專利名稱：高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)、圖案形成裝置以及圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種圖案形成裝置上的、用于循環(huán)使用高折射率液體 的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)以及使用這樣的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)的圖 案形成裝置和圖案形成方法，其中，圖案形成裝置包括對半導(dǎo)體基板 等基板涂敷抗蝕劑和在曝光后進行顯影的抗蝕劑涂敷*顯影部、和在將 形成有抗蝕劑膜的基板浸漬在高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜 曝光為規(guī)定圖案的液浸曝光部。
背景技術(shù)：
在制造半導(dǎo)體設(shè)備時，為了在半導(dǎo)體晶片上形成電路圖案，使用 光刻技術(shù)。使用光刻形成電路圖案按以下順序進行在半導(dǎo)體晶片上 涂敷抗蝕劑液形成抗蝕劑膜，將光照射在該抗蝕劑膜上，與電路圖案 相對應(yīng)地對抗蝕劑膜進行曝光，然后對其進行顯影處理。
近階段，半導(dǎo)體設(shè)備由于出于提高動作速度等方面的考慮，有高 集成化的傾向，所以對于光刻技術(shù)來說，要求在半導(dǎo)體晶片上形成的 電路圖案細(xì)微化。因此，作為實現(xiàn)45nm節(jié)(node)的高分辨率的光刻 技術(shù)，提出有液浸(Immersion)曝光方案，該液浸曝光方案是將具有 比空氣高的折射率的純水等曝光液供給到半導(dǎo)體晶片和曝光用的投影 透鏡之間，利用曝光液的折射率縮短來自投影透鏡的照射光的波長， 由此使曝光的線寬很細(xì)小(參照例如專利文獻l)。另外，有報告稱， 為了獲得更高的分辨率，嘗試使用由以環(huán)狀烴結(jié)構(gòu)為基本成分的化合 物等構(gòu)成的、具有比純水高的折射率的液體——高折射率液體(High Index Liquid)作為曝光液來進行液浸曝光，并能夠?qū)崿F(xiàn)32nm節(jié)的高 分辨率(參照非專利文獻l)。
但是，在液浸曝光前，通常為了提高對曝光液的親和性，還有在 液浸曝光后，通常為了除去附著在半導(dǎo)體晶片上的曝光液，用純水等 清洗液(或沖洗液)對半導(dǎo)體晶片進行清洗(或沖洗)(參照例如專利
文獻2)。但是，如以上所述，在曝光液使用高折射率液體的情況下， 在現(xiàn)有的液浸曝光前進行清洗時，由于清洗液和曝光液的物理性質(zhì)大 不相同，所以，在液浸曝光時，有可能由于清洗液的渣滓，使其在抗 蝕劑膜上產(chǎn)生氣泡或者殘液等。另外，由于高折射率液體粘性大，所 以在現(xiàn)有的液浸曝光后進行清洗時，有可能不能充分地除去曝光液。 即，在曝光液使用高折射率液體的情況下，現(xiàn)有進行的液浸曝光前或 液浸曝光后的清洗，難以抑制處理斑點的發(fā)生。
另一方面，若考慮成本以及環(huán)境等方面，優(yōu)選是減少曝光液和清 洗液的使用量。特別是由于高折射率液體一般情況下價格很高，所以， 在使用高折射率液體的情況下，強烈希望能夠利用極少的使用量進行 處理。為了減少曝光液和清洗液的使用量，可以考慮使這些液體循環(huán) 再循環(huán)。但是，因若想要使這些液體循環(huán)再循環(huán)，由于曝光液用和清 洗液用，分別需要用于回收使用后的液體的機構(gòu)以及處理，因此招致 裝置以及工藝規(guī)程的復(fù)雜化。
專利文獻1:國際公開2005-029559號小冊子 專利文獻2:日本專利特開2006-80403號公報
非專利文獻1:作者不詳，"半導(dǎo)體制造下一代液浸曝光用高折
射率新液體(德爾斐)的開發(fā) 實現(xiàn)線寬32納米的微細(xì)加工 "online、2005年9月12日、三井化學(xué)股份有限公司2006年6月 檢索、國際互聯(lián)網(wǎng)〈http:〃www.mitsui-chem.co.jp/whats/2005—0912.htm〉

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于這樣的情況而提出的，其目在于提供一種不使裝置 以及工藝規(guī)程的構(gòu)成復(fù)雜，減少由高折射率液體構(gòu)成的曝光液和清洗 液的使用量，且能夠防止在基板上產(chǎn)生處理斑點的高折射率液體循環(huán) 系統(tǒng)和高折射率液體循環(huán)方法、使用這樣的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)的 圖案形成裝置以及圖案形成方法、以及存儲用于實行這樣的圖案形成 方法的控制程序的計算機能讀取的存儲介質(zhì)。
為了解決上述問題，本發(fā)明的第一觀點是提供一種高折射率液體
循環(huán)系統(tǒng)，該高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)包括在基板上涂敷抗蝕劑形成 抗蝕劑膜，在曝光后進行用于使曝光的抗蝕劑膜顯影的一連串處理，
具有在涂敷抗蝕劑后對曝光前的基板或/和在曝光后對顯影前的基板進
行清洗的清洗部的抗蝕劑涂敷，顯影部；在將形成有抗蝕劑膜的基板浸
漬在具有比水高的折射率的液體即高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕 劑膜曝光成規(guī)定圖案的液浸曝光部，是形成規(guī)定的抗蝕劑圖案的圖案 形成裝置上的、用于循環(huán)使用高折射率液體的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，
其特征在于，包括回收在上述液浸曝光部使用的高折射率液體的第 一回收部；將由上述第一回收部回收的高折射率液體供給到上述清洗 部作為清洗液使用的第一供給部；回收在上述清洗部所使用的高折射 率液體的第二回收部；將由上述第二回收部回收的高折射率液體供給 到上述液浸曝光部的第二供給部，高折射率液體在從上述液浸曝光部 回收到上述第一回收部后，由上述第一供給部供給到上述清洗部用于 清洗，在從上述清洗部回收到上述第二回收部后，由上述第二供給部 供給到上述液浸曝光部用于液浸曝光，在上述液浸曝光部和上述清洗 部之間循環(huán)。
