃描電極部16a (掃描信號線 16)，在其上層形成有柵極絕緣膜23。在柵極絕緣膜23的上層形成有 源極延伸電極10ay和源極延伸電極10ax。在源極延伸電極10ay、 10ax的上層形成有層間絕緣膜(無機(jī)層間絕緣膜)25，在層間絕緣膜25上 形成有取向膜79。
以下說明本有源矩陣基板3a中的SG泄漏修正方法。圖7是圖1 中第一晶體管和第二晶體管12a、 12b附近的放大圖。而且，使供給至 數(shù)據(jù)信號線15的信號電位的朝向?yàn)閳D中從上向下(箭頭的朝向)。SG 泄漏是由于在一個像素電極中，圖中X標(biāo)記(cil、 ci2、 ei、 02、 Y、 S這六個位置)中的至少一個的短路所引起的。g卩，al處的第一 掃描電極部16a與源極電極9ay的短路、a2處的第一掃描電極部16a 與源極電極9ax的短路、P 1處的第二掃描電極部16b與源極電極9bx 的短路、P2處的第二掃描電極部16b與源極電極9by的短路、Y處的 第一掃描電極部16a與數(shù)據(jù)信號線15的短路、以及S處的第二掃描電 極部16b與數(shù)據(jù)信號線15的短路。
另一方面，修正工序中的配線或電極的切斷，在圖7的A、 C、 D、 F、 G、 H、 J、 K、 L、 M和N中的至少一個位置進(jìn)行。其中，A是源 極延伸電極10ay中在俯視圖中與第一掃描電極部16a的變細(xì)部Wa相 對的部分，C是源極延伸電極10ax中在俯視圖中與第一掃描電極部16a 的變細(xì)部Wa相對的部分，D是源極延伸電極10bx中在俯視圖中與第 二掃描電極部16b的變細(xì)部Wb相對的部分，F(xiàn)是源極延伸電極lOby 中在俯視圖中與第二掃描電極部16b的變細(xì)部Wb相對的部分，G是 數(shù)據(jù)信號線15中比源極延伸電極10ay的根部更靠上游側(cè)的部分，H 是數(shù)據(jù)信號線15中被源極延伸電極10ay的根部和上側(cè)的交叉部(數(shù) 據(jù)信號線15和第一掃描電極部16a的交叉部)夾著的部分，J是數(shù)據(jù) 信號線15中被源極延伸電極10ax的根部和上側(cè)的交叉部夾著的部分， K是數(shù)據(jù)信號線15中被源極延伸電極10ax的根部和源極延伸電極 10bx的根部夾著的部分，L是數(shù)據(jù)信號線15中被源極延伸電極lObx 的根部和下側(cè)的交叉部(數(shù)據(jù)信號線15和第二掃描電極部16b的交叉 部)夾著的部分，M是數(shù)據(jù)信號線15中被源極延伸電極lOby的根部 和下側(cè)的交叉部夾著的部分，N是數(shù)據(jù)信號線15中比源極延伸電極 lOby的根部更靠下游側(cè)的部分。
此處，在通過檢査工序能夠確定短路位置為a 1、 a 2、 Pl、 3 2、 Y、 S中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。即，如果在
24a 1發(fā)生短路則進(jìn)行A處的切斷，如果在a 2發(fā)生短路則進(jìn)行C處的 切斷，如果在P 1發(fā)生短路則進(jìn)行D處的切斷，如果在P 2發(fā)生短路則 進(jìn)行F處的切斷，如果在Y發(fā)生短路，則進(jìn)行H和J處的切斷，并且 使備用配線與數(shù)據(jù)信號線15中比J更靠下游側(cè)的部分連接，如果在S 發(fā)生短路，則進(jìn)行L和M處的切斷，并且使備用配線與數(shù)據(jù)信號線15 中比M更靠下游側(cè)的部分連接。此時，在al、 a2、 P 1、 P2中的某 一個發(fā)生短路的情況下，在修正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b 也分別能夠發(fā)揮功能(在發(fā)生短路的晶體管中起作用的源極電極成為1 個)，且在修正工序中不需要備用配線的連接。此外，在Y、 5中的某 一個發(fā)生短路的情況下，需要備用配線的連接，但修正后，第一晶體 管和第二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在各晶體管中兩個源極 電極起作用)。
另外，在Y短路的情況下，也可以進(jìn)行G和J處的切斷或H和K 處的切斷。在該情況下，也需要備用配線的連接，但修正后，第一晶 體管和第二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在第一晶體管12a中 一個源極電極起作用，在第二晶體管12a中兩個源極電極起作用)。同 樣，在5短路的情況下，也可以進(jìn)行L和N處的切斷或K和M處的 切斷。在該情況下，也需要備用配線的連接，但修正后，第一晶體管 和第二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在第一晶體管12a中兩個 源極電極起作用，在第二晶體管12b中一個源極電極起作用)。
此外，在包括K處的切斷的通過檢查工序能夠確定短路位置位于 第一掃描電極部側(cè)(al、 a 2、 Y中的任一個)、或短路位置位于第二 掃描電極部側(cè)(Pl、 P2、 S中的任一個)的情況下，進(jìn)行以下的修 正工序即可。例如，如果在第一掃描電極部側(cè)發(fā)生短路，則首先進(jìn)行H 處的切斷，如果這樣還不能夠消除SG泄漏則進(jìn)行A處的切斷。另外， 無論是在哪個階段(H、 A的切斷)被消除，均需要使備用配線與數(shù)據(jù) 信號線15中比K更靠下游側(cè)的部分連接。
在該情況下，如果通過H處的切斷能夠消除SG泄漏(如果是在 Y或a2短路)，則修正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b能夠發(fā) 揮功能(在晶體管12a中一個源極電極起作用)。如果通過H處的切斷 不能夠消除(如果是在al短路)，則因?yàn)檫M(jìn)行A處的切斷，第一晶體管12a不起作用(第二晶體管12b起作用)。于是，如圖3、圖11所示，進(jìn)行漏極引出配線27a與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)。具體地說，對漏極引出配線27a的前端部和第一保持電容配線延伸部18ax的前端部進(jìn)行熔融連接，從而使第一像素電極17a與第一保持電容配線18a連接。由此，在具有本有源矩陣基板的液晶顯示裝置中，能夠使包括與缺陷晶體管(12a)連接的第一像素電極17a的子像素黑點(diǎn)化。
此外，在完全無法確定短路位置為a 1、 a2、 Pl、 P2、 Y、 5中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。首先，進(jìn)行A處的切斷，如果仍無法消除SG泄漏則進(jìn)行D處的切斷，如果仍無法消除則進(jìn)行C處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行F處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行G和N的切斷，并且使備用配線與數(shù)據(jù)信號線15中比N更靠下游側(cè)的部分連接。
在該情況下，如果通過A處的切斷能夠消除SG泄漏(如果是在a 1短路)，則修正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a中一個源極電極起作用，在晶體管12b中兩個源極電極起作用)。如果通過D處的切斷能夠消除(如果是在e 1短路)，則修正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a中一個源極電極起作用，在晶體管12b中也是一個源極電極起作用)。如果通過C處的切斷能夠消除(如果是在a2短路)，則修正后，雖然第二晶體管12b能夠發(fā)揮功能，但第一晶體管12a變得不起作用，因此，進(jìn)行漏極引出配線27a與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)。如果通過F處的切斷能夠消除(如果是在P2短路)，則修正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b均變得不起作用，因此，進(jìn)行漏極引出配線27a與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)，而且進(jìn)行漏極引出配線27b與第二保持電容配線延伸部18bx的連接(黑點(diǎn)化處理)(參照圖1)。另外，如果在以上的任一階段能夠消除，則不需要備用配線的連接。在通過F處的切斷不能夠消除(在Y或S短路)的情況下，進(jìn)行G和N處的切斷，因此需要如上所述進(jìn)行備用配線的連接。而且，因?yàn)榈谝痪w管和第二晶體管12a、 12b均變得不起作用，所以進(jìn)行漏極引出配線27a與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)，而且進(jìn)行漏極引出配線27b與第二保持電容配線延伸部18bx的連接(黑點(diǎn)化處理)(參照圖1)。
