專利名稱：：一種光刻膠清洗劑的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體制造工藝中的清洗劑，具體涉及一種光刻膠清洗劑。
背景技術(shù)：
：在通常的半導(dǎo)體制造工藝中，首先在二氧化硅、Cu(銅)等金屬以及低k材料等表面上形成光刻膠的涂層，利用適當(dāng)?shù)难谀＿M(jìn)行曝光、顯影，根據(jù)所用光刻膠的特性，除去曝光或者未曝光部分的光刻膠，在所要求的部位形成光刻膠圖案，然后在該光刻膠圖案上進(jìn)行等離子刻蝕或反應(yīng)性氣體刻蝕，進(jìn)行圖形轉(zhuǎn)移。低溫快速的清洗工藝是半導(dǎo)體晶片制造工藝發(fā)展的重要方向。20拜以上厚度的負(fù)性光刻膠正逐漸應(yīng)用于半導(dǎo)體晶片制造工藝中，而目前工業(yè)上大部分的光刻膠清洗劑對(duì)正性光刻膠的清洗能力較好，但不能徹底去除晶片上經(jīng)曝光和刻蝕后的具有交聯(lián)網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的負(fù)性光刻膠。在半導(dǎo)體晶片進(jìn)行光刻膠的化學(xué)清洗過(guò)程中，清洗劑常會(huì)造成晶片圖案和基材的腐蝕。特別是在利用化學(xué)清洗劑除去光刻膠和刻蝕殘余物的過(guò)程中，金屬(尤其是鋁和銅等較活潑金屬)腐蝕是較為普遍而且非常嚴(yán)重的問(wèn)題，往往導(dǎo)致晶片良率的顯著降低。目前，光刻膠清洗劑組合物主要由強(qiáng)堿、極性有機(jī)溶劑和/或水等組成，通過(guò)將半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中或者利用清洗劑沖洗半導(dǎo)體晶片，去除半導(dǎo)體晶片上的光刻膠。強(qiáng)堿如季銨氫氧化物和醇胺等，能夠溶解光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物。強(qiáng)堿含量過(guò)低時(shí)，清洗劑對(duì)光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去除能力不足；但強(qiáng)堿含量過(guò)高時(shí)，清洗劑易造成晶片圖案和基材的腐蝕。與醇胺類化合物相比，季銨氫氧化物對(duì)光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去除能力較好。極性有機(jī)溶劑能夠溶解光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物，提高化學(xué)清洗劑對(duì)有機(jī)物的清洗能力。極性有機(jī)溶劑含量過(guò)低時(shí)，清洗劑對(duì)光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去除能力不足;但極性有機(jī)溶劑含量過(guò)高時(shí)，清洗劑中的強(qiáng)堿含量相應(yīng)降低，使得清洗劑對(duì)光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去除能力減弱。為了提高清洗劑對(duì)光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的水解和/或溶解能力，化學(xué)清洗劑中的水有時(shí)是必需的。但水含量過(guò)高時(shí)，清洗劑對(duì)光刻膠和/或刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物的去除能力不足，且易造成晶片圖案和基材的腐蝕。US4617251中提出了由醇胺和有機(jī)極性溶劑組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在95'C下除去晶片上的正性光刻膠。但該清洗劑中不含有水，且其對(duì)負(fù)性光刻膠的清洗能力不足。US6140027中提出了由醇胺、水溶性有機(jī)溶劑、水、有機(jī)酚化合物、三唑化合物和聚硅氧烷表面活性劑組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在2050'C下除去晶片上的光刻膠和刻蝕所產(chǎn)生的光刻膠殘余物。該清洗劑采用有機(jī)酚化合物和三唑化合物作為抑制金屬腐蝕的緩蝕劑。有機(jī)酚化合物對(duì)人體有害，而且會(huì)對(duì)環(huán)境造成污染。該清洗劑對(duì)負(fù)性光刻膠的清洗能力不足。WO2004059700中提出了由四甲基氫氧化銨、N-甲基嗎啡啉-N-氧化物、水和2-巰基苯并咪唑組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在70。C下除去晶片上的光刻膠。該清洗劑釆用N-甲基嗎啡啉-N-氧化物作為氧化劑，采用2-巰基苯并咪唑作為金屬腐蝕抑制劑。該清洗劑需在較高溫度下清洗光刻膠，對(duì)半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高，且對(duì)光刻膠的清洗能力略顯不足。US6040117中提出了由季銨氫氧化物、二甲基亞砜、1，3，-二甲基-2-咪唑烷酮和水組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在4095'C下除去金屬(金、銅、鉛或鎳)基材上的10pm以上厚度的光刻膠。該清洗劑采用1,3，-二甲基-2-咪唑烷酮作為有機(jī)共溶劑，而且不含有抑制金屬(尤其是鋁等較活潑金屬)腐蝕的緩蝕劑。