專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別涉及半透射型的液晶顯示裝置及 其制造方法。
背景技術(shù)：
專利文獻1中公開了對液晶層施加橫向電場的半透射型IPS (In Plane Switching,平面轉(zhuǎn)換)方式的液晶顯示裝置。該半透射型液晶 顯示裝置不^f又限于IPS方式，也可以采用例如TN ( Twisted Nematic， 扭曲向列)方式、VA ( Vertical Alignment,垂直取向)方式，1個像 素中存在透射顯示部和反射顯示部。在專利文獻1中列舉的半透射型 液晶顯示裝置的反射顯示部，形成延遲二分之一波長的內(nèi)藏相位差 板。進而，將該半透射型液晶顯示裝置反射顯示部的液晶層的延遲調(diào) 整為四分之 一 波長，能夠?qū)崿F(xiàn)包括明部至暗部的大范圍環(huán)境中的反射 顯示，并且能夠以廣—見角進行高畫質(zhì)的透射顯示。內(nèi)藏相位差4反由液晶分子等顯示雙折射的分子形成。上述液晶顯示裝置在濾色器側(cè)的基板上按照RGB抗蝕劑層、用 于將該RGB抗蝕劑層平坦化的平坦化層、用于使內(nèi)藏相位差板取向 的取向膜、被該取向膜取向的內(nèi)藏相位差板、用于使液晶層取向的取 向膜這樣的順序纟皮層疊而構(gòu)成。因此，在制造工序中，為了形成用于使內(nèi)藏相位差板取向的取向 膜，例如，需要將聚酰亞胺類有機物進行涂布燒成，并通過摩擦法進 行耳又向處理的工序。
專利文獻1:特開平2005 - 338256號公報 發(fā)明內(nèi)容批量生產(chǎn)半透射型的液晶顯示裝置(特別是IPS方式的液晶顯示 面板)時，迫切希望降低成本、縮短制造時間，減少制造工藝的工序。 本發(fā)明的目的在于減少半透射型液晶顯示裝置的制造工藝的工序。為了解決上述課題，本發(fā)明使設(shè)置有用于將著色抗蝕劑層平坦化 的平坦化層的相位差板的部分具有取向控制力。通過使該部分為相位 差板的基底層，省去取向膜的形成工序。本發(fā)明的第1方案為內(nèi)藏相位差板的半透射型液晶顯示裝置的制 造方法，包括下述步驟涂布構(gòu)成上述相位差板的基底層的光固化性 樹脂組合物的步驟；通過利用掩模曝光的部分固化處理和除去未固化 部分的顯影處理，在設(shè)置有涂布的上述光固化性樹脂組合物的上述相 位差板的部分，選擇性地形成凹凸的步驟；和涂布上述相位差板的材 料，利用形成了上述凹凸的部分的取向控制力形成相位差板的步驟。本發(fā)明的第2方案為在濾色器基板的反射顯示部內(nèi)藏有相位差板 的半透射型液晶顯示裝置的制造方法，包括下述步驟作為上述濾色 器基板的著色抗蝕劑層的平坦化層涂布光固化性樹脂組合物的步驟； 使上述光固化性樹脂組合物部分曝光、固化的平坦化層固化步驟；除 去上述光固化性樹脂組合物的未固化部分的顯影步驟；在上述光固化 性樹脂組合物的層上涂布上述相位差板的材料的步驟；加熱涂布的上 述相位差板的材料的加熱步驟；使上述相位差板材料曝光固化的相位 差板固化步驟。上述平坦化層固化步驟在設(shè)置有上述光固化性樹脂組 合物的上述相位差板的部分以曝光部分和非曝光部分交替排列的方 式進行掩模曝光。本發(fā)明的第3方案為具有反射顯示部和透射顯示部的半透射型液 晶顯示裝置，具備接觸用于將濾色器一側(cè)基板的著色抗蝕劑層平坦化 的平坦化層、跨接上述反射顯示部及上述透射顯示部形成的樹脂層。 上述樹脂層在反射顯示部具備相位差性。


圖1為液晶顯示裝置的1個像素的俯視圖。圖2為圖1的A-A方向剖面圖。 圖3為表示制造工藝的一部分的圖。圖4為用于說明平坦化層及內(nèi)藏相位差板的形成工序的圖。 圖5為表示光源的波長、聚合引發(fā)劑的吸收波長與發(fā)生著色的波 長的關(guān)系的圖。圖6為其他液晶顯示裝置的1個像素的剖面圖和俯視圖。
具體實施方式
下面，說明適用本發(fā)明的一個實施方案的液晶顯示裝置。圖1是構(gòu)成本實施方案的液晶顯示裝置的1個像素的俯視圖。圖 2是圖1的A-A方向剖面圖。反射光62表示的部分為反射顯示部， 此外用透射光61表示的部分為透射顯示部。圖1及圖2中，本發(fā)明 的液晶顯示裝置以IPS方式的半透射型液晶顯示裝置為例，根據(jù)本發(fā) 明的主旨，IPS方式以外的半透射型液晶顯示裝置也可以適用本發(fā)明。液晶顯示裝置主要由第一基板31、第二基板32、夾持在第一基 板31和第二基板32之間的液晶層IO構(gòu)成。第一基板31在其反射顯示部，于液晶層IO側(cè)具有濾色器36、平 坦化層37、內(nèi)藏相位差板38、階梯形成抗蝕劑層39、第一取向膜33。 另外，第一基板31在其透射顯示部，于液晶層IO側(cè)具有濾色器36、 平坦化層37、殘留層38n、第一取向膜33。第一基板31在其主面形 成濾色器36,因此包括形成在該主面(與液晶層10相對向)的上述 結(jié)構(gòu)物也稱為濾色器基板。第一基板31由離子性雜質(zhì)少的硼硅酸玻璃制成，厚度約為 0.5mm。濾色器36由黑色矩陣和紅(R)、綠(G)、青(B)的著色抗
蝕劑層反復(fù)排列成帶狀而構(gòu)成。各帶與信號配線22平行。起因于濾 色器36的著色抗蝕劑的凹凸利用樹脂制的平坦化層37平坦化。在構(gòu) 成濾色器36的多個著色抗蝕劑、形成有該著色抗蝕劑和分隔上述著 色抗蝕劑的遮光層的第 一基板31的主面形成起伏。后述的"濾色器36 的平坦化，，是指通過用樹脂等絕緣材料被覆多個著色抗蝕劑、或著色 抗蝕劑和遮光層，使該絕緣膜37上面的起伏少于作為其基底膜的濾 色器36上面的起伏，不排除在該絕緣膜(平坦化膜)37的上面殘留 若干起伏的處理。平坦化層37優(yōu)選為透明材料，從使著色抗蝕劑層充分平坦化的 觀點考慮，其厚度通常在0.5pm 3jim的范圍內(nèi)。平坦化層37連接 內(nèi)藏相位差板38的部分37a形成能夠使內(nèi)藏相位差板38取向的結(jié)構(gòu) (以下也稱為"取向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)")。