專利名稱：濾波器和包括該濾波器的等離子顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濾波器和包括該濾波器的等離子顯示裝置，并且更具體地 講，涉及包括單個(gè)基膜并能夠使在等離子顯示裝置的前表面中的電磁干擾
(EMI， electro magnetic interference)屏蔽層4妻地的濾波器和包4舌該濾波器 的等離子顯示裝置。
本申請(qǐng)要求2007年4月27日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng) No. 10-2007-0041615和2008年3月27日提交的韓國專利申請(qǐng)No. 10-2008-0028492的優(yōu)先權(quán)，這里依據(jù)4受權(quán)范圍加入其全部內(nèi)容。
背景技術(shù)：
使用等離子顯示面板(PDP, plasma display panel)的等離子顯示裝置是 利用氣體放電顯示圖像的平板顯示裝置，并由于它與傳統(tǒng)陰極射線管(CRT， cathode-ray tube)相比在厚度、顯示功率(capacity)、亮度、對(duì)比度、殘影 和可視角度方面具有優(yōu)秀的顯示特性而被認(rèn)為是下一代的平板顯示裝置。
在構(gòu)造PDP時(shí)，濾波器被貼附至等離子顯示面板的前表面以防止反射、 屏蔽電磁干擾和阻擋近紅外射線。但是，包括多個(gè)基膜的多層濾波器的結(jié)構(gòu) 不夠簡(jiǎn)單，并且多層濾波器的生產(chǎn)成本也比較高。

發(fā)明內(nèi)容
依據(jù)本發(fā)明的方面，所提供的濾波器包括基膜；形成在基膜的一側(cè)上 的防反射層；形成在基膜的另外一側(cè)上的電磁干擾(EMI)屏蔽層；形成在 EMI屏蔽層和顯示面板前基板之間以直接粘接濾波器至顯示面板的前基板 的粘接層；和突出于濾波器形成的導(dǎo)電構(gòu)件，容納在穿透防反射層和基膜的 凹槽內(nèi)以電連接EMI屏蔽層和導(dǎo)電構(gòu)件。
此時(shí)，本導(dǎo)電構(gòu)件可以為Ag電極，導(dǎo)電構(gòu)件可以沿濾波器的邊緣連續(xù) 形成，并且凹槽的寬度可以在10到lOO(am的范圍內(nèi)。
EMI屏蔽層可以包括具有圖案的卣化銀層；和鍍?cè)谪栈y層上面的銅層。卣化銀層可以通過在基膜上實(shí)行光刻法形成。卣化銀層可以通過在基膜 上形成感光樹脂層和在感光樹脂層上實(shí)行印刷法形成。
卣化銀層和銅層的組合厚度可以在2到6pm的范圍內(nèi)。 依據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，提供了包括如上所述的濾波器的等離子顯示裝置。


參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例將使本發(fā)明的以上和其它特 性和優(yōu)點(diǎn)變得更為清楚明了 ，其中相似的附圖標(biāo)記指代相同或相似的部件， 在附圖中
圖l是示出了使用多層基膜的現(xiàn)有濾波器的截面圖； 圖2是圖1的現(xiàn)有濾波器的平面視圖； 圖3是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括單個(gè)基膜的濾波器； 圖4是圖3中的依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的濾波器的沿圖3中的線IV-IV的 局部截面圖5A到5C是示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的用以形成圖3中的濾波器的
導(dǎo)電構(gòu)件的方法的截面圖6是依據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例的包括單個(gè)基膜的濾波器的截面圖； 圖7是依據(jù)本發(fā)明的另 一實(shí)施例的包括單個(gè)基膜的濾波器的截面圖； 圖8A到8H是示出使用傳統(tǒng)刻蝕法生產(chǎn)網(wǎng)柵型電磁干擾(EMI)屏蔽層
