專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及一種液晶顯示(LCD)裝置，具體地說，涉及能夠改進(jìn)液晶的滴注界限(drop margin)的LCD裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
LCD裝置利用電場(chǎng)來控制具有介電各向異性的液晶的光透射率，進(jìn)而顯示圖像。LCD裝置通過將其上形成有彩色濾光片陣列的上基板和其上形成有薄膜晶體管(TFT)陣列的下基板組裝在一起，并在其間設(shè)置液晶而形成。充滿液晶的單元間隙通過形成于上、下基板之間的間隔柱來保持。
間隔柱主要應(yīng)用于通過整合型液晶滴入(ODF)技術(shù)形成液晶層的大尺寸LCD裝置。間隔柱決定液晶的滴注界限。即液晶的滴注界限隨著間隔柱的壓應(yīng)變量的增加而改進(jìn)。因此，提出了一種通過控制間隔柱的材料、尺寸和密度來增加間隔柱的壓應(yīng)變量的方法。
然而，通過壓應(yīng)變量來改進(jìn)滴注界限的方法具有局限性。例如，如果間隔柱的壓應(yīng)變量增加，則間隔柱或其下面的層可能會(huì)斷裂。因而，由于滴注界限的減小而難以控制液晶的液滴量，進(jìn)而產(chǎn)生諸如液晶過多或短缺等缺陷。如果液晶過多，則形成于上基板上的間隔柱不會(huì)接觸下基板，而液晶通過重力而流動(dòng)，從而導(dǎo)致由于單元間隙的不均勻而引起的亮度缺陷。如果液晶短缺，則通過未充滿液晶的空間會(huì)發(fā)生光泄漏。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一方面在于，提供能夠改進(jìn)液晶的滴注界限的LCD裝置及其制造方法。
為了達(dá)到本發(fā)明的上述及其它方面，根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的LCD裝置包括第一和第二基板，組裝在一起，而其間設(shè)置有液晶；有機(jī)層，形成在第一和第二基板之一上；間隔柱，形成在第一與第二基板之間；以及緩沖圖案，形成在有機(jī)層中間隔柱和有機(jī)層相互接觸的區(qū)域上。LCD裝置還包括沿緩沖圖案周界形成在有機(jī)層上的外槽或孔，以設(shè)置緩沖圖案。
外槽或孔形成為包圍緩沖圖案，或部分地形成在緩沖圖案周圍。LCD裝置還包括形成在有機(jī)層的緩沖圖案內(nèi)部的內(nèi)槽或孔。內(nèi)槽或孔獨(dú)立地形成在緩沖圖案內(nèi)部，或連接至外槽或孔。
LCD裝置還包括透明導(dǎo)電層，形成在有機(jī)層上；以及孔，穿透間隔柱與有機(jī)層的緩沖圖案之間的透明導(dǎo)電層，從而其間不存在透明導(dǎo)電層。
LCD裝置還包括TFT，形成在第一基板與有機(jī)層之間；柵極線和數(shù)據(jù)線，形成在第一基板與有機(jī)層之間，并連接至TFT；以及像素電極，由有機(jī)層上的透明導(dǎo)電層形成，并通過穿透有機(jī)層的接觸孔連接至TFT。LCD裝置還包括由有機(jī)層上的透明導(dǎo)電層形成的屏蔽共用線，從而可以交疊柵極線和數(shù)據(jù)線中的至少一條。LCD裝置還包括形成在TFT與有機(jī)層之間的無機(jī)層。
根據(jù)本發(fā)明的另一例示性實(shí)施例，制造LCD裝置的方法包括設(shè)置第一和第二基板；在第一和第二基板之一上形成有機(jī)層；在第一和第二基板之間形成間隔柱；組裝中間設(shè)置有液晶的第一和第二基板；以及在有機(jī)層的待與間隔柱接觸的區(qū)域上形成緩沖圖案。在有機(jī)層上沿緩沖圖案的周界形成外槽或孔，而有機(jī)層的外槽可以利用衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模來形成。


通過以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它方面、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見，附圖中圖1A和圖1B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的在其上施壓前、后的LCD裝置的橫截面視圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明另一例示性實(shí)施例的LCD裝置的橫截面視圖；圖3A至3E是示出了根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的各種類型的有機(jī)層槽的俯視圖；圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的LCD裝置的TFT基板中一個(gè)子像素結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖5是示出了沿圖4所示的V-V′線截取的TFT基板以及彩色濾光片基板的橫截面視圖；