即，存在由微小凹凸形成的多條溝。 取向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)例如通過在平坦化層37的上面(形成有內(nèi)藏相位差板 38的主面)，在與第1方向交叉的第2方向并列設(shè)置分別向第1方向 延伸的多條線狀溝而形成。內(nèi)藏相位差板38為具有雙折射率的液晶物質(zhì)固化形成的層。內(nèi) 藏相位差板38通過接觸的平坦化層37的取向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)進行取向。殘留層38n是在制造過程中為了形成內(nèi)藏相位差板38而全面涂 布的材料以不具有相位差性的狀態(tài)固化的部分。階梯形成抗蝕劑層39是為了在反射顯示部和透射顯示部形成四 分之一波長的延遲差而設(shè)置的。圖2所示階梯形成抗蝕劑層39形成在第一基板31的主面，將由液晶顯示裝置的外側(cè)向第一基板:3i入射的光傳輸至液晶層10。但是，有時也將階梯形成抗蝕劑層39、其等 效物在第二基板32的主面形成不透明層。第一取向膜33為聚酰亞胺類有機膜，通過摩擦法進行取向處理， 使鄰近的液晶層10向耳又向處理方向取向。需要說明的是，用于將內(nèi)藏相位差板38及殘留層38n平坦化的 層例如也可以進一步設(shè)置在上述層與第一取向膜33之間。第二基板32在液晶層IO側(cè)具有薄膜晶體管(TFT)。薄膜晶體
管連接掃描配線21、信號配線22、像素電極28。薄膜晶體管為反交 4昔結(jié)構(gòu)(Inversely-staggered Structure ),其通道(channel)部由非晶 硅層25 (非晶質(zhì)硅層)形成。也可以將非晶硅層25用激光退火，改 變?yōu)槎嗑?圭、連續(xù)晶粒珪(Continuous Grain Silicon )的通道部。此時， 薄膜晶體管可以由對通道部施加電場的控制電極(掃描配線21,門電極)被配置在通道部下側(cè)的反交錯型構(gòu)造呈現(xiàn)控制電極被配置在通道 部上側(cè)的正交錯型結(jié)構(gòu)(Staggered Structure )。除此之外，第二基板 32還具有共用配線23和共用電極29。掃描配線21和信號配線22交 叉。雖然圖1及圖2中并未示出，但是在第二基板32的主面(與液 晶層10相對向)二維配置多個像素電極28,分別向第l方向延伸的 多個掃描配線21被并列設(shè)置在與該第l方向交叉的第2方向、且分 別向該第2方向延伸的多個信號配線22被并列設(shè)置在該第1方向， 分隔各像素電極28和與其相鄰的其他像素電極。各薄膜晶體管被設(shè) 置在與其對應(yīng)的多個信號配線22中的一個和像素電極28之間、且被 多個掃描配線21中的一個控制，大致位于上述掃描配線21與信號配 線22的交叉部。第二基板32在其主面形成薄膜晶體管TFT (被虛線 框包圍的結(jié)構(gòu))，因此包括形成在其主面(與液晶層IO相對向)的 上述結(jié)構(gòu)物也被稱為TFT基板。共用配線23與掃描配線21同樣地向第l方向延伸，在與該像素 電極28交叉的部分，具有向像素電極28內(nèi)(向掃描配線21內(nèi))伸 出的結(jié)構(gòu)，如圖2中反射光62所示，反射從第一基板31通過液晶層 IO到達此處的光。在圖l及圖2中，共用配線23與像素電極28重疊 的部分為反射顯示部，此外的像素電極28與共用電極29的重疊部， 如圖2中透射光61所示，通過背光燈的光形成透射顯示部。在第二 基板32上與薄膜晶體管TFT —同形成的共用配線23是在該第二基板 32上形成了共用電極29的IPS方式的液晶顯示裝置特有的，包含共 用配線23構(gòu)成的上述反射顯示部在TN方式、VA方式的半透射型液 晶顯示裝置中是見不到的。透射顯示部與反射顯示部的最佳液晶層厚不同，因此可以在其邊界設(shè)置階梯。由于縮短透射顯示部與反射顯示部的邊界，因此邊界與 4象素短邊平行地配置透射顯示部和反射顯示部。如果將共用配線23等配線兼用作反射板，則可以取得減少各自 所需制造過程的效果。如果由高反射率的鋁、鉭等金屬形成共用配線 23,則能夠達到更明亮的反射顯示。用鉻形成共用配線23，另外形成 鋁或銀合金的反射板，也能夠取得同樣的效果。液晶層10是取向方向的介電常數(shù)比其法線方向大的顯示正介電 常數(shù)各向異性的液晶組合物。其雙折射率在25t:下為0.067,在包括 室溫區(qū)域的廣溫度范圍內(nèi)顯示向列相。另外，使用薄膜晶體管，在以 頻率60Hz驅(qū)動時的保持期間，充分保持反射率和透射率，顯示不發(fā) 生閃爍的高電阻值。如上所述，在反射顯示部的平坦化層37上形成內(nèi)藏相位差板38。 目前，在平坦化層37上形成取向膜，在其上形成內(nèi)藏相位差板38， 由此使由液晶分子等顯示雙折射的分子構(gòu)成的內(nèi)藏相位差板38具有 取向性。與此相反，在本實施方案中，為了使制造工藝簡單化，不形 成取向膜。使平坦化層37的與內(nèi)藏相位差板38接觸的部分37a具有 取向控制力，直接形成內(nèi)藏相位差板38。即，在本實施方案中，平坦 化層37除了將濾色器36平坦化的本來作用之外，還具有使內(nèi)藏相位 差板38取向的作用。需要說明的是，現(xiàn)有取向膜形成過厚，雖然也考慮將其兼用作平 坦化層，但是取向膜的材料并不透明，因此如果為了平坦化而使其過 厚，則影響透射性，因此并不現(xiàn)實。如果較厚地形成決定構(gòu)成液晶顯 示裝置的液晶層(其光的透射率被電場控制的區(qū)域)的液晶分子的初 期取向方位(例如不施加電場時液晶的光軸的方位)的取向膜，則產(chǎn) 生以下弊端。其中之一為透過該取向膜的光(例如在380 780nm的 波長帶域的可見光)的強度顯著衰減。即，取向膜的低透射率在較薄 地形成取向膜時可以忽略，隨著較厚地形成取向膜，影響液晶顯示裝 置的圖像顯示功能。另外一個問題為透過該取向膜的光帶有不希望的 顏色的透射光著色問題。而且，取向膜必須使被該取向膜在初期方位