的方法的截面圖9是示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在采用圖8A到8H中示出的方法 生產(chǎn)的EMI屏蔽層上形成的防反射層的截面圖IOA到IOD是示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的通過使用曝光和鍍敷的方
法生產(chǎn)網(wǎng)柵型EMI屏蔽層的方法的視圖ll是示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成在采用圖IOA到IOD中示出 的方法生產(chǎn)的EMI屏蔽層上的防反射層的截面圖12A到12D是示出了依據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例的使用印刷法生產(chǎn)網(wǎng)
柵型EMI屏蔽層的方法的視圖13是示出了依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在使用圖12A到12D中示出的方 法生產(chǎn)的EMI屏蔽層上形成的防反射層的截面圖；圖14是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括濾波器的等離子顯示裝置的透視和
圖15是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的沿圖14的線XV-XV的局部截面圖。
具體實(shí)施例方式
先參考附圖，圖l是示出了使用等離子顯示面板(PDP)的等離子顯示 裝置的截面圖，以便提供利用氣體放電顯示圖像的平板顯示裝置，由于它與 傳統(tǒng)陰極射線管(CRT)相比在厚度、顯示功率、亮度、對(duì)比度、殘影和可 視角度方面具有優(yōu)秀的顯示特性而被認(rèn)為是下一代的平板顯示裝置。
濾波器1貼附于等離子顯示面板的前表面上，以便防止反射、屏蔽電磁 干擾(EMI)并阻擋近紅外光。如圖1中截面圖所示，現(xiàn)有濾波器1包括三 個(gè)基膜。該濾波器包括防反射層；近紅外阻擋層；和EMI屏蔽層，其中 每一層都被布置在三個(gè)基膜中相應(yīng)的基膜上。粘接劑被用于粘接濾波器1至 等離子顯示面板的前表面。圖2是如圖1所示的現(xiàn)有濾光片的平面視圖。由 于濾波器1包括多層基膜，EMI屏蔽層2可以暴露于等離子顯示面板的前表 面(圖2中的頂部)和/或后表面。因此，EMI屏蔽層2能夠從等離子顯示 面4反的前表面和/或后表面4妄i也。
但是，如上所述，包括多個(gè)基膜的多層濾波器的結(jié)構(gòu)不夠簡(jiǎn)單，并且多 層濾波器的生產(chǎn)成本也比較高。
圖3是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括單個(gè)基膜12的濾波器10的透視圖。 圖4是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的濾波器10的沿圖3中的線IV-IV的局部截面 圖。
參考圖3，依據(jù)目前實(shí)施例的濾波器10包括防反射層11;基膜12; 電磁干擾(EMI)屏蔽層13;和粘接層14,各層從頂部起順序相疊。防反 射層11能夠包括1 3個(gè)薄的疊層。例如，防反射層11可由減反射層和表面 硬度增強(qiáng)層組合而形成。減反射層可以是抗反射(AR)層、防眩(AG)層、 或AR/AG的組合層。因此，減反射層散射來自減反射層的表面的入射光， 并防止濾波器IO周圍的光被減反射層的表面所反射。
另外，防反射層11可以是表面硬度增強(qiáng)層。表面硬度增強(qiáng)層是包括硬 質(zhì)涂覆材料的硬質(zhì)涂層?？煞乐篂V波器IO被外部材料劃傷。硬質(zhì)涂層可以 使用聚合體作為結(jié)合劑。聚合體可以是丙烯基聚合體、氨基曱酸乙酯基聚合體、環(huán)氧樹酯基聚合體、硅氧烷基聚合體、或紫外線(UV)硬化樹酯，如 低聚物。這里，可以另外添加硅基濾波器，以增加防反射層11的硬度。
防反射層11可以具有在5.0~10.0|im范圍內(nèi)的厚度、3H的硬度以及 1~10%的霧度(haze)，但不局限于此。
基膜12可以用可視光線能夠通過的材料形成，并使濾波器10能夠直接 貼附至等離子顯示裝置的前表面。就界面特性而言，基膜12可以是任何能 夠輕松粘接至如玻璃或塑料等材料的透明材料。另外，基膜12可以為了運(yùn) 輸和粘接過程方便而用撓性材料形成。
