專利名稱：微影制程的曝光裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及 一種微影制程，特別是涉及 一種有關(guān)施加于制造半導(dǎo)體元 件的微影制程的曝光裝置及方法。
背景技術(shù)：
掃描器，已知如步進(jìn)掃描系統(tǒng)，為一種應(yīng)用于現(xiàn)今的微影制程(或稱為 光刻工藝)以制造半導(dǎo)體元件的曝光工具。當(dāng)曝光基材上的光敏材料時，掃
描器用以移動基材(例如晶圓)與圖罩(通常稱為光掩膜)的相對位置。常 見的掃描器，與其它常見的曝光工具一樣，均受限于曝光工藝(工藝即制程， 本文均稱為工藝)在既定曝光場中以固定的焦距執(zhí)行。曝光場包括基材的區(qū) 域，且此區(qū)域為單一曝光或"照射"覆蓋(如曝光)。相對于此，今曰的 半導(dǎo)體元件因基材平面上的特征高度的極大變化而通常包括極大的圖案密 度差異。例如雙重鑲嵌工藝是一種在半導(dǎo)體元件中形成連接線的典型方 法，此雙重鑲嵌工藝提供大步階高度差，而導(dǎo)致大曝光場內(nèi)聚焦范圍。此 場內(nèi)聚焦范圍對聚焦深度(Depth-Of-Focus: DOF)造成不良沖擊。在微影制 程中較差的DOF會降低解析度。因此，需要一種改進(jìn)的曝光裝置與方法。
由此可見，上述現(xiàn)有的曝光裝置及方法在產(chǎn)品結(jié)構(gòu)、制造方法與使用 上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存 在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見 適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品及方法又沒有適切的結(jié)構(gòu)及方法能夠 解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種 新的微影制程的曝光裝置及方法，實屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前 業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的曝光裝置及方法存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此 類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積 極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新的微影制程的曝光裝置及方法，能夠改 進(jìn)一般現(xiàn)有的曝光裝置及方法，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè) 計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的曝光裝置及方法存在的缺陷，而提供 一種新的微影制程的曝光裝置及方法，所要解決的技術(shù)問題是使其用以改進(jìn)曝光場內(nèi)焦距并增進(jìn)曝光品質(zhì)，非常適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種微影制程的曝光裝置，至少包括 一放射源，操作來提 供一放射光束以曝光一半導(dǎo)體基材； 一可變聚焦元件，其中該可變聚焦元 件至少包含一膜； 一控制器，操作地耦合于該可變聚焦元件；以及一基材 平臺，用以定位該半導(dǎo)體基材。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的微影制程的曝光裝置，其中所述的膜包含一透明固態(tài)材料和一 透明液體材料的至少之一，或包含硅。
前述的微影制程的曝光裝置，其中當(dāng)一第一電場施加在該膜時，該可 變聚焦元件是裝設(shè)來提供一第一焦距，而當(dāng)一第二電場施加于該膜時，該 可變聚焦元件是裝設(shè)來提供一第二焦距。而該控制器是安裝來在當(dāng)曝光該 半導(dǎo)體基材的一單一曝光場時藉由個別地提供該第一電場和該第二電場的 方式來控制該可變聚焦元件。
前述的微影制程的曝光裝置，其更包含 一位準(zhǔn)感測器，用以依一位準(zhǔn) 感測器圖來判斷該半導(dǎo)體基材的一深度，并且提供該控制器一位準(zhǔn)指示，其 中該控制器是安裝來回應(yīng)接收自該位準(zhǔn)感測器的該位準(zhǔn)指示而提供該可變 聚焦元件一可變強(qiáng)度的電場。
前述的微影制程的曝光裝置，其更包含一光掩膜，該光掩膜包含有用 以形成一電路的一部分的一圖案，其中該光掩膜位于該放射源與該可變聚 焦元件之間。
前述的微影制程的曝光裝置，其中所述的可變聚焦元件是一微光機(jī)電 系統(tǒng)元件。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)本 發(fā)明提出的 一種用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒體，至少包括多 個電腦可讀取指令以決定一微影參數(shù)，該些電腦可讀取指令包含多個指令 以接收在一半導(dǎo)體基材上的一位準(zhǔn)的至少一測定，其中該位準(zhǔn)包含在一 參考平面上的一第一特征的一高度；決定用來曝光該第一特征的一焦距；以 及判斷一膜的一調(diào)整，以提供所決定的該焦距。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒體，其中判斷該膜的 該調(diào)整的步驟至少包含決定欲施加于該膜的 一 電場。
前述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒體，其更包含根據(jù)所 接收的該位準(zhǔn)的該測定，建立一補償圖。
