專利名稱：液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器及制造液晶顯示器的方法，尤其涉及具有提高的顯示質(zhì)量的液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是通常使用的平板顯示器。LCD包括具有電極的兩個(gè)基板及置于兩個(gè)基板之間的液晶層。通過向電極施加電壓并重新排列液晶層的液晶分子，可以調(diào)整透射通過兩個(gè)基板的光量。
LCD包括薄膜晶體管(TFT)基板和對基板，TFT基板在顯示區(qū)域具有矩陣形式的多個(gè)像素電極，對基板具有形成在對基板表面上的公共電極。每個(gè)像素電極接收驅(qū)動電壓從而顯示圖像。TFT基板包括像素TFT、傳送信號以控制像素TFT的多條柵極線、及傳送驅(qū)動電壓到像素電極的多條數(shù)據(jù)線，所述像素TFT連接到每個(gè)像素電極從而開關(guān)施加到像素電極的驅(qū)動電壓。像素TFT可以響應(yīng)于柵極信號傳送或阻塞通過多條數(shù)據(jù)線傳送的圖像信號。柵極信號從設(shè)置在圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域中的柵極驅(qū)動IC通過多條柵極線傳送。
通過在TFT基板上集成包括驅(qū)動TFT的柵極驅(qū)動電路可以提高制造效率。當(dāng)顯示圖像時(shí)，背光組件產(chǎn)生的部分光穿過周邊區(qū)域并從對基板反射。然后，被反射的光可以射在驅(qū)動TFT上。
由于驅(qū)動TFT對光敏感，射在驅(qū)動TFT上的被反射光會不利地影響驅(qū)動TFT的操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供一種能夠提高顯示質(zhì)量的液晶顯示器及制造液晶顯示器的方法。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種顯示裝置包括薄膜晶體管(TFT)基板、面對TFT基板的對基板、密封劑、及置于所述TFT基板和對基板之間的液晶層。所述TFT基板可包括基板，具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域；第一TFT，形成在所述周邊區(qū)域中并具有半導(dǎo)體層和形成在所述半導(dǎo)體層上的電阻接觸構(gòu)件；光阻擋半導(dǎo)體圖案；第二TFT，形成在所述顯示區(qū)域中并具有柵極電極。密封劑將所述TFT基板耦接到所述對基板，并覆蓋所述第一TFT。
所述顯示裝置還可包括形成在所述光阻擋半導(dǎo)體圖案上的電阻接觸圖案，并且所述電阻接觸圖案可以與所述電阻接觸構(gòu)件同時(shí)形成。
所述第一TFT還可包括形成在所述半導(dǎo)體層上的源極電極和漏極電極、及將所述漏極電極與柵極線連接的連接部件。所述源極電極和所述漏極電極可以與所述光阻擋半導(dǎo)體圖案間隔開預(yù)定距離。所述光阻擋半導(dǎo)體圖案可具有氫化非晶硅和/或晶體硅。所述密封劑可覆蓋所述光阻擋半導(dǎo)體圖案的至少一部分。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，一種制造顯示裝置的方法包括形成具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域的薄膜晶體管(TFT)基板；形成所述顯示區(qū)域中的第一柵極電極和所述周邊區(qū)域中的第二柵極電極；在所述第一柵極電極和所述第二柵極電極上形成半導(dǎo)體層和電阻接觸構(gòu)件；通過構(gòu)圖所述電阻接觸構(gòu)件和所述半導(dǎo)體層在所述第一柵極電極上形成第一半導(dǎo)體層和第一電阻接觸構(gòu)件；在所述周邊區(qū)域中形成光阻擋半導(dǎo)體圖案和電阻接觸圖案；在所述第一電阻接觸構(gòu)件上形成導(dǎo)電層；通過構(gòu)圖所述導(dǎo)電層形成第一源極電極和第一漏極電極；及形成置于所述TFT基板和所述對基板之間的密封劑，其中所述密封劑覆蓋所述第一半導(dǎo)體層。
