專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)基板進(jìn)行處理的基板處理裝置。
背景技術(shù)：
為了對(duì)半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等各種基板進(jìn)行各種處理，使用著基板處理裝置。
在這樣的基板處理裝置中，一般對(duì)一張基板連續(xù)地進(jìn)行多個(gè)不同的處理。JP特開2003-324139號(hào)公報(bào)所記載的基板處理裝置由分度器模塊、反射防止膜用處理模塊、抗蝕膜用處理模塊、顯影處理模塊以及接口模塊構(gòu)成。相鄰于接口模塊而配置有與基板處理裝置分開獨(dú)立的、作為外部裝置的曝光裝置。
在上述的基板處理裝置中，從分度器模塊搬入的基板，在反射防止膜用處理模塊以及抗蝕膜用處理模塊中進(jìn)行了反射防止膜的形成以及抗蝕膜的涂敷處理之后，經(jīng)由接口模塊被搬送到曝光裝置中。
在曝光裝置中，對(duì)基板上的抗蝕膜進(jìn)行曝光處理之后，基板經(jīng)由接口模塊被搬送到顯影處理模塊中。通過在顯影處理模塊中對(duì)基板上的抗蝕膜進(jìn)行顯影處理，而形成抗蝕劑圖案之后，基板被搬送到分度器模塊。
近年來(lái)，伴隨著器件的高密度化以及高集成化，對(duì)抗蝕劑圖案的微細(xì)化成為重要的課題。在以往的一般的曝光裝置中，通過將標(biāo)線的圖案經(jīng)由投影透鏡縮小投影在基板上來(lái)進(jìn)行了曝光處理。可是，在這樣的以往的曝光裝置中，因?yàn)槠毓鈭D案的線寬取決于曝光裝置的光源波長(zhǎng)，所以對(duì)抗蝕劑圖案的微細(xì)化具有局限性。
因此，作為可將曝光圖案進(jìn)一步微細(xì)化的投影曝光方法，而提出了浸液法(例如，參考國(guó)際公開第99/49504號(hào)手冊(cè))。在國(guó)際公開第99/49504號(hào)手冊(cè)中的投影曝光裝置中，在投影光學(xué)系統(tǒng)和基板之間充滿有液體，從而能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)基板表面的曝光用光的短波長(zhǎng)化。由此，可使曝光圖案進(jìn)一步微細(xì)化。
可是，上述的國(guó)際公開第99/49504號(hào)手冊(cè)中的投影曝光裝置，由于在基板和液體接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，因此，當(dāng)曝光處理前基板上附著有污染物質(zhì)時(shí)，該污染物物質(zhì)會(huì)混入液體中。
在曝光處理前，雖然對(duì)基板進(jìn)行種種的成膜處理，但有時(shí)會(huì)在該成膜處理的過程中對(duì)基板的端部造成污染。這樣，當(dāng)在基板的端部被污染的狀態(tài)下進(jìn)行基板的曝光處理時(shí)，有可能曝光裝置的透鏡被污染，而發(fā)生曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良。
另外，對(duì)于上述以往的基板處理裝置，在使用浸液法的曝光處理中，有時(shí)基板的端部或端部附近的反射防止膜或抗蝕膜等所含有的成分會(huì)析出或溶出到浸液的液體內(nèi)。其結(jié)果，導(dǎo)致曝光裝置的透鏡被污染，而引起曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，提供一種可以防止曝光裝置內(nèi)的污染、而能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生的基板處理裝置。
(1)本發(fā)明的一種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其相鄰于處理部的一端部而設(shè)置，用于在處理部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接，處理部包括對(duì)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部進(jìn)行清洗的第一處理單元。
本發(fā)明的基板處理裝置相鄰于曝光裝置而配置。在該基板處理裝置中，通過處理部對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理，并通過相鄰于處理部的一端部而設(shè)置的交接部來(lái)在處理部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接。
在處理部中，通過第一處理單元來(lái)對(duì)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部進(jìn)行清洗。由此，能夠除去附著在曝光處理前的基板的端部上的污染物質(zhì)。其結(jié)果，能夠防止由基板的端部的污染導(dǎo)致的曝光裝置內(nèi)的污染、從而能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
(2)處理部具有第二處理單元，其對(duì)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板進(jìn)行規(guī)定的處理；第三處理單元，其對(duì)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板進(jìn)行規(guī)定的處理，第一處理單元對(duì)由第二處理單元進(jìn)行處理前的基板的端部進(jìn)行清洗也可。
此時(shí)，在處理部中，通過第二處理單元來(lái)對(duì)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板進(jìn)行規(guī)定的處理；并通過第三處理單元來(lái)對(duì)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板進(jìn)行規(guī)定的處理。
第一處理單元對(duì)由第二處理單元進(jìn)行處理前的基板的端部進(jìn)行清洗，從而可以防止基板的端部的污染物質(zhì)接觸污染到在第二處理單元、第三處理單元以及曝光裝置之間搬送基板的搬送裝置上。
由此，在第二以及第三處理單元中，能夠清潔地進(jìn)行對(duì)基板的規(guī)定的處理。另外，由于基板的端部保持清潔，所以能夠充分地防止由基板的端部的污染導(dǎo)致的基板的處理不良。
(3)還具有基板搬入搬出部，該基板搬入搬出部相鄰于處理部的另一端部而配置，并向處理部搬入基板以及從處理部搬出基板，處理部包括第一處理單位，其具有第一處理單元以及搬送基板的第一搬送單元；一個(gè)或多個(gè)第二處理單位，其具有第二處理單元以及搬送基板的第二搬送單元；一個(gè)或多個(gè)第三處理單位，其具有第三處理單元以及搬送基板的第三搬送單元，第一處理單位相鄰于基板搬入搬出部而配置。
此時(shí)，通過基板搬入搬出部將基板搬入到處理部。在處理部的第一處理單位中，通過第一處理單元對(duì)從相鄰的基板搬入搬出部搬入的基板的端部進(jìn)行清洗，并將基板通過第一搬送單元來(lái)搬送基板。
在第二處理單位中，通過第二處理單元來(lái)對(duì)由第一處理單元清洗過端部的曝光處理前的基板進(jìn)行處理，并通過第二搬送單元來(lái)進(jìn)行搬送。
在處理部的第三處理單位中，通過第三處理單元來(lái)對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行處理，并通過第三搬送單元來(lái)進(jìn)行搬送。然后，通過基板搬入搬出部來(lái)將由第三處理單元處理過的基板從處理部搬出。
該基板處理裝置具有在具有第二處理單位、第三處理單位以及基板搬入搬出部的現(xiàn)有的基板處理裝置上追加了第一處理單位的結(jié)構(gòu)，所以能夠以低成本防止由曝光處理前的基板的端部的污染導(dǎo)致的曝光裝置內(nèi)的污染。
(4)第一處理單位還具有第一裝載部，其當(dāng)將基板搬入到該處理單位時(shí)裝載基板；第二裝載部，其當(dāng)將基板從該處理單位搬出時(shí)裝載基板，第一搬送單元包括保持基板的第一以及第二保持部，第一搬送單元，當(dāng)從第一裝載部向第一處理單元搬送基板時(shí)，通過第一保持部來(lái)保持基板，當(dāng)從第一處理單元向第二裝載部搬送基板時(shí)，通過第二保持部來(lái)保持基板。
在第一處理單位中，搬入到該處理單位的基板被裝載到第一裝載部，并通過第一搬送單元的第一保持部將裝載到第一裝載部的基板搬送到第一處理單元。通過第一搬送單元的第二保持部來(lái)將由第一處理單元清洗過端部的基板搬送到第二裝載部。然后，將裝載到第二裝載部的基板從該處理單位搬出。
即，當(dāng)對(duì)由第一處理單元清洗過端部的基板進(jìn)行搬送時(shí)，使用第二保持部；而當(dāng)對(duì)沒有清洗端部的基板進(jìn)行搬送時(shí)，使用第一保持部。因此，能夠防止附著在基板的端部上的污染物質(zhì)附著在第二保持部上。
由此，能夠防止污染物質(zhì)附著在曝光處理前的基板的端部。其結(jié)果，能夠防止曝光處理前的基板的污染。
(5)將第一保持部設(shè)置在第二保持部的下方。此時(shí)，即使污染物質(zhì)從第一保持部及由其保持的基板的端部落下，也可以防止第二保持部及由其保持的基板上附著污染物質(zhì)。
由此，能夠可靠地防止在曝光處理前的基板上附著污染物質(zhì)。其結(jié)果，能夠可靠地防止曝光處理前的基板的污染。
(6)第三處理單元包括在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理后對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的干燥處理單元，具有干燥處理單元的第三處理單位相鄰于交接部而配置，交接部具有第四搬送單元，該第四搬送單元將曝光處理前的基板交接到曝光裝置，而將曝光處理后的基板從曝光裝置搬送到干燥處理單元，并接收由干燥處理單元進(jìn)行過干燥處理的基板。
此時(shí)，在交接部中，通過第四搬送單元來(lái)將曝光處理前的基板交接到曝光裝置，并通過第四搬送單元來(lái)將曝光處理后的基板從曝光裝置搬送到干燥處理單元。
在包含在第三處理單位的干燥處理單元中，進(jìn)行對(duì)基板的干燥處理。然后，在交接部中，通過第四搬送單元來(lái)接收由干燥處理單元進(jìn)行了干燥處理的基板。
由此，能夠防止當(dāng)由曝光裝置進(jìn)行曝光處理時(shí)附著在基板上的液體落下到基板處理裝置內(nèi)。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置的電氣系統(tǒng)的異常等動(dòng)作不良。
另外，通過對(duì)曝光處理后的基板進(jìn)行干燥處理，能夠防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理后的基板上，從而能夠防止基板的污染。
另外，能夠防止向基板處理裝置內(nèi)搬送附著有液體的基板，從而能夠防止在曝光處理時(shí)附著在基板上的液體給基板處理裝置內(nèi)的環(huán)境帶來(lái)影響。由此，基板處理裝置內(nèi)的溫濕度調(diào)整變得容易。
另外，能夠防止在曝光處理時(shí)附著在基板上的液體在基板處理裝置中附著于曝光處理前的其他基板上。因此，能夠防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理前的其他基板上，從而能夠防止在曝光處理時(shí)的解像性能的劣化的同時(shí)，能夠可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。
這樣的結(jié)果，能夠可靠地防止對(duì)基板W的處理不良。
(7)第四搬送單元包括保持基板的第三以及第四保持部，第四搬送單元，當(dāng)將曝光處理前的基板交接到曝光裝置時(shí)、以及接收由干燥處理單元進(jìn)行過干燥處理的基板時(shí)，通過第三保持部來(lái)保持基板，當(dāng)將曝光處理后的基板從曝光裝置搬送到干燥處理單元時(shí)，通過第四保持部來(lái)保持基板也可。
此時(shí)，在交接部中，通過第四搬送單元的第三保持部來(lái)保持曝光處理前的基板，并將其交接到曝光裝置。
另外，通過第四搬送單元的第四保持部來(lái)保持曝光處理后的基板，并將其從曝光裝置搬送到干燥處理單元。
進(jìn)而，通過第四搬送單元的第三保持部來(lái)保持由干燥處理單元進(jìn)行了干燥處理的基板，并將其從干燥處理單元接收。
即，對(duì)在曝光處理時(shí)附著有液體的基板進(jìn)行搬送時(shí)，使用第四保持部；對(duì)曝光處理前以及由干燥處理單元進(jìn)行干燥處理后的沒有附著液體的基板進(jìn)行搬送時(shí)，使用第三保持部。因此，能夠防止液體附著在第三保持部上。