圖8是以截面圖說明在圖7的A處切斷的狀態(tài)。如該圖所示，修正工序中的切斷(破壞分離)通過從有源矩陣基板的表面照射激光而進(jìn)行。使用的激光并無特別限定，例如能夠使用YAG (釔鋁石榴石)激光，作為使用的波長能夠舉出YAG激光的第四高頻波(波長266nm)等。
另外，作為檢測有源矩陣基板的SG泄漏的方法，例如能夠使用根據(jù)電場強(qiáng)度使光透過率變化的調(diào)制器。在該調(diào)制器的一個面上形成有透明電極，在另一個面上形成有光反射面。此處，在調(diào)制器的光反射面?zhèn)仍O(shè)置有源矩陣基板，在有源矩陣基板與調(diào)制器的透明電極之間產(chǎn)生電場，從調(diào)制器的透明電極側(cè)向調(diào)制器內(nèi)部照射光。于是，透過調(diào)制器內(nèi)部并被其反射面反射的光被CCD (電荷耦合元件)攝像機(jī)接受，基于該反射光的強(qiáng)度，確定短路位置(SG泄漏位置)。在發(fā)生SG泄漏的情況下，將短路的掃描信號線上的像素區(qū)域、和包括與短路的數(shù)據(jù)信號線連接的晶體管的像素區(qū)域識別為十字線缺陷，因此，通過在顯微鏡下確認(rèn)十字線的交點(diǎn)，能夠檢測出短路坐標(biāo)位置(SG泄漏位置)(參照圖12)。
此外，也可以通過利用圖案識別的外觀檢査檢測出SG泄漏。艮P，在相鄰的像素區(qū)域間比較反射光的圖案，基于其比較結(jié)果檢測出SG泄漏位置。
另外，有源矩陣基板3a為下述結(jié)構(gòu)，在第一掃描電極部16a上形成漏極電極8a，夾著它的兩個源極電極9ax、 9ay分別以跨第一掃描電極的邊緣的方式配置。S卩，源極電極9ax與開口部29和第一掃描電極部16a重合，源極電極9ay與第一掃描電極部16a和第一掃描電極部16a的外部區(qū)域重合。由此，即使漏極電極8a和源極電極9ax、 9ay的排列相對于掃描信號線16在列方向上存在偏移，第一掃描電極部16a與源極電極9ax、 9ay的重合面積的和也不會變。例如，如果由于排列錯位使得第一掃描電極部16a和源極電極9ax的重合增加，則第一掃描電極部16a與第一源極電極9ay的重合減少。g卩，能夠大幅抑制由
27于排列錯位引起的第一掃描電極部16a和源極電極9ax、 9ay間的寄生電容的變動。第二掃描電極部16b和源極電極9bx、 9by的關(guān)系也是同樣。這樣，根據(jù)有源矩陣基板3a，能夠抑制由于在光刻工序的每個曝光區(qū)域中上述寄生電容產(chǎn)生偏差而導(dǎo)致的顯示品質(zhì)的下降。
以下，說明有源矩陣基板的制造方法的一個例子。
首先，在玻璃、塑料等透明絕緣性基板上，例如通過濺射法等方法以1Q00A 3000A的膜厚形成鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等金屬膜或它們的合金膜或它們的疊層膜，將其通過光蝕刻法圖案化為需要的形狀，從而形成掃描信號線(作為各晶體管的柵極電極起作用)、各保持電容配線、保持電容配線延伸部。另外，在本有源矩陣基板中，在掃描信號線形成開口部(從而在開口部的兩側(cè)形成兩個掃描電極部)，在各掃描電極部形成變細(xì)部。
接著，通過等離子體CVD (化學(xué)氣相生長)法等連接形成作為柵極絕緣膜的氮化硅膜(SiNx)、由非晶硅、多晶硅等構(gòu)成的高電阻半導(dǎo)體層、和n+非晶硅等的低電阻半導(dǎo)體層，通過光蝕刻法進(jìn)行圖案化。另外，作為柵極絕緣膜的氮化硅膜例如膜厚為3000A 5000A左右，作為高電阻半導(dǎo)體層的非晶硅膜例如膜厚為1000A 3000A左右，作為低電阻半導(dǎo)體層的n+非晶硅膜例如膜厚為400A 700A左右。
接著，通過濺射法等方法以1000A 3000A的膜厚形成鈦、鉻、鋁、鉬、鉭、鎢、銅等金屬膜或它們的合金膜或它們的疊層膜，通過光蝕刻法圖案化為需要的形狀，從而形成數(shù)據(jù)信號線、源極電極、漏極電極、源極延伸電極和漏極引出配線。在本有源矩陣基板中，將夾著掃描電極部的兩個源極延伸電極以使其一方位于(掃描信號線的)開口部上，使另一方位于掃描信號線的外部區(qū)域上的方式形成。
接著，對非晶硅膜等的高電阻半導(dǎo)體層(i層)、n+非晶硅膜等的低電阻半導(dǎo)體層(n+層)，以數(shù)據(jù)信號線、源極電極、漏極電極、源極延伸電極和漏極引出電極的圖案為掩模，通過干蝕刻進(jìn)行溝道蝕刻。通過該工藝使i層的膜厚最佳化，形成各晶體管(溝道區(qū)域)。此處，沒有被數(shù)據(jù)信號線、源極電極、漏極電極、和漏極引出電極覆蓋的半導(dǎo)體層被蝕刻除去，保留實(shí)現(xiàn)各晶體管的能力所必需的i層膜厚。
接著，作為層間絕緣膜，將感光性丙烯酸樹脂膜或氮化硅、氧化硅等無機(jī)絕緣膜，或它們的疊層膜等，以覆蓋各晶體管(溝道區(qū)域)、掃描信號線、數(shù)據(jù)信號線、源極電極、漏極電極、和漏極引出配線的
方式形成。此處，能夠使用通過等離子體CVD法等成膜的膜厚為2000A 5000A左右的氮化硅膜、通過旋涂法形成的膜厚為20000A 40000A的感光性丙烯酸樹脂膜或它們的疊層膜。在本有源矩陣基板中，作為層間絕緣膜(圖4 6的層間絕緣膜25、鈍化膜)形成氮化硅膜。另外，作為層間絕緣膜，能夠使用聚酰亞胺樹脂膜、不具有感光性的樹脂膜、或旋涂玻璃(SOG)膜等。
接著，基于接觸孔的位置，蝕刻層間絕緣膜形成孔。此處，例如通過光刻法(曝光和顯影)使感光性抗蝕劑圖案化，進(jìn)行蝕刻。
接著，在層間絕緣膜上，通過濺射法等以1000A 2000A左右的膜厚形成例如ITO (銦錫氧化物)、IZO、氧化鋅、氧化錫等具有透明性的導(dǎo)電膜，將其通過光蝕刻法等圖案化為需要的形狀，從而形成各像素電極。另外，在使用于MVA方式的液晶面板中的有源矩陣基板中，各像素電極形成為包括狹縫等的形狀。
然后，通過噴墨法等涂敷取向膜。通過以上過程形成有源矩陣基板。
進(jìn)一步，短路位置(SG泄漏)的檢測及其修正工序，在該檢測中使用上述調(diào)制器的情況下，至少在形成各像素電極之后進(jìn)行，但在該檢測中使用圖案識別的情況下，能夠在數(shù)據(jù)信號線形成后、溝道蝕刻后進(jìn)行。
接著，說明在有源矩陣基板與作為對置基板的彩色濾光片基板之間封入液晶的方法等。
關(guān)于液晶的封入方法，能夠使用在熱固化型密封樹脂中設(shè)置用于液晶注入的注入口，在真空下將注入口浸入液晶中，通過進(jìn)行大氣開放而注入液晶，之后由UV固化樹脂等封住注入口的方法(真空注入法)。此外，也可以如以下所述以液晶滴下貼合法進(jìn)行。
在有源矩陣基板側(cè)的周圍，涂敷含有玻璃纖維等的間隔物的uv固化型密封樹脂，使用液晶滴下法在彩色濾光片基板側(cè)進(jìn)行液晶的滴下。通過液晶滴下法能夠?qū)⒆罴训囊壕Я恳?guī)則地滴下至密封的內(nèi)側(cè)部分。該滴下量根據(jù)單元間隙值和單元內(nèi)應(yīng)該填充液晶的容積值而決定。接著，為了使如上所述進(jìn)行了密封描繪和液晶滴下的彩色濾光片
基板和有源矩陣基板貼合，使貼合裝置內(nèi)的氣氛減壓至1Pa，在該減壓 狀態(tài)下進(jìn)行兩基板的貼合。這樣，通過使氣氛為大氣壓，密封部分被 壓潰。
接著，通過UV固化裝置進(jìn)行UV照射，進(jìn)行密封樹脂的臨時固 化。然后，為了進(jìn)行密封樹脂的最終固化而進(jìn)行烘培。在該時刻液晶 遍布密封樹脂的內(nèi)側(cè)，成為液晶填充在單元內(nèi)的狀態(tài)。
另外，在彩色濾光片基板上，形成有與有源矩陣基板的各像素對 應(yīng)配置為矩陣狀的著色層(R、 G、 B)、設(shè)置在各著色層的間隙的黑矩 陣、對置電極(共用電極)等，通過將這樣的彩色濾光片基板與本有 源矩陣基板貼合，如上所述進(jìn)行液晶的注入、密封，形成本液晶面板。
圖9是表示具有圖1 (圖3)的有源矩陣基板的本液晶面板的一個 例子的截面圖(包括圖3的虛線R的截面圖)。其中，有源矩陣基板 3a如圖6所說明的那樣。如圖9所示，在本液晶面板的彩色濾光片基 板35中，在基板31上形成有黑矩陣(BM) 13，在其上層形成有共用 電極(對置電極)28，共用電極28被取向膜19覆蓋。而且，在該彩 色濾光片基板35與有源矩陣基板3a之間形成有液晶層40。