現(xiàn)在將詳細(xì)描述基膜12?；?2可以用聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯 (PAR)、聚醚酰亞胺(PEI)、聚萘二曱酸乙二醇酯(PEN)、聚對(duì)苯二 曱酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚烯丙酯、聚酰亞胺、聚碳酸 酯(PC)、三乙酰纖維素(TAC)或乙酸丙酸纖維素(CAP)形成，并且優(yōu) 選的是用PC、 PET、 TAC或PEN形成。
基膜12可以被著色以具有預(yù)定的顏色。通過控制基膜12的著色條件， 可視光線通過濾波器IO的透射率能夠被控制。例如，當(dāng)基膜12著色為黑色 時(shí)，可視光線的透射率減小。另外，透射的可視光線的顏色能夠被控制。換 句話說，基膜12的顏色可以由用戶確定或用以提升采用濾波器10的等離子 顯示裝置的色純度。另外，基膜12可以對(duì)應(yīng)于等離子顯示裝置的等離子顯 示面板的子像素采用彩色圖案著色。然而，基膜12可以采用各種方式著色， 以進(jìn)行基膜12的彩色校正。
EMI屏蔽層13屏蔽從等離子顯示面板產(chǎn)生并對(duì)人體有害的EMI。 EMI 屏蔽層13可以采用導(dǎo)電材料(比如銅)以網(wǎng)柵形式形成。隨后將詳細(xì)描述 在基膜12上以網(wǎng)柵形式形成EMI屏蔽層的方法。
或者，EMI屏蔽層13可以由導(dǎo)電層(未示出)形成。導(dǎo)電層可以由一 個(gè)或多個(gè)金屬層形成。另外，導(dǎo)電層可以通過堆疊至少一個(gè)金屬層或金屬氧 化物層形成。當(dāng)金屬氧化物層和金屬層層疊在一起時(shí)，金屬氧化物層可以防 止金屬層被氧化或變質(zhì)。另外，當(dāng)EMI屏蔽層13被形成以具有多層層疊結(jié) 構(gòu)時(shí)，不僅EMI屏蔽層13的表面電阻能夠一皮;歐正，而且可視光的透射率也 能夠被控制。
金屬層可以由鈀、銅、鉑、銠、鋁、鐵、鈷、鎳、鋅、釕、錫、鎢、銥、 鉛(Pb)、銀(Ag)或它們的合金形成。另外，金屬氧化物層可以由氧化錫、氧化銦、氧化銻、氧化鋅、氧化鋯、氧化鈦、氧化鎂、氧化硅、氧化鋁、金 屬醇化物、氧化銦錫、或氧化銻錫形成。
導(dǎo)電層不僅能夠屏蔽EMI，還可以阻擋近紅外射線。因此，外圍電子裝
置能夠被防止由于近紅外射線而機(jī)能故障。
粘接層14形成在EMI屏蔽層13的底部表面上使得濾波器10能夠粘接 至等離子顯示面板的前表面。粘接層14和等離子顯示面板的折射率差異不 應(yīng)該超過預(yù)定的值，比如1.0%,以減少重影的出現(xiàn)。
粘接層14可以包括熱塑性UV硬化樹脂，比如丙烯酸脂基樹脂或壓
敏膠粘劑(PSA)。這樣的粘接層14可以使用深涂法、氣刀法、滾涂法、 ru7J^卩nr。、,，，m 、 ';^'A"ff4 &
粘接層14還可以包括吸收近紅外射線的復(fù)合物。粘接層14還可以包 括著色劑，比如染料或色素，用以通過阻擋氖光實(shí)現(xiàn)色彩校正。著色劑有 選擇地吸收在可見光范圍內(nèi)的波長范圍在400~700nm內(nèi)的光。特別是在放 電等離子顯示面板的同時(shí)，由于作為放電氣體的氖而產(chǎn)生并不需要的波長為 大約585nm的可見光。因此，著色劑可以由復(fù)合物形成，比如基于菁的化 合物、基于方酸的化合物、基于偶氮曱堿的化合物、基于^噸的化合物、基 于氧鐵醇(oxonol)的化合物、或基于偶氮的化合物形成，以吸收可視光。這 樣的著色劑可以以微粒分散在粘接層14中。
同時(shí)，濾波器10可以有選擇地包括近紅外射線阻擋層(未示出)和色 彩校正層(未示出)中的至少一個(gè)層。如上所述，近紅外射線能夠被EMI 屏蔽層13或粘接層14所阻擋，但如果需要，可以添加獨(dú)立的層以加強(qiáng)對(duì)于 近紅外射線的阻擋。色彩校正層在從等離子顯示裝置入射的可視光的色純度 低或者在色溫需要校正時(shí)被使用。
依據(jù)本發(fā)明的目前的實(shí)施例的濾波器10具有范圍在20 90%的透射率和 范圍在1 11%的霧度。
為了使EMI屏蔽層13屏蔽EMI， EMI屏蔽層13需要接地。但是，在 傳統(tǒng)的包括單個(gè)基膜的濾波器中，EMI屏蔽層并不暴露于等離子顯示裝置的 前表面，因此EMI屏蔽層不能被接地。因此，依據(jù)本發(fā)明的目前的實(shí)施例 的濾波器IO也包括導(dǎo)電構(gòu)件15。