被取向的液晶分子進行其光軸的方位隨著施加的電場而改變的移動。 因此，不僅該取向膜的材料本身受限，其價格也高。另一方面，本發(fā)明的內(nèi)藏相位差板38例如由液晶分子(液晶聚 合物)等所謂顯示雙折射的分子構(gòu)成，該分子被平坦化層37取向， 使該分子具有的折射率不同的多個光軸之一(例如顯示高折射率的光 軸)朝向特定方位。但是，希望構(gòu)成內(nèi)藏相位差板38的上述分子與 施加在液晶層上的電場的強度無關(guān)地取向上述特定方位。因此，在本 發(fā)明中，平坦化層37的取向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)使構(gòu)成內(nèi)藏相位差板38的分子 (光學(xué)各向異性體)取向。<內(nèi)藏相位差板的制造工序>在此說明用于形成平坦化層37及內(nèi)藏相位差板38的本實施方案 的特征制造工藝。圖3為表示從濾色器36的形成工序至第一取向膜33的形成工序 的工藝的圖。首先，形成黑色矩陣(Sl 1 ),形成三原色的著色抗蝕劑層(S12 )。 然后，全面涂布作為平坦化層37的材料的光固化性樹脂組合物 (S13 )。接下來，使涂布的光固化性樹脂組合物部分光固化后(S14 )， 為了除去未固化部分進行顯影(S15)。然后，全面涂布內(nèi)藏相位差 板38的材料后(S16),進行加熱(S17)。之后，對內(nèi)藏相位差板 38的材料整體進行光照射使其固化(S18)。圖4表示用于說明從平坦化層37的形成工序至內(nèi)藏相位差板38 的形成工序的圖。首先，在形成了濾色器36 (圖4中未示出)的第一基板31上涂 布光固化性樹脂組合物的平坦化層材料37p。由于該組合物(平坦化 層的前體)含有溶劑等，因此為了使后述的該組合物在后烘烤后的膜 厚(平坦化層的膜厚)在1 3nm的范圍內(nèi)，使涂布厚度比該膜厚厚。 預(yù)烘烤后，如圖4 (A)所示，配置光掩模110,從光源120向平坦化 層材料37p照射紫外線(例如1000mJ/cm2)。然后，在200。C下將平 坦化層材料37p后烘烤30分鐘。
光掩模110在與配置內(nèi)藏相位差板38的部分相當(dāng)?shù)牟糠志哂卸?個線狀掩模閉口部。另一方面，在與透射顯示部相當(dāng)?shù)牟糠?，無掩模 閉口部，光源120的光直接透射。圖中，黑色部分是光被遮斷的掩模 閉口部。圖中，為了容易理解，增粗線寬，與其他部分相比放大掩模 閉口部進4亍描纟會。通過使用上述光掩模110,在配置平坦化層材料37p的內(nèi)藏相位 差板38的部分37a，曝光部分和非曝光部分呈線狀交替排列。即，固 化部分和未固化部分呈線狀交替排列。使用光掩模110曝光后，進行堿有機顯影，除去平坦化層材料37p 的未固化部分。由此，如圖4(B)所示，平坦化層37在反射顯示部 (配置內(nèi)藏相位差板38的部分37a)形成排列多個微細裂縫狀凹處的 結(jié)構(gòu)，換言之形成微細的多條溝。在本實施例中，凹處形成ljim以 下的深度。但是，該凹處可以形成貫通平坦化層37的多條裂縫，也 可以通過上述各條裂縫使平坦化層37的基底層(例如濾色器36)露 出。上述微細的多條溝構(gòu)成使內(nèi)藏相位差板38取向的基底。為了維持對內(nèi)藏相位差板38的取向控制力，裂縫狀凹處的寬度 優(yōu)選為2 5pm。另外，其間隔優(yōu)選為2~ 5pm。另外，可以適當(dāng)選褲， 凹處的寬度L和間隔S ，使其滿足"L = S"的關(guān)系，或滿足"L + S〇5 的關(guān)系。另外，為了使適當(dāng)寬度的凹處可以以適當(dāng)?shù)拈g隔形成，必須 確定光掩模110的掩模閉口部的圖案。例如，使光掩模110的線狀掩 模閉口部的寬度為2pm、其間隔為2pm。在此說明本實施方案中使用的平坦化層37的材料。平坦化層37 的材料只要是能夠形成將濾色器36的三原色著色抗蝕劑層充分地平 坦化、并且僅使內(nèi)藏相位差板38適當(dāng)?shù)厝∠虻娜∠蛘{(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的材料 即可，沒有特別限定。本實施方案中，如上所述，利用光進行部分固化，因此，作為平 坦化層37的材料，優(yōu)選以紫外線等光能量進行聚合反應(yīng)。作為上述平坦化層37的材料，例如可以舉出以丙烯酸類樹脂成 分、溶劑、光固化引發(fā)劑、熱聚合引發(fā)劑等為主劑、通過紫外線照射
及加熱進行固化的組合物。為了賦予光固化性，丙烯酸類樹脂成分優(yōu)選含有具有聚合性丙烯 酰基的多官能(甲基)丙烯酸酯或其低聚物，含有丙烯酸類樹脂成分的50重量％以上較為有利。作為聚合性丙烯酸類樹脂成分，還優(yōu)選 含有3官能以上的多官能(曱基)丙烯酸酯或其低聚物，含有丙烯酸 類樹脂成分的20重量％以上較為有利。作為優(yōu)選的丙烯酸類樹脂成分，可以舉出具有芴骨架的多官能 (甲基)丙烯酸酯或其低聚物。例如，可以舉出下述式(I)或式(II)表示的具有芴骨架的Cardo 結(jié)構(gòu)的化合物。通過采用具有藥骨架的樹脂成分，可以提高樹脂基質(zhì) 的耐熱性。具有藥骨架的樹脂成分含有丙烯酸類樹脂成分的30重量 %以上較為有利。需要說明的是，也可以使用酚醛清漆樹脂的環(huán)氧基 丙烯酸酯樹脂代替具有芴骨架的樹脂成分。需要說明的是，式(n) 表示的化合物可以通過例如式(III)表示的環(huán)氧化合物和(甲基)丙 烯酸的反應(yīng)而得到。式(I)表示的化合物可以通過例如式(II)表示 的化合物與二元酸或四元酸的酸酐的反應(yīng)而得到，二元酸及四元酸的 4吏用比例在0: 100 ~ 100: O的范圍內(nèi)。(I) 廠<formula>formula see original document page 12</formula>(II)<formula>formula see original document page 13</formula>在上迷式(I) ~ (III)中，結(jié)合在苯環(huán)上的R表示氬原子或碳 原子數(shù)為1 5的烷基，優(yōu)選為氫原子，結(jié)合在丙烯酰基上的R表示 氫原子或甲基，n及m表示0~20的整數(shù)。