當(dāng)形成所述第一半導(dǎo)體層和所述第一電阻接觸構(gòu)件時(shí)，可以形成第二半導(dǎo)體層和第二電阻接觸構(gòu)件。
當(dāng)形成所述第一源極電極和所述第一漏極電極時(shí)，可以形成第二源極電極和第二漏極電極。
制造顯示裝置的方法還可包括形成鈍化層，所述鈍化層具有暴露所述第一漏極電極的第一接觸孔和暴露柵極線的第二接觸孔；及形成連接部件，所述連接部件將所述第一漏極電極與所述柵極線連接。
當(dāng)形成所述第一源極電極和所述第一漏極電極時(shí)，所述第一源極電極和所述第一漏極電極可以與所述光阻擋半導(dǎo)體圖案間隔開預(yù)定距離，并且可以在所述光阻擋半導(dǎo)體圖案上形成光阻擋金屬層。所述光阻擋金屬層可具有與所述源極電極和所述漏極電極的材料基本相同的材料。
所述光阻擋半導(dǎo)體圖案可具有氫化非晶硅和/或晶體硅。所述密封劑可覆蓋所述光阻擋半導(dǎo)體圖案的至少一部分。


結(jié)合附圖從下面的描述中可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的示例性實(shí)施例，附圖中圖1是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置；圖2A至2E是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例制造顯示裝置的方法；及圖3是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在將參照附圖更詳細(xì)地說明本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而，本發(fā)明能夠以很多不同方式實(shí)施，并且不應(yīng)解釋為局限于這里提出的示例性實(shí)施例。
圖1是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置。
參照圖1，顯示裝置1包括薄膜晶體管(TFT)基板100、面對TFT基板100的對基板200、置于兩基板100、200之間并沿兩基板100、200的周邊區(qū)域形成的密封劑300、及具有注入到密封劑300限定的區(qū)域中的液晶分子的液晶層400。
液晶層400的取向類型可以是扭轉(zhuǎn)向列、垂直取向、或電控制雙折射。
偏振器(未示出)可以分別附著在兩基板100、200的外表面上。偏振器的透射軸可以彼此基本垂直。
TFT基板100包括絕緣基板110，其具有顯示圖像的顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域的周邊區(qū)域PA。絕緣基板110可包括透明玻璃。
TFT基板100的顯示區(qū)域DA包括多條柵極線121和柵極電極124b。TFT基板100的周邊區(qū)域PA包括柵極電極124a。
多條柵極線121連接到柵極電極124b。柵極信號施加到柵極電極124a。
多條柵極線121和柵極電極124a、124b可包括例如鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鈦、和/或鉭。多條柵極線121和柵極電極124a、124b可具有單層或多層。多層配置的每層可包括不同材料。即，多條柵極線121和柵極電極124a、124b可具有例如下層(未示出)和上層(未示出)。例如，多條柵極線121和柵極電極124a、124b的上層可具有低電阻率金屬從而減小信號延遲和電壓降。上層可包括例如鋁或鋁合金。多條柵極線121和柵極電極124a、124b的下層可具有與銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)具有良好接觸特性的材料。下層可包括例如鉬、鉬合金、和/或鉻。多層的組合可具有例如包括鉻的下層和包括鋁釹合金的上層。
柵極絕緣層140形成在柵極線121和柵極電極124a、124b上。柵極絕緣層140可具有例如硅氮化物(SiNx)。
半導(dǎo)體層151a、151b分別形成在柵極絕緣層140上。半導(dǎo)體層可具有例如氫化非晶硅、和/或晶體硅。
光阻擋半導(dǎo)體圖案155在周邊區(qū)域PA中與柵極電極124a相鄰形成并與半導(dǎo)體層151a間隔開。光阻擋半導(dǎo)體圖案155可具有與半導(dǎo)體層151a的材料基本相同的材料。