該清洗劑需在較高溫度下清洗光刻膠，對(duì)半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高。JP2001215736中提出了由季銨氫氧化物、水溶性有機(jī)溶劑、有機(jī)胺、二元醇和水組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在209(TC下除去晶片上的20pm40MiTi厚度的光刻膠。該清洗劑采用二元醇作為抑制金屬腐蝕的緩蝕劑，但二元醇對(duì)金屬腐蝕的抑制能力很弱，而且會(huì)降低清洗劑對(duì)光刻膠尤其是負(fù)性光刻膠的清洗能力。該清洗劑對(duì)半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高。JP2004093678中提出了由季銨氫氧化物、N-甲基吡咯垸酮、二乙醇胺或三乙醇胺、水和甲醇或乙醇組成的光刻膠清洗劑。將半導(dǎo)體晶片浸入該清洗劑中，在158(TC下除去晶片上的lOMin以上厚度的光刻膠。該清洗劑采用甲醇或乙醇作為季銨氫氧化物的增溶劑，但甲醇或乙醇的閃點(diǎn)過(guò)低，而且會(huì)降低清洗劑對(duì)光刻膠尤其是負(fù)性光刻膠的清洗能力。該清洗劑不含有抑制金屬(尤其是鋁和銅等較活潑金屬)腐蝕的緩蝕劑。該清洗劑對(duì)半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕略高。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是為了克服傳統(tǒng)的光刻膠清洗劑對(duì)光刻膠尤其是負(fù)性光刻膠清洗能力不足、所含成分有毒有害且污染環(huán)境、清洗時(shí)操作溫度較高、對(duì)半導(dǎo)體晶片圖案和基材的腐蝕較高等缺陷，而提供了一種可以除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的光刻膠(尤其是厚膜負(fù)性光刻膠)和其它刻蝕殘留物，同時(shí)對(duì)鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有極弱的腐蝕性，環(huán)境友好且可在較大的溫度范圍內(nèi)使用的一種光刻膠清洗劑。本發(fā)明的光刻膠清洗劑含有季銨氫氧化物、水、芳基醇、二甲基亞砜和聚丙烯酸類緩蝕劑。其中，所述的季銨氫氧化物的含量較佳的為0.1~10%，更佳的為0.55%;所述的水的含量較佳的為0.2~5%，更佳的為0.53%;所述的芳基醇的含量較佳的為1~30%，更佳的為3~15%;所述的二甲基亞砜的含量較佳的為1~98%,更佳的為30~90%。；所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的含量較佳的為0.01~5%，更佳的為0.05~2.5%;百分比為質(zhì)量百分比。本發(fā)明中，所述的季銨氫氧化物較佳的選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧化銨中的一種或多種，更佳的選自四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨和四丁基氫氧化銨中的一種或多種，最佳的為四甲基氫氧化銨。本發(fā)明中，所述的芳基醇較佳的選自苯甲醇、苯乙醇、鄰甲基苯甲醇、間甲基苯甲醇、對(duì)甲基苯甲醇、鄰甲基苯乙醇、間甲基苯乙醇、對(duì)甲基苯乙醇、鄰甲氧基苯甲醇、間甲氧基苯甲醇、對(duì)甲氧基苯甲醇、鄰甲氧基苯乙醇、間甲氧基苯乙醇、對(duì)甲氧基苯乙醇、鄰氨基苯甲醇、間氨基苯甲醇、對(duì)氨基苯甲醇、鄰氨基苯乙醇、間氨基苯乙醇和對(duì)氨基苯乙醇中的一種或多種，更佳的選自苯甲醇、苯乙醇、對(duì)甲基苯甲醇、對(duì)甲基苯乙醇和對(duì)氨基苯甲醇中的一種或多種。本發(fā)明中，所述的聚丙烯酸類緩蝕劑較佳的選自丙烯酸聚合物及其共聚物、甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽中的一種或多種，更佳的選自丙烯酸聚合物或其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其醇銨鹽中的一種或多種；所述的聚羧酸類化合物的分子量較佳的為500-20000，更佳的為畫(huà)(MOOOOo本發(fā)明中的光刻膠清洗劑還可進(jìn)一步含有極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑和除聚丙烯酸類緩蝕劑以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。其中，所述的極性有機(jī)共溶劑含量較佳的為小于或等于50%，更佳的為5~30%;所述的表面活性劑含量較佳的為小于或等于5%，更佳的為0.053.0%;所述的除聚丙烯酸類以外的其它緩蝕劑含量較佳的為小于或等于5%，更佳的為0.103%;上述百分比為質(zhì)量百分比，不包括0%。本發(fā)明中，所述的極性有機(jī)共溶劑為本領(lǐng)域常用極性有機(jī)共溶劑，較佳的選自亞砜、砜、咪唑烷酮、醇胺和垸基二醇單烷基醚中的一種或多種。其中，所述的亞砜較佳的選自二乙基亞砜和/或甲乙基亞砜；所述的砜較佳的選自甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種，更佳的為環(huán)丁砜；所述的咪唑垸酮較佳的選自2-咪唑烷酮、1，3-二甲基-2-咪唑垸酮和1,3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一種或多種，更佳的為1,3-二甲基-2-咪唑垸酮；所述的醇胺較佳的選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種，更佳的選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺和甲基二乙醇胺中的一種或多種；所述的烷基二醇單烷基醚較佳的選自二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種，更佳的選自二乙二醇單甲醚和/或二丙二醇單甲醚。