專利名稱：液晶顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示設(shè)備，且更具體而言，涉及液晶顯示(LCD) 設(shè)備及其制造方法。
背景技術(shù)：
本申請要求2007年10月17日提交的韓國專利申請No.2007-0104784 的優(yōu)先權(quán)，此處以引證的方式并入其全部內(nèi)容，就像在此進(jìn)行了完整闡 述一樣。
直到最近，顯示設(shè)備通常使用陰極射線管(CRT)。目前，對開發(fā)作 為CRT的替代品的各種類型的平板顯示器做了很多努力和研究，諸如液 晶顯示(LCD)設(shè)備、等離子體顯示面板(PDP)、場發(fā)射顯示器以及電 致發(fā)光顯示器(ELD)。在這些平板顯示器當(dāng)中，LCD設(shè)備具有諸如高分 辨率、輕重量、薄外形、緊湊尺寸以及低電壓電源要求之類的很多優(yōu)點(diǎn)。
一般而言，LCD設(shè)備包括彼此隔開且相對的兩個(gè)基板，在這兩個(gè)基 板之間夾有液晶材料。兩個(gè)基板包括彼此相對的電極，使得施加到電極 之間的電壓感應(yīng)出穿過液晶材料的電場。液晶材料中的液晶分子的取向 依照根據(jù)感應(yīng)電場的強(qiáng)度而變成感應(yīng)電場的方向，由此改變LCD設(shè)備的 光透射率。因而，LCD設(shè)備通過改變感應(yīng)電場的強(qiáng)度而顯示圖像。
利用垂直感應(yīng)電場而工作的LCD設(shè)備具有不能獲得寬視角的缺點(diǎn)。 為了獲得寬視角，提出了 IPS-LCD (共面切換模式LCD)設(shè)備。IPS-LCD 設(shè)備通過共面電場工作。
圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的IPS-LCD設(shè)備的視圖。
參考圖l， LCD設(shè)備包括被稱為陣列基板的下基板IO、被稱為濾色 基板的上基板9以及這兩個(gè)基板9和10之間的液晶層11。公共電極30 和像素電極17形成在下基板10上且感應(yīng)共面電場L，并且液晶層11的液晶分子通過該共面電場L而工作。
圖2A和2B是示出了根據(jù)相關(guān)技術(shù)分別處于關(guān)閉狀態(tài)和打開狀態(tài)的 LCD設(shè)備的視圖。
參考圖2A和2B，當(dāng)關(guān)閉狀態(tài)變?yōu)榇蜷_狀態(tài)時(shí)，在公共電極17和像 素電極30之間感應(yīng)共面電場L。盡管公共電極17和像素電極30上的液 晶分子lla的取向不變，但是公共電極17和像素電極30之間的液晶分 子lib的取向根據(jù)共面電場L而改變。因?yàn)楦鶕?jù)共面電場排列液晶分子， 可獲得寬視角。
圖3是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板的平面圖，且 圖4是沿著圖3的IV-IV線提取的截面圖。
參考圖3和圖4，陣列基板包括在基板40上彼此交叉以限定像素區(qū) 域P的選通線43和數(shù)據(jù)線60。公共線47與選通線43隔開。
薄膜晶體管Tr位于選通線43和數(shù)據(jù)線60的交叉處的開關(guān)區(qū)域TrA 中。薄膜晶體管Tr包括柵極45、半導(dǎo)體層51以及源極53和漏極55。
在像素區(qū)域P中，多個(gè)像素電極70a和70b以及多個(gè)公共電極49a 和49b交替設(shè)置。像素電極70a和70b連接到連接圖案69，且該連接圖 案69連接到漏極55。公共電極49a和4%連接到公共線47。
使用五道掩模工序制造陣列基板。例如，在第一掩模工序中在基板 40上沉積第一金屬材料并對其構(gòu)圖以形成柵極45、選通線43、公共電極 49a和49b以及公共線47。在具有柵極45的基板40上形成柵絕緣層50。
在第二掩模工序中在柵絕緣層50上順序形成本征非晶硅(a-Si)層 和摻雜非晶硅層并對其構(gòu)圖以形成半導(dǎo)體層51。半導(dǎo)體層51包括由本征 非晶硅制成的有源層51a和由摻雜非晶硅制成的歐姆接觸層51b。
在第三掩模工序中在具有半導(dǎo)體層51的基板40上沉積第二金屬材 料并對其構(gòu)圖以形成源極53和漏極55以及數(shù)據(jù)線60。去除源極53和漏 極55之間的歐姆接觸層51b。
在第四掩模工序中在具有源極53和漏極55的基板40上形成鈍化層 65并對其構(gòu)圖以形成露出漏極55的漏接觸孔67。
在第五掩模工序中在鈍化層65上沉積透明導(dǎo)電材料并對其構(gòu)圖以形成像素電極70a和70b。
通過上述五道掩模工序，制造了陣列基板。然而，因?yàn)殡S著掩模工 序的增加，生產(chǎn)時(shí)間和成本也增加，因此需要減少掩模工序的數(shù)量。
圖5是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)使用四道掩模工序制造的IPS-LCD設(shè)備的 陣列基板。
參考圖5，與圖4相比，減少了一道掩模工序。g卩，在與形成半導(dǎo) 體層79相同的掩模工序中形成源極84和漏極86以及數(shù)據(jù)線82。因此， 在數(shù)據(jù)線82下面形成具有與半導(dǎo)體層79相同的層疊結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體圖案 80。半導(dǎo)體層79包括由本征非晶硅制成的有源層79a和由摻雜非晶硅制 成的歐姆接觸層79b，且以相同的方式，半導(dǎo)體圖案80包括由本征非晶 硅制成的第一圖案80a和由摻雜非晶硅制成的第二圖案80b。在與開關(guān)區(qū) 域TrA中形成柵極77相同的工序中形成公共電極75a和75b,且源極84 和漏極86接觸歐姆接觸層79b。連接圖案90通過鈍化層88中的漏接觸 孔接觸漏極86，且像素電極91a和91b連接到連接圖案卯。柵絕緣層78 位于柵極77上。