SG泄漏的檢測和修正工序，可以如上所述在有源矩陣基板的制造 工序中進(jìn)行，但也能夠在成為液晶面板之后進(jìn)行。在該情況下，在液 晶面板兩面均配置偏光板，并且對液晶面板供給規(guī)定的電信號，通過 從液晶面板背面的光照射而顯示規(guī)定圖像。在發(fā)生SG泄漏的情況下， 短路的掃描信號線上的像素區(qū)域、和包含與短路的數(shù)據(jù)信號線連接的 晶體管的像素區(qū)域被識別為十字線缺陷，因此在如上所述使液晶面板 進(jìn)行顯示的狀態(tài)下，利用顯微鏡能夠從有源矩陣基板側(cè)確認(rèn)十字線的 交點(diǎn)，從而能夠檢測出短路坐標(biāo)位置(SG泄漏位置)(參照圖12)。檢 測后的修正內(nèi)容與上述的有源矩陣基板的修正工序相同。
圖10以截面圖說明圖9所示的液晶面板中的源極延伸電極10ay 的切斷。如該圖所示，電極切斷(破壞分離)通過從液晶面板的背面 照射激光而進(jìn)行。
如上所述，SG泄漏(短路)的檢測和短路修正工序在有源矩陣基 板的階段或液晶面板的階段進(jìn)行即可，但也可以在有源矩陣基板的階段和液晶面板的階段這兩者中均進(jìn)行。這樣，能夠以更高的準(zhǔn)確率防 止含有缺陷的不良品被送至后面工序(例如后述的液晶顯示單元、電 視接收機(jī)的制造工序等)的情況。
也可以使圖1的有源矩陣基板3a如下所述地進(jìn)行變形。BP，對第 一掃描電極部16a的像素區(qū)域外的端部EP1和第二掃描電極部16b的 像素區(qū)域外的端部EP2分別進(jìn)行切入，使該部分變細(xì)，容易切斷。具 有該結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板3b表示于圖13,以下說明本有源矩陣基板 3b中的SG泄漏修正方法。圖14是圖13中第一晶體管和第二晶體管 12a、 12b附近的放大圖。而且，使供給至數(shù)據(jù)信號線15的信號電位的 朝向?yàn)閳D中從上向下(箭頭的朝向)。能夠發(fā)生SG泄漏的位置(al、 a2、 Pl、 P2、 Y、 5)如圖7所說明的那樣。
修正工序中的配線或電極的切斷，在圖14的A、 C、 D、 F、 G、 K、 N、 B和S、 E和T中的至少一個位置進(jìn)行。其中，B是第一掃描電極 部16a的變細(xì)部Wa的部分，E是第二掃描電極部16b的變細(xì)部Wb的 部分，S是第一掃描電極部16a的端部EPl的部分，T是第二掃描電極 部16b的端部EP2的部分。其它位置(A、 C、 D、 F、 G、 K、 N)如 圖7所述。
此處，在通過檢查工序能夠確定短路位置為a 1、 a 2、 Pl、 P2、 Y、 S中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。即，如果在 a 1發(fā)生短路則進(jìn)行A處的切斷，如果在a 2發(fā)生短路則進(jìn)行C處的
切斷，如果在e i發(fā)生短路則進(jìn)行d處的切斷，如果在e 2發(fā)生短路則
進(jìn)行F處的切斷，如果在Y發(fā)生短路，則進(jìn)行S和B處的切斷，如果 在S發(fā)生短路，則進(jìn)行T和E處的切斷。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在al、 a 2、 3 1、 中的某一個發(fā)生短路的情況下，在修正后，第一晶體管和第 二晶體管12a、 12b也分別能夠發(fā)揮功能(在發(fā)生短路的晶體管中起作 用的源極電極成為l個)，且在修正工序中不需要備用配線的連接。此 外，在Y、 6中的某一個發(fā)生短路的情況下，在修正后，第一晶體管 和第二晶體管12a、 12b也分別能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a、 12b中 分別是兩個源極電極起作用)，且在修正工序中不需要備用配線的連 接。
31此外，在包括K處的切斷的通過檢查工序能夠確定短路位置位于 第一掃描電極部側(cè)(al、 a2、 Y中的任一個)、或短路位置位于第二 掃描電極部側(cè)(0 1、 P2、 6中的任一個)的情況下，進(jìn)行以下的修 正工序即可。
例如，如果在第一掃描電極部側(cè)發(fā)生短路，則首先進(jìn)行S和B處 的切斷，如果這樣還不能夠消除SG泄漏則進(jìn)行A處的切斷，如果這 樣還不能夠消除則進(jìn)行C處的切斷。另外，無論是在哪個階段(S和B、 A、 C處的切斷)被消除，均需要備用配線的連接。在該情況下，如果 通過S和B處的切斷能夠消除(如果是在Y短路)，則修正后，第一晶 體管和第二晶體管12a能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a中兩個源極電極 起作用)。如果通過A處的切斷能夠消除(如果是在al短路)，則修 正后，第一晶體管和第二晶體管12a能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a中 一個源極電極起作用)。另一方面，在通過A處的切斷不能夠消除(在 a2短路)的情況下，因?yàn)檫M(jìn)行C處的切斷，所以第一晶體管12a變得 不起作用(第二晶體管12b起作用)。由此，進(jìn)行漏極引出配線27a與 第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)(參照圖13)。
此外，在完全無法確定短路位置為a 1、 a2、 3 1、 P2、 Y、 S 中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。首先，進(jìn)行S和B 處的切斷，如果仍無法消除SG泄漏則進(jìn)行A處的切斷，如果仍無法 消除則進(jìn)行D處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行C處的切斷，如果還 無法消除則進(jìn)行F處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行G和N (或K和 N)處的切斷，并且使備用配線與數(shù)據(jù)信號線15中比N更靠下游側(cè)的 部分連接。
在該情況下，如果通過S和B處的切斷能夠消除SG泄漏(如果 是在Y短路)，則修正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b分別能 夠發(fā)揮功能(在晶體管12a、 12b中分別是兩個源極電極起作用)。如 果通過A處的切斷能夠消除(如果是在al短路)，則修正后，第一晶 體管和第二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a中一個 源極電極起作用，在晶體管12b中兩個源極電極起作用)。如果通過D 處的切斷能夠消除(如果是在ei短路)，則修正后，第一晶體管和第 二晶體管12a、 12b分別能夠發(fā)揮功能(在晶體管12a中一個源極電極起作用，在晶體管12b中也是一個源極電極起作用)。如果通過C處的 切斷能夠消除(如果是在a2短路)，則修正后，雖然第二晶體管12b 能夠發(fā)揮功能，但第一晶體管12a變得不起作用，因此，進(jìn)行漏極引 出配線27a與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)(參 照圖13)。如果通過F處的切斷能夠消除(如果是在P2短路)，則修 正后，第一晶體管和第二晶體管12a、 12b均變得不起作用，因此，進(jìn) 行漏極引出配線27a與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化 處理)，而且進(jìn)行漏極引出配線27b與第二保持電容配線延伸部18bx 的連接(黑點(diǎn)化處理)(參照圖13)。另外，如果在以上的任一階段能 夠消除，則不需要備用配線的連接。另一方面，在通過F處的切斷不 能夠消除(在S短路)的情況下，進(jìn)行G和N(或K和N)處的切斷， 因此需要如上所述進(jìn)行備用配線的連接。而且，因?yàn)榈谝痪w管和第 二晶體管12a、 12b均變得不起作用，所以需要進(jìn)行漏極引出配線27a 與第一保持電容配線延伸部18ax的連接(黑點(diǎn)化處理)，而且進(jìn)行漏 極引出配線27b與第二保持電容配線延伸部18bx的連接(黑點(diǎn)化處 理)。另外，也可以進(jìn)行T和E處的切斷以代替S和B處的切斷。