圖6是用來描述制造圖5所示有機(jī)絕緣層的方法的橫截面視圖。
具體實(shí)施例方式
以下將參照示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行全面描述。但是，本發(fā)明可以以不同形式來實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)該僅限于這里所列出的實(shí)施例來構(gòu)造。當(dāng)然，提供這些實(shí)施例，是為了使本公開更全面和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分表達(dá)本發(fā)明的范圍。在整個(gè)說明書中，類似參考標(biāo)號(hào)表示類似元件。
可以理解，當(dāng)指出一個(gè)元件在另一元件“上”時(shí)，它可以直接在另一元件上，或者可以在其間存在插入元件。相反，當(dāng)指出一個(gè)元件“直接”在另一元件上時(shí)，就不存在插入元件。如這里所使用的，術(shù)語“和/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列條目中的任一個(gè)以及所有組合。
可以理解，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三、等等來描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，這些元件、部件、區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該限于這些術(shù)語。這些術(shù)語僅用于將一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分區(qū)分開來。因此，在不背離本發(fā)明宗旨的前提下，下面所討論的第一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可以稱作第二元件、部件、區(qū)域、層或部分。
這里所使用的術(shù)語僅用于描述特定實(shí)施例的目的，而并不用于限制本發(fā)明。如這里所使用的，如果上下文沒有清楚地指明，單數(shù)形式“a”“an”和“the”也可以包括復(fù)數(shù)形式。還可以理解，當(dāng)術(shù)語“含有(comprises和/或comprising)”或者“包括(include和/或including)”用于本說明書中時(shí)，表明存在所述的特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它特征、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、部件、和/或其構(gòu)成的組。
為了便于描述，這里可以使用空間上的相對(duì)術(shù)語，例如“在...之下”、“在下面”、“下面的”、“在...上方”、“上面的”和類似的術(shù)語，以描述附圖中一個(gè)元件或特征對(duì)于另一個(gè)(多個(gè))元件或特征的關(guān)系。可以理解，空間上的相對(duì)術(shù)語除了附圖中示出的方位外，還可以包括使用或操作中裝置的不同方位。例如，如果將附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么在另一個(gè)元件或特征“下面”或“下方”的元件或特征，其方位將變成在另一個(gè)元件或特征的“上面”。因此，示例術(shù)語“在下面”可以包括上面和下面兩個(gè)方位。裝置可以在其它的方位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，而這里所使用的空間上的相對(duì)描述可以作相應(yīng)的解釋。
除非特別指明，這里所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科技術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域技術(shù)人員的通常理解相同的含義。還可以理解，術(shù)語，例如常用詞典定義的那些術(shù)語，應(yīng)該解釋為具有與它們?cè)谙嚓P(guān)技術(shù)和本公開的上下文中的含義一致的含義，而不應(yīng)該解釋為理想化的或過于正式的含義，除非這里特別地加以定義。這里參照示意性地示出了本發(fā)明理想實(shí)施例的橫截面示意圖，描述本發(fā)明的實(shí)施例。