前述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒體，其更包含決定 欲用于曝光一第二特征的一焦距，其中該第 一特征與該第二特征是在相同的曝光場中。
前述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒體，其中判斷該膜的 該調(diào)整的步驟包括決定施加于該膜的 一 電場。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題另還采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)。依據(jù)
本發(fā)明提出的一種微影制程的曝光方法，至少包括以下步驟提供一放射 光束；變形一透明膜；使所提供的該放射光束通過變形的該透明膜；以及 在該放射光束已通過變形的該透明膜之后，將一基材曝光于該放射光束， 其中將該基材曝光于該放射光束的步驟包含形成一圖案于該基材上，該圖 案包含一電路特征的一部分。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的微影制程的曝光方法，其中變形該透明膜的步驟包含拋物線狀 地變形一含有硅的膜。
前述的微影制程的曝光方法，其中變形該透明膜的步驟包含拋物線狀 地變形一含有硅的膜。前述的微影制程的曝光方法，其更包括判斷該基 材的一第一位準(zhǔn)；利用所判斷出的該第一位準(zhǔn)，判斷曝光該基材的一第一 焦距；判斷該基材的一第二位準(zhǔn)；以及利用該第二位準(zhǔn)，判斷曝光該基材 的一第二焦距；其中使所提供的該放射光束通過變形的該透明膜的步驟包 括修改該放射光束以提供該第一焦距與該第二焦距，且該第二焦距比該第 一焦距短，該第一位準(zhǔn)和該第二位準(zhǔn)包含在該基材上的一單一曝光場中。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點和有益效果。由以上4支術(shù)方案 可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下
為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供了一種微影制程的曝光裝置，此裝置至 少包括可提供放射光束來曝光半導(dǎo)體基材的放射源、包含透明膜的可變聚 焦元件、控制可變聚焦元件的控制器、以及定位半導(dǎo)體基材的基材平臺， 其中當(dāng)施加電場于透明膜，透明膜會變形，變形的膜改變放射光束通過膜 的焦距，因此當(dāng)不同的電場個別地施加于該透明膜時，可變聚焦元件可提 供不同的焦距。
另外，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明還提供了一種用于微影制程的曝光工藝 的電腦可讀取媒體，電腦可讀取媒體至少包括決定微影參數(shù)的多個電腦可 讀取指令。其中多個電腦可讀取指令至少包含接收在一半導(dǎo)體基材上的位 準(zhǔn)的至少一個測定，其中位準(zhǔn)包含在一參考平面上的第一特征的高度；提 供用來曝光該第一特征的焦距；判斷膜的調(diào)整，以提供所決定的焦距。
再者，為達(dá)到上述目的，本發(fā)明再提供了一種樣史影制程的曝光方法，此 方法包括提供放射光束；提供透明膜的變形，其中膜可由施加一電場至 膜使其變形，使放射光束通過變形的膜可改變放射光束的焦距，然后基材 曝光于放射光束，而在基材上形成電路特征的部份圖案。依照本發(fā)明一較佳實施例，方法&^l^欠基材的第一位準(zhǔn)以用于曝光，并 且決定膜用來曝光第一位準(zhǔn)的適當(dāng)?shù)慕咕?。除第一位?zhǔn)之外，方法也包括接 收基材的第二位準(zhǔn)以用于曝光，并且變形該膜提供一適當(dāng)?shù)慕咕嗥毓獾诙?位準(zhǔn)，第一位準(zhǔn)和第二位準(zhǔn)皆包含在相同的場里。因此，在實施例中，方法 可用以改進(jìn)曝光場內(nèi)焦距。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明微影制程的曝光裝置及方法至少具有下列
優(yōu)點及有益效果
本發(fā)明用以改進(jìn)曝光場內(nèi)焦距并增進(jìn)曝光品質(zhì)。
綜上所述，本發(fā)明提供一種微影制程的曝光裝置，至少包括可變聚焦 元件?？勺兙劢乖砂陔妶龃嬖谙驴杀蛔冃蔚耐该髂?。透明膜的變 形可允許放射光束的焦距作調(diào)整。在一實施例中，可調(diào)整可變聚焦元件，藉 以提供曝光目標(biāo)上的第 一位置具有第 一焦距的放射光束、和提供此曝光目 標(biāo)上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一種微影制程的方法和 電腦可讀取媒體。^明在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并具有明顯的積極效果，誠 為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的 技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和 其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附 圖，詳細(xì)iJL明如下。


圖1A是繪示曝光裝置的一實施例的示意圖。
圖1B是繪示由圖1A的曝光工具所產(chǎn)生的放射光束的一實施例的剖面圖。
圖2是繪示一種曝光系統(tǒng)的一實施例的方塊圖。 圖3是繪示微影方法的一實施例的流程圖。
100:曝光裝置102投影系統(tǒng)殼體
104:放射源106圖罩邊緣遮罩組件
108:鏡片110光掩膜
112:可變聚焦元件114成像透鏡元件
116:位準(zhǔn)感測器118基材平臺