在本發(fā)明的第一觀點中，上述第一回收部和上述第一供給部中的 至少一方，以及上述第二回收部和上述第二供給部中的至少一方，分 別具有暫時貯存高折射率液體的貯存罐，在上述貯存罐中優(yōu)選是貯存 有比重比高折射率液體的小、且能與高折射率液體分離的、用于防止 高折射率液體揮發(fā)的防揮發(fā)液。
另外，在以上的本發(fā)明的第一觀點中，優(yōu)選是還包括在由上述第 二供給部供給前、對由上述第二回收部回收后的高折射率液體進行過 濾的過濾器。
而且，在以上的本發(fā)明的第一觀點中，優(yōu)選是還包括在由上述第 二供給部供給前對由上述第二回收部回收后的高折射率液體進行除氣 的除氣部。
而且，在以上的本發(fā)明的第一觀點中，優(yōu)選是還包括在由上述第 二供給部供給前將由上述第二回收部回收后的高折射率液體調(diào)整為規(guī) 定溫度的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。在這種情況下，上述溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)從高折射 率液體的流通方向的上游側(cè)向下游側(cè)，依次包括將由上述第二回收 部回收后的高折射率液體調(diào)整到上述規(guī)定溫度附近的第一溫度調(diào)節(jié) 部；將由上述第一溫度調(diào)節(jié)部調(diào)整到上述規(guī)定溫度附近的高折射率液
體調(diào)整到上述規(guī)定溫度的第二溫度調(diào)節(jié)部。
而且，在以上的本發(fā)明的第一觀點中，優(yōu)選是上述高折射率液體 折射率在1.5以上。
另外，本發(fā)明的第二觀點是提供一種圖案形成裝置，該圖案形成 裝置是在基板上形成規(guī)定的抗蝕劑圖案的圖案形成裝置，其特征在于， 包括在基板上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜，在曝光后進行用于使曝光 了的抗蝕劑膜顯影的一連串處理，具有在涂敷抗蝕劑后對曝光前的基 板或/和在曝光后對顯影前的基板進行清洗的清洗部的抗蝕劑涂敷*顯 影部；在將形成了抗蝕劑膜的基板浸漬在具有比水高的折射率的液體 即高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜曝光成規(guī)定的圖案的液浸曝 光部；用于循環(huán)使用高折射率液體的高折射率液體循環(huán)機構(gòu)，上述清 洗部用高折射率液體清洗基板，上述高折射率液體循環(huán)機構(gòu)包括回 收在上述液浸曝光部使用的高折射率液體的第一回收部；將由上述第 一回收部回收的高折射率液體供給到上述清洗部的第一供給部；回收 在上述清洗部使用的高折射率液體的第二回收部；將由上述第二回收 部回收的高折射率液體供給到上述液浸曝光部的第二供給部，高折射 率液體在從上述液浸曝光裝置回收到上述第一回收部后，由上述第一 供給部供給到上述清洗裝置用于清洗，在從上述清洗裝置回收到上述 第二回收部后，由上述第二供給部供給到上述液浸曝光裝置，用于液 浸曝光，在上述液浸曝光裝置和上述清洗裝置之間循環(huán)。
在本發(fā)明的第二觀點中，上述抗蝕劑涂敷*顯影部還包括在基板 上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜，在曝光后進行用于使曝光的抗蝕劑膜顯 影的一連串處理的處理站(station工位)；介于上述處理站和上述液浸 曝光部之間、且配置了上述清洗部的、具有在上述處理站、上述液浸 曝光部和上述清洗部之間輸送基板的輸送機構(gòu)的交接站，上述液浸曝 光部保持比上述交接站高的壓力，在上述交接站可以設(shè)置收集高折射 率液體的揮發(fā)成分的收集機構(gòu)。在這種情況下，上述收集機構(gòu)優(yōu)選是 提取收集的高折射率液體的揮發(fā)成分中的有機成分，供給到上述第一 回收部、上述第一供給部、上述第二回收部和上述第一供給部的至少 任意一個。
另外，本發(fā)明的第三觀點是提供一種圖案形成方法，該圖案形成
方法包括由涂敷抗蝕劑裝置在基板上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜的工 序；由液浸曝光裝置在將形成有抗蝕劑膜后的基板浸漬在具有比水高 的折射率的液體即高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜曝光成規(guī)定
圖案的工序；由顯影裝置使曝光后的抗蝕劑膜顯影的工序；由清洗裝 置在形成抗蝕劑膜后對曝光前的基板或/和在曝光后對顯影前的基板進 行清洗的工序，是形成規(guī)定的抗蝕劑圖案的圖案形成方法，其特征在 于在上述清洗工序中，從上述液浸曝光裝置回收在上述曝光工序使
用后的高折射率液體，作為清洗液使用，在上述曝光工序，從上述清 洗裝置回收使用在上述清洗工序使用后的高折射率液體，使高折射率 液體在上述液浸曝光裝置和上述清洗裝置之間循環(huán)。
在本發(fā)明的第三觀點中，在上述清洗工序和上述曝光工序中，在 分別使用從上述液浸曝光裝置和上述清洗裝置回收的高折射率液體之 前，優(yōu)選是暫時貯存在貯存有比重比高折射率液體的小、且能夠與高 折射率液體分離的、用于防止高折射率液體揮發(fā)的防揮發(fā)液的貯存罐 中。
另外，在以上的本發(fā)明的第三觀點中，優(yōu)選是對從上述清洗裝置 回收的高折射率液體進行過濾，在上述曝光工序中使用。
而且，在以上的本發(fā)明的第三觀點中，優(yōu)選是對從上述清洗裝置 回收的高折射率液體進行除氣，在上述曝光工序中使用。
而且，在以上的本發(fā)明的第三觀點中，優(yōu)選是將從上述清洗裝置 回收的高折射率液體調(diào)整到規(guī)定的溫度，在上述曝光工序中使用。
而且，在以上的本發(fā)明的第三觀點中，優(yōu)選是上述高折射率液體
折射率在1.5以上。
而且，本發(fā)明的第四觀點，是提供一種計算機能讀取的存儲介質(zhì)， 該存儲介質(zhì)是存儲在計算機上工作的控制程序的計算機能讀取的存儲
介質(zhì)，其特征在于上述控制程序使計算機控制處理裝置，使其在實
際運行時執(zhí)行上述圖案形成方法。
根據(jù)本發(fā)明，由于曝光液使用高折射率液體，對抗蝕劑膜進行液 浸曝光，而且，使用清洗液在形成抗蝕劑膜后對曝光前的基板或/和在 曝光后對顯影前的基板進行清洗，所以，通過曝光前的清洗，能提高 基板的對曝光液的親和性，另外，通過曝光后的清洗，能從基板上充
