專利名稱：基于互補mos晶體管的lcos像素單元電路的制作方法
技術領域：
本發(fā)明屬于信息科學技術學科的微電子應用技術領域；具體地說屬于硅基液晶顯示 器像素單元電路領域。
背景技術：
基于單晶硅平面器件制造技術與液晶顯示(LCD， Liquid Crystal Display)技術相融 合，產(chǎn)生出硅基液晶顯示器，簡稱硅基液晶(LCOS， Liquid Crystal on Silicon)顯示技 術，該顯示技術制造出一種新型的反射式LCD顯示器件，它首先在單晶硅片上運用金 屬氧化物半導體(MOS， Metal Oxide Semiconductor)工藝制作LCOS驅動硅基板，然 后鍍上表面光潔的金屬層當作反射鏡，最后將LCOS驅動硅基板與含有透明電極之上玻 璃基板貼合，并灌入液晶材料形成反射式液晶屏，通過調(diào)制LCOS驅動硅基板上每個像 素電極對入射光的反射程度實現(xiàn)(灰度)圖像顯示。(Chris Chinnock."Microdisplays and Manufacturing Infrastructure Mature at SID2000"《Information Display》，2000年9， P18)。 通常，LCOS像素單元電路由1個N型溝道金屬氧化物半導體(NMOS， N-channel Metal Oxide Semiconductor)晶體管和1個電容器串聯(lián)構成(R.Ishii, S.Katayama， H.Oka， S.yamazaki， S.lino "U. Efron, I. David, V. Sineln汰ov， B. Apter "A CMOS/LCOS Image Transceiver Chip for Smart Goggle Applications"《IEEE TRANSACTIONS ON CIRCUITS AND SYSTEMS FOR VIDEO TECHNOLOGY》，14巻，第2期，2004年2 月，P269)，其中NMOS晶體管的柵極連接行掃描器尋址信號輸出端。但是，單個NMOS 晶體管在傳輸高電平時不僅存在閾值電壓損失，而且傳輸過程的瞬態(tài)特性也不理想(陳 貴燦等編著，《CMOS集成電路設計》，西安交通大學出版社，1999.9， PllO)。因此如 何減小晶體管的開態(tài)電阻，增大存貯電容器的單位電容值，是目前LCOS顯示技術的 重要研究課題。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型提供一種新的LCOS像素單元電路結構，由互補MOS晶體管組成開態(tài) 電阻較小的開關控制功能部件，實現(xiàn)對平板型存貯電容器的低損耗傳輸電荷。 本實用新型發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的
基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，主要由1個NMOS晶體管(1)、 1個PMOS晶體管(2)、 1個平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、 NMOS 晶體管(2)形成電學并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學串聯(lián)。
與現(xiàn)有技術相比，本實用新型的有益效果是本實用新型把1個NMOS管和1個P 型溝道金屬氧化物半導體(PMOS， P-channel Metal Oxide Semiconductor)管并聯(lián)地組 合起來，充分利用了 NMOS管和.PMOS管互補的電學特性，可以得到一種開態(tài)電阻能 夠保持較低值的輸入信號控制開關，這種控制開關具備CMOS傳輸門的結構特征及其 電學信號傳輸完整性的優(yōu)勢，其開關控制部分具有較小的開態(tài)電阻。


圖l是LCOS像素單元電路原理圖；其中1: PMOS晶體管，2: NMOS晶體管， 3:平板電容器，4: PMOS晶體的源極，5: PMOS晶體管的漏極，6: PMOS晶體管的 柵極，7: PMOS晶體管的背電極，8:平板電容器的上電極，9:平板電容器的下電極，
10: NMOS晶體管的漏極，11: NMOS晶體管的柵極，12: NMOS晶體管的源極，13: NMOS晶體管的背電極。
具體實施方式
以下結合附圖1對本實用新型技術作進一步具體的說明
基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，主要由1個NMOS晶體管(1)、 1 個PMOS晶體管(2)、 1個平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、 NMOS 晶體管(2)形成電學并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學串聯(lián)。
所述的LCOS像素電路中，NMOS晶體管的柵極(ll)接行掃描器尋址信號輸出端。 所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的柵極(6)接行掃描器尋址信號的反相 信號輸出端。
所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的漏極(5)與NMOS晶體管的漏極(10) 相連接。
所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的源極(4)、 NMOS晶體管的源極(12)、 平板電容器的上電極(8)互相連接。
所述的LCOS像素電路中，平板電容器的下電極(9)接地。 所述的LCOS像素電路中，PMOS晶體管的背電極(7)接高電位。 所述的ICOS像素電路中，NMOS晶體管的背電極(13)接地。
權利要求1.基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在于主要由1個NMOS晶體管(1)、1個PMOS晶體管(2)、1個平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、NMOS晶體管(2)形成電學并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學串聯(lián)。
2. 根據(jù)權利要求l所述的基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的NMOS晶體管的柵極(11)接行掃描器尋址信號輸出端。
3. 根據(jù)權利要求1所述的基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的PMOS晶體管的柵極(6)接行掃描器尋址信號的反相信號輸出端。
4. 根據(jù)權利要求l所述的基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的PMOS晶體管的漏極(5)與NMOS晶體管的漏極(10)相連接。
5. 根據(jù)權利蘿求l所述的基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的PMOS晶體管的源極(4)、 NMOS晶體管的源極(12)、平板電容器的上電 極(8)互相連接。
6. 根據(jù)權利要求1所述的基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的平板電容器的下電極(9)接地。
7. 根據(jù)權利要求l所述的LCOS像素電路，其特征在于所述的PMOS晶體管的 背電極(7)接高電位。
8. 根據(jù)權利要求1所述的基于互補MOS晶體管的LCOS像素單元電路，其特征在 于所述的NMOS晶體管的背電極(13)接地。
專利摘要本實用新型屬于硅基液晶顯示器像素單元電路領域?；诨パaMOS晶體管的LCOS像素單元電路，主要由1個NMOS晶體管(1)、1個PMOS晶體管(2)、1個平板電容器(3)組成；其中，PMOS晶體管(1)、NMOS晶體管(2)形成電學并聯(lián)，再與平板電容器(3)形成電學串聯(lián)。本實用新型充分利用了NMOS管和PMOS管互補的電學特性，可以得到1種開態(tài)電阻能夠保持較低值的輸入信號控制開關，這種控制開關具備CMOS傳輸門的結構特征及其電學信號傳輸完整性的優(yōu)勢。
文檔編號G02F1/1362GK201159815SQ20082007404
公開日2008年12月3日 申請日期2008年3月13日 優(yōu)先權日2008年3月13日
發(fā)明者代永平, 義 范, 偉 范 申請人:天津力偉創(chuàng)科技有限公司