120:基材122放射光束
124:方文射光束200曝光工藝系統(tǒng)
202:曝光裝置204位準(zhǔn)感測器
206:電腦300方法
302:步驟304步驟306:步驟 308:步驟
310:步驟
具體實施例方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功 效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的微影制程的曝光裝置 及方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說明如 后。
本發(fā)明大體上是揭露有關(guān)于一種微影制程，且特別是有關(guān)于有利于半 導(dǎo)體元件制造的曝光工藝和系統(tǒng)。然而，可理解的是，特定實施例的提出是 作為教示更廣的發(fā)明概念的例子，^tbt支術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識者可以輕易 應(yīng)用本發(fā)明揭露的教示于其他方法或裝置中。例如雖然在此所描述的，如 可應(yīng)用在于基材(例如晶圓)上制造半導(dǎo)體元件的微影系統(tǒng)及方法，本發(fā)明 揭露可應(yīng)用在使用微影的其他技術(shù)，例如印刷電路板。此外，可理解的是 在本發(fā)明揭露中所討論的方法和裝置包含一些現(xiàn)有習(xí)知的結(jié)構(gòu)及/或工藝。 而這些結(jié)構(gòu)和工藝在此技術(shù)中為已知，將只討論這些結(jié)構(gòu)和工藝的一般程 度的細(xì)節(jié)。另外，為了方便與范例的目的，在整份圖式中的參考編號會重 復(fù)，這樣的重復(fù)并不表示整份圖式中的特征或步驟的任何必要結(jié)合。
請參閱圖1A所示，其繪示一種曝光裝置100的一實施例的示意圖。曝 光裝置100是以簡化方式繪示，以概略性地描述一般熟知的組件和系統(tǒng)，更 特別是描述本實施例特有的元件和系統(tǒng)。例如曝光裝置100包括許多透 鏡、平臺、鏡片、對準(zhǔn)系統(tǒng)、過濾器及/或其他系統(tǒng)和元件。額外的系統(tǒng)及 /或元件可包含在曝光裝置100的投影系統(tǒng)殼體102中、曝光裝置100的投 影系統(tǒng)殼體102上及/或鄰近曝光裝置100的投影系統(tǒng)殼體102。曝光裝置 100可以是步進(jìn)器、掃瞄器、步進(jìn)掃描系統(tǒng)、浸潤式微影裝置及/或其他能 將基材曝光于放射線的裝置。在掃描過程中，藉由掃瞄器或步進(jìn)掃描系統(tǒng) 來執(zhí)行，以取代整個曝光場的一次膝光，場的曝光的進(jìn)行是經(jīng)由曝光孔徑， 常稱為狹縫(Slit)。
詠光裝置100包含放射源104,以提供放射光束(例如放射能量)。放射 源104可以是任何合適的光源，例如紫外光(Ultra-violet; UV)源、深紫 外光(Deep-ultra-violet; DUV)源、或極紫外光(Extreme-ultra-violet; EUV)源。例如放射源104可以是水銀燈、氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光(即雷 射，本文均稱為激光)、氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光、氟(F2)準(zhǔn)分子激光、及 /或其他光源。放射源104產(chǎn)生入射至基材120上的放射光束。
曝光裝置100包含投影系統(tǒng)殼體102，此投影系統(tǒng)殼體102可以提供機(jī) 殼，而放射源104所產(chǎn)生的放射光束可行進(jìn)通過機(jī)殼。投影系統(tǒng)殼體102包含有助于進(jìn)行曝光工藝的多個組件，包含那些已說明與未說明者，例如 透鏡、過濾器、反射器(例如鏡子)。如同已描述的，曝光裝置100包含反
射器、鏡片108，以指引放射源104朝向曝光目標(biāo)(例如基材120)所產(chǎn)生的 放射光束的路徑。曝光裝置100亦包含成像透鏡元件114。成像透鏡元件 114可包含單一透鏡或多個透鏡組件，以裝設(shè)來投影放射光束于基材120上。 成像透鏡元件114可提供關(guān)于基材120的放射光束的聚焦。
利用圖罩(在此稱為光掩膜)來提供欲利用曝光裝置100曝光的圖案。 在例示的實施例中，在進(jìn)行曝光工藝時，將光掩膜110設(shè)在曝光裝置100 中。光掩膜110可包括含有透明基材，例如熔融硅石(Si02)、硼硅玻璃、 或鈉鈣玻璃。光掩膜11Q可包含吸收層(例如用以吸收》文射線的材料)。吸 收層的材料可以是鉻(Cr)、氧化鐵或無機(jī)膜，包括例如硅化鉬、硅氧化鋯、 氮化硅及/或氮化鈦、及/或其他在此技術(shù)領(lǐng)域中已知的放射線吸收材料。 圖案化吸收層，以使此吸收層具有一個或多個開口，開口可使放射光束通 過光掩膜110而不會被嚴(yán)重吸收。光掩膜110亦包含一個或多個吸收區(qū)(例 如吸收層所在的區(qū)域)，放射光束可能遭到吸收區(qū)完全或部分吸收，而完全 或部分地阻擋放射光束通過光掩膜IIO。如此一來，行經(jīng)光掩膜110之后的 放射光束在其剖面上含有圖案，如吸收/非吸收區(qū)所提供的圖案。圖案可提 供位在基材120上的光敏性材料層的圖案化，描述如下。此圖案可用來在 基材120上制造一個或多個電路特征或部份電路特征。在一實施例中，光 掩膜110包括具有圖案的二元式強(qiáng)度光掩膜(二元式光掩膜)，此圖案包括 鉻區(qū)(如吸收區(qū))和透明區(qū)。在其他實施例中，光掩膜110可包含交替式相 位偏移光掩膜(Alternating Phase Shift Mask; AltPSM)、衰減性相位偏 移光掩膜(Attenuating Phase Shift Mask; AttPSM)、無4各相位樣i影 (Chromeless Phase Lithography; CPU光掩膜或/及在此技術(shù)領(lǐng)域中已知 的可能光掩膜技術(shù)。光掩膜110可進(jìn)一步包含光學(xué)鄰近效應(yīng)修正(Optical Proximity Correction; OPC)特征。光掩膜110可定位在平臺(未繪示)上， 使得光掩膜110可以移動來配合曝光裝置100的掃描功能。