分地除去曝光液。而且，由于使用在液浸曝光使用后從液浸曝光部(或 者液浸曝光裝置)回收的高折射率液體進行清洗，而且，使用在清洗 使用后從清洗部(或者清洗裝置)回收的高折射率液體進行液浸曝光， 使高折射率液體在液浸曝光部和清洗部之間循環(huán)，所以，可以使用于 回收使用后的曝光液的機構(gòu)以及處理、和用于回收使用后的清洗液的 機構(gòu)以及處理為通用的。因此，不會使裝置以及工藝規(guī)程的構(gòu)成復(fù)雜， 能減少由高折射率液體構(gòu)成的曝光液和清洗液的使用量，且能防止在 基板上產(chǎn)生處理斑點。


圖1是作為本發(fā)明涉及的基板處理裝置的一實施方式的圖案形成 裝置的簡要俯視圖。
圖2是圖案形成裝置的簡要立體圖。 圖3是設(shè)置在圖案形成裝置上的交接站的簡要立體圖。 圖4是表示設(shè)置在圖案形成裝置上的交接站(interface station)和 曝光裝置的主要部位的結(jié)構(gòu)簡圖。
圖5是設(shè)置在曝光裝置上的曝光部的簡要剖視圖。 圖6是設(shè)置在交接站上的前清洗單元的簡要剖視圖。
標(biāo)號說明
1圖案形成裝置；4a第一回收部；4b第一供給部；4c第二回收部； 4d第二供給部；5液體再生機構(gòu)；6收集機構(gòu)；9高折射率液體循環(huán)機 構(gòu)(高折射率液體循環(huán)系統(tǒng))；12處理站；13交接站；14曝光裝置； 21第一晶片輸送體(輸送機構(gòu))；22第二晶片輸送體(輸送機構(gòu))；30 液浸曝光部(液浸曝光裝置)；41第一輸送管道；42第二輸送管道； 41a、 42a第一貯存罐；41b、 42b第二貯存罐；51過濾器；52除氣部； 53溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)；53a第一溫度調(diào)節(jié)部；53b第二溫度調(diào)節(jié)部；W晶 片(基板)；COT涂敷抗蝕劑單元(涂敷抗蝕劑部、涂敷抗蝕劑裝置); DEV顯影單元(顯影部、顯影裝置)；POCLN后清洗單元(后清洗部、 后清洗裝置)；PRECLN前清洗單元(前清洗部、前清洗裝置)
具體實施例方式
以下參照附圖對本發(fā)明的實施方式進行說明。
圖1是作為本發(fā)明涉及的基板處理裝置的一實施方式的圖案形成
裝置的簡要俯視圖，圖2是其簡要立體圖。
圖案形成裝置1是用于在作為半導(dǎo)體基板的晶片W上形成規(guī)定抗
蝕圖案的裝置，包括作為晶片W的輸送站的盒式站11;具有對晶片 W實施規(guī)定的處理的多個處理單元的處理站12;對晶片W實施曝光 處理的曝光裝置14;以及用于在處理站12和曝光裝置14之間傳遞晶
片W的交接站13。盒式站11、處理站12、交接站13以及曝光裝置 14，接該順序沿圖案形成裝置1的長度方向(Y方向)串聯(lián)配置。
盒式站11沿Y方向順次串連包括放置收容有多個(例如13個) 晶片的晶片盒(CR)的晶片盒放置臺lla;以及用于在晶片盒放置臺 lla上的晶片盒(CR)和設(shè)置在后述的處理站12的第三處理單元組 G3上的過渡單元之間輸送晶片W的晶片輸送部llc。在晶片盒放置臺 lla上，沿圖案形成裝置1的寬度方向(X方向)設(shè)置有多個(例如5 個)用于對晶片盒(CR)進行定位的定位部llb，晶片盒(CR)放置 在定位部1 lb上，使其開口朝向設(shè)置在晶片輸送部11 c的框體的壁面上 的開關(guān)部lle。晶片輸送部llc配置在該框體內(nèi)，具有能夠保持晶片W 的輸送檢拾器(pick) lld，制成能夠利用該輸送檢拾器lid在晶片盒 放置臺lla上的各晶片盒(CR)和過渡單元之間輸送晶片W。
處理站12被配置在框體15內(nèi)，在其前面?zhèn)?圖1的下方)，從盒 式站11側(cè)向交接站13側(cè)，按順序具有第一處理單元組^和第二處理 單元組G2，在其背面?zhèn)?圖1的上方)，從盒式站11側(cè)向交接站13
側(cè)，按順序具有第三處理單元組G3、第四處理單元組G4和第五處理單
元組Gs。另外，處理站12在第三處理單元組G3和第四處理單元組G4 之間具有第一主輸送部An在第四處理單元組G4和第五處理單元組 G5之間具有第二主輸送部A2。
第一處理單元組G,是層積用于在晶片W上形成曝光時防止光反 射的防止反射膜的例如兩個底涂層單元(BARC)和在晶片上形成抗蝕 劑膜的例如三個涂敷抗蝕劑單元(COT)而構(gòu)成的。第二處理單元組 G2是層積對晶片W實施顯影處理的例如三個顯影單元(DEV)和用于在晶片W上所形成的抗蝕劑膜的表面上形成具有撥水性的抗蝕劑膜的
例如兩個外涂層單元(top coating unit) (ITC)而構(gòu)成的。
第三處理單元組G3具有成為盒式站11和第一主輸送部A,之間的 晶片W的交接部的過渡單元。第五處理單元組Gs具有成為在第二主 輸送部A2和交接站13的后述的第一晶片輸送體21之間的晶片W的
交接部的過渡單元。另外，第三處理單元組G3、第四處理單元組G4、
第五處理單元組G5是有選擇地層積例如對晶片W實施疏水化處理的 附著單元或?qū)ν糠罂刮g劑后的晶片W實施加熱處理的預(yù)烘焙單元、對 顯影處理后的晶片實施加熱處理的后烘焙單元、對曝光后顯影前的晶 片W實施加熱處理的后曝光烘焙單元等熱處理單元構(gòu)成的。
第一主輸送部Ai具有能夠保持晶片W的第一主晶片輸送臂16， 該第一主晶片輸送臂16能夠有選擇地接近(訪問)第一處理單元組
第三處理單元組G3和第四處理單元組G4的各單元。第二主輸送 部八2具有能夠保持晶片W的第二主晶片輸送臂17，該第二主晶片輸 送臂17能夠有選擇地接近第二處理單元組G2、第四處理單元組04和 第五處理單元組G5的各單元。
在第一處理單元組和盒式站11之間以及第二處理單元組G2和 交接站13之間，分別設(shè)有將處理液供給第一和第二處理單元組G,、 G2的液溫調(diào)節(jié)泵18。在第一和第二處理單元組G,、 G2的下側(cè)分別設(shè) 有將藥水供給到該處的化學(xué)單元(CHM)。
圖3是設(shè)置在圖案形成裝置1上的交接站13的簡要立體圖。
交接站13配置在框體內(nèi)，具有處理站12側(cè)的第一交接站13a和 曝光裝置14側(cè)的第二交接站13b。在第一交接站13a設(shè)有用于輸送晶 片W的第一晶片輸送體21，使其朝向第五處理單元組Gs的開口部， 在第二交接站13b，設(shè)有用于輸送能夠沿X方向移動晶片W的第二晶 片輸送體22。