現(xiàn)在將參考圖3和圖4描述導(dǎo)電構(gòu)件15。如圖3中所示，導(dǎo)電構(gòu)件15 沿濾波器10的邊緣形成。如圖4所示，導(dǎo)電構(gòu)件15在形成在防反射層11和基膜12中的凹槽15a中形成。另外，導(dǎo)電構(gòu)件15暴露于外側(cè)，使得電連 接于EMI屏蔽層13。另外，導(dǎo)電構(gòu)件15可以沿濾波器10的邊緣連續(xù)地形 成。這里，導(dǎo)電構(gòu)件15可以是由Ag、 Cu、 Al或Ni形成的金屬電極。凹槽 15a的寬度在10 100pm的范圍內(nèi)。
通過形成暴露于防反射層11的頂部表面、將要被電連接于EMI屏蔽層 13的導(dǎo)電構(gòu)件15， EMI屏蔽層13能夠在濾波器10的前表面上被接地。另 外，由于導(dǎo)電構(gòu)件15沿濾波器10的邊緣連續(xù)接觸EMI屏蔽層13,從而增 加了接地面積，并提高了接地性能。因此，EMI屏蔽性能也得以提高。另夕卜， 由于基膜12由一個(gè)薄片形成，濾波器IO的結(jié)構(gòu)變得簡(jiǎn)單，并且生產(chǎn)成本能 夠得以降低。
圖5A到5C是示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成濾波器IO的導(dǎo)電構(gòu)件15 的方法的截面圖。形成導(dǎo)電構(gòu)件15的方法將參考圖5A到5C進(jìn)行描述。
首先，如圖5A所示，防反射層11被形成在基膜12的頂部表面上，并 且EMI屏蔽層13被形成在基膜12的底部表面上。粘接層14通過在EMI 屏蔽層13底面上涂覆粘接劑形成。然后，通過使用圖5A中示出的切削構(gòu)件 50，沿如圖5B示出的濾波器10的邊緣在防反射層11和基膜12中形成凹槽 15a。凹槽15a為嵌入導(dǎo)電構(gòu)件15提供空間。導(dǎo)電構(gòu)件15可以用Ag形成。 EMI屏蔽層13被導(dǎo)電構(gòu)件15電連接于外側(cè)，因此凹槽15a可以在EMI屏 蔽層13的一部分中形成。凹槽15a可以沿濾波器10的邊緣被連續(xù)或不連續(xù) 地形成。然后，導(dǎo)電構(gòu)件15被通過在凹槽15a中涂覆Ag形成，如圖5C中 所示。
形成導(dǎo)電構(gòu)件15的方法并不僅限于此，并可以由一個(gè)本領(lǐng)域普通技術(shù) 人員進(jìn)4亍小務(wù)改或改變。
圖6是依據(jù)本發(fā)明的另 一個(gè)實(shí)施例的包括單個(gè)基膜22的濾波器20的截 面圖。濾波器20通過從頂部順序?qū)盈B防反射層21、 EMI屏蔽層23、基膜 22和粘接層24形成。濾波器10和濾波器20之間的差異在于EMI屏蔽層 23形成在防反射層21和基膜22之間，并且凹槽形成在防反射層21中使得 EMI屏蔽層23能夠暴露于外側(cè)。導(dǎo)電構(gòu)件25形成在凹槽內(nèi)并于防反射層 21的頂部表面突出，以電連接EMI屏蔽層23至外側(cè)。
圖7是依據(jù)本發(fā)明的另 一個(gè)實(shí)施例的包括單個(gè)基膜32的濾波器30的截 面圖。濾波器30通過從頂部順序?qū)盈B防反射層31、 EMI屏蔽層33、基膜32和粘接層34形成。EMI屏蔽層33包括EMI屏蔽部分；和接地部分。 接地部分環(huán)繞EMI屏蔽部分形成。接地部分被配置以被電連接于地電位。 濾波器20和濾波器30之間的差異在于防反射層31的寬度小于基膜32的 寬度，從而暴露EMI屏蔽層33的接地部分的上部表面。但是不需要暴露接 地部分的整個(gè)上部表面。因此，與圖4和圖6中的濾波器10和20不同，圖 7中的濾波器30不需要導(dǎo)電構(gòu)件15或25。
截面圖。首先，參考圖8A，粘接劑3被涂覆在基膜2的一側(cè)上，然后，參 考圖8B，薄銅膜4被層疊在粘接劑3上。參考圖8C，光阻層5被形成在薄 銅膜4上，然后，參考圖8D，紫外射線通過對(duì)應(yīng)于電路版圖設(shè)計(jì)的掩膜照 射在光阻層5上。然后，參考圖8E,光阻層5a被顯影。光阻層5a可采用使 光阻層5a暴露于光的區(qū)域被顯影的正性法或使光阻層5a未暴露于光的區(qū)域 被顯影的負(fù)性法而形成。