因此，將可以預(yù)料作為例如制造技術(shù)和/或公差結(jié)果的實(shí)施例的形狀可以有各種變化。所以，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)該限于這里所示出區(qū)域的特定形狀來構(gòu)造，而應(yīng)該包括例如由于制造而導(dǎo)致的形狀上的偏離。例如，所示出或所描述的扁平區(qū)域通?？梢跃哂胁黄交?或非線性特征。而且，所示出的尖角可以是圓的。因此，特征中所示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，并且它們的形狀不用于示出區(qū)域的精確形狀，也不用于限制本發(fā)明的范圍。
圖1A和圖1B是分別示出了根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的在其上施壓前、后的以間隔柱為中心的LCD裝置的橫截面視圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一例示性實(shí)施例的以間隔柱為中心的LCD裝置的橫截面視圖。
圖1和圖2所示的LCD裝置包括其間設(shè)置有液晶層(未示出)的組裝在一起的上、下基板110和120，以及形成在上基板110與下基板120之間的間隔柱130。
上基板110包括形成在絕緣層上的彩色濾光片陣列。下基板120包括形成在絕緣層上的TFT陣列和覆蓋TFT陣列的有機(jī)絕緣層122。間隔柱130形成在上基板110與下基板120之間，以在其間提供單元間隙。液晶層形成在單元間隙內(nèi)部。
能夠吸收間隔柱130的壓力的緩沖圖案126形成在有機(jī)絕緣層122中的與間隔柱130接觸的區(qū)域上。緩沖圖案126形成在絕緣層122上，并通過在有機(jī)絕緣層122的與間隔柱130接觸的區(qū)域周圍形成外槽124來設(shè)置。可替換地，有機(jī)絕緣層122的外槽124，可以通過延伸并穿透有機(jī)絕緣層122的整個(gè)厚度而形成為外孔形狀，如圖1A中的點(diǎn)線所示。有機(jī)絕緣層122的外槽(或孔)124形成為包圍緩沖圖案126的整個(gè)周界或部分地形成在緩沖圖案126周圍。如圖2所示，內(nèi)槽(或孔)128可以另外形成在與間隔柱130接觸的有機(jī)絕緣層122的緩沖圖案126的內(nèi)部。
如果通過間隔柱130施加壓力，則有機(jī)絕緣層122的緩沖圖案126被壓縮并變形，如圖1B所示，從而吸收壓力。因此，由緩沖圖案126的變形引起的滴注界限增加到由間隔柱130的變形量引起的程度，從而增加了液晶的滴注界限。換句話說，當(dāng)在液晶滴到上基板110或下基板120上之后，沉積密封劑并對(duì)上基板110和下基板120加熱和加壓時(shí)，有機(jī)絕緣層122的緩沖圖案126與間隔柱130一起變形。因此，可以在ODF工序中充分確保液晶的滴注界限。
有機(jī)絕緣層122的緩沖圖案126和外槽(或孔)124不限于特定的形狀，它們可以形成為圖3A至圖3E所示的各種形狀。例如，圓形帶狀的外槽(或孔)124可以形成在有機(jī)絕緣層122上，以形成圓形的緩沖圖案126，如圖3A所示，或者，可替換地，內(nèi)槽(或孔)128可以形成在圓形的緩沖圖案126內(nèi)部，如圖3B所示。內(nèi)槽(或孔)128可以連接至外槽(或孔124)，如圖3B所示，或者，內(nèi)槽128可以獨(dú)立地形成在緩沖圖案126內(nèi)部。同時(shí)，外槽(或孔)124可以部分地形成在有機(jī)絕緣層122的緩沖圖案126周圍，如圖3E所示。可以形成矩形(或多邊形)帶狀的外槽(或孔)124，以形成矩形(或多邊形)的緩沖圖案126，如圖3C所示，或者，內(nèi)槽(或孔)128可以另外形成在矩形(或多邊形)的緩沖圖案126內(nèi)部，如圖3D所示。
圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的LCD裝置的TFT基板中一個(gè)子像素結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖5是示出了沿圖4所示的V-V′線截取的TFT基板以及彩色濾光片基板的橫截面視圖。
圖4和圖5所示的TFT基板包括像素電極40，形成在由柵極線2和數(shù)據(jù)線4的交叉點(diǎn)所限定的子像素區(qū)域中；TFT T，連接在柵極線2、數(shù)據(jù)線4與像素電極40之間；以及有機(jī)絕緣層74，形成在TFT T與像素電極40之間。
柵極線2和數(shù)據(jù)線4形成在絕緣基板70上，以彼此交叉，而柵極絕緣層72設(shè)置在柵極線2和數(shù)據(jù)線4與絕緣基板70之間。每個(gè)子像素區(qū)域均由柵極線2和數(shù)據(jù)線4的交叉結(jié)構(gòu)限定。存儲(chǔ)線30形成在絕緣基板70上，與柵極線2平行。存儲(chǔ)線30沿子像素短邊方向穿過每個(gè)子像素的中心，并與數(shù)據(jù)線4交叉，其間設(shè)置有柵極絕緣層72。