在第一交接站13a的正面?zhèn)?，配置有第六處理單元組G6，該第六 處理單元組G6是層積以下部分構(gòu)成的為了除去晶片周邊部的多余抗 蝕劑膜有選擇地僅對晶片W的邊緣部進行曝光的周邊曝光裝置 (WEE);暫時收容輸送到曝光裝置14的晶片W的內(nèi)用緩沖箱 (INBR);暫時收容從曝光裝置14輸送過來的晶片W的外用緩沖箱
(OUTBR);對輸送到曝光裝置14之前的晶片W進行清洗的前清洗單 元(PRECLN);以及對從曝光裝置14輸送過來的晶片W進行清洗的 后清洗單元(POCLN)。在第一交接站13a的背面?zhèn)扰渲糜袑臃e例如兩 層高精度地調(diào)節(jié)晶片W的溫度的高精度溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)而構(gòu)成
的第七處理單元組G7。
第一晶片輸送體21具有用于交接晶片W的叉子21a。該叉子21a 能夠接近(訪問)第五處理單元組G5、第六處理單元組G6、第七處理
單元組G7的各單元，因此，在各單元之間輸送晶片W。
第二晶片輸送體22具有用于交接晶片W的叉子22a。該叉子22a 能夠接近(訪問)第六處理單元組G6的前清洗單元(PRECLN)和后 清洗單元(POCLN)、第七處理單元組G7的各單元、曝光裝置14的后 述的內(nèi)平臺14a和外平臺14b，在它們之間輸送晶片W。
在第一交接站13a的上部，設(shè)置有調(diào)整第一交接站13a或交接站 13的氣流的氣流調(diào)整部23，在第二交接站13b的上部，設(shè)置有為了不 使從曝光裝置輸送過來的晶片W干燥而對第二交接站13b或交接站13 進行加濕的加濕部24。
具有在晶片W上涂敷抗蝕劑、形成抗蝕劑膜的涂敷抗蝕劑單元 (COT)、對由曝光裝置14曝光后的抗蝕劑膜進行顯影的顯影單元 (DEV)等的各單元的處理站12，和具有在涂敷抗蝕劑后對曝光前的 晶片W進行清洗的前清洗單元(PRECLN)以及在曝光后對顯影前的 晶片W進行清洗的后清洗單元(POCLN)的交接站13，構(gòu)成抗蝕劑 涂敷，顯影部。
曝光裝置14包括放置從交接站13輸送過來的晶片W的內(nèi)平臺 14a;放置輸送到交接站13的晶片W的外平臺14b;在將形成有抗蝕 劑膜的晶片W浸漬在規(guī)定的液體中的狀態(tài)下對抗蝕劑膜進行曝光的液 浸曝光部30;以及在內(nèi)平臺14a、液浸曝光部30和外平臺14b之間輸 送晶片W的晶片輸送機構(gòu)25。
在這樣構(gòu)成的圖案形成裝置1中，首先，由晶片輸送部llc的輸 送檢拾器lld從晶片盒(CR)取出一片晶片W，輸送到設(shè)置在處理站 12的第三處理單元組G3上的過渡單元。接著，由第一和第二主輸送部 A,、 A2，按照制法(方案)的順序，將晶片W依次輸送到第一 第五
處理單元組G, Gs的規(guī)定單元，對晶片W實施一連串的處理。在此， 依次進行例如在附著單元進行附著處理、在涂敷抗蝕劑單元(COT) 形成抗蝕劑膜、在外涂層單元(ITC)形成抗蝕劑膜、在預(yù)烘焙單元進 行預(yù)烘焙處理。另外，也有時取代附著處理，在底涂層單元(BARC) 形成防止反射膜，也有時在抗蝕劑膜上形成防止反射膜，在防止反射 膜上形成抗蝕劑膜。
若在處理站12的對晶片W的一連串的處理結(jié)束，將晶片W輸送 到設(shè)置在第五處理單元組G5上的過渡單元，則由第一晶片輸送體21， 依次輸送到周邊曝光裝置(WEE)、內(nèi)用緩沖箱(INBR)、前清洗單元
(PRECLN)以及高精度溫度調(diào)節(jié)單元(CPL)，對晶片W實施一連串 的處理。接著，用第二晶片輸送體22將晶片W輸送到曝光裝置14的 內(nèi)平臺14a上，再由晶片輸送機構(gòu)25輸送到液浸曝光部30,在液浸曝 光部30對晶片W實施曝光處理。
在液浸曝光部30曝光后，由晶片輸送機構(gòu)25將晶片W輸送到外 平臺14b。接著，由第二晶片輸送體22將晶片W輸送到后清洗單元
(POCLN)，對晶片W進行清洗。接著，在由第一晶片輸送體21將晶 片W輸送到設(shè)置在第五處理單元組G5上的過渡單元之后，由第一和 第二主輸送部A,、 A2按照制法的順序，將晶片W依次輸送到第一 第五處理單元組Gt G5的規(guī)定的單元，對晶片W實施一連串的處理。 在此，依次進行例如在后曝光烘焙單元進行后曝光烘焙處理、在顯影 單元(DEV)進行顯影處理、在后烘焙單元進行后烘焙處理。然后， 在將晶片W輸送到設(shè)置在第三處理單元組G3上的過渡單元后，輸送 到盒式站11的晶片盒(CR)。
以下，詳細(xì)地對曝光裝置14的液浸曝光部30、前清洗單元
(PRECLN)以及后清洗單元(POCLN)進行說明。
圖4是表示設(shè)置在圖案形成裝置1上的交接站13和曝光裝置14 的主要部位的簡圖，圖5是設(shè)置在曝光裝置14上的液浸曝光部30的 簡要剖視圖，圖6是設(shè)置在交接站13上的前清洗單元(PRECLN)的 簡要剖視圖。
液浸曝光部30構(gòu)成為在將晶片W浸漬在具有比純水(折射率 1.44)高的折射率的液體、優(yōu)選是折射率1.5以上的液體、例如是由以
環(huán)狀烴結(jié)構(gòu)為基本成分的化合物構(gòu)成的液體(折射率1.63)的高折射 率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜曝光成規(guī)定的圖案，進行所謂的液浸
曝光。其結(jié)構(gòu)為，前清洗單元(PRECLN)、后清洗單元(POCLN)都 使用與在液浸曝光部30使用的液體相同或同一種高折射率液體對晶片 W進行清洗。隨之，如圖4所示，在交接站13和曝光裝置14，設(shè)置 用于在液浸曝光部30和前清洗單元(PRECLN)以及后清洗單元 (POCLN)之間循環(huán)使用高折射率液體的高折射率液體循環(huán)機構(gòu)9(高 折射率液體循環(huán)系統(tǒng))。
高折射率液體循環(huán)機構(gòu)9包括將在液浸曝光部30使用后的高折 射率液體輸送到前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)的 第一輸送管道41;將在前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN) 使用后的高折射率液體輸送到液浸曝光部30的第二輸送管道42;以及 用于回收該第二輸送管道42內(nèi)的高折射率液體的液體回收機構(gòu)5。