另夕卜，Y及Z表示多元酸 的殘基。此處，n的平均值(平均重復(fù)數(shù))優(yōu)選為0~ 1。當(dāng)然可以在不影響平坦化層37的效果的范圍內(nèi)使用丙烯酸類樹 脂成分以外的其他樹脂成分。作為上述其他樹脂成分，可以舉出環(huán)氧 樹脂、酚醛樹脂等或烯烴類樹脂、乙烯類樹脂、聚酯類樹脂或制得上 述樹脂的單體、固化劑等樹脂成分等。另外，平坦化層37的材料可以為如下所示的含有(A)堿可溶性 聚合物、(B) 1, 2-萘醌二疊氮基磺酸酯、(C)環(huán)氧化合物的光 固化性樹脂組合物。上述光固化性樹脂組合物例如是含有下述成分的光固化性樹脂 組合物。含有式(1 )表示的結(jié)構(gòu)單元(1 )或結(jié)構(gòu)單元(1 )和下述式(2 ) 表示的結(jié)構(gòu)單元(2)構(gòu)成的、結(jié)構(gòu)單元(1)在結(jié)構(gòu)單元(1)和結(jié) 構(gòu)單元(2)總和中所占的比例為100- 70摩爾％的聚合物環(huán)上被溴 取代的堿可溶性聚合物，<formula>formula see original document page 14</formula>(1)<formula>formula see original document page 14</formula>(2)(其中，Rl表示氫原子或碳原子數(shù)為1 5的烷基，R2表示氫原 子、甲基或甲氧基)(B)選自下述式(3)表示的化合物及下述式(4)表示的化合物 的1， 2-萘醌二疊氮基磺酸酯，<formula>formula see original document page 14</formula>(3)(其中，3個D相同或不同，表示l, 2-萘醌二疊氮基-4-磺酰 基或1， 2-萘醌二疊氮基-5-磺?；?，但至少其中的1個D為1， 2 -萘醌二疊氮基-4-磺酰基或1， 2-萘醌二疊氮基-5-磺?；?<formula>formula see original document page 14</formula>〔4)(其中，D的定義包括附言均與上述式(3)中的定義相同) (C)分子內(nèi)至少具有2個環(huán)氧基的化合物。另外，作為平坦化層37的材料，可以使用含有(a)具有光聚合 性不飽和基團的丙烯酸類聚合物、(b)至少具有1個乙烯性不飽和 基團的光聚合性不飽和化合物、(c)利用活性光線生成游離自由基
的光聚合引發(fā)劑的光固化性樹脂組合物。作為(a)具有光聚合性不飽和基團的丙烯酸類聚合物，對其組成、 合成方法沒有特別限定，例如可以使用具有羧基、羥基、氨基、異氰 酸酯基、環(huán)氧乙烷環(huán)、酸酐等官能團的乙烯類共聚物與具有至少l個 乙烯性不飽和基團、和l個環(huán)氧乙烷環(huán)、異氰酸酯基、羥基、羧基等 官能團的化合物發(fā)生加成反應(yīng)而得到的側(cè)鏈具有乙烯性不飽和基團 的自由基聚合性共聚物等。作為(b)具有至少1個乙烯性不飽和基團的光聚合性不飽和化 合物，例如可以舉出使多元醇與a, (3 -不飽和羧酸反應(yīng)得到的化合物、 2, 2-雙(4- (二 (甲基)丙烯酰氧基聚乙氧基)苯基)丙烷、含 有縮水甘油基的化合物與a， p-不飽和羧酸反應(yīng)得到的化合物、氨基 曱酸乙酯單體、壬基苯基二亞環(huán)氧乙烷基(甲基)丙烯酸酯、氯 -|3-羥基丙基-(3，-(曱基)丙烯酰氧基乙基-鄰苯二曱酸酯、(3-羥基乙基-(3，-(曱基)丙烯酰氧基乙基-鄰苯二甲酸酯、|3-羥基 丙基-p，-丙烯酰氧基乙基-鄰苯二曱酸酯、(甲基)丙烯酸烷基 酯等。需要說明的是，例如(曱基)丙烯酸是指丙烯酸及與其對應(yīng)的 甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯及與其對應(yīng)的甲基丙烯酸酯。另外，作為市售的平坦化層37的材料，可以使用新日鐵化學(xué)抹 式會社制的V - 259PA系列、JSR抹式會社制的OPTMER PC (正型 感光性)、同社制的NN系列(負(fù)型感光性)、日立化成工業(yè)抹式會 社制的CR-600等。返回圖3繼續(xù)說明內(nèi)藏相位差板。形成平坦化層37后，接著在平坦化層37的整面涂布內(nèi)藏相位差 板38的材料，在IO(TC下使用加熱板等加熱2~ 5分鐘除去溶劑。然 后將加熱溫度在80。C下保持IO分鐘左右，由此通過平坦化層37的取 向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)37a使內(nèi)藏相位差板38的材料(分子)取向特定方位 (S17)。內(nèi)藏相位差板38的材料例如為含有分子末端具有光反應(yīng)性 的丙烯酰基的液晶和反應(yīng)引發(fā)劑的有機溶劑。該工序(S17)中的上
述加熱溫度設(shè)定為高于內(nèi)藏相位差板38的材料的熔點(例如70°C )、 且在該材料的向列.各向同性相轉(zhuǎn)變溫度(例如110。C)以下的值(例 如約80°C )。加熱時間必須設(shè)定為相位差板的材沖牛充分取向的時間(例 如10分鐘)。在該時間點，內(nèi)藏相位差板38的材料的接觸"平坦化 層37的具備取向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的部分37a"的部分朝特定的取向方位取 向。由此使內(nèi)藏相位差板38的材料層的該部分顯示雙折射性(相位 差性)。另一方面，內(nèi)藏相位差板38的材料的接觸"平坦化層37的 不具備取向調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)的部分37b"的其他部分不耳又向。因此，內(nèi)藏相 位差板38的材料層的上述其他部分不顯示雙折射性(相位差性)。之后將內(nèi)藏相位差板38的材料全面曝光，使其固化(S18)。