在本有源矩陣基板3b中，在數(shù)據(jù)信號線15下發(fā)生短路的情況下， 能夠?qū)⒁讯搪返膾呙桦姌O部從掃描信號線16主體切離，具有能夠使不 連接備用配線即可完成修正的情況增加的效果。此外，在本有源矩陣 基板3b中，能夠?qū)⒂糜谑乖礃O延伸電極的切斷容易進(jìn)行的變細(xì)部Wa、 Wb用于掃描信號線16 (掃描電極部16a、 16b)的切斷用，因此能夠 不用另外形成掃描信號線的切斷用的變細(xì)部，對于掃描信號線的低電 阻化、開口率的提高是有利的。 [實(shí)施方式3]
也可以使圖1的有源矩陣基板3a如下所述地進(jìn)行變形。S卩，使位 于第一晶體管的開口部29側(cè)的源極電極9ax、和位于第二晶體管的開 口部29側(cè)的源極電極9bx —體化，使其為共用源極電極9z。
具有該結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板3c表示于圖15。如該圖所示，第一晶 體管和第二晶體管12a、 12b具有共用源極電極9z,共用源極電極9z 以與第一掃描電極部和第二掃描電極部16a、 16b以及開口部29重合 的方式配置，并且通過形成在開口部29上的源極延伸電極10z (共用
33的源極延伸電極)與數(shù)據(jù)信號線15連接。另外，漏極電極8a設(shè)置在 第一掃描電極部16a上，源極電極9ay以與共用源極電極9z —同夾著 漏極電極8a的方式設(shè)置，源極電極9ay通過夾著第一掃描電極部16a 形成在源極延伸電極10z的相反側(cè)的源極延伸電極10ay與數(shù)據(jù)信號線 15連接。此外，漏極電極8b設(shè)置在第二掃描電極部16b上，源極電極 9by以與共用源極電極9z —同夾著漏極電極8b的方式設(shè)置，源極電極 9by通過夾著第二掃描電極部16b形成在源極延伸電極10z的相反側(cè)的 源極延伸電極10ay與數(shù)據(jù)信號線15連接。
以下說明本有源矩陣基板3c中的SG泄漏修正方法。圖16是圖 15中第一晶體管和第二晶體管12a、2b附近的放大圖。而且，使供給 至數(shù)據(jù)信號線15的信號電位的朝向?yàn)閳D中從上向下(箭頭的朝向)。 SG泄漏是由于該圖的X標(biāo)記的六個位置(a 1、 a2'、 P l'、 P2、 Y、 S )中的至少一個的短路所引起的。其中，在ci2'處發(fā)生第一掃描電極 部16a與源極電極9z的短路，在P l'處發(fā)生第二掃描電極部16b與源 極電極9z的短路。其它如圖7所說明的那樣。另一方面，修正工序中 的配線或電極的切斷，在圖16的A、 I、 F、 G、 H、 J'、 L'、 M和N中 的至少一個位置進(jìn)行。其中，I是源極延伸電極10z中被變細(xì)部Wa和 變細(xì)部Wb夾著的部分，J'是數(shù)據(jù)信號線15中被源極延伸電極10z的 根部和上側(cè)的交叉部(數(shù)據(jù)信號線15和第一掃描電極部16a的交叉部) 夾著的部分，L'是數(shù)據(jù)信號線15中被源極延伸電極10z的根部和下側(cè) 的交叉部(數(shù)據(jù)信號線15和第二掃描電極部16b的交叉部)夾著的部 分。其它的位置(A、 F、 G、 H、 M、 N)如圖7所說明的那樣。
此外，在通過檢查工序能夠確定短路位置為a 1、 a2'、 Pl'、 02、 Y、 S中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。即，如果在 a 1發(fā)生短路則進(jìn)行A處的切斷，如果在a 2'發(fā)生短路則進(jìn)行I處的切
斷，如果在er發(fā)生短路則進(jìn)行i處的切斷，如果在e2發(fā)生短路則進(jìn)
行F處的切斷，如果在Y發(fā)生短路，則進(jìn)行H和J'處的切斷，并且使 備用配線與數(shù)據(jù)信號線15中比J'更靠下游側(cè)的部分連接，如果在S發(fā) 生短路，則進(jìn)行L'和M處的切斷，并且使備用配線與數(shù)據(jù)信號線15 中比M更靠下游側(cè)的部分連接。
此外，在完全無法確定短路位置為a 1、 a2'、 Pl'、 02、 Y、 S中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。首先，進(jìn)行A處的 切斷，如果仍無法消除SG泄漏則進(jìn)行F處的切斷，如果仍無法消除則 進(jìn)行I處的切斷。如果在以上的任一階段中能夠消除則不需要備用配線 的連接。如果通過I處的切斷還無法消除則進(jìn)行G和N處的切斷，并 且使備用配線與數(shù)據(jù)信號線15中比N更靠下游側(cè)的部分連接。另外，在有源矩陣基板3c中，能夠使得在幵口部29上不用分離 源極電極，因此能夠縮小開口部29的列方向(圖中上下方向)的長度。 因此，能夠縮小掃描信號線16的寬度，能夠提高像素開口率。對于這 點(diǎn)進(jìn)行補(bǔ)充說明。源極電極的形成通常是通過以下方式進(jìn)行，即，通 過光刻工序涂敷抗蝕劑，曝光、顯影而進(jìn)行圖案化，并以該圖案作為 掩模進(jìn)行蝕刻，但在開口部29的列方向(圖中上下方向)的長度較小 的情況下，開口部上的抗蝕劑的表面位置跟隨(開口部兩側(cè)的)各掃 描電極部上的抗蝕劑的表面位置，開口部上的抗蝕劑膜厚形成得比各 掃描電極部上的抗蝕劑膜厚更厚。由此，如果為分離各晶體管的源極 電極而與開口部上的抗蝕劑深度相配合地設(shè)定曝光量，則各電極的邊 緣后退，溝道長度變大。這樣，在開口部上使從數(shù)據(jù)信號線引出的電 極分離的結(jié)構(gòu)中，為了使開口部上的抗蝕劑的表面位置不跟隨各掃描 電極部上的抗蝕劑的表面位置，而不得不使開口部29的列方向(圖中 上下方向)的長度變大，像素區(qū)域內(nèi)的掃描信號線16的寬度變大。但 是，在有源矩陣基板3c中，在開口部上不分離從數(shù)據(jù)信號線引出的源 極電極(設(shè)置共用源極電極)，因此能夠消除這樣的問題。進(jìn)一步，在有源矩陣基板3c中，在第一掃描電極部16a上形成有 漏極電極8a，夾著它的源極電極9z、 9ay (9z是共用的源極電極)分 別以跨第一掃描電極的邊緣的方式配置。即，共用的源極電極9z與開 口部29和第一掃描電極部16a重合，源極電極9ay與第一掃描電極部 16a和第一掃描電極部16a的外部區(qū)域重合。由此，即使漏極電極8a 和源極電極9z、9ay的排列相對于掃描信號線16在列方向上存在偏移， 第一掃描電極部16a與源極電極9z、9ay的重合面積的和也不會變。即， 能夠大幅抑制由于排列錯位引起的第一掃描電極部16a和源極電極9z、 9ay間的寄生電容的變動。第二掃描電極部16b和源極電極9z、 9by的 關(guān)系也是同樣。這樣，根據(jù)有源矩陣基板3c，也能夠抑制由于在光刻工序的每個曝光區(qū)域中上述寄生電容產(chǎn)生偏差而導(dǎo)致的顯示品質(zhì)的下 降。
此外，在有源矩陣基板3c中，因?yàn)樵诘谝粧呙桦姌O部16a形成變 細(xì)部Wa，所以開口部29的與位于源極延伸電極10z的兩側(cè)的區(qū)域的 一方(圖中上側(cè))重合的部分的至少一部分在列方向上凸出，因?yàn)樵?第二掃描電極部16b形成變細(xì)部Wb,所以開口部29的與上述區(qū)域的 另一方(圖中上側(cè))重合的部分的至少一部分在列方向上凸出，但是， 例如也可以采用下述結(jié)構(gòu)如果開口部29的列方向的寬度為能夠切斷 源極延伸電極10z的大小，則也能夠不在開口部29形成凸出，而相應(yīng) 地使第一掃描電極部和第二掃描電極部16a、16b的列方向的寬度變大。 [實(shí)施方式4]
此外，在圖15的有源矩陣基板3c中，也可以對第一掃描電極部 16a的像素區(qū)域外的端部EP1和第二掃描電極部16b的像素區(qū)域外的端 部EP2分別進(jìn)行切入，使該部分變細(xì)，容易切斷。具有該結(jié)構(gòu)的有源 矩陣基板3d表示于圖17，以下說明該結(jié)構(gòu)中的SG泄漏修正方法。圖 18是圖17中第一晶體管和第二晶體管12a、 12b附近的放大圖。而且， 使供給至數(shù)據(jù)信號線15的信號電位的朝向?yàn)閳D中從上向下(箭頭的朝 向)。發(fā)生SG泄漏的位置(cil、 a 2，、 Pr、 P2、 Y、 S)如圖16 所說明的那樣。此外，修正工序中的配線或電極的切斷，在圖18的A、 I、 F、 G、 L'、 N、 B禾卩S、 E和T中的至少一個位置進(jìn)行。各位置的 說明如圖16、圖14所說明的那樣。
此外，在通過檢查工序能夠確定短路位置為al、 ci2'、 M'、 P2、 Y、 6中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。g卩，如果在 a 1發(fā)生短路則進(jìn)行A處的切斷，如果在a 2'發(fā)生短路則進(jìn)行I處的切