因?yàn)橛性磳?9a突出到歐姆接觸層79b的外面且第一圖案80a突出 到第二圖案80b的外面，薄膜晶體管Tr的光電流增加且因而截止電流也 增加。而且，因?yàn)榈谝粓D案80a突出到第二圖案80b的外面，當(dāng)背光打 開或關(guān)閉時(shí)，產(chǎn)生波動(dòng)噪聲，且孔徑比下降。因此，在相關(guān)技術(shù)的IPS-LCD 設(shè)備中，顯示質(zhì)量降低。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明涉及一種液晶顯示設(shè)備及其制造方法，其能夠基本上 克服因相關(guān)技術(shù)的局限和缺點(diǎn)帶來的一個(gè)或多個(gè)問題。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是提供一種能夠改善顯示質(zhì)量的液晶顯示設(shè)備及其制 造方法。
本發(fā)明的附加特征和優(yōu)點(diǎn)將在下面的描述中描述且將從描述中部分 地顯現(xiàn)，或者可以通過本發(fā)明的實(shí)踐來了解。通過書面的說明書及其權(quán) 利要求以及附圖中特別指出的結(jié)構(gòu)可以實(shí)現(xiàn)和獲得本發(fā)明的這些和其他優(yōu)點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)這些和其它優(yōu)點(diǎn)，按照本發(fā)明的目的，作為具體和廣義的 描述，本發(fā)明提供一種液晶顯示設(shè)備的制造方法，該方法包括在基板 上形成選通線、柵極、位于所述選通線的端部的柵焊盤電極、以及公共 線；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層；在所 述有源層上形成蝕刻阻止層；在所述有源層上形成彼此隔開的第一歐姆 接觸層和第二歐姆接觸層，并且形成與其下面的所述柵絕緣層接觸的摻 雜非晶硅圖案，所述第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層的外側(cè)位于所述 有源層之外；形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于所 述數(shù)據(jù)線的端部的數(shù)據(jù)焊盤電極、以及分別位于所述第一歐姆接觸層和 第二歐姆接觸層上的源極和漏極；在所述像素區(qū)域中形成像素電極和公 共電極以感應(yīng)共面電場；以及在所述柵焊盤電極上形成柵焯盤端子電極， 其中所述數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極的至少其中之一與其下的所述摻 雜非晶硅圖案接觸。
在另一方面中， 一種液晶顯示設(shè)備包括基板上的選通線、柵極、 位于選通線的端部的柵焊盤電極、以及公共線；位于所述柵極上的柵絕 緣層；位于所述柵絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的蝕刻阻止層； 位于所述有源層上的彼此隔開的第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層以及 與其下的柵絕緣層接觸的慘雜非晶硅圖案，所述第一歐姆接觸層和所述 第二歐^l接觸層的外側(cè)位于所述有源層之外；與所述選通線交叉以限定 像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于所述數(shù)據(jù)線的端部的數(shù)據(jù)焊盤電極、以及分別 位于所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆接觸層上的源極和漏極；位于 所述像素區(qū)域中、用以感應(yīng)共面電場的像素電極和公共電極；以及位于 所述柵焊盤電極上的柵焊盤端子電極，其中所述數(shù)據(jù)線、所述像素電極 和所述公共電極的至少其中之一與其下的摻雜非晶硅圖案接觸。
應(yīng)當(dāng)理解上述一般描述和下面的詳細(xì)描述是示例性和說明性的，且 旨在提供如權(quán)利要求限定的本發(fā)明實(shí)施方式的進(jìn)一步解釋。


附圖被包括在本說明書中以提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并結(jié)合到 本說明書中且構(gòu)成本說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施方式， 且與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。
附圖中
圖1是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的IPS-LCD設(shè)備的視圖2A和2B是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)分別處于關(guān)閉狀態(tài)和打開狀態(tài)的 LCD設(shè)備的視圖3是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板的平面圖； 圖4是沿著圖3的IV-IV線提取的截面圖5是示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)使用四道掩模工序制造的IPS-LCD設(shè)備的 陣列基板的視圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板 的平面圖7A是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基
板沿著圖6的vn-vn線提取的截面圖8A和9A是分別示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè) 備的陣列基板的柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤的截面圖7B、 8B和9B是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的陣列基板的截 面圖10A至10K是沿著圖6的VII-VII線提取的示出根據(jù)本發(fā)明的第 一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板的一部分的制造工藝的截面圖11A至1 IK是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的 陣列基板的柵焊盤部分的制造工藝的截面圖；以及