由 此如圖4 (C)所示，形成具備相位差性的內(nèi)藏相位差板38和不具備 相位差性的殘留層38n。形成內(nèi)藏相位差板38后，可以在第1基板31的主面(在該主面 上形成的內(nèi)藏相位差板38及殘留層38n的上面)的整個區(qū)域內(nèi)形成 保護膜(絕緣膜、未圖示)。保護膜例如由與上述平坦化層相同的材 料或不包含光引發(fā)劑的透明材料形成。在殘留層38n (或其上形成的 保護膜)的上面形成階梯形成抗蝕劑層39 (圖3的S19)后，形成用 于使液晶層10取向的取向膜33 (S20)。需要說明的是，可以在取 向膜33形成前，為了將基底平坦化而形成平坦化層，在該平坦化層 上形成取向膜33。以上說明了第一基板31的從濾色器36的形成工序至取向膜" 的形成工序的工藝。參照圖2如下所述地說明之后的制造工藝。進行摩擦處理，使第一基板31的第一取向膜33、第二基板32的 第二取向膜34與信號配線22成15度的角度后，使第一基板31與第 二基板32相對向地組裝，封入液晶材料形成液晶層10。進而，在第 一基板31和第二基板32的外側(cè)配置第一偏光板41和第二偏光板42。 配置成第一偏光板41和第二偏光板42的透射軸分別與液晶取向方向 垂直、平行。
需要說明的是，第一偏光板41的粘結(jié)層使用內(nèi)部混入了多個折 射率與粘結(jié)材料不同的透明微小球的光擴散性粘結(jié)層43。利用在粘結(jié) 材料與微小球的界面因兩者的折射率差異而產(chǎn)生的折射的效果，具有 擴大入射光的光路的作用。由此可以減少像素電極28和共用電極29 處反射光的干涉產(chǎn)生的彩虹色的著色。<本發(fā)明的液晶顯示裝置的方案1>說明如上所述構(gòu)成的液晶顯示裝置的功能。如圖l所示，在由對可見光線透明的玻璃等材料構(gòu)成的第二基板 32的主面，每個像素依次層疊共用電極29和像素電極28。在第二基 板32的主面，上述向第1方向延伸的掃描配線21和共用配線23在 上述第2方向交替重復(fù)并列設(shè)置，在覆蓋掃描配線21及共用配線23 的絕緣層51上，向該第2方向延伸的多個信號配線22沿該第1方向 并列設(shè)置。在第二基板32的主面，設(shè)置與多個像素分別對應(yīng)的多個 薄膜晶體管TFT。在圖1及圖2中被虛線框包圍的薄膜晶體管TFT 被構(gòu)成為具備與信號配線22的 一部分和輸入輸出電極24接合的半導(dǎo) 體層(上述非晶硅層)25、和對上述半導(dǎo)體層25施加電場控制"信 號配線22的一部分與輸入輸出電極24之間的載流子(電子或空穴) 的流動"的電極(也是掃描配線21的一部分)的電場效果型晶體管。 信號配線22的一部分和輸入輸出電極24是指對應(yīng)于存在于上述電極 之間的半導(dǎo)體層25內(nèi)的載流子的流動，其中一方稱為源電極，另一 方稱為漏電極。間隔絕緣層51對半導(dǎo)體層25施加電場的上述掃描配 線21的一部分也被稱為門電極或控制電極，絕緣層51也被稱為門絕 緣膜。信號配線22每隔規(guī)定周期(例如幀期間或場)傳送應(yīng)當(dāng)輸入像 素電極28內(nèi)的圖像信號。每隔該周期對掃描配線21施加使半導(dǎo)體層 25內(nèi)產(chǎn)生載流子的流動的信號(掃描信號)，被信號配線22傳送的 圖像信號通過半導(dǎo)體層25、輸入輸出電極24供給到像素電極28。薄 膜晶體管TFT的輸入輸出電極24和像素電極28通過形成在貫穿層疊 在輸入輸出電極24上的絕緣層52及絕緣層53且露出輸入輸出電極24的通孔26的內(nèi)壁上的導(dǎo)電膜電連接。該導(dǎo)電膜可以與像素電極28 一同形成。另一方面，共用配線23的電位與掃描配線21或信號配線 22相比變化小，多數(shù)保持基準(zhǔn)電位( 一定的電位，例如接地電位)。 共用配線23和共用電極29通過形成在貫穿層疊在共用配線23上的 絕緣層51及絕緣層52并且露出共用配線23的一部分的通孔27的內(nèi) 壁的導(dǎo)電膜電連接。該導(dǎo)電膜可以與共用電極29—同形成。共用電極29及像素電極28均由ITO (Indium - Tin - Oxide )或 IZO (Indium - Zinc - Oxide )等透過可見光線的導(dǎo)電性材料(所謂透 明導(dǎo)電膜)構(gòu)成。像素電極28及共用電極29大致具有矩形的輪廓， 如圖1的平面圖所示，像素電極28的外周被共用電極29的外周包圍。 在共用電極29的一部分，包圍通孔26形成用于避免與形成在上述通 孔26上的導(dǎo)電膜電短路的開口 (未圖示)。在各像素中，共用電極29形成1張薄片狀，而像素電極28在該 共用電極29上形成梳齒狀(Comb - teeth shaped )。矩形的透明導(dǎo)電 膜上向第1方向(掃描配線21的延伸方向)延伸的多個開口 (線狀 開口 ) 30與第2方向(信號配線22的延伸方向)平行地形成在圖1 所示的像素電極28上。由上述開口 30使構(gòu)成像素電極28的透明導(dǎo) 電膜形成向第l方向延伸的多條帶，所述帶像梳齒一樣與第2方向并 列。像素電極28和共用電極29被橫跨其間的絕緣層53電分離，由 像素電極28和共用電極29之間的電位差產(chǎn)生的電力線由像素電極28 的各"梳齒"通過該"梳齒"間(透明導(dǎo)電膜的開口 30)到達共用電 極29。該電力線從像素電極28的"梳齒"向橫跨該"梳齒"的間隙在 第二基板32的主面大致平行地延伸。與該第二基板32的主面大致平 行的電力線通過形成在該第二基板32上的第2取向膜34滲入到封入 (Seal) TFT基板32和濾色器基板31之間的液晶層10，使液晶層10內(nèi)的液晶分子移動。在TFT基板32及濾色器基板31的外面(Outer Surface、與液晶 層相對側(cè)的主面)分別設(shè)置偏光板(膜)42、 41。液晶層10內(nèi)的液晶分子被設(shè)定成在未對其施加電場的狀態(tài)下其 光軸偏離上述偏光板41, 42的光軸(例如正交)的方位。