斷，如果在er發(fā)生短路則進(jìn)行i處的切斷，如果在P2發(fā)生短路則進(jìn)
行F處的切斷，如果在Y發(fā)生短路，則進(jìn)行S和B處的切斷，如果在 S發(fā)生短路，則進(jìn)行T和E處的切斷。在任一情況下，在修正工序中
均不需要備用配線的連接。
此外，在完全無法確定短路位置為al、 a 2，、 ei'、 P2、 Y、 S 中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。首先，進(jìn)行S和B 處的切斷，如果仍無法消除SG泄漏則進(jìn)行A處的切斷，如果仍無法
36消除則進(jìn)行F處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行I處的切斷。如果在 以上的任一階段能夠消除則不需要備用配線的連接。如果通過I處的切 斷還無法消除則進(jìn)行G和N (或L'和N)處的切斷，并且使備用配線 與數(shù)據(jù)信號線15中比N更靠下游側(cè)的部分連接。
在本有源矩陣基板3d中，在數(shù)據(jù)信號線15下發(fā)生短路的情況下， 能夠?qū)⒓憾搪返膾呙桦姌O部從掃描信號線16主體切離，具有能夠使不 連接備用配線即可完成修正的情況增加的效果。此外，在本有源矩陣 基板3d中，能夠?qū)⒂糜谑乖礃O延伸電極的切斷容易進(jìn)行的變細(xì)部用于 掃描信號線16 (掃描電極部16a、 16b)的切斷用，因此能夠不用另外 形成掃描信號線的切斷用的變細(xì)部，對于掃描信號線的低電阻化、開 口率的提高是有利的。 [實(shí)施方式5]
此外，在圖1的有源矩陣基板3a中，也可以沿著數(shù)據(jù)信號線15 設(shè)置副配線15x，使數(shù)據(jù)信號線15和副配線在幵口部29上連接。在圖 19中表示該結(jié)構(gòu)，以下說明該結(jié)構(gòu)中的SG泄漏修正方法。圖20是圖 19中第一晶體管和第二晶體管12a、 12b附近的放大圖。而且，使供給 至數(shù)據(jù)信號線15的信號電位的朝向?yàn)閳D中從上向下(箭頭的朝向)。 發(fā)生SG泄漏的位置(a 1、 a 2、 P 1、 P2、 Y、 6)如圖7所說明的 那樣。此外，修正工序中的配線或電極的切斷，在圖20的A、 C、 D、 F、 G、 H、 J、 L、 M和N中的至少一個位置進(jìn)行。各位置的說明如圖 7所說明的那樣。
此處，在通過檢查工序能夠確定短路位置為a 1、 a2、 Pl、 P2、 Y、 S中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。即，如果在 a 1發(fā)生短路則進(jìn)行A處的切斷，如果在a 2發(fā)生短路則進(jìn)行C處的 切斷，如果在P1發(fā)生短路則進(jìn)行D處的切斷，如果在P2發(fā)生短路則 進(jìn)行F處的切斷，如果在Y發(fā)生短路，則進(jìn)行H和J處的切斷，如果 在S發(fā)生短路，則進(jìn)行L和M處的切斷。在任一情況下均不需要備用 配線的連接。另外，在Y短路的情況下也可以進(jìn)行G和J處的切斷。 同樣地，在5短路的情況下也可以進(jìn)行L和N的切斷。
此外，在完全無法確定短路位置為a 1、 a2、 Pl、 3 2、 Y、 6 中的哪一個的情況下，進(jìn)行以下的修正工序即可。首先，進(jìn)行H和J處的切斷，如果仍無法消除SG泄漏則進(jìn)行L和M處的切斷，如果仍 無法消除則進(jìn)行A處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行D處的切斷，如 果還無法消除則進(jìn)行C處的切斷，如果還無法消除則進(jìn)行F處的切斷。 在任一階段(H和J、 L和M、 A、 D、 C、 F處的切斷)消除均不需要 備用配線的連接。
另外，能夠如圖21所示使圖20的有源矩陣基板變形。gp，代替 圖20的副配線15s，以跨第一、二掃描電極部16a、 16b以及開口部29 的方式設(shè)置旁通配線15v，使該旁通配線15v與源極延伸電極10ay和 數(shù)據(jù)信號線15的連結(jié)部附近、數(shù)據(jù)信號線15的開口部29上的部分、 源極延伸電極10ay和數(shù)據(jù)信號線15的連結(jié)部附近連接。另外，該結(jié) 構(gòu)的修正方法與圖20的結(jié)構(gòu)相同。 [實(shí)施方式6]
在上述各有源矩陣基板中，也可以使形成在第一晶體管和第二晶 體管的上層的層間絕緣膜為多層構(gòu)造。例如，由無機(jī)層間絕緣膜和比 該無機(jī)層間絕緣膜厚的有機(jī)層間絕緣膜構(gòu)成該層間絕緣膜。這樣，在 液晶面板階段從背面照射激光切斷源極延伸電極、掃描信號線時，能 夠由厚層間絕緣膜防止金屬(源極金屬、柵極金屬)的巻起。特別是 在為了實(shí)現(xiàn)低電阻化而將掃描信號線16形成得較厚但還能夠切斷掃描 信號線的結(jié)構(gòu)中非常有效，能夠降低修正時產(chǎn)生G-C短路(掃描信號 線和CF共用電極的短路)的可能性。
圖22是表示在有源矩陣基板3b中使形成在第一晶體管和第二晶 體管的上層的層間絕緣膜為多層構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的截面圖(包含掃描信號 線16的各變細(xì)部Wa、 Wb和第一像素電極17a的截面圖)。如該圖所 示，在基板30上形成第一掃描電極部16a (掃描信號線16),在其上 層形成柵極絕緣膜23。在柵極絕緣膜23的上層形成源極延伸電極10ay 和源極延伸電極10ax。在源極延伸電極10ay、 10ax的上層形成無機(jī)層 間絕緣膜25，在層間絕緣膜25上形成膜厚比它厚的有機(jī)層間絕緣膜 26，在該有機(jī)層間絕緣膜26上形成第一電極17a。圖23是說明在具有 該有源矩陣基板的液晶面板中，切斷掃描信號線16的狀態(tài)的截面圖。 根據(jù)該圖可知，修正時難以產(chǎn)生G-C短路(掃描電極部16a和共用電 極28的短路)。另外，在彩色濾光片基板上，以與第一像素電極17a
38重合的方式設(shè)置有著色層14 (R、 G、 B)。
另外，在圖22這樣形成有厚層間絕緣膜26(有機(jī)層間絕緣膜)的 有源矩陣基板中，各像素電極與各種配線、電極的寄生電容變小。于 是，如圖24所示，能夠擴(kuò)展第一像素電極和第二像素電極17a、 17b， 使其與數(shù)據(jù)信號線15、掃描信號線16重合。由此能夠?qū)崿F(xiàn)高開口率的 液晶面板。
此外，在圖13、圖17所示的有源矩陣基板中，也可以使掃描信號 線的切斷位置上的柵極絕緣膜厚于其它位置。例如，使掃描信號線的 切斷位置上的柵極絕緣膜為無機(jī)柵極絕緣膜和比其厚的柵極絕緣膜
(例如由有機(jī)絕緣膜、玻璃基硅材料構(gòu)成的平坦化膜)的多層構(gòu)造。 這樣，在液晶面板階段從背面照射激光切斷源極延伸電極、掃描信號 線的情況下，能夠以厚柵極絕緣膜防止金屬(源極金屬、柵極金屬) 的巻起。特別是在為了實(shí)現(xiàn)低電阻化而將掃描信號線16形成得較厚但 還能夠切斷掃描信號線的結(jié)構(gòu)中非常有效，能夠降低修正時產(chǎn)生G-C 短路(掃描信號線和CF共用電極的短路)的可能性。圖25是表示在 有源矩陣基板3b中使掃描信號線16的切斷位置上的柵極絕緣膜為無 機(jī)柵極絕緣膜和比其厚的柵極絕緣膜的多層構(gòu)造的結(jié)構(gòu)的截面圖(包 含掃描信號線16的各變細(xì)部Wa、 Wb和第一像素電極17a的截面圖)。 如該圖所示，在基板30上形成第一掃描電極部16a (掃描信號線16)， 在其上層形成無機(jī)柵極絕緣膜21和比其厚的柵極絕緣膜22 (例如由 SOG材料構(gòu)成的平坦化膜)。在該柵極絕緣膜22的上層形成源極延伸 電極10ay和源極延伸電極10ax。 [實(shí)施方式7]
另外，在上述各實(shí)施方式中，為了容易切斷源極延伸電極，在各 掃描電極部設(shè)置變細(xì)部，為了容易切斷各掃描電極部，在其端部設(shè)置 切入部，但本有源矩陣基板并不限定于這樣的結(jié)構(gòu)。例如，也可以采 用在各掃描電極部既不設(shè)置變細(xì)部也不設(shè)置切入部的結(jié)構(gòu)。在圖26中 表示具有該結(jié)構(gòu)的有源矩陣基板3x，在圖27中表示圖26的第一晶體 管和第二晶體管12a、 12b附近的放大圖。在有源矩陣基板3x和具有 它的液晶面板的修正中，根據(jù)各種條件(例如有源矩陣基板、液晶面 板的具體的構(gòu)造、激光的精度、要求的品質(zhì)、成本等)，以適當(dāng)?shù)捻樞蚯袛鄨D27的A H、 J N、 S T中的適當(dāng)位置即可。