TFT T包括連接至柵極線2的柵電極6、連接至數(shù)據(jù)線4的源電極10、連接至像素電極40的漏電極12、以及連接至源電極10和漏電極12的半導(dǎo)體層8。半導(dǎo)體層8包括活性層(有源層)8A，形成源電極10與漏電極12之間的通道；以及歐姆接觸層8B，用于活性層8A與源電極10、漏電極12之間的歐姆接觸。
像素電極40形成在覆蓋TFT T的有機(jī)絕緣層74上，并提供穿透有機(jī)絕緣層74的接觸孔15連接至TFT T的漏電極12。TFT T的漏電極12延伸至形成有存儲(chǔ)線30的子像素的中心，并通過交疊存儲(chǔ)線30的接觸孔15連接至像素電極40。而且，漏電極12交疊存儲(chǔ)線30，而柵極絕緣層72設(shè)置在其間，從而形成存儲(chǔ)電容器Cst。無機(jī)絕緣層78可以另外形成在有機(jī)絕緣層74下方，并且這時(shí)，接觸孔15通過穿透無機(jī)絕緣層78而形成。交疊數(shù)據(jù)線4和柵極線2的屏蔽共用線60形成在有機(jī)絕緣層74上。屏蔽共用線60的線寬寬于數(shù)據(jù)線4的線寬，窄于柵極線2的線寬。與供應(yīng)到彩色濾光片基板的共用電極86上的電壓相同或類似的共用電壓施加到屏蔽共用線60上。于是在屏蔽共用線60與彩色濾光片基板的共用電極86之間不形成電場(chǎng)或形成弱電場(chǎng)，而且其間不會(huì)驅(qū)動(dòng)垂直配向(“VA”)液晶分子，從而防止了光泄漏。
用來形成多象限的切口44形成在像素電極40中。像素電極40的切口44相對(duì)于子像素的短邊方向，即基于存儲(chǔ)線30，而沿對(duì)稱的傾斜方向形成。像素電極40的切口44在像素電極40與彩色濾光片色基板的共用電極86之間形成邊緣場(chǎng)，以使得液晶分子基于切口44而對(duì)稱地對(duì)齊，從而形成多象限。為了形成更多的領(lǐng)域，共用電極切口(未示出)可以以相對(duì)于像素電極40的切口44的交錯(cuò)結(jié)構(gòu)平行地形成在彩色濾光片基板的共用電極86中。圖5所示的彩色濾光片基板包括依次形成在絕緣基板80上的黑色矩陣82、彩色濾光片84、和共用電極86。在彩色濾光片84與共用電極86之間可以形成涂層。間隔柱50形成在彩色濾光片基板上。通常，間隔柱50交疊TFT基板的存儲(chǔ)線30。
能夠吸收間隔柱50的壓力的緩沖圖案75形成在TFT基板的有機(jī)絕緣層74的與間隔柱50接觸的區(qū)域上。緩沖圖案75通過在有機(jī)絕緣層74的與間隔柱50接觸的周界上形成外槽76而設(shè)置。有機(jī)絕緣層74的外槽76可以形成為外孔形狀，并延伸以穿透有機(jī)絕緣層74的整個(gè)厚度，如點(diǎn)線所示。有機(jī)絕緣層74的外槽(或孔)76形成為包圍緩沖圖案75的全部周界，或部分地形成在緩沖圖案75周圍。而且，內(nèi)槽(或孔)可以形成在有機(jī)絕緣層74的與間隔柱50接觸的緩沖圖案75的內(nèi)部。因此，如果通過間隔柱50施加壓力，則緩沖圖案75被壓縮并變形，從而吸收壓力。從而，由緩沖圖案75變形引起的液晶的滴注界限增加到由間隔柱50的變形量引起的程度，從而增大了滴注界限。換句話說，當(dāng)在液晶滴到彩色濾光片基板或TFT基板上之后，沉積密封劑并對(duì)彩色濾光片基板和TFT基板加熱和加壓時(shí)，有機(jī)絕緣層74的緩沖圖案75與間隔柱50一起變形。因此，可以在液晶的ODF工序中充分確保滴注界限。
同時(shí)，如果間隔柱50與有機(jī)絕緣層74的緩沖圖案75之間存在透明導(dǎo)電層(例如無機(jī)層)，則像素電極40可能被間隔柱50所施加的壓力損壞，因此，在緩沖圖案75上不形成透明導(dǎo)電層。例如，如果間隔柱50形成在交疊存儲(chǔ)線30的部分上，如圖4和圖5所示，則形成用于穿透對(duì)應(yīng)于緩沖圖案75的像素電極40的孔，從而在有機(jī)絕緣層74的緩沖圖案75與間隔柱50之間不存在像素電極40。如果間隔柱50形成在交疊柵極線2或數(shù)據(jù)線4的部分上，則形成用于穿透對(duì)應(yīng)于緩沖圖案75的屏蔽共用線60的孔，從而在有機(jī)絕緣層74的緩沖圖案75與間隔柱50之間不存在屏蔽共用線60。因此，當(dāng)間隔柱50和有機(jī)絕緣層74的緩沖圖案75受到彩色濾光片基板和TFT基板的熱度和壓縮或受到作用于彩色濾光片基板的重壓而變形時(shí)，可以防止透明導(dǎo)電層被損壞。
以下將對(duì)制造圖4和圖5所示的TFT基板的方法進(jìn)行描述。