參考圖8F,薄銅膜4的未被光阻層5a覆蓋的部分被蝕刻劑蝕刻，然后， 參考圖8G，用銅形成的網(wǎng)柵圖案4a通過移去光阻層5a形成。薄銅膜4的 厚度通常在10 12(im的范圍內(nèi)，因而當(dāng)薄銅膜4被蝕刻時(shí)，基膜2的表面 會(huì)出現(xiàn)微小的凸凹不平。外部光線被這樣的不平整的基膜2散射并從而變得 模糊。因此，能夠防止這種漫射的溶液6應(yīng)被涂覆在基膜2的表面上，如圖 8H中所示。但是，通過刻蝕薄銅膜4形成的網(wǎng)柵圖案4a具有矩形形狀，并 且溶液6不容易被涂覆在由網(wǎng)柵圖案4a和基膜2形成的拐角區(qū)域上。這樣， 使用傳統(tǒng)刻蝕法進(jìn)行網(wǎng)柵型EMI屏蔽層的生產(chǎn)就完成了 。
圖9是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的在使用圖8A到8H中示出的方法生產(chǎn)的 EMI屏蔽層上形成的防反射層7的截面圖。參考圖9，形成在EMI屏蔽層上 的防反射層7的厚度通常在5 10pm的范圍內(nèi)，因而僅形成單個(gè)防反射層7 并不能覆蓋網(wǎng)柵圖案4a。因此，應(yīng)形成兩個(gè)防反射層7或者減小網(wǎng)柵圖案 4a的厚度。當(dāng)使用這樣的方法生產(chǎn)EMI屏蔽層時(shí)，由于薄銅膜的尺寸特性 而只有一個(gè)具有專有尺寸的EMI屏蔽層能夠被生產(chǎn)出。因此，當(dāng)濾波器尺 寸變化，例如，濾波器尺寸增加時(shí)，為獲得滿意的產(chǎn)量而引起生產(chǎn)成本增加。
因此，網(wǎng)柵型EMI屏蔽層可以使用如下描述的曝光和鍍敷法或印刷法 形成。
圖IOA到10D是示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的使用曝光和鍍敷法生產(chǎn)網(wǎng)柵型EMI屏蔽層的方法的截面圖。首先，參考圖10A,感光卣化銀16，比 如AgCl或者AgN03，被涂覆在基膜12上。然后，參考圖IOB，紫外射線 通過依據(jù)電路版圖設(shè)計(jì)的掩膜照射在感光卣化銀16上，從而顯影感光卣化 銀層16a,如圖10C中所示。感光卣化銀層16a能夠采用使暴露區(qū)域中的感 光材料被顯影的正性法或使非暴露區(qū)域中的感光材料被顯影的負(fù)性法形成。 在本發(fā)明中，能夠使用任何方法來形成感光囟化銀層16a。由于感光卣化銀 層16a以網(wǎng)柵圖案形成，并且不穩(wěn)定，它易于被氧化。因此，參考圖10D, 銅被鍍敷在感光卣化銀層16a上，以僅在感光囟化《艮層16a上形成具有高電 導(dǎo)的鍍敷層17。卣化銀層16a和鍍敷層17的組合厚度可以在2 6pm的范圍 內(nèi)。因此，使用曝光和鍍敷法進(jìn)行網(wǎng)柵型EMI屏蔽層的生產(chǎn)就完成了。圖 11是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的形成在使用如圖10A到10D中的方法生產(chǎn)的 EMI屏蔽層上的防反射層的截面圖。參考圖11，為了生產(chǎn)如圖6或圖7中 示出的濾波器20或30這樣的濾波器，防反射層11被形成在使用在圖10A 到10D中示出的方法生產(chǎn)的EMI屏蔽層上。防反射層11的厚度通常在 5 10pm的范圍內(nèi)，從而EMI屏蔽層能夠通過只形成單個(gè)防反射層11而被 覆蓋。參考圖11，銅層的組合，即覆蓋在卣化銀層16a上的鍍敷層17被用 于替代薄銅膜作為導(dǎo)電層，從而導(dǎo)電層(卣化銀層16a和鍍敷層17)可變薄。 因此，只需要單個(gè)防反射層11，從而生產(chǎn)濾波器的步驟數(shù)能夠被減少。另夕卜， 由于不再對(duì)薄銅膜進(jìn)行刻蝕處理并且薄的感光卣化銀16被顯影，基膜12的 表面能夠變得平整，從而不再需要在圖8A到8H中示出的生產(chǎn)工藝方法中 使用的溶液6，濾波器的生產(chǎn)工藝也得以簡(jiǎn)化。而且，即使濾波器的尺寸發(fā) 生變化，例如，即使當(dāng)濾波器的尺寸增加時(shí)，為實(shí)現(xiàn)令人滿意的產(chǎn)量也不會(huì) 引起生產(chǎn)成本增加。