此外，上述各實(shí)施方式所示的切斷位置及其順序均只是一個例子。
如上所述，能夠根據(jù)有源矩陣基板或液晶面板的具體的構(gòu)造、要求的
品質(zhì)、激光的精度、成本等進(jìn)行適當(dāng)變更。
此外，在上述有源矩陣基板中，各保持電容并不限于由像素電極、
保持電容配線、和它們間的絕緣膜形成。例如，也可以在保持電容配
線上設(shè)置與各晶體管的漏極電極和像素電極連接的保持電容上電極，
由該保持電容上電極、保持電容配線和它們之間的絕緣膜形成各保持電容。
另外，在以上的說明中，令掃描信號線16的延伸方向?yàn)樾蟹较颍?令數(shù)據(jù)信號線15的延伸方向?yàn)榱蟹较?，但這只是為了方便說明?？梢?認(rèn)為，掃描信號線16在橫方向上延伸的有源矩陣基板中，橫方向=行 方向，掃描信號線16在縱方向上延伸的有源矩陣基板中，縱方向=行 方向。例如，在能夠使畫面旋轉(zhuǎn)90°的液晶顯示裝置中，在旋轉(zhuǎn)角為 0°的情況和90。的情況下，也能夠與上述情況同樣地進(jìn)行考慮。
在本實(shí)施方式中，如以下所述，構(gòu)成本液晶顯示單元和液晶顯示 裝置。
艮P,如圖29所示，在液晶面板的兩面，將兩塊偏光板A、 B，以 偏光板A的偏光軸和偏光板B的偏光軸相互正交的方式粘貼。另外， 根據(jù)需要，也可以在偏光板上疊層光學(xué)補(bǔ)償片等。另外，根據(jù)需要， 也可以在偏光板上疊層光學(xué)補(bǔ)償片等。接著，如圖28 (a)所示，連接 驅(qū)動器(柵極驅(qū)動器102、源極驅(qū)動器101)。此處，作為一個例子， 說明以TCP (TapeCareerPackage:載帶封裝)方式連接驅(qū)動器的情況。 首先，將ACF (AnisotoropiConduktiveFilm:各向異性導(dǎo)電膜)臨時壓 接在液晶面板的端子部。接著，從載帶沖壓出載置有驅(qū)動器的TCP, 與面板端子電極對準(zhǔn)，進(jìn)行加熱、正式壓接。之后，以ACF連接用于 連結(jié)驅(qū)動器TCP彼此之間的電路基板103(PWB: Printed wiring board) 和TCP的輸入端子，由此，完成液晶顯示單元100。
之后，如圖28 (b)所示，在液晶顯示單元的各驅(qū)動器(101、 102) 上，通過電路基板103連接顯示控制電路113，與照明裝置(背光源單 元)104—體化，從而成為液晶顯示裝置110。圖30是表示本液晶顯示裝置的各部的動作的時序圖。此處，Vg 是掃描信號線16的電壓、Vs是數(shù)據(jù)信號線15的電壓(源極電極)、 Vcsl是第一保持電容配線18a的電壓、Vcs2是第二保持電容配線18b 的電壓，Vlcl是第一像素電極17a的電壓、Vlc2是第二像素電極17b 的電壓。在液晶顯示裝置中，為了使得液晶不分極， 一般進(jìn)行幀反轉(zhuǎn)、 線反轉(zhuǎn)、點(diǎn)反轉(zhuǎn)這樣的交流驅(qū)動。BP,在第n幀對源極電壓的中央值 Vsc施加正極性的源極電壓(Vsp)，在接著的第(n+l)幀對Vsc施加 負(fù)極性的源極電壓(Vsn)，并且每幀進(jìn)行點(diǎn)反轉(zhuǎn)。此外，使第一保持 電容配線18a的電壓和第二保持電容配線18b的電壓分別以振幅電壓 Vad振蕩，并且使兩者的相位相差180度。BP,控制兩者，使得在T2 當(dāng)Vg成為"L"(各TFT12a、 12b斷開)之后，緊接著Vcsl成為"H"、 Vcs2成為"L"。
此外，如圖31所示，能夠使Vcs 1為在T2當(dāng)Vg成為"L "(各TFT 12a、 12b斷開)之后緊接著在T3成為并保持"High"狀態(tài)(或者成為并保 持"Low"狀態(tài))的波形，使Vcs2為在T3—個水平期間(1H)后的 T4成為并保持"Low"狀態(tài)(或者成為并保持"High"狀態(tài))的波形。 即，進(jìn)行電位控制，使得在各晶體管斷開之后，使Vcsl上升，在該幀 中維持該上升后的狀態(tài)，并且，在距Vcsl的上升1H期間后使Vcs2 下降，并在該幀中維持該下降后的狀態(tài)，或者，進(jìn)行電位控制，使得 在各晶體管斷開之后，使Vcsl下降，在該幀中維持該下降后的狀態(tài)， 并且，在距Vcsl的下降1H期間后使Vcs2上升，并在該幀中維持該上 升后的狀態(tài)。這樣，Vcsl和Vcs2的波形的鈍化(&法>9 )對漏極有效 電位造成的影響變小，對于亮度不均的減少是有效的。
接著，說明將本液晶顯示裝置應(yīng)用于電視接收機(jī)時的一個結(jié)構(gòu)例。 圖32是表示電視接收機(jī)用的液晶顯示裝置110的結(jié)構(gòu)的框圖。液晶顯 示裝置110包括液晶顯示單元100、 Y/C分離電路80、視頻色度電路 81、 A/D轉(zhuǎn)換器82、液晶控制器83、背光源驅(qū)動電路85、背光源86、 微機(jī)(微型計算機(jī))87、和灰度等級電路98。
上述液晶顯示單元100包括在上述各實(shí)施方式中所示的液晶面板、 和用于驅(qū)動它的源極驅(qū)動器和柵極驅(qū)動器。
在上述結(jié)構(gòu)的液晶顯示裝置110中，首先，作為電視信號的復(fù)合彩色視頻信號Scv從外部被輸入至Y/C分離電路80，在此被分離為亮 度信號與色信號。這些亮度信號和色信號通過視頻色度電路81變換為 與光的三原色對應(yīng)的模擬RGB信號，進(jìn)而，該模擬RGB信號通過A/D 轉(zhuǎn)換器82變換為數(shù)字RGB信號。該數(shù)字RGB信號被輸入至液晶控制 器83。此外，在Y/C分離電路80中，在從外部輸入的復(fù)合彩色視頻 信號Scv中取出水平和垂直同步信號，這些同步信號也通過微機(jī)87輸 入液晶控制器83。
數(shù)字RGB信號從液晶控制器83與基于上述同步信號的定時信號 一同以規(guī)定的定時輸入液晶顯示單元100。此外，在灰度等級電路98 中，生成彩色顯示的三原色R、 G、 B各自的灰度等級電壓，這些灰度 等級電壓也被供給至液晶顯示單元100。在液晶顯示單元100中，基于 這些RGB信號、定時信號和灰度等級電壓，通過內(nèi)部的源極驅(qū)動器、 柵極驅(qū)動器等生成驅(qū)動用信號(數(shù)據(jù)信號、掃描信號等)，基于這些驅(qū) 動用信號在內(nèi)部的顯示部顯示彩色圖像。另外，為了利用該液晶顯示 單元100顯示圖像，需要從液晶顯示單元100的后方照射光，在該液 晶顯示裝置110中，在微機(jī)87的控制下背光源驅(qū)動電路85驅(qū)動背光 源86，向本液晶面板的背面照射光。
包括上述處理，系統(tǒng)整體的控制由微機(jī)87進(jìn)行。另外，作為從外 部輸入的視頻信號(復(fù)合彩色視頻信號)，不僅能夠使用基于電視廣播 的視頻信號，也能夠使用由攝像機(jī)攝取的視頻信號，通過因特網(wǎng)線路 供給的視頻信號等，在該液晶顯示裝置110中，能夠基于各種視頻信 號進(jìn)行圖像顯示。
在由液晶顯示裝置110基于電視廣播顯示圖像的情況下，如圖33 所示,調(diào)諧部90與液晶顯示裝置110連接，從而構(gòu)成本電視接收機(jī)601 。 該調(diào)諧器90從由天線(未圖示)接收的接收波(高頻信號)中挑出應(yīng) 該接收的頻道的信號，變換為中頻信號，通過對該中頻信號進(jìn)行檢波， 取出作為電視信號的復(fù)合彩色視頻信號Sc。該復(fù)合彩色視頻信號Scv 如上所述輸入液晶顯示裝置110，基于該復(fù)合彩色視頻信號Scv的圖像 通過液晶顯示裝置110顯示。
圖34是表示本電視接收機(jī)的一個結(jié)構(gòu)例的分解立體圖。如該圖所 示，本電視接收機(jī)601，作為其構(gòu)成要素，在液晶顯示裝置110之外還具有第一框體801和第二框體806,以由第一框體801和第二框體806 包圍液晶顯示裝置110的方式形成為夾持的結(jié)構(gòu)。在第一框體801形 成有使在顯示裝置800中顯示的圖像透過的開口部801a。此外，第二 框體806覆蓋顯示裝置800的背面?zhèn)?，設(shè)置有用于操作該顯示裝置800 的操作用電路805，并且在下方安裝有支承用部件808。
本發(fā)明并不限定于上述的各實(shí)施方式，適當(dāng)?shù)亟M合在不同的實(shí)施 方式中分別公開的技術(shù)方法而得到時的實(shí)施方式也包括在本發(fā)明的技 術(shù)范圍中。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明的液晶面板和液晶顯示裝置，例如適用于液晶電視。