光阻擋半導(dǎo)體圖案155可反射或吸收從設(shè)置在TFT基板100后面的背光組件發(fā)射的光，使得穿過TFT基板100的光量降低。
電阻接觸構(gòu)件161a、161b形成在除了溝道區(qū)域以外的半導(dǎo)體層151a、151b上。電阻接觸構(gòu)件161a、161b可具有例如硅化物或摻雜以高密度n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅。電阻接觸構(gòu)件161a、161b可分別形成在半導(dǎo)體層151a、151b與源極和漏極電極173a、173b、175a、175b之間。電阻接觸構(gòu)件161a、161b可減小接觸電阻。
電阻接觸圖案165形成在周邊區(qū)域PA中在光阻擋半導(dǎo)體圖案155上。另外，電阻接觸圖案165形成在與電阻接觸構(gòu)件161a、161b的層相同的層，并可具有與電阻接觸構(gòu)件161a、161b的材料基本相同的材料。電阻接觸圖案165和光阻擋半導(dǎo)體圖案155可反射或吸收從設(shè)置在TFT基板100后面的背光組件發(fā)射的光，從而增加光阻擋效率。
從數(shù)據(jù)線(未示出)分支的源極電極173a、173b和與源極電極173a、173b間隔開的漏極電極175a、175b形成在電阻接觸構(gòu)件161a、161b和柵極絕緣層140上。
驅(qū)動TFT T1可包括周邊區(qū)域中的柵極電極124a、源極電極173a、漏極電極175a和半導(dǎo)體層151a。像素TFT T2可包括顯示區(qū)域中的柵極電極124b、源極電極173b、漏極電極175b和半導(dǎo)體層151b。
驅(qū)動TFT T1的漏極電極175a可通過連接部件192與柵極線121連接。這樣，驅(qū)動TFT T1通過柵極線121向像素TFT T2的柵極電極124b施加?xùn)艠O信號。
源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b可包括難熔金屬(refractorymetal)，諸如鉻、鉬、鉬合金、鉭、和/或鈦。另外，源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b可包括多層，所述多層具有例如兩層，諸如下層(未示出)和上層(未示出)。下層可具有例如鉬、鉬合金、和/或鉻。上層可具有例如鋁或鋁合金。
源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b以預(yù)定距離與光阻擋半導(dǎo)體圖案155和電阻接觸圖案165間隔開從而避免短路。
鈍化層180形成在源極電極173a、173b、漏極電極175a、175b、暴露的半導(dǎo)體層151a、151b、及電阻接觸圖案165上。鈍化層180可具有例如具有良好平坦化特性和光敏性的有機(jī)材料、通過等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)沉積的低介電常數(shù)絕緣材料諸如a-Si:C:O、a-Si:O:F、以及無機(jī)材料諸如硅氮化物(SiNx)。鈍化層180可具有單層或多層。當(dāng)鈍化層180包括有機(jī)材料時(shí)，絕緣層(未示出)可形成在有機(jī)材料之下從而防止半導(dǎo)體層151a、151b和鈍化層180被接觸。絕緣層(未示出)可具有例如硅氮化物(SiNx)、和/或硅氧化物(SiO2)。
鈍化層180可具有暴露驅(qū)動TFT T1的漏極電極175a的第一接觸孔181、暴露柵極線121的第二接觸孔182、暴露像素TFT T2的漏極電極175b的第三接觸孔185。
多個(gè)像素電極190和多個(gè)連接部件192形成在鈍化層180上。多個(gè)像素電極190可具有例如銦錫氧化物(ITO)、和/或銦鋅氧化物(IZO)。
像素電極190通過第三接觸孔185與像素TFT T2的漏極電極175b電連接。連接部件192通過第一和第二接觸孔181、182將驅(qū)動TFT T1的漏極電極175a與柵極線121連接。