使用在圖IOA到10D中示出的方法生產(chǎn)的EMI屏蔽層可被用于生產(chǎn)圖 6和7中的濾波器20和30?？紤]到為了更好的理解和方便起見，對(duì)圖6和7 中的濾波器20和30的圖示進(jìn)行了許多簡(jiǎn)化，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解圖 11所示的濾波器顯示了去除了導(dǎo)電構(gòu)件25和粘接層24的圖6中的濾波器。 同樣，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明白圖11中示出的濾波器也顯示了去除了粘 接層34的圖7中的濾波器。
在圖11中示出的濾波器中，基膜12的表面由于薄感光卣化銀16被顯 影而能夠變得平整，從而可以不再需要涂覆能夠防止由于基膜12的不平整而產(chǎn)生光的漫射的溶液，這簡(jiǎn)化了濾波器的生產(chǎn)工藝。而且，即使濾波器的 尺寸發(fā)生變化，例如，即使當(dāng)濾波器的尺寸增加時(shí)，調(diào)整至適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)量所消 耗的費(fèi)用不會(huì)增加。
使用圖IOA到10D中的示出的方法生產(chǎn)的EMI屏蔽層能夠被用于生產(chǎn) 圖4中的濾波器10?？紤]到為了更好的理解和方便起見，對(duì)圖4中的濾波器 10的圖示進(jìn)行了許多簡(jiǎn)化，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解圖4中的濾波器能夠 基于圖10D中示出的EMI屏蔽層生產(chǎn)出，如果防反射層11形成在基膜12 上的與形成有EMI屏蔽層一側(cè)相對(duì)的另外一側(cè)上，粘接層14形成在EMI 屏蔽層上，并且導(dǎo)電構(gòu)件15形成凹槽內(nèi)。在包括圖IOD中示出的EMI屏蔽 層的圖4示出的濾波器中，基膜12的表面由于薄感光卣化銀16被顯影而能 夠變得平整，從而可以不再需要涂覆能夠防止由于基膜12的不平整而產(chǎn)生 光的漫射的溶液，這筒化了濾波器的生產(chǎn)工藝。而且，即使濾波器的尺寸發(fā) 生變化，例如，即使當(dāng)濾波器的尺寸增加時(shí)，調(diào)整至適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)量所消耗的費(fèi) 用不會(huì)增加。
圖12A到12D是示出依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的通過使用印刷法生產(chǎn)網(wǎng)柵 型EMI屏蔽層的方法的截面圖。首先，參考圖12A,感光樹脂層18形成在 基膜12上。然后，參考圖12B,用AgCl或AgN03形成的鹵化銀層19被依 照電路版圖印刷在感光樹脂層18上。如果鹵化銀層19被直接印刷在基膜12 上，由化銀層19則易于脫離，所以首先在基膜12上形成感光樹脂層18。
由于卣化銀層19以網(wǎng)柵圖案形成并且不穩(wěn)定，它易于被氧化，因此銅 被鍍敷到卣化銀層19上。因此，參考圖12C，具有高的電導(dǎo)的鍍敷層20僅 形成在卣化銀層19上。然后，顯影處理被進(jìn)行以去除不需要的樹脂。因此， 參考圖12D，感光樹脂層18中未被卣化銀層19和鍍敷層18覆蓋的部分被 去除。囟化銀層19和鍍敷層20的組合厚度可以在2~6|am的范圍內(nèi)。
使用圖12A到12D中示出的方法生產(chǎn)的EMI屏蔽層可被用于生產(chǎn)圖6 和7中的濾波器20和30?？紤]到為了更好的理解和方便起見，對(duì)圖6和7 中的濾波器20和30的圖示進(jìn)行了許多簡(jiǎn)化，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解圖 13所示的濾波器顯示了去除了導(dǎo)電構(gòu)件2 5和粘接層2 4的圖6中的濾波器。 同樣，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明白圖13中示出的濾波器也顯示了去除了粘 接層34的圖7中的濾波器。