由此，能夠防止在曝光處理前以及由干燥處理單元進(jìn)行干燥處理后的基板上附著液體。其結(jié)果，能夠可靠地防止在曝光處理前以及由干燥處理單元進(jìn)行干燥處理后的基板上附著環(huán)境中的灰塵等。
(8)將第四保持部設(shè)置在第三保持部的下方也可。此時(shí)，即使液體從第四保持部及由其保持的基板上落下，也能夠防止液體附著在第三保持部及由其保持的基板上。
由此，能夠可靠地防止在曝光處理前的基板上附著灰塵等。其結(jié)果，能夠可靠地防止曝光處理前的基板的污染。
(9)第二處理單元包括感光性膜形成單元也可，該感光性膜形成單元在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜。此時(shí)，通過感光性膜形成單元在清洗過端部的曝光處理前的基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜。
由此，在基板上形成感光性膜時(shí)，能夠除去附著在基板的端部的污染物質(zhì)，從而能夠防止由基板的端部的污染導(dǎo)致的感光性膜的形成不良、從而能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
另外，在一個(gè)基板處理裝置內(nèi)，能夠進(jìn)行對(duì)基板的端部的清洗的同時(shí)，能夠在基板上形成感光性膜，從而可以減少占用面積。
(10)第二處理單元還包括保護(hù)膜形成單元也可，該保護(hù)膜形成單元形成保護(hù)感光性膜的保護(hù)膜。此時(shí)，由于在感光性膜上形成保護(hù)膜，所以即使在曝光裝置中基板與液體相接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，也能夠防止感光性膜的成分溶出到液體中。由此，能夠可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。
(11)第三處理單元還包括除去單元也可，該除去單元在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理后除去保護(hù)膜。此時(shí)，能夠可靠地除去在感光性膜上形成的保護(hù)膜。
(12)第二處理單元還包括反射防止膜形成單元也可，該反射防止膜形成單元在由感光性膜形成單元形成感光性膜之前形成反射防止膜。此時(shí)，由于在基板上形成有反射防止膜，從而能夠減少在曝光處理時(shí)發(fā)生的駐波和光暈。
(13)第三處理單元包括對(duì)基板進(jìn)行顯影處理的顯影處理單元也可。此時(shí)，通過顯影處理單元來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的顯影處理。
這樣，在一個(gè)基板處理裝置內(nèi)，能夠進(jìn)行對(duì)基板的端部的清洗的同時(shí)，能夠進(jìn)行對(duì)基板的顯影處理，從而能夠減少占用面積。
(14)第一處理單元使用刷子來(lái)清洗基板的端部也可。此時(shí)，在第一處理單元中，通過刷子來(lái)對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗。
這樣，當(dāng)使用刷子來(lái)對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗時(shí)，由于刷子直接接觸到基板的端部，所以能夠機(jī)械地剝離在基板的端部的污染物質(zhì)。由此，能夠可靠地除去牢固地附著在端部上的污染物質(zhì)。
(15)第一處理單元使用二流體噴嘴來(lái)清洗基板的端部也可。此時(shí)，在第一處理單元中，通過二流體噴嘴來(lái)對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗。
這樣，當(dāng)使用二流體噴嘴來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的端部的清洗時(shí)，氣體與液體的混合流體被噴出到基板的端部，從而對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗。這樣，能夠通過使用混合流體來(lái)獲得很高的清洗效果。
另外，通過向基板的端部噴出氣體與液體的混合流體，而在非接觸狀態(tài)下對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗，從而能夠防止在清洗時(shí)對(duì)基板的端部的損傷。進(jìn)而，通過對(duì)混合流體的噴出壓力以及混合流體中的氣體與液體的比例進(jìn)行控制，還能夠輕易地控制對(duì)基板的端部的清洗條件。
另外，由于通過二流體噴嘴則能夠向基板的端部噴出均勻的混合流體，從而不會(huì)發(fā)生清洗不均。
(16)第一處理單元使用超聲波噴嘴來(lái)清洗基板的端部也可。此時(shí)，在第一處理單元中，通過超聲波噴嘴來(lái)對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗。
這樣，當(dāng)使用超聲波噴嘴來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的端部清洗處理時(shí)，對(duì)通過超聲波噴嘴內(nèi)的液體施加與高頻電流值對(duì)應(yīng)的高頻輸出。
由此，向基板的端部噴出處于超聲波振動(dòng)狀態(tài)的液體，從而對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗。此時(shí)，可以根據(jù)基板的種類以及清洗條件，以電的方式可變控制施加于液體的高頻輸出。
(17)處理部還包括第二處理單元，該第二處理單元在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜，第一處理單元通過用于由浸液法的曝光處理中的液體，來(lái)清洗由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部也可。
在該基板處理裝置中，通過交接部在處理部與曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接。在基板上通過第二處理單元來(lái)形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜。
另外，在第一處理單元中，通過用于由浸液法的曝光處理中的液體來(lái)清洗由曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部。由此，在曝光處理中從感光性膜溶出或析出的成分，預(yù)先在第一處理單元中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被沖洗掉。因此，能夠防止在曝光處理時(shí)感光性膜的成分溶出或析出到上述液體中。由此，能夠防止曝光裝置被污染。其結(jié)果，能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
這里，在曝光處理時(shí)可能會(huì)溶出或析出到上述液體中的成分并不僅限于包含在上述感光性膜中的成分，也會(huì)有包含于通過設(shè)置在本發(fā)明的基板處理裝置外部的外部裝置而形成在基板上的半導(dǎo)體膜、金屬膜、絕緣膜或有機(jī)膜等中的成分。也能夠使包含在這些膜中的成分預(yù)先在第一處理單元中溶出或析出。
進(jìn)而，在一個(gè)基板處理裝置內(nèi)，能夠進(jìn)行對(duì)基板的端部的清洗的同時(shí)，能夠在基板上形成感光性膜，從而能夠減少占用面積。
(18)處理部還包括第三處理單元，該第三處理單元在由第二處理單元形成的感光性膜上形成保護(hù)該感光性膜的保護(hù)膜，第三處理單元通過液體來(lái)清洗在曝光處理前的基板的端部露出的感光性膜。
此時(shí)，通過保護(hù)膜來(lái)保護(hù)形成在基板上的感光性膜。另外，在基板的端部存在沒有被保護(hù)膜覆蓋而處于露出的狀態(tài)的感光性膜時(shí)，也會(huì)在第一處理單元中通過用于由浸液法的曝光處理中的液體來(lái)清洗曝光處理前的基板的該端部。由此，在曝光處理中從處于露出狀態(tài)的感光性膜溶出或析出的成分，預(yù)先在第一處理單元中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被沖洗掉。因此，能夠防止在曝光處理時(shí)感光性膜的成分溶出或析出。由此，可以防止曝光裝置被污染。其結(jié)果，能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
(19)處理部還包括第四處理單元，該第四處理單元在由第二處理單元形成感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜，第一處理單元通過液體來(lái)清洗在曝光處理前的基板的端部露出的反射防止膜以及感光性膜中的一方或雙方。
此時(shí)，由于在基板上形成反射防止膜，從而能夠減少在曝光處理時(shí)產(chǎn)生駐波以及光暈。另外，在第一處理單元中，通過用于由浸液法的曝光處理中的液體來(lái)清洗通過曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部。由此，在曝光處理中從反射防止膜以及感光性膜中的一方或雙方溶出或析出的成分，預(yù)先在第一處理單元中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被沖洗掉。因此，能夠防止在曝光處理時(shí)反射防止膜以及感光性膜中一方或雙方的成分溶出或析出。由此，可以防止曝光裝置被污染。其結(jié)果，能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
(20)液體也可以包括在純水、丙三醇以及混合了高折射率的微粒與純水的混合液中的至少一種。此時(shí)，能夠通過這些液體來(lái)良好地進(jìn)行由浸液法的曝光處理的同時(shí)，能夠在第一處理單元中良好地清洗基板的端部。
(21)高折射率的微粒也可以包括鋁氧化物。此時(shí)，能夠通過包括鋁氧化物的液體來(lái)良好地進(jìn)行由浸液法的曝光處理，同時(shí)還能夠在第一處理單元中良好地清洗基板的端部。
(22)交接部包括搬送裝置，該搬送裝置在處理部和曝光裝置之間搬送基板，搬送裝置包括保持基板的第一以及第二保持部，當(dāng)搬送曝光處理前的基板時(shí)，通過第一保持部來(lái)保持基板，當(dāng)搬送曝光處理后的基板時(shí)，通過第二保持部來(lái)保持基板也可。
此時(shí)，當(dāng)搬送曝光處理時(shí)附著有液體的基板時(shí)使用第二保持部，而當(dāng)搬送曝光處理前沒有附著液體的基板時(shí)使用第一保持部。因此，能夠防止液體附著在第一保持部上。由此，能夠防止液體附著在曝光處理前的基板上。由此，能夠可靠地防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理前的基板上。
(23)將第二保持部設(shè)置在第一保持部的下方也可。此時(shí)，即使液體從第二保持部及由其保持的基板上落下，也能夠防止液體附著在第一保持部及由其保持的基板上。由此，能夠可靠地防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理前的基板上。
(24)處理部還包括第五處理單元也可，該第五處理單元在曝光處理后除去保護(hù)膜。此時(shí)，能夠可靠地除去在感光性膜上形成的保護(hù)膜。
(25)處理部還包括對(duì)基板進(jìn)行顯影處理第六處理單元也可。此時(shí)，通過第六處理單元來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的顯影處理。這樣，在一個(gè)基板處理裝置內(nèi)，能夠進(jìn)行對(duì)基板的端部的清洗的同時(shí)，能夠進(jìn)行對(duì)基板的顯影處理，從而能夠減少占用面積。
(26)第一處理單元包括二流體噴嘴也可，該二流體噴嘴向基板的端部噴出液體以及氣體的混合流體。
此時(shí)，在第一處理單元中，通過二流體噴嘴來(lái)清洗基板的端部。這樣，當(dāng)使用二流體噴嘴來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的端部清洗時(shí)，氣體與液體的混合流體被噴出到基板的端部，從而對(duì)該端部進(jìn)行清洗。這樣，能夠獲得很高的清洗效果。
另外，通過向基板的端部噴出氣體與液體的混合流體，而可在非接觸狀態(tài)下對(duì)基板的端部進(jìn)行清洗，從而能夠防止清洗時(shí)對(duì)基板的端部的損傷。進(jìn)而，通過對(duì)混合流體的噴出壓力以及在混合流體中的氣體與液體的比例進(jìn)行控制，還能夠輕易地控制對(duì)基板的端部的清洗條件。