如圖5所示，液浸曝光部30包括圖未示的能夠開關(guān)的容器；放 置收容在該容器內(nèi)的晶片W的平臺31;將用來自未圖示的光源的曝光 光線照射的掩膜的圖案圖像，投射到平臺31上的晶片W上進行曝光 的投影透鏡32;在平臺31上的晶片W和投影透鏡32之間，形成供給 作為曝光液的高折射率液體的供給口 33和回收該曝光液的回收口 34 的曝光液流通構(gòu)件35。
平臺31設(shè)計成能夠沿水平方向移動且能夠微小地旋轉(zhuǎn)。另外，平 臺31制成具有環(huán)狀突出部36，使其包圍放置的晶片W，由該環(huán)狀突 出部36保持放置的晶片W，而且，能夠防止供給到晶片W的曝光液 流出。投影透鏡32制成能將掩膜的圖案圖像以規(guī)定的倍率投射到晶片 W上進行曝光。而且，作為來自光源的曝光光線，可以使用KrF受激 準(zhǔn)分子激光等遠紫外光或ArF受激準(zhǔn)分子激光等真空紫外光等。曝光 液流通構(gòu)件35在投影透鏡32的前端部或下端部的周圍設(shè)置有圓環(huán)， 在下部沿周向空開間隔分別形成多個供給口 33和回收口 34。另外，曝 光液流通構(gòu)件35與第一和第二輸送管道41、 42連接，使各供給口33 與第二輸送管道42內(nèi)部連通，且各回收口 34與第一輸送管道41內(nèi)部 連通。因此，其結(jié)構(gòu)為能夠從各供給口 33供給由第二輸送管道42 輸送的曝光液，而且，通過各回收口34回收的曝光液被輸送到第一輸
送管道41。
在這樣構(gòu)成的液浸曝光部30中，若由晶片輸送機構(gòu)25將晶片W 放置在平臺31上，則根據(jù)需要使平臺31和/或掩膜水平移動，且從曝 光液流通構(gòu)件35的各供給口 33，將高折射率液體供給到晶片W和投 影透鏡32之間，同時由投影透鏡32將掩膜的圖案圖像投射到晶片W 上，由此對晶片W實施液浸曝光處理。此時，由第一輸送管道41從 各回收口 34回收供給到晶片W和投影透鏡32之間的高折射率液體。 在本實施方式中，由于使用高折射率液體進行液浸曝光，所以，能夠 顯著地縮短曝光波長，因此，能夠獲得高分辨率。在液浸曝光進行規(guī) 定時間后，停止供給曝光液，由晶片輸送機構(gòu)25將晶片W從平臺31 輸送到外平臺14b。
如圖6所示，前清洗單元(PRECLN)包括收容晶片W的容器 (腔室)60;在容器60內(nèi)使晶片W保持水平而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤61; 升降并在第一晶片輸送體21或第二晶片輸送體22和旋轉(zhuǎn)卡盤61之間 交接晶片W的升降支桿62;將由高折射率液體構(gòu)成的清洗液和氮氣等 吹掃氣體排出并供給到保持在旋轉(zhuǎn)卡盤61上的晶片W的噴淋頭63; 將吹掃氣體(清潔氣體)輸送到噴淋頭63的吹掃氣體輸送機構(gòu)68;以 及接受從晶片W上灑落或振落的清洗液的回收杯64。
在容器60的例如側(cè)壁上，形成有送入送出晶片W的第一晶片輸 送體21或第二晶片輸送體22能夠通過的輸送進出口 65，而且，設(shè)置 有能夠開關(guān)該輸送進出口 65的閘門65a。升降支桿62制成能由升降機 構(gòu)66進行升降，在進入到容器60的第一晶片輸送體21或第二晶片輸 送體22和旋轉(zhuǎn)卡盤61之間交接晶片W。旋轉(zhuǎn)卡盤61制成通過真空吸 附晶片W的背面(下面)的中央部保持晶片W，由馬達等旋轉(zhuǎn)機構(gòu) 67使其旋轉(zhuǎn)。噴淋頭63制成與第一輸送管道41連接，將由該第一輸 送管道41輸送的清洗液供給到保持在旋轉(zhuǎn)卡盤61上的晶片W的表面 (上面)?；厥毡?4設(shè)置成圍繞保持在旋轉(zhuǎn)卡盤61上的晶片W，制成 與第二輸送管道42連接，將接住的清洗液輸送到第二輸送管道42。
而且，后清洗單元(POCLN)具有與前清洗單元相同的結(jié)構(gòu)。
在這樣構(gòu)成的前清洗單元(PRECLN)中，首先，若晶片W從輸 送進出口 65被輸送到容器60內(nèi)，則使升降機構(gòu)66升降，將晶片W交
到旋轉(zhuǎn)卡盤61，由閘門65a封閉輸送進出口65。接著，由旋轉(zhuǎn)卡盤61 使晶片W旋轉(zhuǎn)，同時，由噴淋頭63將清洗液供給到晶片W，對晶片 W進行清洗，然后，使晶片W旋轉(zhuǎn)，且將吹掃氣體從噴淋頭63供給 到晶片W，使晶片W干燥。在此期間，從晶片W灑落或振落的清洗 液，由回收杯64接住，由第二輸送管道42回收。在晶片W的干燥結(jié) 束后，由閘門65a打開輸送進出口 65。然后，晶片W從輸送進出口 65輸送到容器60夕卜。在本實施方式，由于使用與在液浸曝光時作為曝 光液使用的液體相同或同一種高折射率液體作為清洗液，對液浸曝光 前的晶片W進行清洗，所以，能夠提高晶片W的對曝光液的親和性， 因此，能夠防止在液浸曝光時由于清洗液的渣滓引起的在抗蝕劑膜上 殘留氣泡或液體等情況的發(fā)生。
另外，由于高折射率液體粘性大(比純水大)，所以，在液浸曝光 時容易附著在晶片W上，難以用現(xiàn)有的液浸曝光后的純水等，通過清 洗而除去，在本實施方式中，由于用與在液浸曝光時使用的液體相同 或同一種高折射率液體作為清洗液，對液浸曝光后的晶片W進行清洗， 所以，能能夠利用從噴淋頭63噴出的高折射率液體的液壓和粘性，充 分地除去由附著在晶片W上的高折射率液體構(gòu)成的曝光液。
如圖4所示，第一輸送管道41包括設(shè)置在上游側(cè)的、貯存高折 射率液體的第一貯存罐41a;設(shè)置在下游側(cè)的、貯存高折射率液體的第 二貯存罐41b;將在液浸曝光部30使用的高折射率液體輸送到第一貯 存罐41a的第一泵41c;將貯存在第一貯存罐41a中的高折射率液體輸 送到第二貯存罐41b的第二泵41d;將貯存在第二貯存罐41b的高折射 率液體輸送到前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)的第 三泵41e;調(diào)整輸送到第一貯存罐41a的高折射率液體的流量的第一閥 41f;調(diào)整輸送到前清洗單元(PRECLN)的高折射率液體的流量的第 二泵41g;以及調(diào)整輸送到后清洗單元(POCLN)的高折射率液體的 流量的第三閥41h。第二輸送管道42包括設(shè)置在上游側(cè)的、貯存高 折射率液體的第一貯存罐42a;設(shè)置在下游側(cè)的、貯存高折射率液體的 第二貯存罐42b;將在前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN) 回收的高折射率液體輸送到第一貯存罐42a的第一泵42c;將貯存在第 一忙存罐42a中的高折射率液體輸送到第二貯存罐42b的第二泵42d;