圖12A至12K是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的 陣列基板的數(shù)據(jù)焊盤部分的制造工藝的截面圖。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施方式，在附圖中示例出了其示例。 圖6是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板的平面圖。
參考圖6，在根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基 板中，柵線103和數(shù)據(jù)線135在基板101上彼此交叉以限定像素區(qū)域。 公共線106與選通線103隔開并與之平行。
薄膜晶體管Tr位于選通線103和數(shù)據(jù)線135的交叉處。薄膜晶體管 Tr包括柵極108、半導(dǎo)體層以及源極140和漏極143。薄膜晶體管Tr可 具有各種結(jié)構(gòu)。例如，源極140可從數(shù)據(jù)線135突出，且柵極108可從 選通線103突出。或者，源極140可為U形，且漏極143可插入到U形 源極140的內(nèi)部空間中。
多個(gè)像素電極150和多個(gè)公共電極147在像素區(qū)域中交替地設(shè)置。 像素電極150連接到漏極143，且公共電極147連接到公共線106。公共 電極147可通過公共接觸孔117接觸公共線106。像素電極150的一端可 連接到連接部153。連接部153可與選通線103交疊以形成存儲(chǔ)電容器 StgC。或者，連接部153可與公共線106交疊以形成存儲(chǔ)電容器。盡管 在圖中未示出，可在選通線103的端部形成柵焊盤，且可在數(shù)據(jù)線135 的端部形成數(shù)據(jù)焊盤。柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤可連接到驅(qū)動(dòng)電路以接受選通 信號和數(shù)據(jù)信號。
圖7A是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板沿 著圖6的VII-VII線提取的截面圖。
參考圖6和7A，柵極108形成在基板101上的開關(guān)區(qū)域TrA中。柵 絕緣層116形成在具有柵極108的基板101上。由本征非晶硅制成的有 源層121形成在柵絕緣層116上且對應(yīng)于柵極108。有源層121可位于柵 極108的輪廓中。蝕刻阻止層127形成在有源層121上。蝕刻阻止層127 可露出有源層121的兩側(cè)且由無機(jī)絕緣材料制成。歐姆接觸層129可形 成在蝕刻阻止層127、有源層121和柵絕緣層116上。歐姆接觸層129可 與蝕刻阻止層127的兩側(cè)交疊且覆蓋有源層121的露出部分。半導(dǎo)體層 132包括有源層121和歐姆接觸層129。
源極140和漏極143形成在歐姆接觸層129上。源極140和漏極143 可具有至少兩層，例如，形成雙層結(jié)構(gòu)。選通線103可由與公共線106相同的材料形成。柵絕緣層116形成 在選通線103和公共線106上。柵絕緣層U6可具有露出公共線106的 多個(gè)公共接觸孔117。
多個(gè)像素電極150和多個(gè)公共電極147形成在柵絕緣層116上。像 素電極150可由與公共電極147相同的材料形成。像素電極150連接到 漏極143，且公共電極147通過公共接觸孔117連接到公共線106。摻雜 非晶硅圖案130可在像素電極150和公共電極147下面且沿著像素電極 150和公共電極147形成。摻雜非晶硅圖案130可具有與位于摻雜非晶硅 圖案130上的像素電極150或公共電極147基本相同的平面形狀。摻雜 非晶硅圖案130可在數(shù)據(jù)線135下面且沿著數(shù)據(jù)線135形成，并且具有 與數(shù)據(jù)線135基本相同的平面形狀。
在存儲(chǔ)區(qū)域StgA中，可形成存儲(chǔ)電容器StgC。存儲(chǔ)電容器StgC可 包括作為選通線103的一部分的第一存儲(chǔ)電極和與選通線103交疊的連 接部153的第二存儲(chǔ)電極，且柵絕緣層116位于第一和第二存儲(chǔ)電極之 間。摻雜非晶硅圖案130可在連接部153下面且沿著連接部153形成， 且具有與連接部153基本相同的平面形狀。
圖8A和9A是分別示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備 的陣列基板的柵輝盤和數(shù)據(jù)焯盤的截面圖。
參考圖8A和9A，在柵焊盤區(qū)域GPA中，在基板101上形成柵焊盤 電極lll。柵焊盤電極111可位于選通線(圖6和7A中的103)的端部。 柵絕緣層116可具有露出柵焊盤電極111的柵焊盤接觸孔118。柵焊盤端 子電極159通過柵焊盤接觸孔118電連接到柵焊盤電極111。摻雜非晶硅 圖案130可位于柵焊盤端子電極159之下且具有與柵焊盤端子電極159 基本相同的平面形狀。
在數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域DPA中，在柵絕緣層116上形成數(shù)據(jù)焊盤電極156。 數(shù)據(jù)焊盤電極156可位于數(shù)據(jù)線(圖6和7A的135)的端部。摻雜非晶 硅圖案130可位于數(shù)據(jù)焊盤電極156之下且具有與數(shù)據(jù)焊盤電極156基 本相同的平面形狀。
參考7A、 8A和9A，在實(shí)施方式的第一示例的陣列基板中，像素電極150、公共電極147、連接部153、柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電 極156可具有單層結(jié)構(gòu)，且摻雜非晶硅圖案130可形成在像素電極150、 公共電極147、連接部153、柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156之 下。源極140、漏極143和數(shù)據(jù)線135可具有雙層結(jié)構(gòu)。例如，源極140 可具有第一層140a和第二層140b,漏極143可具有第一層143a和第二 層143b，且數(shù)據(jù)線135可具有第一層135a和第二層135b。源極140、漏 極143和數(shù)據(jù)線135的第二層140b、 143b和135b可由包括銅(Cu)、銅 合金、鋁(Al)和鋁合金的低電阻材料形成。因此，可將沿著數(shù)據(jù)線135 施加到像素的數(shù)據(jù)信號的壓降減至最小。像素電極150，公共電極147， 連接部153，柵焊盤端子電極159，數(shù)據(jù)焊盤電極156，以及源極140、 漏極143和數(shù)據(jù)線135的第一層140a、 143a和135a可由包括鉬(Mo) 和鉬合金的金屬材料形成。