當(dāng)柵極信號施加到驅(qū)動TFT T1的柵極電極124a時(shí)，施加到源極電極173a的電信號通過漏極電極175b和連接部件192施加到柵極線121。
當(dāng)柵極信號施加到像素TFT T2的柵極電極124b時(shí)，驅(qū)動信號通過源極電極173b和漏極電極175b施加到像素電極190。接收驅(qū)動信號的像素電極190與公共電極170產(chǎn)生電場，從而可以調(diào)整液晶層400的液晶分子。
面對TFT基板100的對基板200包括絕緣基板210和形成在絕緣基板210上的黑矩陣220，絕緣基板210具有例如透明玻璃。黑矩陣220可覆蓋驅(qū)動TFT T1和像素TFT T2，并防止像素電極190之間的光泄漏。另外，黑矩陣220可定義面對像素電極190的開口區(qū)域。
濾色器230形成在絕緣基板210和黑矩陣220上，并基本設(shè)置在黑矩陣220定義的開口區(qū)域中。濾色器230可包括例如紅濾色器、綠濾色器、和/或藍(lán)濾色器。
保護(hù)層(overcoat layer)240形成在黑矩陣220和濾色器230上。保護(hù)層240可用作平坦化層。
公共電極270形成在保護(hù)層240上。公共電極可具有透明導(dǎo)電材料，例如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。在示例性實(shí)施例中，公共電極270可形成在黑矩陣220和濾色器230上。
密封劑300可耦接兩基板100、200，并可以密封填充在顯示區(qū)域中的液晶層400。密封劑300可覆蓋驅(qū)動TFT T1，使得從設(shè)置在TFT基板100后面的背光組件發(fā)射且從對基板200反射的部分光可以被吸收。這樣，減少了入射到驅(qū)動TFT T1的光量。
密封劑300可以寬地形成從而覆蓋至少一部分光阻擋半導(dǎo)體圖案以及驅(qū)動TFT T1。因此，通過驅(qū)動TFT T1的周邊區(qū)域入射并從對基板200反射的光可以被密封劑300吸收。因此，減少了入射到驅(qū)動TFT T1的光量。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例，通過形成與驅(qū)動TFT T1相鄰的光阻擋半導(dǎo)體圖案155和電阻接觸圖案165，可以防止從背光組件發(fā)射的光入射到驅(qū)動TFT T1。因此，減少了驅(qū)動TFT T1的故障。
密封劑300形成得覆蓋驅(qū)動TFT T1從而密封劑300可以吸收從背光組件發(fā)射并從對基板200反射的部分光。因此，減少了入射到驅(qū)動TFT T1的光且減少了驅(qū)動TFT T1的故障。
圖2A至2E是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例制造顯示裝置的方法。
參照圖2A，形成具有顯示圖像的顯示區(qū)域DA和圍繞顯示區(qū)域DA的周邊區(qū)域PA的絕緣基板110。周邊區(qū)域PA中的第一柵極電極124a和柵極線121及與柵極線121連接的第二柵極電極124b形成在絕緣基板110上。
柵極線121和柵極電極124a、124b可通過例如濺射工藝和光刻工藝形成。柵極線121和柵極電極124a、124b可包括導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層為例如鋁、鋁合金、銀、銀合金、銅、銅合金、鉬、鉬合金、鉻、鈦、和/或鉭。
柵極絕緣層140、氫化非晶硅層和電阻接觸構(gòu)件順序形成在柵極線121和柵極電極124a、124b上并覆蓋柵極線121和柵極電極124a、124b。柵極絕緣層140、氫化非晶硅層和電阻接觸構(gòu)件通過例如低溫化學(xué)氣相沉積(LTCVD)或等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)形成。
參照圖2A，通過構(gòu)圖氫化非晶硅層和摻雜的(N+)非晶硅層，在柵極電極124a、124b上形成第一半導(dǎo)體層151a、151b和電阻接觸構(gòu)件161a、161b。光阻擋半導(dǎo)體圖案155和電阻接觸圖案165形成在周邊區(qū)域中并與第一半導(dǎo)體層151a和第一電阻接觸構(gòu)件161a間隔開。