將貯存在第二貯存罐42b中的高折射率液體輸送到液浸曝光部30的第 三泵42e;以及調(diào)整輸送到液浸曝光部30的高折射率液體的流量的閥 42f。
由于在一般情況下，高折射率液體揮發(fā)性較高，所以，在第一貯 存罐41a、 42a和第二貯存罐41b、 42b中分別貯存有比重比高折射率 液體小，且與高折射率液體分離的水等防揮發(fā)液C，以不使高折射率 液體揮發(fā)。
第二泵41d、 42d分別制成例如在第一貯存罐41a、 42a內(nèi)的高 折射率液體達規(guī)定量以上時，將第一貯存罐41a、 42a內(nèi)的高折射率液 體輸送到第二貯存罐41b、 42b。
在第二貯存罐41b、 42b上分別連接有用于將新的高折射率液體補 充到該第二貯存罐41b、 42b的新液供給管道43、 44。新液供給管道 43、 44分別制成例如在第一貯存罐41a、 42a內(nèi)的高折射率液體在規(guī) 定量以下，且第二貯存罐41b、42b內(nèi)的高折射率液體在規(guī)定量以下時， 將調(diào)整為規(guī)定的溫度的新的高折射率液體補充到第二貯存罐41b、 42b。
包含第一貯存罐41a、第一泵41c和第一閥41f的第一輸送管道41 的上游側(cè)端部，構(gòu)成回收在液浸曝光部30使用的高折射率液體的第一 回收部4a，包含第二貯存罐41b、第三泵41e、第二閥41g和第三閥 41h的第一輸送管道41的下游側(cè)端部，構(gòu)成將由第一回收部回收的高 折射率液體分別供給到前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN) 的第一供給部4b。另外，包含第一貯存罐42a和第一泵42c的第二輸 送管道42的上游側(cè)端部，構(gòu)成回收分別在前清洗單元(PRECLN)和 后清洗單元(POCLN)使用的高折射率液體的第二回收部4c，包含第 二貯存罐42b、第三泵42e、以及閥42f的第二輸送管道42的下游側(cè)端 部，構(gòu)成將由第二回收部回收的高折射率液體供給到液浸曝光部30的 第二供給部4d。
液體回收機構(gòu)5包括分別過濾第一輸送管道41和第二輸送管道 42內(nèi)的高折射率液體的過濾器51;對第二輸送管道42內(nèi)的高折射率 液體進行除氣的除氣部52;以及將第二輸送管道42內(nèi)的高折射率液體 調(diào)整為規(guī)定的溫度的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)53。
過濾器51為了過濾向液浸曝光部30供給之前的高折射率液體、
以及向前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)供給之前的 高折射率液體，例如，設(shè)置在第一輸送管道41的第二貯存罐41b的下 游側(cè)，以及第二輸送管道42的第二貯存罐42b的下游側(cè)。除氣部52 例如設(shè)置在第一貯存罐42a上，使其對第一貯存罐42a內(nèi)的高折射率 液體進行除氣。溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)53例如由以下部分構(gòu)成將第一貯存罐 42a內(nèi)的高折射率液體調(diào)整到規(guī)定溫度附近的第一溫度調(diào)節(jié)部53a;以 及在第二貯存罐42b內(nèi)將由第一溫度調(diào)節(jié)部53a調(diào)整到規(guī)定的溫度附 近的高折射率液體調(diào)整為規(guī)定溫度的第二溫度調(diào)節(jié)部53b。
在這樣構(gòu)成的高折射率液體循環(huán)機構(gòu)9中，高折射率液體在從液 浸曝光部30回收到第一回收部4a之后，由第一供給部4b分別供給到 前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)，以用于清洗，在從 前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)回收到第二回收部 4c之后，由第二供給部4d供給到液浸曝光部30，以用于液浸曝光， 在液浸曝光部30與前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN) 之間循環(huán)。
在交接站13上設(shè)置有用于收集高折射率液體的揮發(fā)成分的收集機 構(gòu)6。曝光裝置14 (或液浸曝光部30)保持比交接站13高的壓力，另 外，如以上所述，由于高折射率液體揮發(fā)性高，所以，高折射率液體 的揮發(fā)成分容易進入到交接站13內(nèi)以及通過交接站13進入到處理站 12內(nèi)。若高折射率液體的揮發(fā)成分進入到處理站12內(nèi)，則有可能會給 晶片W帶來不良的影響。因此，在本實施方式中，由于制成用收集機 構(gòu)6收集交接站13內(nèi)的高折射率液體的揮發(fā)成分、以及要從曝光裝置 14進入到交接站13內(nèi)的高折射率液體的揮發(fā)成分，所以，能夠避免對 晶片W的不良影響。用收集機構(gòu)6收集的具有高折射率的液體的揮發(fā) 成分，雖然也可以無害化后將其廢棄，但在此僅提取揮發(fā)成分中的有 機成分，將該有機成分通過供給管道60供給到第一輸送管道41和第 二輸送管道的至少一方，因此能進一步提高高折射率液體的再循環(huán)效 率。而且，收集機構(gòu)6可以制成將從高折射率液體的揮發(fā)成分中除掉 有機成分的空氣排放到裝置外。
在本實施方式，如以上所述，由于設(shè)置前清洗單元(PRECLN)和 后清洗單元(POCLN)，使用高折射率液體，對由曝光裝置14或液浸
曝光部30使用高折射率液體進行液浸曝光處理前和液浸曝光處理后的 晶片W進行清洗，所以，能夠提高晶片W的對曝光液的親和性，而 且，能夠從晶片W上充分地除去曝光液，因此能夠防止在晶片W上 出現(xiàn)處理斑點。
另一方面，在本實施方式中，由于其結(jié)構(gòu)為用第一輸送管道41