第一取向 膜33、第二取向膜34將液晶分子設(shè)定在上述方位。此處所說的光軸 是指液晶分子、偏光板41、 42相對于透過其的光顯示例如高折射率 的方4立。與此相反，隨著從像素電極的"梳齒"向共用電極29在第二基 板32的主面大致平行地形成的上述電場增強，液晶分子各自光軸的 方位逐漸接近上述偏光板41, 42的光軸。即，形成在第二基板32內(nèi) (In-plane)的電場越強，透過液晶層的光量越多。這就是將圖示的 像素結(jié)構(gòu)稱為平面轉(zhuǎn)換(In-plane Switching)型，簡稱IPS型的原 因。像素電極28的電位隨著薄膜晶體管的輸出(圖像信息)而改變， 另一方面，共用電極29的電位取決于由共用配線23施加的例如基準(zhǔn) 電壓。即，分別具備連接某一共用配線23的共用電極29的一組像素 中，各像素電極的電位各不相同時，各共用電位也顯示大致相同的電位。共用配線23由鋁或鉭等金屬形成，與像素電極或共用電極相比， 容易反射入射其中的光。圖示的共用配線23從連接共用配線23和共 用電極29的通孔27向像素內(nèi)延伸。因此，共用配線23的延伸部分 被配置在像素電極28及共用電極29的下側(cè)，將從濾色器基板31通 過液晶層10、像素電極28及共用電極29向該延伸部分(其上面)入 射的光向濾色器基板31反射。對應(yīng)每個像素形成上述區(qū)域的結(jié)構(gòu)是 半透射型(Transfiective )液晶顯示裝置的特征。以上說明了本發(fā)明的一個實施方案。根據(jù)上述實施方案，在制造工藝中，涂布透射顯示部和反射顯示 部的整面形成的平坦化層中，僅使反射顯示部的部分通過光固化時的 才喿作具有:f又向控制力。整面涂布的內(nèi)藏相位差^1的材料中，^U吏相當(dāng) 于反射顯示部的部分取向，保持相位差性。即，可以省略用于使內(nèi)藏
相位差板38取向的取向膜的涂布工序及隨之的摩擦工程。因此，通 過減少工藝，可以縮短制造所需的時間、削減材料費。另外，目前，產(chǎn)生進行摩擦處理時發(fā)生的摩擦布或取向膜的剝離 異物，其后必須增加清洗工序，進而，即使實施清洗，也無法避免其 流入后續(xù)工序，導(dǎo)致成品率降低。與此相反，在本實施方案的制造工 藝中，沒有用于使內(nèi)藏相位差板38取向的取向膜的摩擦工序，因此 不產(chǎn)生摩擦異物，無需擔(dān)心成品率降低的問題。進而，在本實施方案的液晶顯示裝置中，沒有用于使內(nèi)藏相位差 板38取向的取向膜，由此提高透射顯示部及反射顯示部的透射率。需要說明的是，本發(fā)明不限于上述實施方案。上述實施方案可以 有各種變形。<本發(fā)明的液晶顯示裝置的方案2>作為上述液晶顯示裝置的方案1的變形，參照圖6說明本發(fā)明的 VA方式的半透射型液晶顯示裝置。圖6 (a)表示VA方式的半透射 型液晶顯示裝置中形成的像素之一的剖面結(jié)構(gòu)，圖6(b)表示該一個 像素的平面結(jié)構(gòu)。圖6 (a)將液晶顯示裝置(其中的一個像素)繪制 成用圖6 (b)所示的A-A，線切斷的剖面。圖6所示的構(gòu)成要素中， 其等效物涉及到圖1或圖2所示結(jié)構(gòu)的，帶有與圖1、圖2的等效物相同的參考編號，避免重復(fù)說明。 一個像素可以定義為被黑色矩陣(遮 光膜)35的開口 35h包圍的區(qū)域，也可以定義為4皮濾色器(著色抗蝕 劑)36的輪廓(外周)包圍的區(qū)域。在圖6(b)中，信號配線22a 不與圖示的像素的薄膜晶體管TFT連接，除此之外，與信號配線22 同樣地形成。在圖6(b)中，在其輪廓用點線框表示的半導(dǎo)體層25 上信號配線22的一部分與輸入輸出電極24相互對向形成。信號配線 22的一部分彎曲成U字狀包圍輸入輸出電極24。首先，說明VA方式的半透射型液晶顯示裝置與IPS方式的半透 射型液晶顯示裝置的區(qū)別。VA方式的液晶顯示裝置中，共用電極29 形成在第1基板31上，在對應(yīng)每個像素設(shè)置的各反射顯示部及透射 顯示部形成共用電極29的開口 ( Opening ) 29h。該開口29h對應(yīng)于
像素電極28的形狀形成為裂縫(Slit)或切口 (Notch)。圖6 (a) 中，像素電極28和共用電極29之間的被施加了電場的液晶分子100、 和未施加電場(換言之為被初期取向)的液晶分子100n用長橢圓形 表示。在像素電極28和共用電極29之間產(chǎn)生的電場用虛線的箭頭表 示。間隔液晶層10對向的像素電極28和共用電極29之間產(chǎn)生的電 場通過共用電極的開口 29h相對于橫跨第l及第2基板31、 32的方 向(以下稱為液晶盒間隙，圖6 (a)的gR、 gT)以規(guī)定角度傾斜。 像素電極28和共用電極29之間不產(chǎn)生電場時，單軸性、具有雙折射 率的液晶分子100n以其分子軸(上述"長橢圓"的長軸)順應(yīng)液晶 盒間隙的方式初期取向。上述液晶分子100n的初期取向稱為"垂直 取向(VA)"。液晶分子100n被初期取向的液晶層10阻斷入射其 中的光的透射。對應(yīng)于像素電極28和共用電極29之間的電場強度， 被垂直取向的液晶分子100n的分子軸像液晶分子100那樣相對于液 晶盒間隙傾斜，隨著傾斜，液晶層IO的光的透射量增加。不需要在像素電極28上形成共用電極29那樣的裂縫、切口或開 口，如圖6(b)所示，本方案的像素電極28對應(yīng)每個共用電極的開 口 29h分為1個反射型像素電極28R和2個透射型像素電極28T。薄 膜晶體管TFT的輸入輸出電極24通過通孔26電連接在反射型像素電 極28R上，進而反射型像素電極28R和透射型像素電極28T、及透射 型像素電極28T間通過連接部28C彼此電連接。反射型像素電極28R 由鋁、鈦、鉭等的金屬膜或含有鋁、鈦、鉭等的合金膜形成，透射型 像素電極28T由ITO (銦-錫-氧化物)、IZO (銦-鋅-氧化物)、 ATO (添加銻的氧化錫)、AZO (添加鋁的氧化鋅)等透明導(dǎo)電性氧 化物形成。