本發(fā)明中，所述的表面活性劑為本領(lǐng)域常用表面活性劑，較佳的選自聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種，更佳的選自聚乙烯吡咯烷酮和/或聚氧乙烯醚中；所述的表面活性劑的分子量較佳的為500~20000，更佳的為1000-10000。本發(fā)明中，所述的除聚羧酸類以外的其它緩蝕劑可為本領(lǐng)域常用緩蝕劑，較佳的選自醇胺、唑類和膦酸類緩蝕劑中的一種或多種。其中，所述的醇胺緩蝕劑較佳的選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種，更佳的選自一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺和甲基二乙醇胺中的一種或多種。所述的唑類緩蝕劑較佳的選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、二巰基噻二唑、3-氨基-1,2,4-三氮唑、4-氨基-l,2,4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-l，2，4-三氮唑、3，5-二氨基-1，2,4_三氮唑、4-氨基-5-巰基-l，2,4-三氮唑、5-氨基-四氮唑和l-苯基-5-巰基四氮唑中的一種或多種，更佳的選自苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、3-氨基-l，2,4-三氮唑、4-氨基-l，2,4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-1,2，4-三氮唑和5-氨基-四氮唑中的一種或多種。所述的膦酸類緩蝕劑較佳的選自1-羥基亞乙基-l,l-二膦酸、氨基三亞甲基膦酸、2-膦酸丁烷-l,2，4-三羧酸、乙二胺四亞甲基膦酸和二乙烯三胺五亞甲基膦酸中的一種或多種，更佳的選自2-膦酸丁烷-l,2，4-三羧酸、乙二胺四亞甲基膦酸和二乙烯三胺五亞甲基膦酸中的一種或多種。本發(fā)明所用試劑及原料均市售可得。本發(fā)明的光刻膠清洗劑由上面所述組分簡(jiǎn)單均勻混合即可制得。本發(fā)明的光刻膠清洗劑的使用方法可參照如下步驟將含有光刻膠的半導(dǎo)體晶片浸入清洗劑中，在2085。C下利用恒溫振蕩器緩慢振蕩，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?。本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于(1)本發(fā)明的光刻膠清洗劑可以較為迅速地清洗金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的20pm以上厚度的光刻膠(尤其是厚膜負(fù)性光刻膠)和其它刻蝕殘留物。(2)本發(fā)明的光刻膠清洗劑在清洗的同時(shí)，其含有的式I所示的芳基醇和聚丙烯酸類緩蝕劑能夠在晶片圖形和基材表面形成一層保護(hù)膜，阻止鹵素原子、氫氧根離子等對(duì)晶片圖形和基材的攻擊，從而降低晶片圖案和基材的腐蝕，尤其是其含有的聚丙烯酸類緩蝕劑對(duì)金屬鋁的腐蝕表現(xiàn)出良好的抑制作用。所以其對(duì)鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有極弱的腐蝕性。(3)本發(fā)明的光刻膠清洗劑中的含水量較低，進(jìn)一步降低了清洗劑對(duì)鋁和銅等金屬的腐蝕性，而且提高了其對(duì)正性和負(fù)性光刻膠的清洗能力，尤其是對(duì)高交聯(lián)度的負(fù)性光刻膠的清洗能力。(4)本發(fā)明的光刻膠清洗劑對(duì)環(huán)境友好，且其可以在較大的溫度范圍內(nèi)(20~85°C)使用。具體實(shí)施例方式下面用實(shí)施例來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本發(fā)明，但本發(fā)明并不受其限制。下述實(shí)施例中，百分比均為質(zhì)量百分比。實(shí)施例1~26表1給出了本發(fā)明的光刻膠清洗劑實(shí)施例1~26的配方，按表1中所列組分及其含量，簡(jiǎn)單混合均勻，即制得各清洗劑。表l本發(fā)明光刻膠實(shí)施例1~26<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>將表2中的各組分按照比例混合均勻，制得對(duì)比實(shí)施例r7，清洗劑和實(shí)施例116清洗劑。其中，除對(duì)比實(shí)施例7，清洗劑中有少量四甲基氫氧化銨不能溶解以外，對(duì)比實(shí)施例r6，清洗劑和實(shí)施例l-i6清洗劑均為澄清透明的均相溶液。將對(duì)比實(shí)施例l'6，清洗劑和實(shí)施例l-16清洗劑用于清洗空白Cu晶片，測(cè)定其對(duì)于金屬Cu的腐蝕情況。測(cè)試方法和條件將4X4cm空白Cu晶片浸入清洗劑，在2085"C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動(dòng)頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?