另外，由于通過二流體噴嘴則能夠向基板的端部噴出均勻的混合流體，從而不會(huì)發(fā)生清洗不均。
(27)第一處理單元包括超聲波噴嘴也可，該超聲波噴嘴給液體施加超聲波的同時(shí)，將液體噴出到上述基板的端部。
此時(shí)，在第一處理單元中，通過超聲波噴嘴來(lái)清洗基板的端部。這樣，當(dāng)使用超聲波噴嘴來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的端部的清洗處理時(shí)，對(duì)通過超聲波噴嘴內(nèi)的液體施加與高頻電流值對(duì)應(yīng)的高頻輸出。由此，向基板的端部噴出處于超聲波振動(dòng)狀態(tài)的液體，從而對(duì)該端部進(jìn)行清洗，此時(shí)，可以根據(jù)基板的種類以及清洗條件，以電的方式可變控制施加于液體的高頻輸出。


圖1是第一實(shí)施方式的基板處理裝置的示意性俯視圖。
圖2是從+X方向觀察圖1的基板處理裝置的側(cè)視圖。
圖3是從-X方向觀察圖1的基板處理裝置的側(cè)視圖。
圖4是用于說(shuō)明端部清洗單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖5是用于說(shuō)明基板的端部的概略的示意圖。
圖6A、圖6B是用于說(shuō)明圖4的端部清洗單元的端部清洗裝置的結(jié)構(gòu)的圖。
圖7是用于說(shuō)明使用在第一實(shí)施方式中的端部清洗單元的其他結(jié)構(gòu)例的圖。
圖8是表示用于端部清洗處理的二流體噴嘴的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一例的縱剖面圖。
圖9是表示用于端部清洗處理的二流體噴嘴的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的其他例子的縱剖面圖。
圖10是用于說(shuō)明使用在第一實(shí)施方式中的端部清洗單元的另一個(gè)其他結(jié)構(gòu)例的圖。
圖11是從-Y方向觀察圖1的端部清洗處理模塊的圖。
圖12是用于說(shuō)明清洗/干燥處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖13是用于說(shuō)明清洗/干燥處理單元的動(dòng)作的圖。
圖14是用于說(shuō)明接口用搬送機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。
圖15是表示干燥處理用噴嘴的其他例子的示意圖。
圖16是表示干燥處理用噴嘴的其他例子的示意圖。
圖17是用于說(shuō)明使用了圖16的干燥處理用噴嘴時(shí)的基板的干燥處理方法的圖。
圖18是表示干燥處理用噴嘴的其他例子的示意圖。
圖19是表示清洗/干燥處理單元的其他例子的示意圖。
圖20是用于說(shuō)明使用了圖19的清洗/干燥處理單元時(shí)的基板的干燥處理方法的圖。
圖21是第二實(shí)施方式的基板處理裝置的示意性俯視圖。
圖22是從+X方向觀察圖21的基板處理裝置的側(cè)視圖。
圖23是從-X方向觀察圖21的基板處理裝置的側(cè)視圖。
圖24是用于說(shuō)明使用在第二實(shí)施方式中的端部清洗單元的其他結(jié)構(gòu)例的圖。
圖25是用于說(shuō)明使用在第二實(shí)施方式中的端部清洗單元的另一個(gè)其他結(jié)構(gòu)例的圖。
圖26是用于說(shuō)明接口用搬送機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，針對(duì)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的基板處理裝置，使用附圖進(jìn)行說(shuō)明。在以下的說(shuō)明中，所謂基板指的是半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等，而且基板含有硅(Si)。
另外，在以下的附圖中，為了明確位置關(guān)系，標(biāo)有表示相互垂直的X方向、Y方向、Z方向的箭頭。X方向以及Y方向在水平面內(nèi)相互垂直，而Z方向相當(dāng)于鉛垂方向。此外，在各方向上，將箭頭指向的方向設(shè)為+方向，而將其相反的方向設(shè)為一方向。另外，將以Z方向?yàn)橹行牡男D(zhuǎn)方向設(shè)為θ方向。
A.第一實(shí)施方式(1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)下面，參照附圖對(duì)第一實(shí)施方式的基板處理裝置進(jìn)行說(shuō)明。
圖1是第一實(shí)施方式的基板處理裝置的示意性俯視圖。
如圖1所示，基板處理裝置500包括分度器模塊8、端部清洗處理模塊9、反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、顯影處理模塊12、抗蝕覆蓋膜用處理模塊13、抗蝕覆蓋膜除去模塊14、清洗/干燥處理模塊15以及接口模塊16。在基板處理裝置500中，這些模塊以上述順序并列設(shè)置。
以與基板處理裝置500的接口模塊16相鄰的方式配置有曝光裝置17。在曝光裝置17中，通過浸液法對(duì)基板W進(jìn)行曝光處理。
分度器模塊8包括控制各模塊的動(dòng)作的主控制器(控制部)81、多個(gè)搬運(yùn)器裝載臺(tái)82以及分度器機(jī)械手IR。在分度器機(jī)械手IR上，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部IRH1、IRH2。
端部清洗處理模塊9包括端部清洗后熱處理部900、901、端部清洗處理模塊90以及第一中心機(jī)械手CR1。端部清洗處理部90中間隔著第一中心機(jī)械手CR1而與端部清洗后熱處理部900、901相對(duì)向地被設(shè)置。在第一中心機(jī)械手CR1，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH91、CRH92。
在分度器模塊8和端部清洗處理模塊9之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用隔斷壁19。在該隔斷壁19，上下接近設(shè)置有用于在分度器模塊8和端部清洗處理模塊9之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS81、PASS82。上側(cè)的基板裝載部PASS81在將基板W從分度器模塊8搬送到端部清洗處理模塊9時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS82在將基板W從端部清洗處理模塊9搬送到分度器模塊8時(shí)被使用。
另外，在基板裝載部PASS81、PASS82設(shè)置有檢測(cè)出基板W的有無(wú)的光學(xué)式傳感器(未圖示)。由此，可以進(jìn)行在基板裝載部PASS81、PASS82上是否裝載有基板W的判定。另外，在基板裝載部PASS81、PASS82設(shè)置有被固定設(shè)置的多根支承銷。此外，上述的光學(xué)式傳感器以及支承銷，也同樣設(shè)置在后述的基板裝載部PASS1～PASS16上。
反射防止膜用處理模塊10包括反射防止膜用熱處理部100、101、反射防止膜用涂敷處理部30以及第二中心機(jī)械手CR2。反射防止膜用涂敷處理部30中間隔著第二中心機(jī)械手CR2而與反射防止膜用熱處理部100、101相對(duì)向地被設(shè)置。在第二中心機(jī)械手CR2，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在端部清洗處理模塊9和反射防止膜用處理模塊10之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁20。在該隔斷壁20，上下接近設(shè)置有用于在端部清洗處理模塊9和反射防止膜用處理模塊10之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS1、PASS2。上側(cè)的基板裝載部PASS1在將基板W從端部清洗處理模塊9搬送到反射防止膜用處理模塊10時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS2在將基板W從反射防止膜用處理模塊10搬送到端部清洗處理模塊9時(shí)被使用。
抗蝕膜用處理模塊11包括抗蝕膜用熱處理部110、111、抗蝕膜用涂敷處理部40以及第三中心機(jī)械手CR3?？刮g膜用涂敷處理部40中間隔著第三中心機(jī)械手CR3而與抗蝕膜用熱處理部110、111相對(duì)向地被設(shè)置。在第三中心機(jī)械手CR3，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用處理模塊10和抗蝕膜用處理模塊11之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁21。在該隔斷壁21，上下接近設(shè)置有用于在反射防止膜用處理模塊10和抗蝕膜用處理模塊11之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS3、PASS4。上側(cè)的基板裝載部PASS3在將基板W從反射防止膜用處理模塊10搬送到抗蝕膜用處理模塊11時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS4在將基板W從抗蝕膜用處理模塊11搬送到反射防止膜用處理模塊10時(shí)被使用。
顯影處理模塊12包括顯影用熱處理部120、121、顯影處理部50以及第四中心機(jī)械手CR4。顯影處理部50中間隔著第四中心機(jī)械手CR4而與顯影用熱處理部120、121相對(duì)向地被設(shè)置。在第四中心機(jī)械手CR4，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蝕膜用處理模塊11和顯影處理模塊12之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁22。在該隔斷壁22，上下接近設(shè)置有用于在抗蝕膜用處理模塊11和顯影處理模塊12之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS5、PASS6。上側(cè)的基板裝載部PASS5在將基板W從抗蝕膜用處理模塊11搬送到顯影處理模塊12時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS6在將基板W從顯影處理模塊12搬送到抗蝕膜用處理模塊11時(shí)被使用。
抗蝕覆蓋膜用處理模塊13包括抗蝕覆蓋膜用熱處理部130、131、抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60以及第五中心機(jī)械手CR5?？刮g覆蓋膜用涂敷處理部60中間隔著第五中心機(jī)械手CR5而與抗蝕覆蓋膜用熱處理部130、131相對(duì)向地被設(shè)置。在第五中心機(jī)械手CR5，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在顯影處理模塊12和抗蝕覆蓋膜用處理模塊13之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁23。在該隔斷壁23，上下接近設(shè)置有用于在顯影處理模塊12和抗蝕覆蓋膜用處理模塊13之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS7、PASS8。上側(cè)的基板裝載部PASS7在將基板W從顯影處理模塊12搬送到抗蝕覆蓋膜用處理模塊13時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS8在將基板W從抗蝕覆蓋膜用處理模塊13搬送到顯影處理模塊12時(shí)被使用。
抗蝕覆蓋膜除去模塊14包括抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b以及第六中心機(jī)械手CR6?？刮g覆蓋膜除去用處理部70a、70b中間隔著第六中心機(jī)械手CR6而相互對(duì)向地被設(shè)置。在第六中心機(jī)械手CR6，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH9、CRH10。