薄膜晶體管TFT與上述方案1同樣，具有將連接信號配線22和 輸入輸出電極24的半導(dǎo)體層25間隔絕緣層51配置在掃描配線的一 部分(控制電極)21的上部的所謂反交錯型結(jié)構(gòu)，也可以用絕緣層 51覆蓋半導(dǎo)體層25且在該絕緣層51上配置控制電極21。半導(dǎo)體層 25可以由非晶硅(非晶質(zhì)硅)、多晶硅、并列設(shè)置多個從與信號配線22的接合部向與輸入輸出電極24的接合部延伸的晶粒(帶狀單結(jié)晶) 而構(gòu)成的連續(xù)粒界結(jié)晶硅中的任一個形成，作為半導(dǎo)體材料，也可以 利用硅(硅)以外的元素或分子。在薄膜晶體管TFT的最上層(圖6中信號配線22和輸入輸出電 極24)的上面，按照絕緣層52、階梯形成抗蝕劑層(絕緣層)39R 及反射型像素電極28R這樣的順序被層疊。階梯形成抗蝕劑層39R 與方案1不同，形成在第2基板32 (TFT基板)上。階梯形成抗蝕劑 層39R以超過絕緣層51、 52各2倍的厚度形成在與方案1的絕緣層 53相同的位置。即，將階梯形成抗蝕劑層39R的厚度調(diào)整為反射顯 示部的第l基板31的最上面(圖6中共用電極29的上面)和第2基 板32的最上面(圖6中反射型像素電極28R的上面)之間的間隙gR 小于透射顯示部的第l基板31的最上面(共用電極29的上面)與第 2基板32的最上面(圖6中透射型像素電極28T的上面)之間的間 隙gT，優(yōu)選為間隙gT的大致1/2。利用光刻法等成形階梯形成抗蝕劑 層39R時，在其上面形成波狀的圖案(例如、波紋圖案(corrugated pattern)),也可以將該圖案形成在反射型像素電極28R的上面。被 反射型像素電極28R反射的光由于其上面的波狀圖案而在設(shè)置有該 反射型像素電極28R的像素內(nèi)適度擴散。第l基板31由玻璃或塑料等能透過可見區(qū)域(380nm 780nm的波長帶域)的光的材料(以下稱為透明材料)構(gòu)成，在其主面上形成 多個濾色器(著色抗蝕劑)36和橫跨鄰接的一對濾色器的遮光膜35。 圖2所示的液晶顯示裝置的方案1中，在濾色器36間形成遮光膜35。 濾色器36例如由含有顏料、染料及熒光材料中的至少一種的樹脂材 料(例如抗蝕劑材料等有機材料)形成。遮光膜35形成為鉻(Cr) 等金屬或合金等無機薄膜、或分散有碳、鈷氧化物、黑色顏料等光吸 收率高的粒子的樹脂的薄膜(有機薄膜)。遮光膜35對可見區(qū)域的 光的透射率低于濾色器36,因此也稱為不透明。本方案2中也形成平坦化層37,使由于濾色器36和配置在其間 的遮光膜35在第l基板31的主面生成的起伏平坦。進而，與方案l
同樣地，賦予平坦化層37的一部分(37a)使被供給到平坦化層37 的上面的內(nèi)藏相位差板38的原料(前體)的分子取向所希望的方位 的"取向控制力，，。因此，平坦化層37的賦予了取向控制力的部分 37a的上面形成內(nèi)藏相位差板38 (由取向的分子形成的有機膜)，在 平坦化層37的未賦予取向控制力的部分37b的上面形成內(nèi)藏相位差 板的殘留層38n (由未取向的分子構(gòu)成的有機膜)。內(nèi)藏相位差板38 及其殘留層38n上面的起伏被作為其基底的平坦化層37抑制，在其 上面形成具備開口 29h的共用電極29。利用電子顯微鏡觀察形狀，發(fā) 現(xiàn)內(nèi)藏相位差板38和其殘留層38n是作為一個有機薄膜而形成的， 也發(fā)現(xiàn)其具有相同組成。但是，通過內(nèi)藏相位差板38顯示"雙折射 (相位差性)"、其殘留層38n不能顯示"雙折射(相位差性)"， 能夠確實地加以區(qū)分二者。如圖6 (b)所示，內(nèi)藏相位差板38 (粗 線框)在第1基板31的主面內(nèi)，作為分別與反射型像素電極28R對 向的多個島分布在該殘留層38n內(nèi)。需要說明的是，內(nèi)藏相位差板38和其殘留層38n也可以間隔上 述平坦化層37形成在具備開口 29h的共用電極29的上側(cè)。另外，也 可以在第1基板31的最上層(圖6中共用電極29)及第2基板32 的最上層(圖6中像素電極28R, 28T)中的至少一方形成使液晶層 IO的液晶分子IOO、 100n取向的取向膜(未圖示)?！催m用于形成內(nèi)藏相位差板的材料〉例如，在內(nèi)藏相位差板38的形成工序中，通過適當(dāng)選擇形成內(nèi) 藏相位差板38的材料、對其照射的光的波長、及添加到其中的光聚 合引發(fā)劑，可以抑制內(nèi)藏相位差板38及殘留層38n的著色。圖5是用于說明形成內(nèi)藏相位差板38的液晶物質(zhì)發(fā)生著色的波 長的圖。如果用于形成內(nèi)藏相位差板38的液晶物質(zhì)吸收波長不足 300nm的光，則發(fā)生著色。因此，優(yōu)選不照射波長不足300nm的光。因此，可以使用能夠照射特定波長的光的燈。例如，使用波長 300nm以上的光的強度強、波長不足300nm的光的強度極弱的燈。也可以使用遮擋波長不足300nm的光的過濾器。例如使用遮擋短 波長光的短波長截止紫外線過濾器等。另外，也可以使用將形成內(nèi)藏相位差板38的液晶物質(zhì)的吸收波長完全截止的過濾器。例如可以使 用帝人DuPont Films制的Teijin Tetoron Film G2。另外，由于照射300nm以上的光，因此需要內(nèi)藏相位差板38的 材料通過照射波長300nm以上的光而固化。光聚合引發(fā)劑優(yōu)選在 300 ~ 400nm處有吸收的物質(zhì)。優(yōu)選在內(nèi)藏相位差4反38的材料(作為 其中包含的溶劑或光聚合引發(fā)劑的溶劑的甲醇)中的吸光系數(shù)在 365nm處為1000ml/gcm以上、405nm處為100ml/gcm以上的范圍內(nèi)的引發(fā)劑。作為形成內(nèi)藏相位差板38的材料，可以使用如下所示的在分子 末端具有光反應(yīng)性的丙烯酰基的液晶單體。