啄光裝置100更包含用以支持、定位、移動、和其他操作基材(例如晶 圓)120的基材平臺118?；钠脚_118可相對于光掩膜110定位，藉以使 位在基材平臺118上的基材120的適當(dāng)部分曝光于包括在光掩膜110上的 適當(dāng)圖案?；钠脚_118可提供步進(jìn)掃描工藝?；钠脚_118也可操作來 定位基材120的垂直方向，因此可改變由基材120到成像透鏡元件114的 相對距離來提供合適的啄光。
基材120可以是半導(dǎo)體基材(例如晶圓)?；?20可包括硅、鍺、鉆 石及/或復(fù)合半導(dǎo)體材料。在其他實施例中，基材120可包括材料，例如形 成光掩膜，例如光掩膜110的熔融硅或氟化鈣、薄膜晶體管液晶顯示(TFTLCD)元件的玻璃、及/或其他有助于曝光工藝的可能材料?；?20可包括 形成于其上的多個特征，這些特征包括一個或更多個圖案化層。在一實施 例中，基材120包括利用雙重鑲嵌工藝所形成的連接線特征或其部份?；?材120可包括數(shù)層及/或數(shù)個特征，例如雙重鑲嵌結(jié)構(gòu)，這些層及/或特征 提供基材120的多種地形?；牡亩喾N地形提供依照一參考平面所決定的 在基材上不同的特征高度(例如依照一參考平面所決定的橫跨基材120的 最高層的不同高度)。在基材120上一個位置的最高層(或特征)的高度在此 可當(dāng)作一位準(zhǔn)。此位準(zhǔn)可由位準(zhǔn)感測器所測定，以下將描述更進(jìn)一步的細(xì) 節(jié)。在基材12G的多個位準(zhǔn)的決定提供一位準(zhǔn)感測地圖(例如在基材上兩個 或更多個位置的基材相對高度的表示。)
基材120更包括將利用曝光裝置100來曝光的光敏性材料層。此光敏 性材料可包含光阻，例如化學(xué)增幅型光阻(Chemical Amplification Resist; CAR)。基材120包含多片晶粒(例如集成電路元件)?；?20 亦包括多個曝光場。 一曝光場包括由曝光裝置100以單一曝光照射的一基 材120區(qū)域。 一曝光場可包括一個或多個晶粒及/或其部分?；?2G包括 由數(shù)個鄰近曝光場所構(gòu)成的一矩陣(例如列與行)。此爆光場矩陣可提供相 鄰曝光場之間的重疊(例如基材120的一區(qū)域可包含在超過一個曝光場 內(nèi))。曝光裝置100施加放射光束于基材120表面上，且特別是在單一曝光 場中且涂覆有光敏性材料的基材120表面上，其中放射光束的剖面具有圖 案。圖案可由光掩膜110定義。
進(jìn)行曝光工藝步驟之前，基材120可通過包含在基材120上形成光敏 性材料層的其他多種工藝。光敏性材料一般包括在基材上的光阻層。在基 材上形成光阻層時可利用旋轉(zhuǎn)涂布工藝、沉積工藝及/或在此技術(shù)領(lǐng)域中已 知用以形成一層的其他工藝來進(jìn)行。形成光阻層之后，可軟烤基材120，來 蒸發(fā)溶劑。接著，可將基材120轉(zhuǎn)移到曝光裝置100，特別是轉(zhuǎn)移到基材平 臺118。曝光之后，可對基材120進(jìn)行進(jìn)一步的微影制程處理，例如后曝光 烘烤以提供聚合物的分解和其后曝光圖案的顯影。圖案可用以在基材上形 成一個或多個特征，例如柵極特征、源極特征、漏極特征、內(nèi)連線特征、 隔離特征及/或在此技術(shù)領(lǐng)域中已知的其他集成電路特征?？墒褂脗鹘y(tǒng)制造 方法，例如離子植入、擴(kuò)散、沉積、電鍍、蝕刻、化學(xué)機(jī)械研磨、氧化及/ 或在此技術(shù)領(lǐng)域中已知的其他工藝，來形成這些特征?；?20可通過多 個微影制程來加以處理，以在基材120上形成元件，在此期間曝光裝置IOO 可于基材120上進(jìn)行多次曝光工藝。
曝光裝置100亦包括位準(zhǔn)感測器116。位準(zhǔn)感測器116可提供基材120 的地形或其任何部分(例如位準(zhǔn))的測定。位準(zhǔn)感測器116可提供在基材120 上的一點或多點的基材120最高表面的相對高度的測定。在一實施例中，位準(zhǔn)感測器116可測定在基材上復(fù)數(shù)點的位準(zhǔn)來產(chǎn)生位準(zhǔn)感測地圖。位準(zhǔn)感
測器116可操作地耦合于控制器，且控制器可利用位準(zhǔn)感測器116的輸出 (例如已測定的位準(zhǔn)或位準(zhǔn)感測地圖)，以決定一個或多個曝光裝置100 的工藝參數(shù)，更進(jìn)一步的細(xì)節(jié)如參閱圖2所作的描述。在一實施例中，位準(zhǔn) 感測器116量測基材120的最高表面的斜率。位準(zhǔn)感測器116可包括，例 如放射(例如光)源、反射器(例如鏡片)、檢測器及/或在此技術(shù)領(lǐng)域中已知 的其他元件。
曝光裝置100亦包括圖罩邊緣遮罩組件(Reticle Edge Masking Assembly; REMA)106。圖罩邊緣遮罩組件106在曝光工藝期間藉由遮罩部 分的入射放射的方式來定義欲照明的光掩膜110的區(qū)域，如第lb圖所示。 在一實施例中，圖罩邊緣遮罩組件106包括多片，這些片矩形地定位且可 移動的，以定義使放射線通過的開口 。
曝光裝置100更包含可變聚焦元件112?？勺兙劢乖?12提供焦距的 調(diào)整，此焦距由曝光裝置100所提供。在一實施例中，可變聚焦元件112 提供在曝光工藝中焦距的調(diào)整。例如，在一實施例中，可變聚焦元件112 提供欲用來曝光基材120的多個焦距。在一實施例中，可變聚焦元件112 提供欲用來曝光基材120上的單一曝光場的多個焦距?？勺兙劢乖?12 包含可調(diào)整的透明孔徑。放射線，例如來自放射源104的放射光束，可通 過此可調(diào)整的透明孔徑。在一實施例中，校準(zhǔn)可變聚焦元件112，使得其可 變的孔徑控制曝光裝置100在掃描模式下的狹縫尺寸。