回收在曝光裝置14或液浸曝光部30使用的高折射率液體，供給到前 清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)，而且，用第二輸送管 道42回收在前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)使用的 高折射率液體，供給到液浸曝光部30，所以，使高折射率液體在液浸 曝光部30與前清洗單元(PRECLN)和后清洗單元(POCLN)之間循 環(huán)再循環(huán)，能夠減少由高折射率液體構(gòu)成的曝光液和清洗液的使用量， 而且，能避免分別需要用于回收在曝光裝置14或液浸曝光部30使用 的曝光液的機構(gòu)以及處理、和用于回收在前清洗單元(PRECLN)和后 清洗單元(POCLN)使用的清洗液的機構(gòu)以及處理。因此，將用于回 收循環(huán)中的高折射率液體的除氣部52和溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)53，僅設(shè)置在第 一輸送管道41和第二輸送管道42的任意一方、例如第二輸送管道42 上即可。因此，對環(huán)境有利，而且便于降低原料的成本，除此之外， 還便于簡化作為組合設(shè)備的裝置。
另外，在本實施方式中，由于在第一輸送管道41和第二輸送管道 42上設(shè)置暫時貯存高折射率液體的貯存罐41a、 41b、 42a、 42b，而且， 其結(jié)構(gòu)是用水等防止揮發(fā)液C密封貯存罐41a、 41b、 42a、 42b的高折 射率液體的水封式，所以，能夠防止高折射率液體揮發(fā)，能夠提高再 循環(huán)效率。
另外，在本實施方式，由于設(shè)置有過濾第二輸送管道42內(nèi)的高折 射率液體的過濾器51 、對第二輸送管道42內(nèi)的高折射率液體進行除氣 的除氣部52、以及將第二輸送管道42內(nèi)的高折射率液體調(diào)整為規(guī)定的 溫度的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)53，所以，能夠使在液浸曝光部30使用的曝光液 保持新鮮狀態(tài)，因此，能夠使受到曝光液的溫度或清潔度等很大的影 響的液浸曝光處理保持很高的質(zhì)量。
再有，在本實施方式，由于使溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)53，從第二輸送管道 42的上游側(cè)向下游側(cè)依次由將高折射率液體粗略地調(diào)整到規(guī)定溫度附
近的第一溫度調(diào)節(jié)部53a和將由第一溫度調(diào)節(jié)部53a調(diào)整到規(guī)定溫度 附近的高折射率液體精確地調(diào)整到規(guī)定溫度的第二溫度調(diào)節(jié)部53b構(gòu) 成，所以，能夠可靠地將在液浸曝光部30使用的曝光液調(diào)整為所希望 的溫度，因此，能進一步使液浸曝光處理保持很高的質(zhì)量。
本發(fā)明并不限定于上述實施方式，可以有種種變形。在上述實施 方式，雖然制成使高折射率液體在曝光部和前清洗單元及后清洗單元 之間循環(huán)，但并不限于此，也可以制成使高折射率液體僅在曝光部和 前清洗單元或后清洗單元之間循環(huán)。另外，除氣部和溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)并 不僅限于第二輸送管道，也可以設(shè)置在第一輸送管道上。再有，也可 以將清洗單元和高折射率液體循環(huán)機構(gòu)一體地設(shè)置在曝光裝置上。
權(quán)利要求
1.一種高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于，包括在基板上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜，在曝光后進行用于使曝光的抗蝕劑膜顯影的一連串處理，具有在涂敷抗蝕劑后對曝光前的基板或/和在曝光后對顯影前的基板進行清洗的清洗部的抗蝕劑涂敷·顯影部；以及在將形成有抗蝕劑膜的基板浸漬在作為具有比水高的折射率的液體的高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜曝光成規(guī)定圖案的液浸曝光部，該高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)是形成規(guī)定的抗蝕劑圖案的圖案形成裝置上的、用于循環(huán)使用高折射率液體的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其還包括回收在所述液浸曝光部所使用的高折射率液體的第一回收部；將由所述第一回收部回收的高折射率液體供給到所述清洗部作為清洗液使用的第一供給部；回收在所述清洗部所使用的高折射率液體的第二回收部；將由所述第二回收部回收的高折射率液體供給到所述液浸曝光部的第二供給部，其中，高折射率液體在從所述液浸曝光部回收到所述第一回收部后，由所述第一供給部供給到所述清洗部用于清洗，在從所述清洗部回收到所述第二回收部后，由所述第二供給部供給到所述液浸曝光部用于液浸曝光，在所述液浸曝光部和所述清洗部之間循環(huán)。
2. 如權(quán)利要求1所述的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于所述第一回收部和所述第一供給部中的至少一方，以及所述第二 回收部和所述第二供給部中的至少一方，分別具有暫時貯存高折射率液體的貯存罐，在所述貯存罐中貯存有比重比高折射率液體的小、且能夠與高折 射率液體分離的、用于防止高折射率液體揮發(fā)的防揮發(fā)液。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于還包括在由所述第二供給部供給前、對由所述第二回收部回收后 的高折射率液體進行過濾的過濾器。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于: 還包括在由所述第二供給部供給前對由所述第二回收部回收后的高折射率液體進行除氣的除氣部。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于 還包括在由所述第二供給部供給前將由所述第二回收部回收后的高折射率液體調(diào)整為規(guī)定溫度的溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)。