，利用四極探針儀測(cè)定空白Cu晶片蝕刻前后表面電阻的變化計(jì)算得到。結(jié)果如表3所示。將對(duì)比實(shí)施例l'6'清洗劑和實(shí)施例1~16清洗劑用于清洗空白Al晶片，測(cè)定其對(duì)于金屬Al的腐蝕情況。測(cè)試方法和條件將4X4cm空白Al晶片浸入清洗劑，在2085。C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動(dòng)頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈?，利用四極探針儀測(cè)定空白Al晶片蝕刻前后表面電阻的變化計(jì)算得到。結(jié)果如表3所示。將對(duì)比實(shí)施例l'6，清洗劑和實(shí)施例116清洗劑用于清洗空白的四乙氧基硅烷(TEOS)晶片，測(cè)定其對(duì)于非金屬TEOS的腐蝕情況。測(cè)試方法和條件將4X4cm空白TEOS晶片浸入清洗劑，在20-85。C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動(dòng)頻率振蕩60分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈伞＠肗anospec6100測(cè)厚儀測(cè)定空白TEOS晶片清洗前后TEOS厚度的變化計(jì)算得到，結(jié)果如表3所示。用光刻膠清洗劑清洗半導(dǎo)體晶片上光刻膠的方法如下將含有負(fù)性丙烯酸酯類光刻膠(厚度約為50微米，且經(jīng)過(guò)曝光和刻蝕)的半導(dǎo)體晶片(含有圖案)浸入清洗劑中，在2085'C下利用恒溫振蕩器以約60轉(zhuǎn)/分的振動(dòng)頻率振蕩1~30分鐘，然后經(jīng)去離子水洗滌后用高純氮?dú)獯蹈伞９饪棠z的清洗效果和清洗劑對(duì)晶片圖案的腐蝕情況如表3所示。表3對(duì)比實(shí)施例1，~6，清洗劑和實(shí)施例1~16清洗劑對(duì)金屬Cu和Al<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage17</column></row><table>權(quán)利要求1、一種光刻膠清洗劑，其特征在于其含有季銨氫氧化物、水、芳基醇、二甲基亞砜和聚丙烯酸類緩蝕劑。2、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的季銨氫氧化物的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.110%。3、如權(quán)利要求2所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的季銨氫氧化物的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.55%。4、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的水的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.2~5%。5、如權(quán)利要求4所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的水的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.5~3%。6、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的式I所示的芳基醇的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)130%。7、如權(quán)利要求6所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的式I所示的芳基醇的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)3~15%。8、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的二甲基亞砜的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)1~98%。9、如權(quán)利要求8所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的二甲基亞砜的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)3090%。10、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.01~5%。11、如權(quán)利要求10所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.05~2.5%。12、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的季銨氫氧化物為四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨和芐基三甲基氫氧化銨中的一種或多種。13、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的芳基醇為苯甲醇、苯乙醇、鄰甲基苯甲醇、間甲基苯甲醇、對(duì)甲基苯甲醇、鄰甲基苯乙醇、間甲基苯乙醇、對(duì)甲基苯乙醇、鄰甲氧基苯甲醇、間甲氧基苯甲醇、對(duì)甲氧基苯甲醇、鄰甲氧基苯乙醇、間甲氧基苯乙醇、對(duì)甲氧基苯乙醇、鄰氨基苯甲醇、間氨基苯甲醇、對(duì)氨基苯甲醇、鄰氨基苯乙醇、間氨基苯乙醇和對(duì)氨基苯乙醇中的一種或多種。