在抗蝕覆蓋膜用處理模塊13和抗蝕覆蓋膜除去模塊14之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁24。在該隔斷壁24，上下接近設(shè)置有用于在抗蝕覆蓋膜用處理模塊13和抗蝕覆蓋膜除去模塊14之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS9、PASS10。上側(cè)的基板裝載部PASS9在將基板W從抗蝕覆蓋膜用處理模塊13搬送到抗蝕覆蓋膜除去模塊14時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS10在將基板W從抗蝕覆蓋膜除去模塊14搬送到抗蝕覆蓋膜用處理模塊13時(shí)被使用。
清洗/干燥處理模塊15包括曝光后烘干用熱處理部150、151、清洗/干燥處理部80以及第七中心機(jī)械手CR7。曝光后烘干用熱處理部151相鄰于接口模塊16，并且，如后所述，具有基板裝載部PASS13、PASS14。清洗/干燥處理部80中間隔著第七中心機(jī)械手CR7而與曝光后烘干用熱處理部150、151相對(duì)向地被設(shè)置。在第七中心機(jī)械手CR7，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH11、CRH12。
在抗蝕覆蓋膜除去模塊14和清洗/干燥處理模塊15之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁25。在該隔斷壁25，上下接近設(shè)置有用于在抗蝕覆蓋膜除去模塊14和清洗/干燥處理模塊15之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS11、PASS12。上側(cè)的基板裝載部PASS11在將基板W從抗蝕覆蓋膜除去模塊14搬送到清洗/干燥處理模塊15時(shí)被使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS12在將基板W從清洗/干燥處理模塊15搬送到抗蝕覆蓋膜除去模塊14時(shí)被使用。
接口模塊16包括第八中心機(jī)械手CR8、輸送緩沖貯存器SBF、接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR、以及邊緣曝光部EEW。另外，在邊緣曝光部EEW的下側(cè)設(shè)置有后述的基板裝載部PASS15、PASS16以及返回緩沖貯存器部RBF。在第八中心機(jī)械手CR8，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH13、CRH14，并在接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部H1、H2。
圖2是從+X方向觀察圖1的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
在端部清洗處理模塊9的端部清洗處理部90(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)端部清洗單元EC。后面對(duì)端部清洗單元EC進(jìn)行詳細(xì)描述。
在反射防止膜用處理模塊10的反射防止膜用涂敷處理部30(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元BARC。各涂敷單元BARC具有以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤31、以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤31上的基板W供給反射防止膜的涂敷液的供給噴嘴32。
在抗蝕膜用處理模塊11的抗蝕膜用涂敷處理部40(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元RES。各涂敷單元RES具有以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤41、以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤41上的基板W供給抗蝕膜的涂敷液的供給噴嘴42。
在顯影處理模塊12的顯影處理部50(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有5個(gè)顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV具有以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤51、以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤51上的基板W供給顯影液的供給噴嘴52。
在抗蝕覆蓋膜用處理模塊13的抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元COV。各涂敷單元COV具有以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤61、以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤61上的基板W供給抗蝕覆蓋膜的涂敷的供給噴嘴62。作為抗蝕覆蓋膜的涂敷液，可以使用和抗蝕劑以及水的親和力低的材料(與抗蝕劑以及水的反應(yīng)特性弱的材料)。例如，氟樹脂。涂敷單元COV通過使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)在基板W上涂敷涂敷液，而在形成在基板W上的抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜。
在抗蝕覆蓋膜除去模塊14的抗蝕覆蓋膜除去用處理部70b上(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)除去單元REM。各除去單元REM具有以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤71、以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤71上的基板W供給剝離液(例如氟樹脂)的供給噴嘴72。除去單元REM通過使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)在基板W上涂敷剝離液，而除去形成于基板W上的抗蝕覆蓋膜。
此外，除去單元REM中的抗蝕覆蓋膜的除去方法并不僅限于上述的例子。例如，可以通過在基板W的上方使狹縫噴嘴移動(dòng)的同時(shí)向基板W上供給剝離液來(lái)除去抗蝕覆蓋膜。
在清洗/干燥處理模塊15的清洗/干燥處理部80(參照?qǐng)D1)，上下層疊配置有3個(gè)清洗/干燥處理單元SD。后面對(duì)清洗/干燥處理單元SD進(jìn)行詳細(xì)描述。
在接口模塊16，上下層疊配置有2個(gè)邊緣曝光部EEW、基板裝載部PASS15、PASS16以及返回緩沖貯存器部RBF，同時(shí)配置有第八中心機(jī)械手CR8(參照?qǐng)D1)以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR。各邊緣曝光部EEW具有以水平姿勢(shì)吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤98、以及對(duì)保持在旋轉(zhuǎn)卡盤98上的基板W的周邊進(jìn)行曝光的光照射器99。
圖3是從-X方向觀察圖1的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
在端部清洗處理模塊9的端部清洗后熱處理部900，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元(加熱板)HP以及2個(gè)冷卻單元(冷卻板)CP，并在端部清洗后熱處理部901，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在端部清洗后熱處理部900、901的最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在反射防止膜用處理模塊10的反射防止膜用熱處理部100，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元(加熱板)HP以及2個(gè)冷卻單元(冷卻板)CP，并在反射防止膜用熱處理部101，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在反射防止膜用熱處理部100、101的最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕膜用處理模塊11的抗蝕膜用熱處理部110，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP，并在抗蝕膜用熱處理部111，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在抗蝕膜用熱處理部110、111的最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在顯影處理模塊12的顯影用熱處理部120，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP，并在顯影用熱處理部121，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在顯影用熱處理部120、121的最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕覆蓋膜用處理模塊13的抗蝕覆蓋膜用熱處理部130，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP，并在抗蝕覆蓋膜用熱處理部131，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在抗蝕覆蓋膜用熱處理部130、131的最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕覆蓋膜除去模塊14的抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a，上下層疊配置有3個(gè)除去單元REM。
在清洗/干燥處理模塊15的曝光后烘干用熱處理部150，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP以及2個(gè)冷卻單元CP，并在曝光后烘干用熱處理部151，上下層疊配置有2個(gè)加熱單元HP、2個(gè)冷卻單元CP以及基板裝載部PASS13、14。另外，在曝光后烘干用熱處理部150、151的最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
此外，端部清洗單元EC、涂敷單元BARC、RES、COV、清洗/干燥處理單元SD、除去單元REM、顯影處理單元DEV、加熱單元HP以及冷卻單元CP的個(gè)數(shù)，可以對(duì)應(yīng)各模塊的處理速度而適當(dāng)進(jìn)行變更。
(2)基板處理裝置的動(dòng)作下面，參照?qǐng)D1～圖3對(duì)第一實(shí)施方式的基板處理裝置500的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。
在分度器模塊8的搬運(yùn)器裝載臺(tái)82上，被搬入將多張基板W多級(jí)容納的搬運(yùn)器C。分度器機(jī)械手IR使用上側(cè)的手部IRH1來(lái)取出容納在搬運(yùn)器C內(nèi)的未處理的基板W。然后，分度器機(jī)械手IR沿±X方向移動(dòng)的同時(shí)沿±θ方向旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，從而將未處理的基板W裝載到基板裝載部PASS81上。
在本實(shí)施方式中，采用FOUP(front opening unified pod前開式統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)箱)作為搬運(yùn)器C，但是并不僅限于此，也可以使用SMIF(StandardMechanical InterFace標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面)盒或?qū)⑷菁{基板W曝露在外部空氣中的OC(open cassette開放式盒子)等。進(jìn)一步，在分度器機(jī)械手IR、第一～第八中心機(jī)械手CR1～CR8以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，使用分別相對(duì)基板W直線滑動(dòng)而進(jìn)行手部的進(jìn)退動(dòng)作的直線運(yùn)動(dòng)型搬送機(jī)械手，但是并不僅限于此，也可以使用通過活動(dòng)關(guān)節(jié)來(lái)進(jìn)行手部的直線進(jìn)退動(dòng)作的多關(guān)節(jié)型搬送機(jī)械手。