低電阻材料易受腐蝕影響。因此，對于柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，可去除 由低電阻材料制成的金屬層，且柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156 可不具有由低電阻材料制成的層。而且，像素電極150和公共電極147 可不具有由低電阻材料制成的層，從而可使像素電極150和公共電極147 與柵絕緣層116之間的階差減至最小。
圖7B、 8B和9B是示出根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施方式的陣列基板的截 面圖。圖7B、 8B和9B分別對應(yīng)于圖7A、 8A和9A。除了源極和漏極、 數(shù)據(jù)線、像素電極、公共電極、公共線、連接部、柵焊盤端子電極和數(shù) 據(jù)焊盤電極的層疊結(jié)構(gòu)之外，圖7B、 8B和9B的陣列基板與圖7A、 8A 和9A的陣列基板類似。因而可省略與圖7A、 8A和9A的部件類似的部 件的解釋。
源極240、漏極243和數(shù)據(jù)線235可具有三層結(jié)構(gòu)，且像素電極250、 公共電極247、連接部253、柵焊盤端子電極259以及數(shù)據(jù)焊盤電極256 可具有雙層結(jié)構(gòu)。
源極240、漏極243、數(shù)據(jù)線235、像素電極250、公共電極247、 連接部253、柵焊盤端子電極259和數(shù)據(jù)焊盤電極256的第一層240a、 243a、 235a、 250a、 247a、 253a、 259a和256a可具有約30 60 A的厚度且由諸如鉬(Mo)和鉬合金的金屬材料形成。源極240、漏極243、數(shù)據(jù)線 235、像素電極250、公共電極247、連接部253、柵焊盤端子電極259和 數(shù)據(jù)焊盤電極256的第二層240b、 243b、 235b、 250b、 247b、 253b、 259b 和256b可由諸如氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO) 這樣的透明導(dǎo)電材料形成。源極240、漏極243和數(shù)據(jù)線235的第三層 240c、 243c和235c可由諸如銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)和鋁合金的低 電阻材料形成。
對于柵焊盤和數(shù)據(jù)焊盤，可去除由低電阻材料制成的金屬層，且柵 焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156可具有由耐腐蝕的透明導(dǎo)電材料 形成的頂層。因此，可避免焊盤受到腐蝕。
下面將解釋根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的制造方法。如 上所述，因?yàn)槌藢盈B結(jié)構(gòu)之外，第一實(shí)施方式的陣列基板與第二實(shí)施 方式的陣列基板類似，所以將一起解釋根據(jù)第一和第二實(shí)施方式的 IPS-LCD設(shè)備的制造方法。
圖ioa至iok是沿著圖6的vn-vn線提取的示出根據(jù)本發(fā)明的第
一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板的一部分的制造工藝的截面圖， 圖IIA至IIK是示出根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列 基板的柵焊盤部分的制造工藝的截面圖，且圖12A至12K是示出根據(jù)本 發(fā)明的第一實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板的數(shù)據(jù)焊盤部分的制造 工藝的截面圖。
參考圖IOA、 IIA和12A，在基板101上沉積第一金屬材料并使用 第一掩模(未示出)對其構(gòu)圖以形成選通線103、公共線106、柵極108 和柵焊盤電極111。在開關(guān)區(qū)域TrA中形成柵極108，且在柵焊盤區(qū)域 GPA中形成柵焊盤電極lll。第一金屬材料可包括銅(Cu)、銅合金、鋁 (Al)、鋁合金以及鉻(Cr)。
參考圖IOB、 11B和12B，在具有選通線103的基板101上順序形成 柵絕緣層116、本征非晶硅層120和第一絕緣層125。柵絕緣層116可由 氮化硅和氧化硅的至少其中之一形成。第一絕緣層125可由氮化硅和氧 化硅的至少其中之一形成。在第一絕緣層125上形成第一光刻膠層180。第一光刻膠層180可 以是正型的。第二掩模191位于第一光刻膠層180上且具有阻擋部分BA、 第一和第二半透射部分HTA1和HTA2以及透射部分TA。使用第二掩模 191對第一光刻膠層180執(zhí)行曝光。透過第一和第二半透射部分HTA1和 HTA2的光透射率介于透過阻擋部分BA的光透射率和透過透射部分TA 的光透射率之間，且透過第一半透射部分HTA1的光透射率小于透過第 二半透射部分HTA2的光透射率。
第二掩模191可具有基本基板193和位于基本基板193的表面上的 半透射層195?；净?93可具有阻擋區(qū)域B、半透射區(qū)域S以及透射 區(qū)域T。阻擋區(qū)域B對應(yīng)于阻擋部分BA,半透射區(qū)域S對應(yīng)于第一半透 射部分HTA1，且透射區(qū)域T對應(yīng)于第二半透射部分HTA2和透射部分 TA。阻擋區(qū)域B可包括金屬膜以阻擋光，且半透射區(qū)域S可包括狹縫圖 案以半透射光。透射區(qū)域T是透明的以透射光。半透射層195可對應(yīng)于 第一和第二半透射部分HTA1和HTA2。而且，半透射層195可形成為與 阻擋部分BA相對應(yīng)。半透射層195具有對應(yīng)于透射部分TA的通孔H以 透射光。
半透射層195可包括半色調(diào)膜以半透射光。經(jīng)過第一半透射部分 HTA1的光被雙重半透射，而經(jīng)過第二半透射部分HTA2的光被單重半透 射。因此，透過第一半透射部分HTA1的光透射率小于透過第二半透射 部分HTA2的光透射率。應(yīng)當(dāng)理解，可以按與圖IOB、 11B和12B所示 的方式不同的各種方式形成第二掩模191。