14、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的聚丙烯酸類緩蝕劑為丙烯酸聚合物及其共聚物，甲基丙烯酸聚合物及其共聚物，丙烯酸聚合物的醇胺鹽，甲基丙烯酸聚合物的醇胺鹽，聚氧乙烯改性的丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽，以及聚氧乙烯改性的甲基丙烯酸聚合物及其酯和醇銨鹽中的一種或多種。15、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的分子量為500-20000。16、如權(quán)利要求15所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的聚丙烯酸類緩蝕劑的分子量為1000~10000。17、如權(quán)利要求1所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的光刻膠清洗劑還含有極性有機(jī)共溶劑、表面活性劑和除聚丙烯酸類緩蝕劑以外的其它緩蝕劑中的一種或多種。18、如權(quán)利要求17所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的極性有機(jī)共溶劑的含量為小于或等于質(zhì)量分?jǐn)?shù)50%;所述的表面活性劑的含量為小于或等于質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%;所述的除聚丙烯酸類以外的其它緩蝕劑的含量為小于或等于質(zhì)量分?jǐn)?shù)5%;上述百分比不包括0%。19、如權(quán)利要求18所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的極性有機(jī)共溶劑的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)530%;所述的表面活性劑的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.05~3%;所述的除聚丙烯酸類以外的其它緩蝕劑的含量為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.103%。20、如權(quán)利要求17所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的極性有機(jī)共溶劑為亞砜、砜、咪唑烷酮、醇胺和烷基二醇單烷基醚中的一種或多種;所述的表面活性劑為聚乙烯醇、聚乙烯吡咯垸酮和聚氧乙烯醚中的一種或多種；所述的除聚丙烯酸類以外的其它緩蝕劑為醇胺、唑類和膦酸類緩蝕劑中的一種或多種。21、如權(quán)利要求20所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的亞砜為二乙基亞砜和/或甲乙基亞砜；所述的砜為甲基砜、乙基砜和環(huán)丁砜中的一種或多種；所述的咪唑烷酮為2-咪唑垸酮、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮和1，3-二乙基-2-咪唑烷酮中的一種或多種；所述的醇胺為一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種；所述的烷基二醇單烷基醚為二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、丙二醇單丁醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚和二丙二醇單丁醚中的一種或多種；所述的醇胺緩蝕劑為一乙醇胺、三乙醇胺、二甘醇胺、異丙醇胺、甲基二乙醇胺、二甲基乙醇胺和羥乙基乙二胺中的一種或多種；所述的唑類緩蝕劑為苯并三氮唑、甲基苯并三氮唑、苯并三氮唑二乙醇胺鹽、2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、2-巰基苯并噁唑、二巰基噻二唑、3-氨基-l,2，4-三氮唑、4-氨基-l,2，4-三氮唑、3-氨基-5-巰基-l,2,4-三氮唑、3，5-二氨基-l，2,4-三氮唑、4-氨基-5-巰基-l，2，4-三氮唑、5-氨基-四氮唑和1-苯基-5-巰基四氮唑中的一種或多種；所述的膦酸類緩蝕劑為l-羥基亞乙基-l，l-二膦酸、氨基三亞甲基膦酸、2-膦酸丁垸-l，2，4-三羧酸、乙二胺四亞甲基膦酸和二乙烯三胺五亞甲基膦酸中的一種或多種。22、如權(quán)利要求17所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的表面活性劑的分子量為500-20000。23、如權(quán)利要求22所述的光刻膠清洗劑，其特征在于所述的表面活性劑的分子量為100010000。全文摘要本發(fā)明公開(kāi)了一種光刻膠清洗劑，其含有季銨氫氧化物、水、芳基醇、二甲基亞砜和聚丙烯酸類緩蝕劑。本發(fā)明的光刻膠清洗劑可以除去金屬、金屬合金或電介質(zhì)基材上的光刻膠(尤其是厚膜負(fù)性光刻膠)和其它刻蝕殘留物，同時(shí)對(duì)鋁和銅等金屬以及二氧化硅等非金屬材料具有極弱的腐蝕性，環(huán)境友好且可在較大的溫度范圍內(nèi)使用。文檔編號(hào)G03F7/42GK101614971SQ20081003975公開(kāi)日2009年12月30日申請(qǐng)日期2008年6月27日優(yōu)先權(quán)日2008年6月27日發(fā)明者史永濤,彭洪修,曹惠英申請(qǐng)人:安集微電子(上海)有限公司