在圖13中的濾波器中，EMI屏蔽層為2 6[im厚，5 10^m厚的防反射層被覆蓋在EMI屏蔽層和基膜12上。因此，與圖9中示出的傳統(tǒng)方法不同， 防反射層11能夠通過僅一次覆蓋使得EMI屏蔽層被埋入防反射層11而完 全覆蓋EMI屏蔽層。因而，只需要單個(gè)防反射層ll,從而用以生產(chǎn)膜20或 30的步驟數(shù)能夠得以減少。另外，基膜12的表面能夠由于薄感光卣化銀19 被顯影而能夠變得平整，從而可以不再需要涂覆能夠防止由于基膜12的不 平整而產(chǎn)生光的漫射的溶液，這簡(jiǎn)化了濾波器的生產(chǎn)工藝。而且，即使濾波 器的尺寸發(fā)生變化，例如，即使當(dāng)濾波器的尺寸增加時(shí)，調(diào)整至適當(dāng)?shù)漠a(chǎn)量 所消耗的費(fèi)用不會(huì)增加。
使用圖12A到12D中示出的方法生產(chǎn)的EMI屏蔽層可被用于生產(chǎn)圖4 中的濾波器10?？紤]到為了更好的理解和方便起見，對(duì)圖4中的濾波器10 的圖示進(jìn)行了許多簡(jiǎn)化，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解圖4中的濾波器10能 夠基于圖12D中示出的EMI屏蔽層生產(chǎn)出，如果防反射層11形成在基膜 12上的與形成有EMI屏蔽層的一側(cè)相對(duì)的另夕l、一側(cè)上，粘接層14形成在 EMI屏蔽層上，并且導(dǎo)電構(gòu)件15形成凹槽內(nèi)。在圖4中示出的包括在圖12D 中示出的EMI屏蔽層的濾波器中，基膜12的表面由于薄感光閨化銀16被 顯影而能夠變得平整，從而可以不再需要涂覆能夠防止由于基膜12的不平 整而產(chǎn)生光的漫射的溶液，這簡(jiǎn)化了濾波器IO的生產(chǎn)工藝。而且，即使濾 波器10的尺寸發(fā)生變化，例如，即使當(dāng)濾波器10的尺寸增加時(shí)，調(diào)整至適 當(dāng)?shù)漠a(chǎn)量所消耗的費(fèi)用不會(huì)增加。
圖14是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的包括濾波器IO的等離子顯示裝置100的 透視圖。圖15是依據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的沿圖14的線XV-XV的局部截面圖。
參考圖14和15,依據(jù)本發(fā)明的目前的實(shí)施例的等離子顯示裝置100包 括等離子顯示面板150;底架130;和電路單元140。依據(jù)本發(fā)明的濾波器 10被貼附至等離子顯示面板150的前表面。粘接劑比如雙面膠粘帶154可以 被用于組合等離子顯示面板150和底架130，并且導(dǎo)熱構(gòu)件153可以;故布置 在底架130和等離子顯示面板150之間以在等離子顯示面板150工作時(shí)通過 底架130散發(fā)熱量。
等離子顯示面板150通過氣體放電產(chǎn)生圖像并包括組合在一起的前面板 151和后面板152。依據(jù)本發(fā)明的以前的實(shí)施例的濾波器10、 20和30能夠 通過使用粘接層14被粘接至等離子顯示面板150的前表面。盡管濾波器在 圖14中標(biāo)注為10,但很明顯濾波器20和30也能夠-陂粘接至等離子顯示面板150的前表面。
等離子顯示面板150的EMI被濾波器IO屏蔽，并且眩光現(xiàn)象減少。另 外，紅外射線和氖光能夠被阻擋。而且，由于濾波器10被直接粘接至等離 子顯示面板150的前表面，由于重影引起的問題能夠從根本上得以解決。
另外，與傳統(tǒng)的包括兩到四層基膜的直接粘接基膜濾波器不同，濾波器 10具有簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)和低的生產(chǎn)費(fèi)用。
底架130被布置在等離子顯示面板150的后部上，并在結(jié)構(gòu)上支撐等離 子顯示面板150。底架130可以由具有優(yōu)秀的硬度的金屬比如鋁或鐵形成， 或用塑料形成。
導(dǎo)熱構(gòu)件153被布置在等離子顯示面板150和底架130之間。另外，雙 面膠粘帶154沿導(dǎo)熱構(gòu)件153的邊緣布置。雙面膠粘帶154承擔(dān)將等離子顯 示面板150和底架130固定在一起的功能。
電路單元140布置在底架130的后部。電路單元140布線形成驅(qū)動(dòng)等離 子顯示面板150的電路。電路單元140通過信號(hào)傳輸裝置向等離子顯示面板 150傳輸電子信號(hào)。信號(hào)傳輸裝置可以是柔性印制電纜(FPC)、帶載封裝 (TCP)、膜上芯片(COF, chip on film)中的一種。在目前的實(shí)施例中， FPC 161被布置在底架130的右側(cè)和左側(cè)，并且TCP 160被布置在底架130 的頂部和底部。