當(dāng)使用負(fù)型光刻膠層183時(shí)，阻擋部分BA與透射部分TA交換位置， 并且第一半透射部分HTA1與第二半透射部分HTA2交換位置。
參考圖IOC、 11C和12C，通過曝光，第一光刻膠層(圖10B、 11B 和12B的180)被顯影。被顯影的第一光刻膠層包括具有第一厚度的第 一光刻膠部分180a、具有第二厚度的第二光刻膠部分180b以及具有第三 厚度的第三光刻膠部分180c。第一光刻膠部分180a對應(yīng)于阻擋部分(圖 10的BA)，第二光刻膠部分180b對應(yīng)于第一半透射部分(圖10B的 HTA1)，且第三光刻膠部分180c對應(yīng)于第二半透射部分(圖IOB、 11B和12B的HTA2)。第一光刻膠層的去除部分對應(yīng)于透射部分(圖10B和 11B的TA)。
第一光刻膠部分180a和第二光刻膠部分180b形成在開關(guān)區(qū)域TrA 中，且兩個(gè)第二光刻膠部分180b位于第一光刻膠部分180a的兩側(cè)。因 為當(dāng)?shù)谝还饪棠z層是正型時(shí)第二光刻膠部分180b比第一光刻膠部分180a 更多地曝光，因而第一厚度大于第二厚度。第一厚度與第一光刻膠層的 原始厚度基本相同。
被去除的部分形成在公共線106的至少一部分和柵焊盤電極111的 至少一部分上。可在像素區(qū)域P中除了第一和第二光刻膠部分180a和 180b的區(qū)域以及被去除部分的區(qū)域之外的區(qū)域中、柵焊盤區(qū)域GPA中除 了被去除部分的區(qū)域之外的區(qū)域中、以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域DPA中形成第三 光刻膠部分180c。因?yàn)楫?dāng)光刻膠是正型時(shí)第三光刻膠部分180c比第二光 刻膠部分180b更多地曝光，因而第二厚度大于第三厚度。
使用顯影后的第一光刻膠層對第一絕緣層125、本征非晶硅層120 和柵絕緣層116執(zhí)行蝕刻工序以形成公共接觸孔117和柵焯盤接觸孔 118。公共接觸孔117和柵焊盤接觸孔118對應(yīng)于被去除部分。
然后，參考圖IOD、 IID和12D，對顯影后的第一光刻膠層執(zhí)行第 一灰化工序直到完全去除第三光刻膠部分(圖IOC、 IIC和12C的180c) 為止。在第一灰化工序中，部分地去除第一和第二光刻膠部分180a和 180b，使得第一和第二光刻膠層部分180a和180b的厚度減小。通過第 一灰化工序，具有第一灰化的第一和第二光刻膠部分180a和180b的第 一灰化的第一光刻膠層保留下來，且第三光刻膠部分下面的第一絕緣層 (圖IOC、 IIC和12C的125)被露出。然后，通過例如干刻工序的蝕刻 工序去除第三光刻膠部分下的第一絕緣層和本征非晶硅層(圖IOC、 11C 和12C的120)。在該蝕刻工序之后，第一灰化的第一和第二部分180a 和180b下面的第一絕緣層和本征非晶硅保留下來。保留的非晶硅層被稱 為有源層121，且保留的第一絕緣層被稱為第一絕緣圖案126。
參考圖IOE、 IIE和12E，對第一灰化的第一光刻膠層執(zhí)行第二灰化 工序，直到完全去除第一灰化的第二光刻膠部分(圖10D的180b)為止。在第二灰化工序中，部分地去除第一灰化的第一光刻膠部分180a，從而 進(jìn)一步減小第一光刻膠部分180a的厚度。通過第二灰化工序，第二灰化 的第一光刻膠部分180a保留下來，且第一灰化的第二光刻膠部分下面的 第一絕緣圖案(圖10D的126)被露出。然后，通過例如干刻工序的蝕 刻工序去除第一絕緣圖案126。在該蝕刻工序之后，第二灰化的第一光刻 膠部分180a下面的第一絕緣圖案保留下來，且有源層121的兩邊部分被 露出。保留的第一絕緣圖案被稱為蝕刻阻止層127。然后，例如，通過灰 化工序或剝離工序去除第二灰化的第一光刻膠層。
參考圖IOF、 11F和12F，順序形成摻雜非晶硅層128、第二金屬層 132和第三金屬層133。第二金屬層132可由鉬(Mo)和鉬合金的至少 其中一種形成。第三金屬層133可由包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al)和 鋁合金的低電阻材料形成。
盡管在圖中未示出，當(dāng)制造根據(jù)第二實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣 列基板時(shí)，在第三金屬層133上形成第四金屬層。對于這種結(jié)構(gòu)，第三 金屬層可由包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)和氧化銦錫鋅(ITZO) 的透明導(dǎo)電材料形成，且第四金屬層可由包括銅(Cu)、銅合金、鋁(Al) 和鋁合金的低電阻材料形成。
在第一實(shí)施方式的第三金屬層133或第二實(shí)施方式的第四金屬層上 形成第二光刻膠層183。使用包括阻擋部分BA、半透射部分HTA和透射 部分TA的第三掩模192對第二光刻膠層183進(jìn)行曝光。透過半透射部分 HTA的光透射率介于透過阻擋部分BA的光透射率和透過透射部分TA的 光透射率之間。第二光刻膠層183可以是正型的?？蛇x地，光刻膠層183 可以是負(fù)型的，且當(dāng)使用負(fù)型光刻膠層183時(shí)，阻擋部分BA與透射部 分TA交換位置。
參考圖IOG、 IIG和12G，通過曝光，對第二光刻膠層(圖IOF、 11F 和12F的183)進(jìn)行顯影。顯影后的第二光刻膠層包括具有第四厚度的第 四光刻膠部分183a和具有第五厚度的第五光刻膠部分183b。第四光刻膠 部分183a對應(yīng)于阻擋部分(圖10F的BA)，且第五光刻膠部分183b對 應(yīng)于半透射部分(圖10F、 11F和12F的HTA)。第二光刻膠層的被去除部分對應(yīng)于透射部分(圖10F、 11F和12F的TA)。
在形成有源極、漏極和數(shù)據(jù)線的區(qū)域中形成第四光刻膠部分183a。 在形成有連接部的存儲(chǔ)區(qū)域StgA以及形成有像素電極、公共電極、柵焊 盤端子電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的區(qū)域中形成第五光刻膠部分183b。因?yàn)楫?dāng) 光刻膠層是正型時(shí)第五光刻膠部分183b比第四光刻膠部分183a更多地 曝光，因而第四厚度大于第五厚度。第四厚度與第二光刻膠層的原始厚 度基本相同。