然后，導(dǎo)電層可以通過濺射方法沉積。導(dǎo)電層可以包括難熔金屬例如鉻、鉬、鉭、和/或鈦。
參照圖2B，通過經(jīng)光刻工藝構(gòu)圖導(dǎo)電層，在電阻接觸構(gòu)件161a、161b上分別形成源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b。
第一源極電極173a和第一漏極電極175a與光阻擋半導(dǎo)體圖案155和電阻接觸圖案165間隔開從而防止短路。
構(gòu)圖電阻接觸構(gòu)件161a、161b的沒有被源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b覆蓋的部分。這樣，設(shè)置在分開的電阻接觸構(gòu)件161a、161b之間的半導(dǎo)體層151a、151b被暴露。在一實(shí)施例中，可對暴露的半導(dǎo)體層151a、151b執(zhí)行氧等離子體工藝。
參照圖2C，通過沉積有機(jī)絕緣材料或無機(jī)絕緣材料形成鈍化層180。然后，通過光刻工藝形成多個(gè)接觸孔181、182、185。每個(gè)接觸孔181、182、185暴露第一和第二漏極電極175a、175b及部分柵極線121。第二接觸孔182可通過光刻工藝暴露鈍化層180之下的柵極絕緣層140。
參照圖2D，像素電極190和連接部件192形成在鈍化層上。像素電極190和連接部件192可包括例如銦錫氧化物(ITO)、和/或銦鋅氧化物(IZO)。
參照圖2E，沿TFT基板100的周邊區(qū)域應(yīng)用密封劑300從而覆蓋驅(qū)動TFT T1。密封劑300可包括例如液相密封劑或凝膠型密封劑。密封劑300可以寬地沿周邊區(qū)域應(yīng)用從而覆蓋至少一部分光阻擋半導(dǎo)體圖案以及驅(qū)動TFT T1。
然后，密封劑300被硬化從而耦接TFT基板100和對基板200。
液晶層400注入到密封劑300和兩基板100、200定義的區(qū)域中。
圖3是剖視圖，示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置。
參照圖3，光阻擋金屬層174形成在TFT基板100的電阻接觸圖案165上。當(dāng)源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b形成在電阻接觸構(gòu)件161a、161b上時(shí)，光阻擋金屬層174與源極電極173a、173b和漏極電極175a、175b同時(shí)形成。
通過在電阻接觸圖案165上形成光阻擋金屬層174，可以提高光阻擋效率。
盡管本發(fā)明的示例性實(shí)施例參照附圖在這里進(jìn)行了描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不應(yīng)嚴(yán)格局限于這些實(shí)施例，在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以進(jìn)行各種其它改變和變型。所有這些改變和變型將包括在權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的范圍內(nèi)。
本申請要求2006年6月15日提交的韓國專利申請No.10-2006-0053853的優(yōu)先權(quán)，在此引入其全部內(nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括薄膜晶體管TFT基板，具有顯示區(qū)域和圍繞所述顯示區(qū)域的周邊區(qū)域，其中所述TFT基板包括基板；第一TFT，形成在所述周邊區(qū)域中，所述第一TFT包括半導(dǎo)體層和形成在所述半導(dǎo)體層上的電阻接觸構(gòu)件；光阻擋半導(dǎo)體圖案；及第二TFT，形成在所述顯示區(qū)域中并包括柵極電極；對基板；密封劑，將所述TFT基板耦接到所述對基板，其中所述密封劑覆蓋所述第一TFT；及液晶層，置于所述TFT基板和所述對基板之間。