通過第一掩模工序，在下絕緣基板70上形成包括柵極線2、連接至柵極線2的柵電極6、和平行于柵極線2的存儲(chǔ)線30的柵極金屬圖案。通過第二掩模工序，在其上形成有柵極金屬圖案的下絕緣基板70上形成柵極絕緣層72，并且在柵極絕緣層72上形成包括活性層8A和歐姆接觸層8B的半導(dǎo)體層8，從而可以交疊柵極線2和柵電極6的一部分。通過第三掩模工序，在其上形成有半導(dǎo)體層8的柵極絕緣層72上形成包括數(shù)據(jù)線4、源電極10、和漏電極12的源/漏金屬圖案。利用衍射曝光掩?；虬肷{(diào)掩模，可以通過一個(gè)掩模工序形成半導(dǎo)體層8和源/漏金屬圖案。
通過第四掩模工序，在其上形成有源/漏金屬圖案的柵極絕緣層72上形成無機(jī)絕緣層78和有機(jī)絕緣層74，并形成接觸孔15和外槽(或孔)76。具體地，如圖6所示，通過第四掩模工序，在其上形成有源/漏金屬圖案的柵極絕緣層72上沉積無機(jī)絕緣層78和有機(jī)絕緣層74，并通過利用掩模90的照相平版印刷過程對(duì)有機(jī)絕緣層74和無機(jī)絕緣層78進(jìn)行圖案化。衍射曝光掩模或半色調(diào)掩模用作掩模90。如果使用衍射曝光掩模，則在與掩?；?2上所形成的不透明部分94對(duì)應(yīng)的不透明區(qū)域上存在有機(jī)絕緣層74和無機(jī)絕緣層78，并且在與露出掩?；?2的傳輸部分96相對(duì)應(yīng)的整個(gè)傳輸區(qū)域中形成穿透有機(jī)絕緣層74和無機(jī)絕緣層78的接觸孔15。對(duì)有機(jī)絕緣層74的一部分進(jìn)行蝕刻，或者在對(duì)應(yīng)于其中形成有穿透不透明部分94的多個(gè)切口98的衍射曝光部分的半傳輸區(qū)域上，形成穿透有機(jī)絕緣層74的外槽(或孔)76，從而形成有機(jī)絕緣層74的緩沖圖案75。
然后，通過第五掩模工序，在有機(jī)絕緣層74上形成包括像素電極40和屏蔽共用線60的透明導(dǎo)電圖案。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置及其制造方法形成了緩沖圖案，該緩沖圖案通過外槽(或孔)獨(dú)立地形成在接觸間隔柱的有機(jī)絕緣層上，并且與間隔柱一起被壓縮和變形。因此，由緩沖圖案的變形引起的液晶的滴注界限增加到由間隔柱的變形量引起的程度，從而增大了滴注界限。由于可以充分確保液晶的滴注界限，可以避免由滴注界限缺陷引起的畫面質(zhì)量缺陷。
盡管參照一些例示性實(shí)施例已經(jīng)示出并描述了本發(fā)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解，在不背離所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明精神和范圍的前提下，可以對(duì)形式和細(xì)節(jié)進(jìn)行各種變化。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括第一和第二基板，組裝在一起，并在其間設(shè)置有液晶；有機(jī)層，形成在所述第一和第二基板之一上；間隔柱，形成在所述第一和第二基板之間；以及緩沖圖案，形成在所述有機(jī)層中所述間隔柱與所述有機(jī)層相互接觸的區(qū)域上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述緩沖圖案由形成在所述有機(jī)層上的槽或孔限定。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，還包括形成在所述有機(jī)層的所述緩沖圖案內(nèi)部的內(nèi)槽或孔。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的液晶顯示裝置，其中，所述內(nèi)槽或孔獨(dú)立地形成在所述緩沖圖案內(nèi)部，或連接至所述槽或孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，還包括透明導(dǎo)電層，形成在所述有機(jī)層上；以及孔，穿透所述間隔柱與所述有機(jī)層的緩沖圖案之間的所述透明導(dǎo)電層，從而在其間不存在所述透明導(dǎo)電層。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的液晶顯示裝置，還包括薄膜晶體管，形成在所述第一基板與所述有機(jī)層之間；柵極線和數(shù)據(jù)線，形成在所述第一基板與所述有機(jī)層之間，并連接至所述薄膜晶體管；以及像素電極，由所述有機(jī)層上的所述透明導(dǎo)電層形成，并通過穿透所述有機(jī)層的接觸孔連接至所述薄膜晶體管。