第二光刻膠層的被去除部分可形成在像素區(qū)域P中除了第四和第五 光刻膠部分183a和183b的區(qū)域之外的區(qū)域中、柵焊盤區(qū)域GPA中除了 第五光刻膠部分183b的區(qū)域之外的區(qū)域中、以及數(shù)據(jù)焊盤區(qū)域DPA中 除了第五光刻膠部分183b的區(qū)域之外的區(qū)域中。
參考圖IOH、 IIH和12H，使用顯影后的第二光刻膠層，對第三金 屬層(圖10G、 IIG和12G的133)、第二金屬層(圖10G、 11G禾B12G 的132)和摻雜非晶硅層(圖IOG、 UG和12G的128)執(zhí)行蝕刻工序。 通過該蝕刻工序，在開關(guān)區(qū)域TrA中形成彼此隔開的歐姆接觸層129。歐 姆接觸層129的內(nèi)側(cè)在蝕刻阻止層127上彼此相對。而且，形成彼此隔 開的源極140和漏極143,且形成與選通線103交叉以限定像素區(qū)域P 的數(shù)據(jù)線135。源極140包括分別由第二和第三金屬材料形成的第一層 140a和第二層140b。漏極143包括分別由第二和第三金屬材料形成的第 一層143a和第二層143b。數(shù)據(jù)線135包括分別由第二和第三金屬材料形 成的第一層135a和第二層135b。如上所述，對于根據(jù)第二實(shí)施方式的 IPS-LCD設(shè)備的陣列基板，源極、漏極(圖7B的240和243)和數(shù)據(jù)線 (圖7B的235)具有三層結(jié)構(gòu)。
而且，還形成金屬圖案。換句話說，在像素區(qū)域P中形成像素電極 150和公共電極147，在存儲(chǔ)區(qū)域StgA中形成連接部153，在柵焊盤區(qū)域 GPA中形成柵焊盤端子電極159，且在數(shù)據(jù)焯盤區(qū)域DPA中形成數(shù)據(jù)焊 盤電極156。像素電極150包括分別由第二和第三金屬材料形成的第一層 150a和第二層150b。公共電極147包括分別由第二和第三金屬材料形成 的第一層147a和第二層147b。連接部153包括分別由第二和第三金屬材料形成的第一層153a和第二層153b。柵焊盤端子電極159包括分別由第 二和第三金屬材料形成的第一層159a和第二層159b。數(shù)據(jù)焊盤電極156 包括分別由第二和第三金屬材料形成的第一層156a和第二層156b。對于 根據(jù)第二實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板，通過本蝕刻工序，像素 電極、公共電極、連接部、柵焊盤端子電極和數(shù)據(jù)焊盤電極均具有三層 結(jié)構(gòu)。摻雜非晶硅圖案130位于像素電極150、公共電極147、數(shù)據(jù)線135、 連接部153、柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156的下面。位于數(shù)據(jù) 線135下面的摻雜非晶硅圖案130與位于源極140下面的歐姆接觸層129 相連。公共電極147通過摻雜非晶硅圖案130電連接到公共線106，該摻 雜非晶硅圖案130通過公共接觸孔117與公共線106接觸。柵焊盤端子 電極159通過摻雜非晶硅圖案130電連接到柵焊盤電極111，該摻雜非晶 硅圖案130通過柵焊盤接觸孔118與柵焊盤電極111接觸。
參考圖101、 111和121,對顯影后的第二光刻膠層執(zhí)行灰化工序直到 完全去除第五光刻膠部分(圖10H、 IIH和12H的183b)為止。在該灰 化工序中，部分地去除第四光刻膠部分183a，使得第四光刻膠部分183a 的厚度減小。通過該灰化工序，具有灰化的第四光刻膠部分183a的灰化 的第二光刻膠層保留下來。因此，像素電極150、公共電極147、連接部 153、柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156的頂層被露出，而源極140、 漏極143、以及數(shù)據(jù)線135未被露出，且其頂面被第一灰化的第四光刻膠 部分183a覆蓋。
參考圖IOJ、 IIJ禾B 12J，對灰化的第四光刻膠部分(圖101、 111和 12I的183a)執(zhí)行熱處理，使得灰化的第四光刻膠部分回流(reflow)且 完全覆蓋薄膜晶體管Tr和數(shù)據(jù)線135。換句話說，回流的第四光刻膠部 分183c完全覆蓋源極140、漏極143、數(shù)據(jù)線135、歐姆接觸層129、數(shù) 據(jù)線135下面的摻雜非晶硅圖案130、以及蝕刻阻止層127。
然后，執(zhí)行蝕刻工序以去除像素電極150、公共電極147、連接部 153、柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156的第二層(圖101、 111和 12I的150b、 147b、 153b、 159b和156b)。因此，像素電極150、公共電 極147、連接部153、柵焊盤端子電極159和數(shù)據(jù)焊盤電極156均具有單層結(jié)構(gòu)。對于根據(jù)第二實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣列基板，去除像素 電極、公共電極、連接部、柵焊盤端子電極和數(shù)據(jù)焊盤電極的第三層， 且像素電極、公共電極、連接部、柵焊盤端子電極和數(shù)據(jù)焊盤電極均具 有如圖7B、 8B和9B所示的雙層結(jié)構(gòu)。
因?yàn)閿?shù)據(jù)線135及其下面的摻雜非晶硅圖案130被回流的第四光刻 膠部分183c完全覆蓋，數(shù)據(jù)線135及其下面的摻雜非晶硅圖案130未被 蝕刻且具有基本相同的平面形狀。在數(shù)據(jù)線135下面不存在相關(guān)技術(shù)的 本征非晶硅圖案。因此，可防止波動(dòng)噪聲且可增大孔徑比。而且，因?yàn)?源極140和漏極143及其下面的歐姆接觸層129被回流的第四部分183c 完全覆蓋，它們未被蝕刻且具有相同的平面形狀。有源層121位于柵極 108的輪廓內(nèi)，未突出到歐姆接觸層129的外部，且不在數(shù)據(jù)線135的下 面延伸。因此，可使光電流降至最小且可減小截止電流。
參考圖IOK、 IIK和12K，例如通過灰化工序或剝離工序去除回流 的第四部分(圖IOK的183c)。