裝載到基板裝載部PASS81上的未處理的基板W，通過端部清洗處理模塊9的第一中心機(jī)械手CR1來(lái)被接收。第一中心機(jī)械手CR1用下側(cè)的手部CRH92來(lái)將該基板W搬入到端部清洗處理部90。在該端部清洗處理部90的端部清洗單元EC中，對(duì)搬入到基板處理裝置500內(nèi)的未處理的基板W的端部進(jìn)行清洗(端部清洗處理)。在后面對(duì)端部清洗單元EC進(jìn)行詳細(xì)描述。
第一中心機(jī)械手CR1用上側(cè)的手部CRH91來(lái)從端部清洗處理部90取出進(jìn)行過端部清洗處理的基板W，并將該基板W搬入到端部清洗后熱處理部900、901。
然后，第一中心機(jī)械手CR1用上側(cè)的手部CRH91來(lái)從端部清洗后熱處理部900、901取出熱處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS1。在后面對(duì)端部清洗處理模塊9中的第一中心機(jī)械手CR1的動(dòng)作進(jìn)行詳細(xì)描述。
裝載到基板裝載部PASS1上的基板W，通過反射防止膜用處理模塊10的第二中心機(jī)械手CR2來(lái)被接收。第二中心機(jī)械手CR2將該基板W搬入到反射防止膜用涂敷處理部30。在該反射防止膜用涂敷處理部30中，為了減少曝光處理時(shí)發(fā)生的駐波和光暈，而通過涂敷單元BARC來(lái)在基板W上涂敷形成反射防止膜。
然后，第二中心機(jī)械手CR2從反射防止膜用涂敷處理部30取出涂敷處理結(jié)束的基板W，并將該基板W搬入到反射防止膜用熱處理部100、101。接著，第二中心機(jī)械手CR2從反射防止膜用熱處理部100、101取出熱處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS3上。
裝載到基板裝載部PASS3的基板W，通過抗蝕膜用處理模塊11的第三中心機(jī)械手CR3來(lái)被接收。第三中心機(jī)械手CR3將基板W搬入到抗蝕膜用涂敷處理部40。在該抗蝕膜用涂敷處理部40中，通過涂敷單元RES來(lái)在涂敷形成有反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蝕膜。
然后，第三中心機(jī)械手CR3從抗蝕膜用涂敷處理部80取出涂敷處理結(jié)束的基板W，并將該基板W搬入到抗蝕膜用熱處理部110、111。接著，第三中心機(jī)械手CR3從抗蝕膜用熱處理部110、111取出熱處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS5上。
裝載到基板裝載部PASS5上的基板W，通過顯影處理模塊12的第四中心機(jī)械手CR4來(lái)被接收。第四中心機(jī)械手CR4將該基板W裝載到基板裝載部PASS7上。
裝載到基板裝載部PASS7上的基板W，通過抗蝕覆蓋膜用處理模塊13的第五中心機(jī)械手CR5來(lái)被接收。第五中心機(jī)械手CR5將該基板W搬入到抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60。在該抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60中，如上所述，通過涂敷單元COV來(lái)在抗蝕膜上涂敷形成抗蝕覆蓋膜。
然后，第五中心機(jī)械手CR5從抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60取出涂敷處理結(jié)束的基板W，并將該基板W搬入到抗蝕覆蓋膜用熱處理部130、131。接著，第五中心機(jī)械手CR5從抗蝕覆蓋膜用熱處理部130、131取出熱處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS9上。
裝載到基板裝載部PASS9上的基板W，通過抗蝕覆蓋膜除去模塊14的第六中心機(jī)械手CR6來(lái)被接收。第六中心機(jī)械手CR6將該基板W裝載到基板裝載部PASS11上。
裝載到基板裝載部PASS11上的基板W，通過清洗/干燥處理模塊15的第七中心機(jī)械手CR7來(lái)被接收。第七中心機(jī)械手CR7將該基板W裝載到基板裝載部PASS13上。
裝載到基板裝載部PASS13上的基板W，通過接口模塊16的第八中心機(jī)械手CR8來(lái)被接收。第八中心機(jī)械手CR8將該基板W搬入到邊緣曝光部EEW。在該邊緣曝光部EEW中，對(duì)基板W的周邊部實(shí)施曝光處理。
接著，第八中心機(jī)械手CR8從邊緣曝光部EEW取出邊緣曝光處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS15上。
裝載到基板裝載部PASS15上的基板W，通過接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR搬入到曝光裝置17的基板搬入部17a(參照?qǐng)D1)。
此外，在曝光裝置17不能接收基板W的情況下，基板W暫時(shí)容納保管在輸送緩沖貯存部SBF中。
在曝光裝置17中對(duì)基板W實(shí)施了曝光處理之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR從曝光裝置17的基板搬出部17b(參照?qǐng)D1)取出基板W，并搬入到清洗/干燥處理模塊15的清洗/干燥處理部80中。在清洗/干燥處理部80的清洗/干燥處理單元SD中，進(jìn)行對(duì)曝光處理后的基板W的清洗以及干燥處理。詳細(xì)情況在后面敘述。
在清洗/干燥處理部80中對(duì)曝光處理后的基板W實(shí)施了清洗以及干燥處理之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR從清洗/干燥處理部80取出基板W，并裝載到基板裝載部PASS16上。在后面對(duì)接口模塊16中的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作進(jìn)行詳細(xì)描述。
此外，在因故障等而在清洗/干燥處理部80暫時(shí)不能進(jìn)行清洗以及干燥處理時(shí)，可以將曝光處理后的基板W暫時(shí)容納保管在接口模塊16的返回緩沖貯存部RBF中。
裝載到基板裝載部PASS16上的基板W，通過接口模塊16的第八中心機(jī)械手CR8來(lái)被接收。第八中心機(jī)械手CR8將該基板W搬入到清洗/干燥處理模塊15的曝光后烘干用熱處理部151。在曝光后烘干用熱處理部151中，對(duì)基板W進(jìn)行曝光后烘干(PEB)。然后，第八中心機(jī)械手CR8從曝光后烘干用熱處理部151取出基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS14上。
此外，雖然在本實(shí)施方式中通過曝光后烘干用熱處理部151來(lái)進(jìn)行曝光后烘干，但也可以通過曝光后烘干用熱處理部150來(lái)進(jìn)行曝光后烘干。
裝載到基板裝載部PASS14上的基板W，通過清洗/干燥處理模塊15的第七中心機(jī)械手CR7來(lái)被接收。第七中心機(jī)械手CR7將該基板W裝載到基板裝載部PASS12上。
裝載到基板裝載部PASS 12上的基板W，通過抗蝕覆蓋膜除去模塊14的第六中心機(jī)械手CR6來(lái)被接收。第六中心機(jī)械手CR6將該基板W搬入到抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a或抗蝕覆蓋膜除去用處理部70b。在抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b中，通過除去單元REM來(lái)除去基板W上的抗蝕覆蓋膜。
然后，第六中心機(jī)械手CR6從抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a或抗蝕覆蓋膜除去用處理部70b取出處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS10。
裝載到基板裝載部PASS10上的基板W，通過抗蝕覆蓋膜用處理模塊13的第五中心機(jī)械手CR5來(lái)被接收。第五中心機(jī)械手CR5將該基板W裝載到基板裝載部PASS8上。
裝載到基板裝載部PASS8上的基板W，通過顯影處理模塊12的第四中心機(jī)械手CR4來(lái)被接收。第四中心機(jī)械手CR4將基板W搬入到顯影處理部50。在顯影處理部50中，通過顯影處理單元DEV來(lái)對(duì)基板W進(jìn)行顯影處理。
然后，第四中心機(jī)械手CR4從顯影處理部50取出顯影處理結(jié)束的基板W，并將該基板W搬入到顯影用熱處理部120、121。
接著，第四中心機(jī)械手CR4從顯影用熱處理部120、121取出熱處理后的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS6上。
裝載到基板裝載部PASS6上的基板W，通過抗蝕膜用處理模塊11的第三中心機(jī)械手CR3來(lái)被接收。第三中心機(jī)械手CR3將該基板W裝載到基板裝載部PASS4上。
裝載到基板裝載部PASS4上的基板W，通過反射防止膜用處理模塊10的第二中心機(jī)械手CR2來(lái)被接收。第二中心機(jī)械手CR2將該基板W裝載到基板裝載部PASS2上。
裝載到基板裝載部PASS2上的基板W，通過端部清洗處理模塊9的第一中心機(jī)械手CR1來(lái)被接收。第一中心機(jī)械手CR1將該基板W裝載到基板裝載部PASS82上。
裝載到基板裝載部PASS82上的基板W，通過分度器模塊8的分度器機(jī)械手IR被容納在搬運(yùn)器C內(nèi)。
(3)關(guān)于端部清洗單元這里，使用附圖對(duì)上述的端部清洗單元EC進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。此外，在以下說(shuō)明的端部清洗單元EC的各構(gòu)成元件的動(dòng)作，將會(huì)受到圖1的主控制器(控制部)81的控制。
(3-a)端部清洗單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)例圖4是用于說(shuō)明端部清洗單元EC的結(jié)構(gòu)的圖。如圖4所示，端部清洗單元EC具有旋轉(zhuǎn)卡盤201，該旋轉(zhuǎn)卡盤201用于以水平保持基板W的同時(shí)使基板W在通過基板W的中心的、垂直的旋轉(zhuǎn)軸的周圍進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤201固定在通過卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)204來(lái)旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸203的上端。另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤201上形成有吸氣路徑(無(wú)圖示)，并通過在將基板W裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤201上的狀態(tài)下對(duì)吸氣路徑內(nèi)進(jìn)行排氣，而將基板W的下表面真空吸附在旋轉(zhuǎn)卡盤201上，從而能夠?qū)⒒錡以水平姿勢(shì)保持。
在既是旋轉(zhuǎn)卡盤201的側(cè)方且又是端部清洗單元EC內(nèi)的上部的位置，設(shè)有端部清洗裝置移動(dòng)機(jī)構(gòu)230。在端部清洗裝置移動(dòng)機(jī)構(gòu)230，安裝有向下方延伸的棒狀的支承構(gòu)件220。支承構(gòu)件220通過端部清洗裝置移動(dòng)機(jī)構(gòu)230在水平方向(參照?qǐng)D4的箭頭M)移動(dòng)。
在支承構(gòu)件220的下端部，以向水平方向延伸的方式安裝有大致圓筒形的端部清洗裝置210。由此，端部清洗裝置210通過端部清洗裝置移動(dòng)機(jī)構(gòu)230而與支承構(gòu)件220一起移動(dòng)。
端部清洗裝置210位于與由旋轉(zhuǎn)卡盤201吸附保持的基板W大致相同的高度。由此，端部清洗裝置210的一端與基板W的端部R相對(duì)向。在以下的說(shuō)明中，將與端部清洗裝置210的基板W的端部R相對(duì)向的一端作為正面。
這里，參照下一個(gè)附圖對(duì)基板W的上述端部R的定義進(jìn)行說(shuō)明。
圖5是用于說(shuō)明基板W的端部R的概略的示意圖。如圖5所示，在基板W上形成有上述了的反射防止膜、抗蝕膜(都沒有圖示)以及抗蝕覆蓋膜。