6. 如權(quán)利要求5所述的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于 所述溫度調(diào)節(jié)機構(gòu)從高折射率液體的流通方向的上游側(cè)向下游側(cè)依次包括將由所述第二回收部回收后的高折射率液體調(diào)整到所述規(guī)定溫度 附近的第一溫度調(diào)節(jié)部；以及將由所述第一溫度調(diào)節(jié)部調(diào)整到所述規(guī)定溫度附近的高折射率液 體調(diào)整到所述規(guī)定溫度的第二溫度調(diào)節(jié)部。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，其特征在于 所述高折射率液體折射率在1.5以上。
8. —種圖案形成裝置，是在基板上形成規(guī)定抗蝕劑圖案的圖案形 成裝置，其特征在于，包括在基板上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜，在曝光后進行用于使曝光的 抗蝕劑膜顯影的一連串處理，具有在涂敷抗蝕劑后對曝光前的基板或/ 和在曝光后對顯影前的基板進行清洗的清洗部的抗蝕劑涂敷*顯影部；在將形成有抗蝕劑膜的基板浸漬在作為具有比水高的折射率的液 體的高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜曝光成規(guī)定的圖案的液浸 曝光部；以及用于循環(huán)使用高折射率液體的高折射率液體循環(huán)機構(gòu)，其中， 所述清洗部用高折射率液體清洗基板， 所述高折射率液體循環(huán)機構(gòu)包括回收在所述液浸曝光部所使用的高折射率液體的第一回收部； 將由所述第一回收部回收的高折射率液體供給到所述清洗部的第 一供給部；回收在所述清洗部使用的高折射率液體的第二回收部；以及 將由所述第二回收部回收的高折射率液體供給到所述液浸曝光部 的第二供給部，其中，高折射率液體在從所述液浸曝光裝置回收到所述第一回收部后， 由所述第一供給部供給到所述清洗裝置用于清洗，在從所述清洗裝置 回收到所述第二回收部后，由所述第二供給部供給到所述液浸曝光裝 置，用于液浸曝光，在所述液浸曝光裝置和所述清洗裝置之間循環(huán)。
9. 如權(quán)利要求8所述的圖案形成裝置，其特征在于所述抗蝕劑涂敷*顯影部還包括在基板上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜，在曝光后進行用于使曝光的抗蝕劑膜顯影的一連串處理的處理站；以及介于所述處理站和所述液浸曝光部之間、且配置有所述清洗部的、 具有在所述處理站、所述液浸曝光部和所述清洗部之間輸送基板的輸 送機構(gòu)的交接站，其中，所述液浸曝光部保持比所述交接站高的壓力，在所述交接站設(shè)置 收集高折射率液體的揮發(fā)成分的收集機構(gòu)。
10. 如權(quán)利要求9所述的圖案形成裝置，其特征在于所述收集機構(gòu)提取收集的高折射率液體的揮發(fā)成分中的有機成 分，供給到所述第一回收部、所述第一供給部、所述第二回收部和所 述第一供給部的至少任一個。
11. 一種圖案形成方法，其特征在于其是形成規(guī)定的抗蝕劑圖案的圖案形成方法，包括由涂敷抗蝕劑裝置在基板上涂敷抗蝕劑形成抗蝕劑膜的工序；由液浸曝光裝置在將形成有抗蝕劑膜后的基板浸漬在作為具有比水高的折射率的液體的 高折射率液體中的狀態(tài)下，將抗蝕劑膜曝光成規(guī)定的圖案的工序；由 顯影裝置使曝光后的抗蝕劑膜顯影的工序；以及由清洗裝置在形成抗 蝕劑膜后對曝光前的基板或/和在曝光后對顯影前的基板進行清洗的工 序，其中，在所述清洗工序中，從所述液浸曝光裝置回收在所述曝光工序使 用后的高折射率液體，作為清洗液使用，在所述曝光工序，從所述清 洗裝置回收使用在所述清洗工序使用后的高折射率液體，使高折射率 液體在所述液浸曝光裝置和所述清洗裝置之間循環(huán)。
12. 如權(quán)利要求ll所述的圖案形成方法，其特征在于-在所述清洗工序和所述曝光工序中，在分別使用從所述液浸曝光裝置和所述清洗裝置回收的高折射率液體之前，暫時貯存在貯存有比 重比高折射率液體的小、且能與高折射率液體分離的、用于防止高折 射率液體揮發(fā)的防揮發(fā)液的貯存罐中。
13. 如權(quán)利要求11或12所述的圖案形成方法，其特征在于 對從所述清洗裝置回收的高折射率液體進行過濾，在所述曝光工序中使用。
14. 如權(quán)利要求11或12所述的圖案形成方法，其特征在于 對從所述清洗裝置回收的高折射率液體進行除氣，在所述曝光工序中使用。
15. 如權(quán)利要求11或12所述的圖案形成方法，其特征在于將從所述清洗裝置回收的高折射率液體調(diào)整到規(guī)定的溫度，在所 述曝光工序中使用。
16. 如權(quán)利要求11或12所述的圖案形成方法，其特征在于所述高折射率液體折射率在1.5以上。
17. —種計算機可讀取的存儲介質(zhì)，是存儲有在計算機上工作的控制程序的計算機可讀取的存儲介質(zhì)，其特征在于- 所述控制程序使計算機控制處理裝置，使其在實際運行時執(zhí)行權(quán) 利要求11或權(quán)利要求12所述的圖案形成方法。
全文摘要
本發(fā)明提供一種高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)，不使裝置以及工藝規(guī)程的構(gòu)成復(fù)雜，減少由高折射率液體構(gòu)成的曝光液和清洗液的使用量，且能防止在基板上產(chǎn)生處理斑點。高折射率液體循環(huán)系統(tǒng)(9)包括回收在液浸曝光部(30)使用的高折射率液體的第一回收部(4a)；將由第一回收部(4a)回收的高折射率液體供給到后清洗單元(POCLN)作為清洗液使用的第一供給部(4b)；回收在后清洗單元(POCLN)使用的高折射率液體的第二回收部(4c)；將由第二回收部(4c)回收的高折射率液體供給到液浸曝光部(30)的第二供給部(4d)，使高折射率液體在液浸曝光部(30)和后清洗單元(POCLN)之間循環(huán)。
文檔編號G03F7/00GK101110349SQ20071011266
公開日2008年1月23日 申請日期2007年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月18日
發(fā)明者小杉仁, 山本太郎, 山田善章, 雜賀康仁 申請人:東京毅力科創(chuàng)株式會社