可變聚焦元件112,特別是透明孔徑，可包括液態(tài)或固態(tài)的透明材料。 在一實施例中，透明材料形成一膜。在一實施例中，此膜包含硅。在另一 實施例中，此膜包含結(jié)晶硅?？蓪⒋四び枰造o電變形。亦即所施加的一電 場可變形此膜。當(dāng)變形時，此膜可提供一拋物線狀的表面。如此，此膜可 包括可操作來拋物線狀地變形的任何材料。所施加的電場強(qiáng)度可影響變形 的程度。此膜可以是當(dāng)電場移除時，此膜會回到其原本的形狀(例如表面是 實質(zhì)平坦的)。膜的表面對于入射放射光束作為透鏡。因此，膜的變形提供 來改變?nèi)肷浞派涔馐慕咕唷？勺冃蔚哪ひ罁?jù)所施加電場的強(qiáng)度而可提供 多個焦距。因此，藉由簡單地改變施加電場，可變形的膜提供多個焦距之 間的容易變化?？勺冃蔚哪た墒褂媒^緣層上覆硅(S i 1 icon-on-insulator; SOI)工藝來形成。
可變聚焦元件112操作地耦合于控制器(例如集成電路控制器)。控制 器可操作來改變或調(diào)整施加于可變聚焦元件112的電場。此電場的形成可 藉由施加一電壓在耦合于可變聚焦元件112的膜的兩個電極之間?？刂破?可根據(jù)提供產(chǎn)生所需焦距的變形所要求的電場強(qiáng)度，來決定欲施加的電壓。 控制器可提供第一電壓和隨之而生的電場給基材12G上第一位置，并且提供第二電壓和隨之而生的電場(與第一不同)給基材上第二位置。在一
實施例中，控制器在單一曝光場內(nèi)提供不同焦距給基材120，其中這些焦距 欲由可變聚焦元件112所提供。在一實施例中，控制器操作地耦合于位準(zhǔn) 感測器116,藉此可接收來自位準(zhǔn)感測器116的資訊，例如位準(zhǔn)感測地圖。 舉例而言，來自位準(zhǔn)感測地圖的資訊可用于決定曝光工藝的一個或更多個 所需的焦距，如下參閱圖2所作的描述。
可變聚焦元件112的膜可包括孩M幾膜。在一實施例中，可變聚焦元件 112可以是孩i才幾電系統(tǒng)(Micro-electro—mechanical System; MEMS)元件。 在另一實施例中，可變聚焦元件112可以是微光機(jī)電系統(tǒng) (Micro-opto-electro-mechanical System; M0EMS)元件。 一種這樣的微光 機(jī)電系統(tǒng)元件已描述于由梅施德(英文名為Mescheder)等人于2006年光 學(xué)工程國際學(xué)會(SPIE)6186巻中所發(fā)表的"基于MOEM技術(shù)的主動聚焦元件 (Active focusing device based on M0EMS technology)", 在此一并歹寸入 參考。
現(xiàn)在請參閱圖IB,以剖面所繪示的是已行經(jīng)曝光裝置而入射于基材上 的放射光束124，其中曝光裝置如圖1A所示的曝光裝置100。放射光束122 可由放射源104所產(chǎn)生，如上之更詳細(xì)描述。放射光束122可為紫外線放射 光束、深紫外線放射光源、極紫外放射光源、及/或在此技術(shù)領(lǐng)域中已知的 任何其他放射線類型。如圖IB所示，放射光束122形成入射于基材120上 的放射光束124。放射光束124包含已通過曝光裝置的一個或多個元件的放 射光束122;其中這些元件提供部分放射光束124的吸收或反射。放射光束 124是由圖罩邊緣遮罩組件106、光掩膜110、可變f^焦元件112所定義，全 部已參閱圖1A而更詳細(xì)地描述。所產(chǎn)生的光束，即放射光束124定義曝光 場或部分的曝光場，而入射在曝光目標(biāo)上(例如基材120)。
圖罩邊緣遮罩組件106會遮蔽部分的放射光束122 (例如完全或部分吸 收)，其中圖罩邊緣遮罩組件106遮蔽光掩膜110不想被曝光的區(qū)域。圖罩 邊緣遮罩組件106可定義欲被照明光掩膜110的區(qū)域，且當(dāng)放射光束122從 放射源傳送出時，圖罩邊緣遮罩組件106定位在光掩膜110前，例如圖U 所示。在一實施例中，圖罩邊緣遮罩組件106可近乎鄰近地設(shè)置于光掩膜 110(未繪示)。圖罩邊緣遮罩組件106包含數(shù)個調(diào)節(jié)器，以提供來移動圖罩 邊緣遮罩組件106的吸收部份(例如片)(例如調(diào)整區(qū)域來遮蔽放射線，如 圖1B所示的陰影區(qū)域)。圖罩邊緣遮罩組件106因此可定義放射光束122 的形狀。放射光束122接著通過光掩膜110，而一圖案定義在放射光束122 的剖面中，如上參閱圖1A所作的更詳細(xì)描述。
通過光掩膜110之后，放射光束122是入射于可變聚焦元件112的上。 可變聚焦元件112可使用包含在可變聚焦元件112內(nèi)的可變形透明膜來調(diào)整^t射光束122的焦距，如上參閱圖1A所作的詳細(xì)描述。雖然以如包含水 平方向的剖面線繪示(例如狹縫)。在一實施例中，可變聚焦元件112包含 透明膜，其中此透明膜可容許放射線的可變部份通過而到水平方向的晶圓 (例如狹縫)。因此，投影于基材120之前，放射光束124已至少由圖罩邊 緣遮罩組件106、光掩膜IID和可變聚焦元件112所定義。放射光束122及 /或放射光束124可通過多個濾波器、透鏡、及/或在此技術(shù)領(lǐng)域中已知可 進(jìn)一步地定義光束的形狀、圖案、構(gòu)圖、焦距、及/或其他特性的其他元件。