<formula>formula see original document page 24</formula><formula>formula see original document page 25</formula><formula>formula see original document page 25</formula><formula>formula see original document page 25</formula>HjC-HCCOOtHjCJeOH^y-COOH^^-OOC^H^^-CHCHAOOCH-CHj 考慮到加熱曝光，優(yōu)選光聚合引發(fā)劑具有不揮發(fā)性。例如可以選擇汽巴精化有限公司(Ciba Specialty Chemicals)制的IRUGACURE (IRUGACURE (R) ) 907、 IRUGACURE 369、 IRUGACURE 819、 IRUGACURE 127、 DAROCUR (R) TPO、 IRUGACURE OXEOl等。 特別是IRUGACURE 819能夠防止著色、揮發(fā)性低，因此曝光量少。IRGACURE 651 1RGACURE 184 ,RGACUF E 2959如上所述，通過適當(dāng)選擇內(nèi)藏相位差板38的材料、照射的光的 波長、光聚合引發(fā)劑，可以使內(nèi)藏相位差板38及殘留層38n的透射 率相對于可見光(Visible Light,例如波長在400nm至800nm范圍內(nèi) 的光)分別在90%以上的范圍內(nèi)，能夠抑制上述著色。即，如果內(nèi)藏 相位差板38及殘留層38n能夠使入射其中的可見光區(qū)域(例如400nm 至800nm的波長帶域)的光透射90%以上，則能夠?qū)⒁壕э@示裝置
的顯示亮度保持在足夠高的水平。雖然以上列舉了幾個本發(fā)明的實施方案，但是本發(fā)明并不限定于 此，其中也包括許多本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的變形和修改。本發(fā)明 并不限定于以上給出的說明，權(quán)利要求書的范圍內(nèi)所包括的全部變形 和修改也都包括在本發(fā)明中。
權(quán)利要求
1、一種半透射型液晶顯示裝置的制造方法，是在第1基板的內(nèi)藏有相位差板的主面和第2基板之間包封液晶層的半透射型液晶顯示裝置的制造方法，其特征在于，該制造方法按以下順序進行下述步驟在所述第1基板的主面涂布作為所述相位差板的基底層的光固化性樹脂組合物的第1步驟；通過利用掩模曝光使所述光固化性樹脂組合物的涂膜部分固化的處理、和除去該固化處理后殘留的該涂膜的未固化部分的顯影處理，在涂布的所述光固化性樹脂組合物的配置所述相位差板的部分選擇性地形成凹凸的第2步驟；在所述光固化性樹脂組合物固化的涂膜上涂布所述相位差板的材料，利用該固化后的涂膜的形成了所述凹凸的部分的取向控制力形成相位差板的第3步驟。
2、 一種半透射型液晶顯示裝置的制造方法，該半透射型液晶顯 示裝置具備主面形成了對應(yīng)于多個像素的濾色器的濾色器基板，對應(yīng) 于該像素的該濾色器分別由反射顯示部和透射顯示部構(gòu)成，該濾色器 基板的該反射顯示部內(nèi)藏有相位差板，其特征在于，該制造方法按以 下順序進行下述步驟抗蝕劑層的上面，作為其平坦化層涂布光固化性樹脂組合物的平坦化 層涂布步驟；部分曝光所述光固化性樹脂組合物使其固化的平坦化層固化步驟；除去所述光固化性樹脂組合物的未固化部分的顯影步驟； 在所述光固化性樹脂組合物的層上涂布所述相位差板的材料的 步驟；加熱涂布的所述相位差板的材料的加熱步驟； 曝光所述相位差板材料使其固化的相位差板固化步驟； 所述平坦化層固化步驟在所述光固化性樹脂組合物的配置所述 相位差板的部分進行掩模曝光，使曝光部分與非曝光部分交替排列。
3、 如權(quán)利要求2所述的半透射型液晶顯示裝置的制造方法，其 特征在于，所述加熱步驟在高于所述相位差板的材料的熔點、并且低 于向列 等方相轉(zhuǎn)變溫度的溫度下加熱。
4、 一種半透射型IPS方式的液晶顯示裝置，所述半透射型液晶顯 示裝置具備在主面形成有濾色器的第l基板、與該主面相對向且貼合 在該第1基板上的第2基板、及被封入該第1基板和該第2基板之間 的液晶層，所述濾色器的對應(yīng)每個像素的區(qū)域分別具有反射顯示部和透射 顯示部，其特征在于，在所述第1基板的主面按照所述濾色器、第1樹脂層及第2樹脂 層這樣的順序被層疊，所述第2樹脂層與所述第1樹脂層相接觸，且該第1樹脂層及該 第2樹脂層分別在對應(yīng)于所述像素的每個區(qū)域從所述反射顯示部向所 述透射顯示部延伸，所述第2樹脂層在所述反射顯示部具備相位差性。
5、 如權(quán)利要求4所述的半透射型液晶顯示裝置，其特征在于， 在與所述第2樹脂層的具備相位差性的部分相接觸的所述第l樹脂層 的部分，形成用于使構(gòu)成所述第2樹脂層的分子取向的結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明涉及半透射型液晶顯示裝置制造方法，該裝置具備具有分別分成反射顯示部和透射顯示部的多個像素、在與液晶層對向的主面的對應(yīng)于反射顯示部的區(qū)域分別內(nèi)藏相位差板的濾色器基板，特征為按以下順序進行下列工序在濾色器基板的主面涂布光固化性樹脂組合物的第1工序；利用掩模曝光使光固化性樹脂膜的反射顯示部分別對應(yīng)的區(qū)域部分固化的第2工序；經(jīng)顯影除去第2工序殘留的光固化性樹脂膜的未固化部分的第3工序；在固化的光固化性樹脂膜的主面對應(yīng)于反射顯示部的區(qū)域選擇性地形成凹凸的第4工序；在形成了凹凸的光固化性樹脂膜上涂布相位差板的材料，由形成了凹凸的部分對相位差板材料的取向控制力，在對應(yīng)于反射顯示部的區(qū)域分別形成相位差板的第5工序。
文檔編號G02F1/1333GK101149505SQ200710141998
公開日2008年3月26日 申請日期2007年8月17日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月22日
發(fā)明者佐野靖, 關(guān)口慎司, 原浩二, 松浦宏育, 鷹棲慶治 申請人:株式會社日立顯示器