基板W具有端面，如果示意性地圖示該端面，則如圖5所示。一般將該端面稱為斜面部。另外，將具有沿著形成抗蝕覆蓋膜的基板W的面的外周的寬度d(圖5)的環(huán)狀的區(qū)域，一般稱為周邊部。在本實(shí)施方式中，將上述的斜面部與周邊部統(tǒng)稱為端部R。此外，上述寬度d例如為2～3mm。
回到圖4，當(dāng)對(duì)基板W的端部清洗處理開始時(shí)，通過端部清洗裝置移動(dòng)機(jī)構(gòu)230，端部清洗裝置210移動(dòng)到基板W的端部位置。另外，當(dāng)對(duì)基板W的端部清洗處理結(jié)束時(shí)，通過端部清洗裝置移動(dòng)機(jī)構(gòu)230，端部清洗裝置210向遠(yuǎn)離基板W的端部R的位置移動(dòng)。
端部清洗裝置210在其內(nèi)部具有空間(后述的清洗室211)。在端部清洗裝置210連接有清洗液供給管241以及排氣管244。清洗液供給管241經(jīng)由閥門242而連接到未圖示的清洗液供給系統(tǒng)。通過打開閥門242，而使清洗液通過清洗液供給管241而供給到端部清洗裝置210的內(nèi)部空間。
另外，排氣管244連接到排氣部245。排氣部245吸引端部清洗裝置210的內(nèi)部空間的空氣，而通過排氣管244進(jìn)行排氣。
詳細(xì)說(shuō)明端部清洗裝置210。圖6是用于說(shuō)明圖4的端部清洗單元EC的端部清洗裝置210的結(jié)構(gòu)的圖。圖6A表示端部清洗裝置210的縱剖面圖，而圖6B表示端部清洗裝置210的主視圖。
如圖6A所示，在端部清洗裝置210的大致圓筒形的機(jī)架210a的內(nèi)部形成有清洗室211。
另外，如圖6A以及圖6B所示，在機(jī)架210a的正面?zhèn)刃纬捎羞B通清洗室211與外部的開口212。開口212以從中央部向兩側(cè)方上下寬度逐漸擴(kuò)大的方式具有圓弧狀的上面以及下面。當(dāng)對(duì)基板W進(jìn)行端部清洗處理時(shí)，在開口212被插入吸附保持在旋轉(zhuǎn)卡盤上的基板W的端部R。
在清洗室211內(nèi)，以沿鉛垂方向延伸的方式配置有大致圓筒形的刷子213。刷子213安裝在向鉛垂方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸214上。旋轉(zhuǎn)軸214的上端以及下端可旋轉(zhuǎn)地安裝在形成在清洗室31的上部以及下部的旋轉(zhuǎn)軸承上。由此，刷子213通過清洗室211以及旋轉(zhuǎn)軸214而可旋轉(zhuǎn)地被支承。
當(dāng)對(duì)基板W進(jìn)行端部清洗處理時(shí)，旋轉(zhuǎn)的基板W的端部R與刷子213相接觸。由此，通過刷子213對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。
這里，在圖4的端部清洗單元EC中，安裝有刷子213的旋轉(zhuǎn)軸214以與固定有旋轉(zhuǎn)卡盤201的旋轉(zhuǎn)軸203大致平行的方式被配置。由此，刷子213以確實(shí)接觸到旋轉(zhuǎn)的基板W的端部R的狀態(tài)進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。由此，附著在基板W的端部R上的污染物質(zhì)被剝離。
在端部清洗裝置210的上部，連接有上述清洗液供給管241以及排氣管244。
清洗液供給管241連接到形成在機(jī)架210a內(nèi)的清洗液供給路徑241a、241b。如圖6A所示，清洗液供給路徑241a從機(jī)架210a的外部延伸到清洗室211的上部?jī)?nèi)表面。另外，清洗液供給路徑241b從機(jī)架210a的外部延伸到清洗室211的下部?jī)?nèi)表面。在圖6A中，只表示清洗液供給路徑241b的一部分。
由此，當(dāng)對(duì)基板W進(jìn)行端部清洗處理時(shí)，供給到端部清洗裝置210的清洗液從上下方向向在清洗室211內(nèi)與刷子213接觸的基板W的端部R進(jìn)行噴出。由此，能夠高效地清洗基板W的端部R。
排氣管244通過設(shè)在機(jī)架210a的上部的孔部而插入到清洗室211內(nèi)。由此，如上所述，清洗室211內(nèi)的空氣被圖4的排氣部245所吸引，并通過排氣管244進(jìn)行排氣。
這樣，在清洗室211中，由于其內(nèi)部空氣通過排氣部245來(lái)被排氣，所以能夠高效地對(duì)揮發(fā)的清洗液以及清洗液的霧沫進(jìn)行排氣。
在上述中，作為供給到端部清洗裝置210并噴出到基板W的端部R上的清洗液，可以采用規(guī)定的抗蝕溶媒、氟類藥液、氨過氧化氫水溶液、以及使用在曝光裝置17的浸液法中的液體中的任意一種。
此外，作為清洗液，例如，也可以采用純水、在純水中溶解了絡(luò)合物(離子化的物質(zhì))的液體或純水、碳酸水、含氫水、電解離子水、HFE(氫氟醚)、氟酸、硫酸以及硫酸過氧化氫水溶液的任一種。
(3-b)端部清洗單元的其他結(jié)構(gòu)例端部清洗單元EC也可以具有以下的結(jié)構(gòu)。圖7是用于說(shuō)明使用在第一實(shí)施方式中的端部清洗單元EC的其他結(jié)構(gòu)例的圖。針對(duì)圖7的端部清洗單元EC，說(shuō)明與圖4的端部清洗單元EC不同的點(diǎn)。
如圖7所示，在旋轉(zhuǎn)卡盤201的外側(cè)設(shè)置有馬達(dá)301。在馬達(dá)301連接有旋轉(zhuǎn)軸302。另外，臂部303以向水平方向延伸的方式連接在旋轉(zhuǎn)軸302上，并在臂部303的前端設(shè)置有二流體噴嘴310。該二流體噴嘴310噴出由氣體以及液體構(gòu)成的混合流體。對(duì)其詳細(xì)內(nèi)容在后面描述。
此外，在臂部303的前端部，二流體噴嘴310以相對(duì)由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的面傾斜的方式被安裝。
當(dāng)對(duì)基板W的端部清洗處理開始時(shí)，通過馬達(dá)301使旋轉(zhuǎn)軸302旋轉(zhuǎn)的同時(shí)臂部303往復(fù)轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，二流體噴嘴310移動(dòng)到由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的端部R的斜上方。其結(jié)果，二流體噴嘴310的混合流體的噴出部310a與基板W的端部R相對(duì)向。
以通過馬達(dá)301、旋轉(zhuǎn)軸302以及臂部303的內(nèi)部的方式設(shè)置有清洗液供給管331。清洗液供給管331的一端連接到二流體噴嘴310的同時(shí)，另一端經(jīng)由閥門332而連接到未圖示的清洗液供給系統(tǒng)。通過打開閥門332，將清洗液通過清洗液供給管331而供給到二流體噴嘴310。此外，在本例中，作為清洗液例如使用純水，但是也可以取代純水而使用規(guī)定的抗蝕溶媒、氟類藥液、氨過氧化氫水溶液、使用于曝光裝置17中的浸液法中的液體、氟酸、硫酸以及硫酸過氧化氫水溶液中的任何一種。
另外，在二流體噴嘴310，與清洗液供給管331一起連接有氣體供給管341的一端。氣體供給管341的另一端經(jīng)由閥門342而連接到未圖示的氣體供給系統(tǒng)。通過打開閥門342，而將氣體供給到二流體噴嘴310。此外，在本例中，使用氮?dú)?N2)而作為供給到二流體噴嘴310的氣體，但也可以取代氮?dú)?N2)而使用氬氣或氦氣等其他惰性氣體。
當(dāng)對(duì)基板W進(jìn)行端部清洗處理時(shí)，清洗液以及氣體被供給到二流體噴嘴310。由此，從二流體噴嘴310對(duì)旋轉(zhuǎn)的基板W的端部R噴出混合流體。由此，對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。
對(duì)二流體噴嘴310的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一例進(jìn)行說(shuō)明。圖8是表示用于端部清洗處理的二流體噴嘴310的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一例的縱剖面圖。
圖8所示的二流體噴嘴310被稱為外部混合型。圖8所示的外部混合型二流體噴嘴310由內(nèi)部主體部311以及外部主體部312構(gòu)成。內(nèi)部主體部311例如由石英等構(gòu)成，而外部主體部312例如由PTFE(聚四氟乙烯)等的氟類樹脂構(gòu)成。
沿著內(nèi)部主體311的中心軸形成有純水導(dǎo)入部311b。在純水導(dǎo)入部311b上安裝有圖7的清洗液供給管331。由此，從清洗液供給管331供給的純水被導(dǎo)入到純水導(dǎo)入部311b中。
在內(nèi)部主體部311的下端形成有連通到純水導(dǎo)入部311b的純水噴出口311a。內(nèi)部主體部311被插入到外部主體部312內(nèi)。此外，內(nèi)部主體部311以及外部主體部312的上端部相互接合，而下端沒有接合。
在內(nèi)部主體部311與外部主體部312之間，形成有圓筒狀的氣體通過部312b。在外部主體部312的下端形成有連通到氣體通過部312b的氣體噴出口312a。在外部主體部312的周壁上，以連通到氣體通過部312b的方式安裝有圖7的氣體供給管341。由此，從氣體供給管341供給的氮?dú)?N2)被導(dǎo)入到氣體通過部312b。
氣體通過部312b，在氣體噴出口312a的附近越是下方位置其口徑越小。其結(jié)果，氮?dú)?N2)的流速被加速，并從氣體噴出口312a噴出。
在該二流體噴嘴310中，從純水噴出口311a噴出的純水與從氣體噴出口312a噴出的氮?dú)?N2)在二流體噴嘴310的下端附近混合，并生成含有純水的微細(xì)液滴的霧狀混合流體N。
如上所述，當(dāng)對(duì)基板W進(jìn)行端部清洗處理時(shí)，通過向基板W的端部R噴出霧狀的混合流體N，來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的端部R的表面的清洗。
此外，在圖7的端部清洗單元EC中，也可以取代圖8的二流體噴嘴310而使用在噴嘴主體的內(nèi)部進(jìn)行混合流體N的生成的內(nèi)部混合型二流體噴嘴310。下面，對(duì)二流體噴嘴310的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的其他例子進(jìn)行說(shuō)明。
圖9是表示用于端部清洗處理的二流體噴嘴310的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的其他例子的縱剖面圖。圖9所示的二流體噴嘴310被稱為內(nèi)部混合型。
圖9所示的內(nèi)部混合型二流體噴嘴310由氣體導(dǎo)入管333以及主體部334構(gòu)成。主體部334例如由石英構(gòu)成，而氣體導(dǎo)入管333例如由PTFE構(gòu)成。
在氣體導(dǎo)入管333形成有從上端連通到下端的氣體導(dǎo)入部333a。另外，在氣體導(dǎo)入管333的上端安裝有圖7的氣體供給管341。由此，從氣體供給管341供給的氮?dú)?N2)被導(dǎo)入到氣體導(dǎo)入部333a中。
主體部334由大口徑的上部筒334a、錐形部334b以及小口徑的下部筒334c構(gòu)成。
在上部筒334a的錐形部334b內(nèi)形成有混合室334d，而在下部筒334c內(nèi)形成有直流部334e。在下部筒334c的下端形成有連通到直流部334e的混合流體噴出口334f。
在主體部334的上筒部334a，以連通到混合室334d的方式安裝有圖7的清洗液供給管331。由此，從清洗液供給管331供給的純水被導(dǎo)入到混合室334d中。氣體導(dǎo)入管333的下端部被插入到主體部334的上部筒334a的混合室334d內(nèi)。
在圖9的內(nèi)部混合型二流體噴嘴310中，若從氣體導(dǎo)入部333a供給經(jīng)過加壓的氮?dú)?N2)，并從清洗液供給管331供給純水，則在混合室334d中氮?dú)?N2)與純水被混合，從而生成含有純水的微細(xì)液滴的霧狀混合流體N。
在混合室334d中生成的混合流體N沿著錐形部334b通過直流部334e，從而被加速。被加速的混合流體N從混合流體噴出口334f噴出到基板W的端部R。由此，對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。
(3-c)端部清洗單元的另一個(gè)其他結(jié)構(gòu)例端部清洗單元EC還可以有以下的結(jié)構(gòu)。圖10是用于說(shuō)明使用在第一實(shí)施方式中的端部清洗單元EC的另一個(gè)其他結(jié)構(gòu)例的圖。針對(duì)圖10的端部清洗單元EC，說(shuō)明與圖7的端部清洗單元EC不同的點(diǎn)。
如圖10所示，在本例的端部清洗單元EC中，在臂部303的前端取代二流體噴嘴310而設(shè)有超聲波噴嘴410。