現(xiàn)在請參閱圖2所示，其繪示說明一種膝光工藝系統(tǒng)200的一實施例 的方塊圖。曝光工藝系統(tǒng)200可用以提供工藝控制，以改善曝光品質(zhì)。在 一實施例中，此曝光工藝系統(tǒng)200可用來增加場內(nèi)聚焦的范圍。曝光工藝 系統(tǒng)200容許焦距局部地調(diào)整，以補償在基材的目標(biāo)區(qū)域(例如曝光場)上 的地形差異。此對比于傳統(tǒng)以一固定的焦距執(zhí)行的曝光工藝。此膝光工藝 系統(tǒng)20Q包含曝光裝置202、位準(zhǔn)感測器204和電腦206,曝光工藝系統(tǒng)200 描繪多個箭頭以說明資訊流向。雖然以不同單元繪示，但位準(zhǔn)感測器204 可以包含在曝光裝置202內(nèi)。同樣地，電腦206可為包含在曝光裝置202 及/或位準(zhǔn)感測器204中的軟體及/或硬體。曝光裝置202可實質(zhì)近似于曝 光裝置100，如上參閱圖1A所作的詳細(xì)描述。位準(zhǔn)感測器204可實質(zhì)上近 似于位準(zhǔn)感測器116,亦如上參照第la圖所作的描述。
位準(zhǔn)感測器204可操作耦合于電腦206，藉以使得資訊可傳送于位準(zhǔn)感 測器204和電腦206之間。所傳送的資訊可包含一個或多個基材地形的測 定(例如位準(zhǔn)感測地圖)。位準(zhǔn)感測地圖可包括在基材上一個或多個點的位 準(zhǔn)(例如相對于平面的高度)。在一實施例中，位準(zhǔn)感測地圖可包括多個位 準(zhǔn)，其中每一個位準(zhǔn)對應(yīng)于基材的單一膝光場上的一點。
電腦206是能夠處理、執(zhí)行或其他操作資訊的資訊處理系統(tǒng)。電腦206 包括電腦可讀取媒體，以儲存功能性描述素材(例如軟體或資料結(jié)構(gòu))。此 類的功能性描述素材在電腦可讀取々某體上編碼時給予功能。電腦206亦可 包括處理器，以處理或其他操作已接收及/或已儲存的資料。電腦206可包 括具有功能控制器，如上述參閱圖1A和圖1B的可變聚焦元件112的控制 器的說明。
在一實施例中，電腦206依據(jù)所接收的位準(zhǔn)感測地圖來決定補償?shù)貓D。 補償?shù)貓D可包含欲應(yīng)用于基材的曝光工藝的一個或多個參數(shù)的決定。這些 參數(shù)可全部或部分地補償?shù)匦尾町?，這些地形差異決定且提供在位準(zhǔn)感測 地圖中。在一實施例中，補償?shù)貓D提供一個或更多個參數(shù)，其中這些參數(shù) 欲應(yīng)用于基材上的數(shù)點中的每一點的曝光工藝。例如，在一實施例中，補 償?shù)貓D明確說明糸夂應(yīng)用來曝光基材的第 一區(qū)域的第 一焦距、以及欲應(yīng)用來 曝光基材的第二區(qū)域的第二焦距。在一實施例中，基材的第一區(qū)域和第二區(qū)域在單一曝光場內(nèi)。在一實施例中，補償?shù)貓D更對應(yīng)于基材上的地點的
所需焦距而提供施加至包含在曝光裝置202內(nèi)的可變聚焦元件的電場強(qiáng)度。 可變聚焦元件可實質(zhì)上近似于可變聚焦元件112,如上參照第la圖和第lb 圖所作的描述。電腦206可包含、或可操作地耦合于一控制器，此控制器 可操作施加 一 已定電場(例如供應(yīng) 一 電壓)，例如由補償?shù)貓D所提供，到可 變聚焦元件112。
如一例子，在一實施例中，提供基材，例如上述參閱圖1A和圖1B所 描述的基材120。位準(zhǔn)感測器204測定基材的一個或多個位準(zhǔn)，而產(chǎn)生一位 準(zhǔn)感測地圖。特別是，位準(zhǔn)感測地圖提供基材上的至少一個位置而決定一 位準(zhǔn)(例如高度)，稱為第一位準(zhǔn)，在此例子中此至少一位置稱為第一位置。 第一位準(zhǔn)可為在曝光裝置202的一般聚焦深度外。位準(zhǔn)感測地圖與電腦206 連通。當(dāng)?shù)谝晃恢闷毓鈺r，電腦206可產(chǎn)生補償?shù)貓D，而決定欲由曝光裝 置202提供的修改焦距。這個修改的焦距可提供第一位置適當(dāng)?shù)钠毓?，?以使其落在聚焦深度內(nèi)。補償?shù)貓D更可包括多個修改焦距，其中每一個修 改焦距對應(yīng)于晶圓上的一個位置，且位準(zhǔn)感測器已提供每個位置一個位準(zhǔn)。 電腦206接著決定欲施加于啄光裝置202的可變聚焦元件上的電場強(qiáng)度及/ 或電壓，來提供已修改的焦距。接著施加電場于啄光裝置202的可變聚焦 元件，并且使用具有由可變聚焦元件決定的焦距的放射光束來曝光第一位 置。因此，曝光工藝系統(tǒng)200藉由使用資訊(例如位準(zhǔn)感測地圖)來提供預(yù) 測工藝控制的系統(tǒng)和方法，以在啄光前判斷曝光裝置202所提供的焦距。 藉由調(diào)整施加至可變聚焦元件的電場，可調(diào)整曝光裝置202 (例如可變聚焦 元件)所提供的焦距，以使用預(yù)測資訊在一既定焦距下曝光基材上的一局部 區(qū)域。再者，藉由調(diào)整施加至可變聚焦元件的電場，可調(diào)整曝光裝置202 (例 如可變聚焦元件)所提供的焦距，以提供基材上的多個點的曝光，其中這些 點位在不同焦距。
在一實施例中，電腦206提供其他參數(shù)來補償位準(zhǔn)感測地圖，例如調(diào) 整介于晶圓與曝光的透鏡之間的距離、及/或調(diào)整曝光工具的圖罩邊緣遮罩 組件，例如圖罩邊緣遮罩組件106。在其他實施例中，電腦206接收來自其 他來源的資訊以取代或增加來自位準(zhǔn)感測器204的資訊。此資訊亦可用來 決定可變聚焦裝置的所需修正(例如調(diào)整)，并且可包括與任何焦距變動來 源有關(guān)的資訊，例如在曝光裝置202中或應(yīng)用在曝光工藝中的光掩膜。
現(xiàn)在請參閱圖3所示，提供一種進(jìn)行微影制程的方法。方法300包括應(yīng) 用在微影制程中的一種膝光工藝。方法300開始于步驟302，此處提供涂有 光敏性材料的基材。所提供的基材可實質(zhì)上近似于基材120，如上參閱圖1A 所作的描述?；纳系墓饷粜圆牧?例如光阻)的形成可使用旋轉(zhuǎn)涂布工藝、 沉積工藝、及/或由在此技術(shù)領(lǐng)域中已知的其他的工藝。光阻可包含正光阻或負(fù)光阻。在基材上可呈現(xiàn)一個或更多個層、及/或特征除了光阻層外，包 括在下面的光阻層。光阻層形成之后，可烘烤基材，以準(zhǔn)備曝光工藝。