4權(quán)利要求
1.一種有源矩陣基板，其包括在行方向延伸的掃描信號線；在列方向延伸的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線的交叉部附近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與該數(shù)據(jù)信號線連接的第一晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置有與第一晶體管連接的第一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二像素電極，該有源矩陣基板的特征在于所述掃描信號線，在所述交叉部附近具有開口部和作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向上相對的第一掃描電極部和第二掃描電極部，所述第一晶體管包括設(shè)置在第一掃描電極部上的漏極電極、和以夾著該漏極電極的方式設(shè)置的兩個源極電極，其中一個源極電極通過形成在開口部上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連接，另一個源極電極通過形成在掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連接，所述第二晶體管包括設(shè)置在第二掃描電極部上的漏極電極、和以夾著該漏極電極的方式設(shè)置的兩個源極電極，其中一個源極電極通過形成在開口部上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連接，另一個源極電極通過形成在掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連接。
2. —種有源矩陣基板，其包括在行方向延伸的掃描信號線；在 列方向延伸的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線的交叉 部附近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與該數(shù)據(jù)信號線連接的 第一晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置有與第一晶體管連接 的第一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二像素電極，該有源矩 陣基板的特征在于-所述掃描信號線，在所述交叉部附近具有開口部和作為該開口部 的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向上相對的第一掃描電極部和第二掃 描電極部，第一晶體管和第二晶體管具有共用的源極電極，該共用的源極電 極以與第一掃描電極部和第二掃描電極部以及開口部重合的方式配 置，并且通過形成在開口部上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連接，所述第一晶體管包括設(shè)置在第一掃描電極部上的漏極電極、和與 所述共用的源極電極一 同夾著該漏極電極的源極電極，該源極電極通 過形成在掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連 接，所述第二晶體管包括設(shè)置在第二掃描電極部上的漏極電極、和與 所述共用的源極電極一同夾著該漏極電極的源極電極，該源極電極通 過形成在掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極與數(shù)據(jù)信號線連 接。
3. 如權(quán)利要求1所述的有源矩陣基板，其特征在于 第一掃描電極部中，位于與第一晶體管所具有的兩個源極電極中的一個連接的源極延伸電極和與另一個連接的源極延伸電極的間隙下 的部分的至少一部分變細(xì)，第二掃描電極部中，位于與第二晶體管所具有的兩個源極電極中 的一個連接的源極延伸電極和與另一個連接的源極延伸電極的間隙下 的部分的至少一部分變細(xì)。
4. 如權(quán)利要求2所述的有源矩陣基板，其特征在于 第一掃描電極部中，位于與第一晶體管的源極電極連接的源極延伸電極和與所述共用的源極電極連接的源極延伸電極的間隙下的部分 的至少一部分變細(xì)，第二掃描電極部中，位于與第二晶體管的源極電極連接的源極延 伸電極和與所述共用的源極電極連接的源極延伸電極的間隙下的部分 的至少一部分變細(xì)。
5. 如權(quán)利要求1至4中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于: 所述源極延伸電極，其行方向的寬度比列方向的寬度大。
6. 如權(quán)利要求1至5中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于-所述開口部從像素區(qū)域外通過數(shù)據(jù)信號線之下到達(dá)像素區(qū)域內(nèi)。
7. 如權(quán)利要求6所述的有源矩陣基板，其特征在于 以第一掃描電極部的位于行方向的兩個端部中位于像素區(qū)域外的一方作為第一端部，以第二掃描電極部的位于行方向的兩個端部中位 于像素區(qū)域外的一方作為第二端部，第一端部和第二端部分別形成有 切入部。
8. 如權(quán)利要求1至7中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于:所述開口部為在行方向延伸的形狀。
9. 如權(quán)利要求1至8中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于:沿著數(shù)據(jù)信號線，設(shè)置有與該數(shù)據(jù)信號線電連接的副配線，該副 配線通過開口部上。
10. 如權(quán)利要求9所述的有源矩陣基板，其特征在于所述副配線和數(shù)據(jù)信號線在開口部上連接。
11. 如權(quán)利要求1至8中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于: 設(shè)置有與數(shù)據(jù)信號線的所述交叉部的前后連接的旁通配線，該旁通配線通過開口部上。
12. 如權(quán)利要求ll所述的有源矩陣基板，其特征在于 所述旁通配線和數(shù)據(jù)信號線在開口部上連接。
13. 如權(quán)利要求1至12中任一項所述的有源矩陣基板，其特征在于在第一晶體管和第二晶體管的上層，形成有無機(jī)層間絕緣膜、和 比該無機(jī)層間絕緣膜厚的有機(jī)層間絕緣膜。
14. 如權(quán)利要求3或4所述的有源矩陣基板，其特征在于分別在第一掃描電極部的變細(xì)的部分和第二掃描電極部的變細(xì)的 部分的上層，形成有無機(jī)柵極絕緣膜、和比其厚的柵極絕緣膜。
15. —種液晶面板，其特征在于其包括權(quán)利要求1至14中任一項所述的有源矩陣基板。
16. 如權(quán)利要求15所述的液晶面板，其特征在于 在與有源矩陣基板對置的基板上形成的黑矩陣與所述開口部重
17. —種液晶顯示單元，其特征在于 其包括權(quán)利要求15所述的液晶面板及其驅(qū)動器。
18. —種液晶顯示裝置，其特征在于 其包括權(quán)利要求17所述的液晶顯示單元和照明裝置。
19. 一種電視接收機(jī)，其特征在于其包括權(quán)利要求18所述的液晶顯示裝置、和接收電視廣播的調(diào)諧部。