如上所述，本發(fā)明的濾波器被應(yīng)用于等離子顯示面板150,但并不僅限 于此，它能夠被粘接到各種顯示裝置的前表面。
盡管本發(fā)明已經(jīng)被具體示出并參考它的示例性實(shí)施例進(jìn)行了描述，本領(lǐng)' 域普通技術(shù)人員能夠明白在不偏離如權(quán)利要求中定義的本發(fā)明的精神和范 圍的前提下可以在形狀和細(xì)節(jié)方面對(duì)其進(jìn)行各種修改。
權(quán)利要求
1、一種濾波器，包括基膜；防反射層，形成在所述基膜的一側(cè)上；電磁干擾屏蔽層，形成在所述基膜的另外一側(cè)上；粘接層，形成在所述電磁干擾屏蔽層和顯示面板的前基板之間，以直接粘接濾波器至顯示面板的前基板；和導(dǎo)電構(gòu)件，從所述濾波器突出形成并容納在穿透所述防反射層和基膜的凹槽中，以電連接所述電磁干擾屏蔽層和導(dǎo)電構(gòu)件。
2、 一種濾波器，包括 基膜；電磁干擾屏蔽層，形成在所述基膜的一側(cè)上； 防反射層，形成在所述電磁干擾屏蔽層上；粘接層，形成在所述基膜的另外一側(cè)上，以直接粘接所述濾波器至顯示 面4反的前基4反；禾口導(dǎo)電構(gòu)件，從所述濾波器突出形成并容納在穿透所述防反射層的凹槽中 以電連接所述電磁干擾屏蔽層和導(dǎo)電構(gòu)件。
3、 一種濾波器，包括 基膜；電磁干擾屏蔽層，形成在所述基膜的 一側(cè)上并包括電磁干擾屏蔽部分和 環(huán)繞所述電磁干擾屏蔽部分形成的接地部分；防反射層，形成在所述電磁干擾屏蔽層上；和粘接層，形成在所述基膜的另外一側(cè)上，以直接粘接所述濾波器至顯示 面4反的前基4反，其中，所述電磁干擾屏蔽層的接地部分的至少一部分向所述防反射層暴露。
4、 如權(quán)利要求1到3中的任何一個(gè)所述的濾波器，其中，電磁干擾屏 蔽層包括具有圖案的卣化銀層；和覆在所述由化銀層上的銅層。
5、 如權(quán)利要求4所述的濾波器，其中，通過在基膜上實(shí)行光刻法形成 囟化銀層。
6、 如權(quán)利要求4所述的濾波器，其中，通過在基膜上形成感光樹脂層 和在感光樹脂層上實(shí)行印刷法形成鹵化銀層。
7、 如權(quán)利要求4所述的濾波器，其中，所述囟化^l艮層和銅層的組合厚 度在2到6pm的范圍內(nèi)。
8、 如權(quán)利要求1和2中的任何一個(gè)所述的濾波器，其中，導(dǎo)電構(gòu)件由 從包括Ag、 Cu、 Al和Au的組中選取的一種材料形成。
9、 如權(quán)利要求1和2中的任何一個(gè)所述的濾波器，其中，導(dǎo)電構(gòu)件沿 濾波器的邊緣連續(xù)形成。
10、 如權(quán)利要求1和2中的任何一個(gè)所述的濾波器，其中，凹槽的寬度 在10到100|im的范圍內(nèi)。
11、 如權(quán)利要求1和3中的任何一個(gè)所述的濾波器，其中，粘接層包括 色素或染料。
12、 一種等離子顯示裝置，包括權(quán)利要求1到3中的任何一個(gè)所述的濾波器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種濾波器，它包括基膜；形成在基膜的一側(cè)上的防反射層；形成在基膜的另外一側(cè)上的電磁干擾屏蔽層；形成在電磁干擾屏蔽層和顯示面板的前基板之間以直接粘接濾波器至顯示面板的前基板的粘接層；向外突出形成的導(dǎo)電構(gòu)件，形成在穿透防反射層和基膜的凹槽內(nèi)以電連接電磁干擾屏蔽層和導(dǎo)電構(gòu)件。因此，該濾波器包括單個(gè)基膜并能夠在等離子顯示裝置的前表面使電磁干擾屏蔽層接地。另外，提供了包括該濾波器的等離子顯示裝置。
文檔編號(hào)G02B5/20GK101295052SQ20081009357
公開日2008年10月29日 申請(qǐng)日期2008年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年4月27日
發(fā)明者黃且源 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社