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，還包括屏蔽共用線，由所述有機(jī)層上的所述透明導(dǎo)電層形成，所述屏蔽共用線與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線中的至少一條交疊。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，還包括無機(jī)層，形成在所述薄膜晶體管與所述有機(jī)層之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中，所述緩沖圖案被所述間隔柱壓縮，并且所述緩沖圖案的與所述間隔柱接觸的表面和面向所述第二基板的所述有機(jī)層其余表面中的最高表面不共面。
10.一種制造液晶顯示裝置的方法，所述方法包括準(zhǔn)備第一基板和第二基板；在所述第一和第二基板之一上形成有機(jī)層；在所述第一和第二基板之一上形成間隔柱；組裝其間設(shè)置有液晶的所述第一和第二基板；以及在所述有機(jī)層中所述有機(jī)層待與所述間隔柱相接觸的區(qū)域上形成緩沖圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，在所述有機(jī)層上形成槽或孔，并且所述槽或孔限定所述緩沖圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，在所述有機(jī)層的所述緩沖圖案內(nèi)部還形成內(nèi)槽或孔。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，所述內(nèi)槽或孔獨(dú)立地形成在所述緩沖圖案內(nèi)部，或連接至所述外槽或孔。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，還包括在所述有機(jī)層上形成透明導(dǎo)電層；以及形成穿透所述間隔柱與所述有機(jī)層的緩沖圖案之間的所述透明導(dǎo)電層的孔，從而在其間不存在所述透明導(dǎo)電層。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在所述第一基板與所述有機(jī)層之間形成薄膜晶體管，和連接至所述薄膜晶體管的柵極線和數(shù)據(jù)線；形成穿透所述有機(jī)層的接觸孔；以及在所述有機(jī)層上形成由所述透明導(dǎo)電層制成并通過所述接觸孔連接至所述薄膜晶體管的像素電極。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述有機(jī)層上形成由所述透明導(dǎo)電層制成的屏蔽共用線，所述屏蔽共用線與所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線中的至少一條交疊。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述薄膜晶體管與所述有機(jī)層之間形成無機(jī)層。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，通過利用衍射曝光掩模或半色調(diào)掩模來形成所述有機(jī)層的所述接觸孔和所述槽。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，通過利用衍射曝光掩模或半色調(diào)掩模來形成所述有機(jī)層的所述接觸孔和所述槽。
20.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，還包括用所述間隔柱壓縮所述緩沖圖案，其中，處于壓縮狀態(tài)的所述緩沖圖案的表面與面向所述第二基板的所述有機(jī)層其余表面中的最高表面不共面。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種典型的液晶顯示(LCD)裝置及其制造方法，能夠改進(jìn)液晶的滴注界限。根據(jù)本發(fā)明例示性實(shí)施例的LCD裝置包括第一和第二基板，組裝在一起，其間設(shè)置有液晶；有機(jī)層，形成在第一和第二基板之一上；間隔柱，形成在第一和第二基板之間；以及緩沖圖案，形成在有機(jī)層中間隔柱與有機(jī)層相互接觸的區(qū)域上。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101017268SQ20061013977
公開日2007年8月15日 申請(qǐng)日期2006年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月6日
發(fā)明者金仁雨, 李南錫, 宋榮九, 孫宇成, 秋玟亨, 鄭敬錫 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社