20. —種液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩陣基板的液 晶面板，該有源矩陣基板包括在行方向延伸的掃描信號線；在列方 向延伸的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線的交叉部附 近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與該數(shù)據(jù)信號線連接的第一 晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置有與第一晶體管連接的第 一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二像素電極，該制造方法的 特征在于，包括形成掃描信號線的第一工序，該掃描信號線具有位于所述交叉部 附近的開口部、和作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向上 相對的第一掃描電極部和第二掃描電極部；和第二工序，在該第二工序中形成位于第一掃描電極部上的第一 晶體管的漏極電極；位于夾著該漏極電極的位置的第一晶體管的兩個源極電極；連接其中一個源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位于開口部上的 第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極；連接另一個源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位于 掃描信號線的外部區(qū)域上的第一外側(cè)源極延伸電極；位于第二掃描電 極部上的第二晶體管的漏極電極；位于夾著該漏極電極的位置的第二 晶體管的兩個源極電極；連接其中一個源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位 于開口部上的第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極；和連接另一個源極電極和數(shù)據(jù) 信號線，且位于掃描信號線的外部區(qū)域上的第二外側(cè)源極延伸電極，而且，作為修正工序，包括下述工序中的至少一個切斷第一內(nèi) 側(cè)源極延伸電極和第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極以及第一外側(cè)源極延伸電極 和第二外側(cè)源極延伸電極中的任一個的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第 一外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之 間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部 分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線 在其與第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第二外側(cè)源極延伸電極 的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將第 一掃描電極部在位于第一外側(cè)源極延伸電極和第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極 的間隙下的部分切斷的工序；和將第二掃描電極部在位于第二內(nèi)側(cè)源 極延伸電極和第二外側(cè)源極延伸電極的間隙下的部分切斷的工序。
21.如權(quán)利要求20所述的液晶面板的制造方法，其特征在于 在第一工序中，所述開口部以從像素區(qū)域外通過數(shù)據(jù)信號線之下 到達(dá)像素區(qū)域內(nèi)的方式形成， 在所述修正工序中包括檢測由數(shù)據(jù)信號線或與其相連的源極電極與掃描信號線的短路引 起的異常，并且將該數(shù)據(jù)信號線在其與位于該數(shù)據(jù)信號線和該掃描信 號線的交叉部附近的像素區(qū)域的第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和 其與該像素區(qū)域的第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分之間進(jìn)行切斷， 從而判定所述短路是位于該掃描信號線的第一掃描電極部還是位于第 二掃描電極部的工序；禾口在所述短路位于第一掃描電極部的情況下，將第一掃描電極部在其位于行方向的兩個端部中位于像素區(qū)域外的一方切斷，并且將其位 于第一外側(cè)源極延伸電極和第一內(nèi)側(cè)源極延伸電極的間隙下的部分切 斷，在這樣仍無法消除所述異常的情況下，切斷第一外側(cè)源極延伸電 極或第一 內(nèi)側(cè)源極延伸電極，在所述短路位于第二掃描電極部的情況 下，將第二掃描電極部在其位于行方向的兩個端部中位于像素區(qū)域外 的一方切斷，并且將其位于第二外側(cè)源極延伸電極和第二內(nèi)側(cè)源極延 伸電極的間隙下的部分切斷，在這樣仍無法消除所述異常的情況下， 切斷第二外側(cè)源極延伸電極或第二內(nèi)側(cè)源極延伸電極的工序。
22. —種液晶面板的制造方法，其用于制造包括有源矩陣基板的液 晶面板，該有源矩陣基板包括在行方向延伸的掃描信號線；在列方 向延伸的數(shù)據(jù)信號線；和形成在掃描信號線和數(shù)據(jù)信號線的交叉部附 近，以該掃描信號線作為柵極電極，并且與該數(shù)據(jù)信號線連接的第一 晶體管和第二晶體管，在各像素區(qū)域，設(shè)置有與第一晶體管連接的第 一像素電極、和與該第二晶體管連接的第二像素電極，該制造方法的 特征在于，包括形成掃描信號線的第一工序，該掃描信號線具有位于所述交叉部 附近的開口部、和作為該開口部的兩側(cè)部分的隔著開口部在列方向上 相對的第一掃描電極部和第二掃描電極部；和第二工序，在該第二工序中形成作為第一晶體管和第二晶體管 的共用的源極電極起作用，與第一掃描電極部和第二掃描電極部以及 開口部重合的共用的源極電極；連接該共用的源極電極和數(shù)據(jù)信號線， 且位于開口部上的共用的源極延伸電極；位于第一掃描電極部上的第 一晶體管的漏極電極；與所述共用的源極電極一同夾著該漏極電極的 第一晶體管的源極電極；連接該源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且位于掃描 信號線的外部區(qū)域上的第一外側(cè)源極延伸電極；位于第二掃描電極部 上的第二晶體管的漏極電極；與所述共用的源極電極一同夾著該漏極 電極的第二晶體管的源極電極；和連接該源極電極和數(shù)據(jù)信號線，且 位于掃描信號線的外部區(qū)域上的第二外側(cè)源極延伸電極，而且，作為修正工序，包括下述工序中的至少一個切斷所述共 用的源極延伸電極以及第一外側(cè)源極延伸電極和第二外側(cè)源極延伸電極中的任一個的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與第一外側(cè)源極延伸電極的 連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與共用的源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第一掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將數(shù)據(jù)信號線在其與共用的源極延伸電 極的連結(jié)部分和其與第二掃描電極部的交叉部分之間切斷的工序；將 數(shù)據(jù)信號線在其與第二外側(cè)源極延伸電極的連結(jié)部分和其與第二掃描 電極部的交叉部分之間切斷的工序；將第一掃描電極部在位于第一外和將第二掃描電極"在位^第二外側(cè)源極延"電極;共用的源極延伸 電極的間隙下的部分切斷的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供有源矩陣基板、液晶面板、液晶顯示單元、液晶顯示裝置、電視接收機(jī)、液晶面板的制造方法。掃描信號線(16)在其與數(shù)據(jù)信號線(15)的交叉部附近具有開口部(29)，第一晶體管(12a)包括夾著漏極電極(8a)的兩個源極電極(9ax、9ay)，源極電極(9ax)通過開口部(29)上的源極延伸電極(10ax)與數(shù)據(jù)信號線(15)連接，源極電極(9ay)通過掃描信號線(16)的外部區(qū)域上的源極延伸電極(10ay)與數(shù)據(jù)信號線(15)連接，第二晶體管(12b)包括夾著漏極電極(8b)的兩個源極電極(9bx、9by)，源極電極(9bx)通過開口部(29)上的源極延伸電極(10bx)與數(shù)據(jù)信號線(15)連接，源極電極(9by)通過掃描信號線的外部區(qū)域上的源極延伸電極(10by)與數(shù)據(jù)信號線(15)連接。根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠在盡可能地維持各晶體管的功能的同時修正SG泄漏。
文檔編號G02F1/1368GK101646975SQ200880008568
公開日2010年2月10日 申請日期2008年2月22日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月28日
發(fā)明者津幡俊英, 逸見郁未 申請人:夏普株式會社