此外，在本例中，超聲波噴嘴410也以相對(duì)由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的面傾斜的方式，安裝在臂部303的前端部。
在超聲波噴嘴410連接有清洗液供給管331。由此，與圖7的例子同樣，通過打開閥門332，使清洗液通過清洗液供給管331而供給到超聲波噴嘴410。此外，在本例中，也是使用純水作為清洗液。
在超聲波噴嘴410內(nèi)，內(nèi)置有高頻振子411。該高頻振子411與高頻波發(fā)生裝置420電連接。
當(dāng)對(duì)基板W進(jìn)行端部清洗處理時(shí)，從超聲波噴嘴410向基板W的端部R噴出純水。這里，從超聲波噴嘴410噴出純水時(shí)，從高頻波發(fā)生裝置420向高頻振子411供給高頻電流。
由此，高頻振子411進(jìn)行超聲波振動(dòng)，從而對(duì)通過超聲波噴嘴410內(nèi)的純水施加與高頻電流值對(duì)應(yīng)的高頻輸出。其結(jié)果，處于超聲波振動(dòng)狀態(tài)的純水被噴出到基板W的端部R，并對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。
(4)關(guān)于第一中心機(jī)械手針對(duì)具有上述的端部清洗單元EC的端部清洗處理模塊9的第一中心機(jī)械手CR1的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。圖11是從-Y方向觀察圖1的端部清洗處理模塊的圖。
如圖11所示，在第一中心機(jī)械手CR1的固定臺(tái)191上，在±θ方向可轉(zhuǎn)動(dòng)、且在±Z方向可升降地裝載有手部支承臺(tái)192。手部支承臺(tái)192經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸193而與固定臺(tái)191內(nèi)的馬達(dá)M1連接，所以通過該馬達(dá)M1而手部支承臺(tái)192可旋轉(zhuǎn)。在手部支承臺(tái)192，上下可自由進(jìn)退地設(shè)置有以水平姿勢(shì)保持基板W的2個(gè)手部CRH91、CRH92。
裝載到基板裝載部PASS81(參照?qǐng)D1)上的基板W，通過第一中心機(jī)械手CR1的下側(cè)的手部CRH92來(lái)被接收。然后，第一中心機(jī)械手CR1使手部支承臺(tái)192旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿±Z方向上升或下降，而通過手部CRH92將基板W搬入到端部清洗處理部90的端部清洗單元EC。由此，通過端部清洗單元EC對(duì)未處理的基板W的端部進(jìn)行清洗處理。
接著，第一中心機(jī)械手CR1通過上側(cè)的手部CRH91從端部清洗處理部90的端部清洗單元EC接收端部清洗處理結(jié)束的基板W。
接著，第一中心機(jī)械手CR1使手部支承臺(tái)192旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿±Z方向上升或下降，而通過手部CRH91將基板W搬入到端部清洗后熱處理部900的加熱單元HP。由此，通過加熱單元HP對(duì)基板W進(jìn)行加熱處理。由此，除去通過端部清洗而附著在基板W上的清洗液，從而基板W被干燥。
然后，第一中心機(jī)械手CR1通過上側(cè)的手部CRH91從端部清洗后熱處理部900的加熱單元HP接收加熱處理結(jié)束的基板W。
第一中心機(jī)械手CR1將從加熱單元HP接收的基板W搬入到端部清洗后熱處理部900的冷卻單元CP。由此，通過冷卻單元CP對(duì)基板W進(jìn)行冷卻處理。
然后，第一中心機(jī)械手CR1通過上側(cè)的手部CRH91從端部清洗處理部900的冷卻單元CP接收冷卻處理結(jié)束的基板。第一中心機(jī)械手CR1將該基板W裝載到上側(cè)的基板裝載部PASS1上。
(5)關(guān)于清洗/干燥處理單元這里，使用附圖詳細(xì)說(shuō)明上述清洗/干燥處理單元SD。
(5-a)清洗/干燥處理單元的結(jié)構(gòu)針對(duì)清洗/干燥處理單元SD的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。圖12是用于說(shuō)明清洗/干燥處理單元SD的結(jié)構(gòu)的圖。
如圖12所示，清洗/干燥處理單元SD具有用于水平保持基板W的同時(shí)、在通過基板W的中心的鉛垂的旋轉(zhuǎn)軸的周圍使基板W旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤621。
旋轉(zhuǎn)卡盤621固定在通過卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸625的上端。另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤621形成有吸氣路徑(無(wú)圖示)，并通過在將基板W裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的狀態(tài)下對(duì)吸氣路徑內(nèi)進(jìn)行排氣，來(lái)將基板W的下表面真空吸附在旋轉(zhuǎn)卡盤621上，從而可以將基板W以水平姿勢(shì)保持。
在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)設(shè)置有第一馬達(dá)660。第一馬達(dá)660與第一旋轉(zhuǎn)軸661連接在一起。另外，第一臂部662以向水平方向延伸的方式連接在第一旋轉(zhuǎn)軸661上，并在第一臂部662的前端設(shè)置有清洗處理用噴嘴650。
通過第一馬達(dá)660旋轉(zhuǎn)第一旋轉(zhuǎn)軸661的同時(shí)，使第一臂部662轉(zhuǎn)動(dòng)，而使清洗處理用噴嘴650移動(dòng)到由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上方。
以通過第一馬達(dá)660、第一旋轉(zhuǎn)軸661以及第一臂部662的內(nèi)部的方式設(shè)置有清洗處理用供給管663。清洗處理用供給管663經(jīng)由閥門Va以及閥門Vb而連接到清洗液供給源R1以及漂洗液供給源R2。通過控制該閥門Va、Vb的開與關(guān)，能夠進(jìn)行供給到清洗處理用供給管663的處理液的選擇以及供給量的調(diào)整。在圖12的結(jié)構(gòu)中，通過打開閥門Va，能夠?qū)⑶逑匆汗┙o到清洗處理用供給管663，而通過打開閥門Vb，能夠?qū)⑵匆汗┙o到清洗處理用供給管663。
將清洗液或者漂洗液通過清洗處理用供給管663而從清洗液供給源R1或者漂洗液供給源R2供給到清洗處理用噴嘴650。由此，可以向基板W的表面供給清洗液或者漂洗液。作為清洗液例如可以使用純水、在純水中溶解了絡(luò)合物(離子化了的物質(zhì))的液體或者氟類藥液等。作為漂洗液例如可以使用純水、碳酸水、含氫水以及電解離子水、HFE(氫氟醚)中的任何一種。
在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)設(shè)置有第二馬達(dá)671。第二馬達(dá)671與第二旋轉(zhuǎn)軸672連接在一起。另外，第二臂部673以向水平方向延伸的方式連接在第二旋轉(zhuǎn)軸672，并在第二臂部673的前端設(shè)置有干燥處理用噴嘴670。
通過第二馬達(dá)671旋轉(zhuǎn)第二旋轉(zhuǎn)軸672的同時(shí)，使第二臂部673轉(zhuǎn)動(dòng)，而使干燥處理用噴嘴670移動(dòng)到由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上方。
以通過第二馬達(dá)671、第二旋轉(zhuǎn)軸672以及第二臂部673的內(nèi)部的方式設(shè)置有干燥處理用供給管674。干燥處理用供給管674經(jīng)由閥門Vc連接到惰性氣體供給源R3。通過控制該閥門Vc的開與關(guān)，可以調(diào)整供給到干燥處理用供給管674的惰性氣體的供給量。
惰性氣體經(jīng)由干燥處理用供給管674從惰性氣體供給源R3被供給到干燥處理用噴嘴670。由此，可以向基板W的表面供給惰性氣體。作為惰性氣體例如可以使用氮?dú)?N2)。
當(dāng)向基板W的表面供給清洗液或者漂洗液時(shí)，清洗處理用噴嘴650位于基板的上方，而當(dāng)向基板W的表面供給惰性氣體時(shí)，清洗處理用噴嘴650退避到規(guī)定的位置。
另外，當(dāng)向基板W的表面供給清洗液或者漂洗液時(shí)，干燥處理用噴嘴670退避到規(guī)定的位置，而當(dāng)向基板W的表面供給惰性氣體時(shí)，干燥處理用噴嘴670位于基板W的上方。
由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W被容納于處理杯623內(nèi)。在處理杯623的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有筒狀的間隔壁633。另外，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤621的周圍的方式形成有用于排出基板W的處理中使用的處理液(清洗液或者漂洗液)的排液空間631。進(jìn)一步，以包圍排液空間631的方式在處理杯623和間隔壁633之間形成有用于回收基板W的處理中使用過的處理液的回收液空間632。
在排液空間631連接有用于向排液處理裝置(未圖示)引導(dǎo)處理液的排液管634，而在回收液空間632連接有用于向回收處理裝置(未圖示)引導(dǎo)處理液的回收管635。
在處理杯623的上方設(shè)置有用于防止來(lái)自基板W的處理液向外側(cè)飛散的擋板624。該擋板624具有相對(duì)旋轉(zhuǎn)軸625而旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的形狀。在擋板624上端部的內(nèi)面，環(huán)狀地形成有截面為“＜”字狀的排液引導(dǎo)槽641。
另外，在擋板624的下端部的內(nèi)面，形成有由向外側(cè)下方傾斜的傾斜面構(gòu)成的回收液引導(dǎo)部642。在回收液引導(dǎo)部642的上端附近，形成有用于容納處理杯623的間隔壁633的間隔壁容納槽643。
在該擋板624設(shè)置有由滾珠絲杠機(jī)構(gòu)等構(gòu)成的擋板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。擋板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)使擋板624在回收液引導(dǎo)部642與由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的外周端部相對(duì)向的回收位置、和排液引導(dǎo)槽641與由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的外周端部相對(duì)向的排液位置之間上下移動(dòng)。在擋板624位于回收位置(如圖12所示的擋板的位置)的情況下，將從基板W向外側(cè)飛散的處理液通過回收液引導(dǎo)部642來(lái)引導(dǎo)到回收液空間632，并通過回收管635進(jìn)行回收。另一方面，在擋板624位于排液位置的情況下，將從基板W向外側(cè)飛散的處理液通過排液引導(dǎo)槽641來(lái)引導(dǎo)到排液空間631，并通過排液管634進(jìn)行排液。通過以上的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行對(duì)處理液的排液以及回收。
(5-b)清洗/干燥處理單元的動(dòng)作下面，對(duì)具有上述結(jié)構(gòu)的清洗/干燥處理單元SD的處理動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。此外，對(duì)以下說(shuō)明的清洗/干燥處理單元SD的各構(gòu)成元件的動(dòng)作，通過圖1的主控制器81(控制部)來(lái)進(jìn)行控制。
首先，當(dāng)搬入基板W時(shí)，擋板624下降的同時(shí)，圖1的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤621上。裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W，通過旋轉(zhuǎn)卡盤621而被吸附保持。