方法300接著進(jìn)行至步驟304，在此步驟304中，提供包含可變聚焦元 件的曝光裝置。所提供的曝光裝置可實質(zhì)上近似于曝光裝置100及/或曝光 裝置202,如上參照第la圖和第2圖所作的敘述?？勺兙劢乖蓪嵸|(zhì)上 近似于可變聚焦元件112，如上參照第la至第lb圖所作的敘述。曝光裝置 可包含階段性平臺，其中上方參照步驟302所提供的基材設(shè)置在此階段性 平臺上。此階段性平臺可實質(zhì)上近似于基材平臺118，亦如上參照第la圖 所作的描述。
方法300接著進(jìn)行至步驟306，其中位準(zhǔn)感測地圖包含依在基材上的至 少一點的最高特征(例如層)的位準(zhǔn)(例如從一參考平面的高度)的決定。 在一實施例中，依在一曝光場內(nèi)多個點決定最高特征的位準(zhǔn)或高度?？衫?用位準(zhǔn)感測器，例如位準(zhǔn)感測器116，來產(chǎn)生位準(zhǔn)感測地圖，如上參照第 la圖所作的描述；及/或位準(zhǔn)感測器204，如上參照第2圖所作的描述。
方法300接著進(jìn)行至步驟308，在此步驟308中，調(diào)整可變聚焦元件以 提供曝光工藝適當(dāng)?shù)慕咕??？勺兙劢乖恼{(diào)整提供由可變聚焦元件和其 曝光裝置所提供的焦距的變化。使用位準(zhǔn)感測地圖來決定焦距所需要的調(diào) 整，如上參照步驟306所作的描述。在一實施例中，產(chǎn)生補償?shù)貓D，以提 供基材上的多個點從參考平面的焦距的所需補償?shù)呐袛唷？烧{(diào)整可變聚焦 元件，來提供所需的全部或部份補償。藉由將可變形的膜暴露于已決定強(qiáng) 度的電場下，可調(diào)整可變聚焦元件，其中此可變形的膜包含在可變聚焦元 件中，如同參照第la圖所示的可變聚焦元件112所提供的更詳細(xì)的說明。
方法300接著進(jìn)行至步驟310，其中曝光一場在基材上。在一實施例中， 利用掃描啄光工藝曝光此場。入射于基材上的放射光束曝光電路特征的圖 案或其部份在曝光場中(例如暴露于放射線的基材部份)。利用可變聚焦元 件可部份的定義曝光場。特別的是，可變聚焦元件部份地定義放射光束的 焦距，其中此放射光束照射于基材上并且提供曝光場。在曝光工藝中，可 變聚焦元件可允許曝光裝置的放射光束的焦距被調(diào)整。例如，在一實施例 中，可變聚焦元件對于一給定基材提供在曝光工藝內(nèi) 一個或更多個不同的 焦距。在一實施例中，可變聚焦元件對于在基材上的給定曝光場允許在曝 光工藝內(nèi)提供一個或更多個不同的焦距。亦可根據(jù)在曝光場中的一給定特 征，例如雙重鑲嵌內(nèi)連線結(jié)構(gòu)的存在，來調(diào)整可變聚焦元件。
因此，方法30G在曝光工藝內(nèi)提供可修改的焦距。雖然在此所描述為 可修正的聚焦對應(yīng)于由基材的地形的位準(zhǔn)感測器的決定，方法300的一實 施例可提供對應(yīng)于其他參^:的可調(diào)整的聚焦，其中方法300包括可變聚焦 元件的使用。在一實施例中，基材的地形可利用除了位準(zhǔn)感測器的外的裝置來加以決定?？尚拚慕咕嘤兄谘a償任何可能影響曝光裝置及/或工藝 的聚焦范圍的參數(shù)，包含導(dǎo)因于光掩膜、透鏡、或曝光裝置的其他組件、
及/或曝光工藝的那些結(jié)果任何可用補償。再者，方法300可包括利用外加 的方式，例如基材的定位的調(diào)整，來調(diào)整曝光裝置所提供的焦距。
因此，本發(fā)明揭露提供一種裝置。此裝置包括放射源，此放射源可操 作的提供放射光束。亦包括可變聚焦元件。可變聚焦元件包含膜。在一實 施例中，當(dāng)電場施加于膜時，膜為可變形的。在一實施例中，已變形的膜 改變通過膜的放射光束的焦距。此裝置亦包括一控制器，此控制器可操作 地耦合于可變聚焦元件和基材平臺，用來定位半導(dǎo)體基材。
亦提供一包含多個指令的電腦可讀取媒體。這些指令包括提供接收半 導(dǎo)體基材上的一位準(zhǔn)的至少一決定。位準(zhǔn)包括在一參考平面上的第一特征 的高度。這些指令更提供決定欲用來曝光第一特征的焦距。亦提供的是決 定一膜的調(diào)整，以提供所決定的焦距。
進(jìn)一步提供的是一種微影方法。此方法包括提供放射光束。亦提供的 是變形一透明膜。在一實施例中，藉由施加一電場至膜可變形此膜。放射 光束通過變形的膜。通過變形的膜可改變放射光束的焦距。接著以放射光 束曝光基材，以在基材上形成部份電路特征的圖案。在一實施例中，方法可 包括接收欲膝光的基材的第一位準(zhǔn)與變形膜，以提供適當(dāng)焦距來曝光第一 位準(zhǔn)。在一實施例中，方法亦可包括接收欲曝光的基材除第一位準(zhǔn)的外的第 二位準(zhǔn)、以及變形此膜以提供一適當(dāng)焦距來啄光第二位準(zhǔn)。在一實施例中， 第一位準(zhǔn)和第二位準(zhǔn)包含在相同的啄光場里。因此，在一實施例中，方法 可用以改進(jìn)內(nèi)曝光場的聚焦。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式 上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā) 明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利 用上述揭示的方法及技術(shù)內(nèi)容作出些許的更動或修飾為等同變化的等效實 施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以 上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方 案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1. 