通過上述工序，制造了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備的陣 列基板。而且，陣列基板被粘接到例如濾色基板的相對基板，從而制造 根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備。
在上述實(shí)施方式中，連接部具有與像素電極和公共電極相同的層疊 結(jié)構(gòu)?？蛇x地，連接部可具有與源極和漏極相同的層疊結(jié)構(gòu)，為此，可 按與形成源極和漏極相同的方式形成連接部。
如上所述，可通過三道掩模工序制造根據(jù)實(shí)施方式的IPS-LCD設(shè)備 的陣列基板。因此，可減少掩模工序的數(shù)量并降低生產(chǎn)成本。而且，不 在數(shù)據(jù)線下面形成本征非晶硅圖案。因此，可防止波動(dòng)噪聲且增大孔徑 比。而且，有源層位于柵極的輪廓內(nèi)且不突出到歐姆接觸層的外部。因 此，可使光電流減至最小且可減小截止電流。
對于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言很明顯，在不偏離本發(fā)明的精神或范圍的 條件下，可對本發(fā)明做出各種修改和變型。因而，本發(fā)明涵蓋落入所附 權(quán)利要求及其等同物的范圍內(nèi)的修改和變型。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示設(shè)備的制造方法，該方法包括在基板上形成選通線、柵極、位于所述選通線的端部的柵焊盤電極、以及公共線；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層；在所述有源層上形成蝕刻阻止層；在所述有源層上形成彼此隔開的第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層，并且形成與下面的所述柵絕緣層接觸的摻雜非晶硅圖案，所述第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層的外側(cè)位于所述有源層之外；形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于所述數(shù)據(jù)線的端部的數(shù)據(jù)焊盤電極、以及分別位于所述第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層上的源極和漏極；在所述像素區(qū)域中形成像素電極和公共電極以感應(yīng)共面電場；以及在所述柵焊盤電極上形成柵焊盤端子電極，其中所述數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極的至少其中之一與其下面的所述摻雜非晶硅圖案接觸。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述像素電極、公共電極、柵 焊盤端子電極、數(shù)據(jù)焊盤電極的至少其中之一具有至少一層，且其中所 述數(shù)據(jù)線、源極和漏極的至少其中之一具有所述至少一層和位于所述至 少一層上的另一層。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述有源層和所述蝕刻阻 止層的步驟包括順序沉積本征非晶硅層、絕緣層和第一光刻膠層；使用包括透射部分、第一半透射部分、第二半透射部分、以及阻擋 部分的掩模對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光；對所述第一光刻膠層進(jìn)行顯影以形成分別對應(yīng)于所述阻擋部分、第 一半透射部分、第二半透射部分的第一至第三光刻膠部分，其中所述第一光刻膠部分比所述第二光刻膠部分厚，且所述第二光刻膠部分比所述 第三光刻膠部分厚，且其中所述第一光刻膠層的對應(yīng)于所述透射部分的部分被去除；使用顯影后的第一光刻膠層對所述絕緣層、所述本征非晶硅層和所 述柵絕緣層進(jìn)行第一蝕刻，以形成露出所述公共線的公共接觸孔和露出 所述柵焊盤電極的柵焊盤接觸孔；對顯影后的第一光刻膠層進(jìn)行第一灰化以去除所述第三光刻膠部分；使用所述第一灰化的第一光刻膠層對所述第一蝕刻后的絕緣層和本 征非晶硅層進(jìn)行第二蝕刻，以形成所述第一灰化的第一光刻膠部分和所 述第一灰化的第二光刻膠部分下面的有源層；對所述第一灰化的第一光刻膠層進(jìn)行第二灰化以去除所述第一灰化 的第二光刻膠部分；使用所述第二灰化的第一光刻膠層對所述第二蝕刻的絕緣層進(jìn)行第 三蝕刻，以形成所述第二灰化的第一光刻膠部分下面的蝕刻阻止層；以 及去除所述第二灰化的第一光刻膠部分，其中所述公共電極通過所述公共接觸孔電連接到所述公共線，且所 述柵焊盤端子電極通過所述柵焊盤接觸孔電連接到所述柵焊盤電極。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中形成所述第一歐姆接觸層、第 二歐姆接觸層、摻雜非晶硅圖案、源極、漏極、數(shù)據(jù)線、像素電極、公 共電極、柵焊盤端子電極、以及數(shù)據(jù)焊盤電極的步驟包括順序沉積摻雜非晶硅層、至少兩個(gè)金屬層、以及第二光刻膠層；使用包括透射部分、半透射部分和阻擋部分的掩模對所述第二光刻 膠層進(jìn)行曝光；對所述第二光刻膠層進(jìn)行顯影，以形成分別對應(yīng)于所述阻擋部分和 所述半透射部分的第四光刻膠部分和第五光刻膠部分，其中所述第四光 刻膠部分比所述第五光刻膠部分厚，且其中所述第二光刻膠層的對應(yīng)于 所述透射部分的部分被去除；使用顯影后的第二光刻膠層對所述至少兩個(gè)金屬層和所述摻雜非晶 硅層進(jìn)行蝕刻，以形成所述第四光刻膠部分下面的源極、漏極和數(shù)據(jù)線， 所述第五光刻膠部分下面的金屬圖案，所述源極和漏極下面的第一歐姆 接觸層和第二歐姆接觸層，以及所述數(shù)據(jù)線和所述金屬圖案下面的摻雜 非晶硅圖案；對所述顯影后的第二光刻膠層進(jìn)行灰化以去除所述第五光刻膠部分；使用所述灰化的第四光刻膠部分去除所述金屬圖案的頂層以形成所 述像素電極、所述公共電極、所述柵焊盤端子電極和所述數(shù)據(jù)焊盤電極; 以及去除所述灰化的第四光刻膠部分。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，該方法還包括在去除所述金屬圖案 的頂層之前，加熱所述灰化的第四光刻膠部分以覆蓋所述數(shù)據(jù)線、所述 源極、所述漏極、所述第一歐姆接觸層、所述第二歐姆接觸層、以及所 述數(shù)據(jù)線下面的摻雜非晶硅圖案。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，該方法還包括在形成所述像素電極 的同一工序中形成連接部，其中所述連接部與所述柵線交疊且連接到所 述像素電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述至少兩個(gè)金屬層是具有順 序沉積的第一層和第二層的兩個(gè)金屬層，所述第一層由鉬和鉬合金的至 少其中一種形成，且所述第二層由銅、銅合金、鋁和鋁合金的至少其中 一種形成。
8. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述至少兩個(gè)金屬層是具有順 序沉積的第一至第三層的三個(gè)金屬層，所述第一層由鉬和鉬合金的至少 其中一種形成，所述第二層由氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化銦錫鋅的至少 其中一種形成，且所述第三層由銅、銅合金、鋁和鋁合金的至少其中一 種形成。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述第一層具有約30A 60A 的厚度。
10. —種液晶顯示設(shè)備，該液晶顯示設(shè)備包括-基板上的選通線、柵極、位于選通線的端部的柵焊盤電極、以及公共線；位于所述柵極上的柵絕緣層；位于所述柵絕緣層上的有源層；位于所述有源層上的蝕刻阻止層；位于所述有源層上的彼此隔開的第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層 以及與其下面的柵絕緣層接觸的摻雜非晶硅圖案，所述第一歐姆接觸層 和所述第二歐姆接觸層的外側(cè)位于所述有源層之外； 與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于所述數(shù)據(jù)線的端 部的數(shù)據(jù)焊盤電極、以及分別位于所述第一歐姆接觸層和所述第二歐姆 接觸層上的源極和漏極；位于所述像素區(qū)域中、用以感應(yīng)共面電場的像素電極和公共電極；以及位于所述柵焊盤電極上的柵焊盤端子電極，其中所述數(shù)據(jù)線、所述像素電極和所述公共電極的至少其中之一與 其下的摻雜非晶硅圖案接觸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述像素電極、所述公共電 極、所述柵焊盤端子電極、所述數(shù)據(jù)焊盤電極的至少其中之一具有至少 一層，且其中所述數(shù)據(jù)線、所述源極和所述漏極的至少其中之一具有所 述至少一層和位于所述至少一層上的另一層。
12. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述柵絕緣層包括公共接觸 孔和柵焊盤接觸孔，通過該公共接觸孔，所述公共電極電連接到所述公 共線，通過該柵焊盤接觸孔，所述柵焊盤端子電極電連接到所述柵焊盤 電極。
13. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述有源層位于所述柵極的 輪廓內(nèi)。
14. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，其中所述第一歐姆接觸層和所述 第二歐姆接觸層具有與所述源極和所述漏極相同的平面形狀，且所述摻雜非晶硅圖案具有與其上的所述數(shù)據(jù)線、所述像素電極、所述公共電極、 所述柵焊盤端子電極和所述數(shù)據(jù)焊盤電極相同的平面形狀。
15. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的設(shè)備，該設(shè)備還包括由與所述像素電極 相同的材料形成的連接部，該連接部與所述選通線交疊且連接到所述像 素電極。
16. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的設(shè)備，其中所述至少一層是一層，所述 一層由鉬和鉬合金的至少其中一種形成，且所述另一層由銅、銅合金、 鋁和鋁合金的至少其中 一種形成。
17. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的設(shè)備，其中所述至少一層是具有第一層 和位于所述第一層上的第二層的雙層，所述第一層由鉬和鉬合金的至少 其中一種形成，所述第二層由氧化銦錫、氧化銦鋅和氧化銦錫鋅的至少 其中一種形成，且所述另一層由銅、銅合金、鋁和鋁合金的至少其中一 種形成。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的設(shè)備，其中所述第一層具有約30A 60A 的厚度。
全文摘要
液晶顯示設(shè)備及其制造方法。一種制造液晶顯示設(shè)備的方法包括在基板上形成選通線、柵極、位于所述選通線的端部的柵焊盤電極、以及公共線；在所述柵極上形成柵絕緣層；在所述柵絕緣層上形成有源層；在所述有源層上形成蝕刻阻止層；在所述有源層上形成彼此隔開的第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層，并且形成與其下面的柵絕緣層接觸的摻雜非晶硅圖案，所述第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層的外側(cè)位于所述有源層之外；分別形成與所述選通線交叉以限定像素區(qū)域的數(shù)據(jù)線、位于所述數(shù)據(jù)線的端部的數(shù)據(jù)焊盤電極、以及位于所述第一歐姆接觸層和第二歐姆接觸層上的源極和漏極；在所述像素區(qū)域中形成像素電極和公共電極以感應(yīng)共面電場；以及在所述柵焊盤電極上形成柵焊盤端子電極，其中所述數(shù)據(jù)線、像素電極和公共電極中的至少一方與其下面的摻雜非晶硅圖案接觸。
文檔編號G03F7/26GK101414085SQ20081016657
公開日2009年4月22日 申請日期2008年10月17日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月17日
發(fā)明者郭喜榮 申請人:樂金顯示有限公司