2.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述光阻擋半導(dǎo)體圖案與所述第一TFT相鄰地形成并且與所述半導(dǎo)體層同時(shí)形成。
3.如權(quán)利要求1的顯示裝置，還包括形成在所述光阻擋半導(dǎo)體圖案上的電阻接觸圖案，其中所述電阻接觸圖案與所述電阻接觸構(gòu)件同時(shí)形成。
4.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述第一TFT包括形成在所述半導(dǎo)體層上的源極電極和漏極電極。
5.如權(quán)利要求4的顯示裝置，其中所述第一TFT還包括將所述漏極電極與柵極線連接的連接部件。
6.如權(quán)利要求4的顯示裝置，其中所述源極電極和所述漏極電極分別以預(yù)定距離與所述光阻擋半導(dǎo)體層間隔開。
7.如權(quán)利要求4的顯示裝置，還包括光阻擋金屬層，形成在所述光阻擋半導(dǎo)體圖案上并包括與所述源極電極和所述漏極電極基本相同的材料。
8.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述光阻擋半導(dǎo)體層包括氫化非晶硅或晶體硅中的至少一種。
9.如權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述密封劑覆蓋所述光阻擋半導(dǎo)體圖案的至少一部分。
10.一種制造顯示裝置的方法，包括形成具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域的薄膜晶體管TFT基板；形成所述顯示區(qū)域中的第一柵極電極和所述周邊區(qū)域中的第二柵極電極；在所述第一柵極電極和所述第二柵極電極上形成半導(dǎo)體層和電阻接觸構(gòu)件；通過構(gòu)圖所述電阻接觸構(gòu)件和所述半導(dǎo)體層在所述第一柵極電極上形成第一半導(dǎo)體層和第一電阻接觸構(gòu)件；在所述周邊區(qū)域中形成光阻擋半導(dǎo)體圖案和電阻接觸圖案；在所述第一電阻接觸構(gòu)件上形成導(dǎo)電層；通過構(gòu)圖所述導(dǎo)電層形成第一源極電極和第一漏極電極；及形成置于所述TFT基板和所述對基板之間的密封劑，其中所述密封劑覆蓋所述第一半導(dǎo)體層。
11.如權(quán)利要求10的方法，還包括在所述第二柵極電極上形成第二半導(dǎo)體層和第二電阻接觸構(gòu)件。
12.如權(quán)利要求10的方法，還包括在所述第二電阻接觸構(gòu)件上形成第二源極電極和第二漏極電極。
13.如權(quán)利要求10的方法，還包括形成鈍化層，所述鈍化層具有暴露所述第一漏極電極的第一接觸孔和暴露柵極線的第二接觸孔；及在所述鈍化層上形成連接部件，所述連接部件將所述第一漏極電極與所述柵極線連接。
14.如權(quán)利要求10的方法，其中所述第一源極電極和所述第一漏極電極以預(yù)定距離與所述光阻擋半導(dǎo)體圖案分隔開。
15.如權(quán)利要求10的方法，還包括在所述光阻擋半導(dǎo)體層上形成光阻擋金屬層，所述光阻擋金屬層包括與所述源極電極和所述漏極電極基本相同的材料。
16.如權(quán)利要求10的方法，其中所述光阻擋半導(dǎo)體圖案包括氫化非晶硅或晶體硅中的至少一種。
17.如權(quán)利要求10的方法，其中所述密封劑覆蓋所述光阻擋半導(dǎo)體圖案的至少一部分。
全文摘要
本發(fā)明提供一種顯示裝置，包括薄膜晶體管(TFT)基板、面對TFT基板的對基板、密封劑、及置于TFT基板和對基板之間的液晶層。所述TFT基板包括基板，具有顯示區(qū)域和周邊區(qū)域；第一TFT，形成在所述周邊區(qū)域中并包括半導(dǎo)體層和形成在所述半導(dǎo)體層上的電阻接觸構(gòu)件；光阻擋半導(dǎo)體圖案；第二TFT，形成在所述顯示區(qū)域中并包括柵極電極。密封劑將所述TFT基板耦接到所述對基板并覆蓋所述第一TFT。
文檔編號G02F1/1339GK101089714SQ20071011183
公開日2007年12月19日 申請日期2007年6月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月15日
發(fā)明者尹柱善 申請人:三星電子株式會社