一種微影制程的曝光裝置，其特征在于其至少包括一放射源，操作來提供一放射光束以曝光一半導(dǎo)體基材；一可變聚焦元件，其中該可變聚焦元件至少包含一膜；一控制器，操作地耦合于該可變聚焦元件；以及一基材平臺，用以定位該半導(dǎo)體基材。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程的曝光裝置，其特征在于其中所述 的膜包含一透明固態(tài)材料和一透明液體材料的至少之一，或包含硅。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微影制程的曝光裝置，其特征在于其中當(dāng)一 第一電場施加在該膜時，該可變聚焦元件是裝設(shè)來提供一第一焦距，而當(dāng) 一第二電場施加于該膜時，該可變聚焦元件是裝設(shè)來提供一第二焦距。而 該控制器是安裝來在當(dāng)曝光該半導(dǎo)體基材的一單一曝光場時藉由個別地提 供該第一電場和該第二電場的方式來控制該可變聚焦元件。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程的曝光裝置，其特征在于其更包含 一位準(zhǔn)感測器，用以依一位準(zhǔn)感測器圖來判斷該半導(dǎo)體基材的一深度，并且提供該控制器一位準(zhǔn)指示，其中該控制器是安裝來回應(yīng)接收自該位準(zhǔn)感測器的該位準(zhǔn)指示而提供 該可變聚焦元件一可變強(qiáng)度的電場。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的微影制程的曝光裝置，其特征在于其更包含 一光掩膜，該光掩膜包含有用以形成一電路的一部分的一圖案，其中該光 掩膜位于該放射源與該可變聚焦元件之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的微影制程的曝光裝置，其特征在于其中所述 的可變聚焦元件是一微光機(jī)電系統(tǒng)元件。
7. —種用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒體，其特征在于其至 少包括多個電腦可讀取指令以決定一微影參數(shù)，該些電腦可讀取指令包含 多個指令以接收在一半導(dǎo)體基材上的一位準(zhǔn)的至少一測定，其中該位準(zhǔn)包含在一 參考平面上的一第一特征的一高度；決定用來曝光該第一特征的一焦距；以及 判斷一膜的一調(diào)整，以提供所決定的該焦距。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒 體，其特征在于其中判斷該膜的該調(diào)整的步驟至少包含決定欲施加于該膜 的一電場。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒 體，其特征在于其更包含才艮據(jù)所接收的該位準(zhǔn)的該測定，建立一補償圖。
10. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒 體，其特征在于其更包含決定欲用于曝光一第二特征的一焦距，其中該第一特征與該第二特征 是在相同的曝光場中。
11. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于微影制程的曝光工藝的電腦可讀取媒 體，其特征在于其中判斷該膜的該調(diào)整的步驟包括決定施加于該膜的一電 場。
12. —種微影制程的曝光方法，其特征在于其至少包括以下步驟 提供一放射光束；變形一透明膜；使所提供的該放射光束通過變形的該透明膜；以及在該放射光束已通過變形的該透明膜之后，將一基材曝光于該放射光 束，其中將該基材曝光于該放射光束的步驟包含形成一圖案于該基材上， 該圖案包含一電路特征的一部分。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的微影制程的曝光方法，其特征在于其更包含變形該透明膜的步驟包含提供一 電場于該膜，其中利用該基材上的該 電路特征的該部分的一最高位準(zhǔn)的一判斷，決定所提供的該電場的強(qiáng)度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的微影制程的曝光方法，其特征在于其中變形該透明膜的步驟包含拋物線狀地變形一含有硅的膜。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的微影制程的曝光方法，其特征在于其更包括判斷該基材的一第一位準(zhǔn)；利用所判斷出的該第 一位準(zhǔn)，判斷曝光該基材的 一 第 一 焦距；判斷該基材的一第二位準(zhǔn)；以及利用該第二位準(zhǔn)，判斷曝光該基材的一第二焦距；其中使所提供的該放射光束通過變形的該透明膜的步驟包括修改該放 射光束以提供該第 一焦距與該第二焦距，且該第二焦距比該第 一焦距短， 該第一位準(zhǔn)和該第二位準(zhǔn)包含在該基材上的一單一曝光場中。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種微影制程的曝光裝置及方法，該微影制程的曝光裝置，至少包括可變聚焦元件?？勺兙劢乖砂陔妶龃嬖谙驴杀蛔冃蔚耐该髂ぁＭ该髂さ淖冃慰稍试S放射光束的焦距作調(diào)整。在一實施例中，可調(diào)整可變聚焦元件，藉以提供曝光目標(biāo)上的第一位置具有第一焦距的放射光束、和提供此曝光目標(biāo)上的第二位置具有第二焦距的放射光束。也提供一種微影制程的方法和電腦可讀取媒體。
文檔編號G03F7/20GK101414131SQ20081017051
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月19日
發(fā)明者游大慶, 王憲程, 謝弘璋 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司