接著，擋板624移動(dòng)到上述排液位置的同時(shí)，清洗處理用噴嘴650向基板W的中心部上方移動(dòng)。然后，旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)，并隨著該旋轉(zhuǎn)被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W也旋轉(zhuǎn)。然后，將清洗液從清洗處理用噴嘴650噴到基板W的上面。由此，進(jìn)行對(duì)基板W的清洗。
此外，在清洗/干燥處理部80a，當(dāng)進(jìn)行該清洗時(shí)基板W上的抗蝕覆蓋膜的成分溶出到清洗液中。另外，在對(duì)基板W的清洗中，使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)向基板W上供給清洗液。此時(shí)，由于存在離心力，所以基板W上的清洗液總是向基板W的周邊部移動(dòng)并被飛散。因而，可以防止溶出到清洗液中的抗蝕覆蓋膜的成分殘留在基板W上。此外，對(duì)于上述抗蝕覆蓋膜的成分，例如也可以通過在基板W上盛滿純水并保持一定時(shí)間來(lái)進(jìn)行溶出。還有，向基板W上的清洗液的供給，也可以通過使用如圖8所示的二流體噴嘴的柔性噴出(ソフトスプレ一)方式來(lái)進(jìn)行。
經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，停止供給清洗液，并從清洗處理用噴嘴650噴出漂洗液。由此，沖洗基板W上的清洗液。
再經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，旋轉(zhuǎn)軸625的轉(zhuǎn)速降低。由此，通過基板W的旋轉(zhuǎn)來(lái)被甩掉的漂洗液的量減少，如圖13(a)所示，在基板W的整個(gè)表面上形成漂洗液的液層L。此外，也可以使旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)停止而在基板W的整個(gè)表面上形成液層L。
接著，停止供給漂洗液，并清洗處理用噴嘴650退避到規(guī)定的位置的同時(shí)，干燥處理用噴嘴670移動(dòng)到基板W的中心部上方。然后，從干燥處理用噴嘴670噴出惰性氣體。由此，如圖13(b)所示，基板W的中心部的漂洗液移動(dòng)到基板W的周邊部，從而變成僅在基板W的周邊部存在液層L的狀態(tài)。
接著，旋轉(zhuǎn)軸625(參照?qǐng)D12)的轉(zhuǎn)速上升的同時(shí)，如圖13(c)所示那樣，干燥處理用噴嘴670從基板W的中心部上方向周邊部上方緩緩移動(dòng)。由此，對(duì)基板W上的液層L作用很大離心力的同時(shí)，可以對(duì)基板W的整個(gè)表面噴出惰性氣體，因此，可以可靠地除去基板W上的液層L。其結(jié)果，可以可靠地使基板W干燥。
接著，停止供給惰性氣體，并使干燥處理噴嘴670退避到規(guī)定的位置的同時(shí)，使旋轉(zhuǎn)軸625停止旋轉(zhuǎn)。然后，擋板624下降的同時(shí)，圖1的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將基板W從清洗/干燥處理單元SD搬出。由此，結(jié)束在清洗/干燥處理單元SD中的處理動(dòng)作。此外，在清洗以及干燥處理中的擋板624的位置，最好按照處理液的回收或者廢棄的需要而適當(dāng)進(jìn)行變更。
此外，在上述實(shí)施方式中，采用了在清洗液的供給以及漂洗液的供給中共用清洗液處理用噴嘴650的結(jié)構(gòu)，以使從清洗液處理用噴嘴650都能夠供給清洗液以及漂洗液，但也可以采用分別分開清洗液供給用的噴嘴和漂洗液供給用噴嘴的結(jié)構(gòu)。
另外，當(dāng)供給漂洗液時(shí)，也可以從未圖示的防漂洗用噴嘴向基板W的背面供給純水，以使漂洗液不蔓延到基板W的背面。
另外，在作為清洗基板W的清洗液而使用純水的情況下，不需要進(jìn)行漂洗液的供給。
另外，在上述實(shí)施方式中，通過旋轉(zhuǎn)干燥方法來(lái)對(duì)基板W實(shí)施了干燥處理，但也可以通過減壓干燥方法、風(fēng)刀干燥方法等其他的干燥方法來(lái)對(duì)基板W實(shí)施干燥處理。
另外，在上述實(shí)施方式中，在形成有漂洗液的液層L的狀態(tài)下，從干燥處理用噴嘴670供給惰性氣體，但在不形成漂洗液的液層L的情況、或者不使用漂洗液的情況下，使基板W旋轉(zhuǎn)而將清洗液的液層一旦甩掉之后，立即從干燥處理用噴嘴670供給惰性氣體而使基板W完全干燥也可。
(6)關(guān)于接口模塊的接口用搬送機(jī)構(gòu)針對(duì)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR進(jìn)行說(shuō)明。圖14是用于說(shuō)明接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。
首先，針對(duì)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說(shuō)明。如圖14所示，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的可動(dòng)臺(tái)181螺合在螺軸182上。螺軸182以向X方向延伸的方式通過支承臺(tái)182可旋轉(zhuǎn)地被支承。在螺軸182的一端部設(shè)置有馬達(dá)M2，并通過該馬達(dá)M2，螺軸182旋轉(zhuǎn)，而使可動(dòng)臺(tái)181在±X方向上水平移動(dòng)。
另外，在可動(dòng)臺(tái)181，以在±θ方向可旋轉(zhuǎn)、且在±Z方向可升降地裝載有手部支承臺(tái)184。手部支承臺(tái)184經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸185而與可動(dòng)臺(tái)181內(nèi)的馬達(dá)M3連接在一起，而手部支承臺(tái)184通過該馬達(dá)M3來(lái)旋轉(zhuǎn)。在手部支承臺(tái)184，可自由進(jìn)退地上下設(shè)置有以水平姿勢(shì)保持基板W的2個(gè)手部H1、H2。
下面，針對(duì)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作進(jìn)行說(shuō)明。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作使通過圖1的主控制器(控制部)81來(lái)控制的。
首先，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR在圖14的位置A使手部支承臺(tái)184旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿+Z方向上升，而使上側(cè)的手部H1進(jìn)入到基板裝載部PASS15。若在基板裝載部PASS15手部H1接收到基板W，則接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H1從基板裝載部PASS15后退，并使手部支承臺(tái)184向-Z方向下降。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR向-X方向移動(dòng)，并在位置B使手部支承臺(tái)184旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使手部H1進(jìn)入到曝光裝置17的基板搬入部17a(參照?qǐng)D1)。將基板搬入到基板搬入部17a之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H1從基板搬入部17a后退。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使下側(cè)的手部H2進(jìn)入到曝光裝置17的基板搬出部17b(參照?qǐng)D1)。若在基板搬出部17b中手部H2接收到曝光處理后的基板W，則接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H2從基板搬出部17b后退。
然后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR向+X方向移動(dòng)，并在位置A使手部支承臺(tái)184旋轉(zhuǎn)同時(shí)，使手部H2進(jìn)入到清洗/干燥處理單元SD，從而將基板W搬入到清洗/干燥處理單元SD中。由此，通過清洗/干燥處理單元SD來(lái)對(duì)曝光處理后的基板W進(jìn)行清洗以及干燥處理。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使上側(cè)的手部H1進(jìn)入到清洗/干燥處理單元SD中，并從清洗/干燥處理單元SD接收清洗以及干燥處理后的基板W。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR將該基板W裝載到上側(cè)的基板裝載部PASS16上。
此外，如上所述，在曝光裝置17不能接收基板W的情況下，將基板W暫時(shí)容納保管在輸送緩沖貯存器SBF中。另外，在清洗/干燥處理單元SD中暫時(shí)不能進(jìn)行清洗以及干燥處理的情況下，可以將曝光處理后的基板W暫時(shí)容納保管在接口模塊15的返回緩沖貯存部RBF中。
在本實(shí)施方式中，通過一臺(tái)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR來(lái)進(jìn)行從基板裝載部PASS15到曝光裝置17的搬送、從曝光裝置17到清洗/干燥處理單元SD的搬送，但是，也可以使用多臺(tái)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的搬送。
(7)在第一實(shí)施方式中的效果(7-a)由端部清洗處理的效果如上所述，在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中的端部清洗處理模塊9的端部清洗處理部90中，通過端部清洗單元EC來(lái)對(duì)曝光處理前的基板W的端部R進(jìn)行清洗。由此，能夠除去附著在曝光處理前的基板W的端部R上的污染物質(zhì)。其結(jié)果，可以防止因基板W的端部的污染而引起的曝光裝置17內(nèi)的污染，從而能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
(7-b)關(guān)于端部清洗處理的時(shí)刻的效果端部清洗處理模塊9相鄰于基板W被搬入的分度器8而被設(shè)置，因此端部清洗處理模塊9中的基板W的端部清洗處理比在其他模塊中的其他處理先執(zhí)行。
由此，可防止基板W的端部R的污染物質(zhì)接觸污染到用于在各模塊之間搬送基板W的第一～第八中心機(jī)械手CR1～CR8以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部IRH1～14、H1、H2上。
由此，在反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、顯影處理模塊12、抗蝕覆蓋膜用處理模塊13、抗蝕覆蓋膜除去模塊14以及清洗/干燥處理模塊15中，能夠清潔地進(jìn)行對(duì)基板W的處理。
另外，由于能夠使基板W的端部R維持清潔，所以能夠充分地防止因基板W的端部R的污染引起的對(duì)基板W的處理不良。
(7-c)端部清洗處理模塊的效果包括端部清洗單元EC的端部清洗處理模塊9配置在其他模塊之間(分度器模塊8與反射防止膜用處理模塊10之間)。
這樣，由于本實(shí)施方式的基板處理裝置500具有在現(xiàn)有的基板處理裝置的基礎(chǔ)上追加了端部清洗處理模塊9的結(jié)構(gòu)，所以能夠以低成本防止由曝光處理前的基板W的端部的污染導(dǎo)致的曝光裝置內(nèi)的污染。
(7-d)關(guān)于第一中心機(jī)械手的手部的效果在端部清洗處理模塊9中，當(dāng)從基板裝載部PASS81向端部清洗處理部90搬送未處理的基板W時(shí)，使用第一中心機(jī)械手CR1的下側(cè)的手部CRH92，而當(dāng)從端部清洗處理部90向端部清洗后熱處理部900、901搬送端部清洗處理結(jié)束的基板W時(shí)、以及從端部清洗后熱處理部900、901向基板裝載部PASS1搬送未處理的基板W時(shí)，使用第一中心機(jī)械手CR1的上側(cè)的手部CRH91。
即，在清洗過端部R的基板W的搬送中使用手部CRH91，而在還未清洗端部R的基板W的搬送中使用手部CRH92。
此時(shí)，在端部清洗處理模塊9中，能夠防止附著在基板W的端部R上的污染物質(zhì)附著在手部CRH91上。另外，將手部CRH92設(shè)置在手部CRH91的下方，所以即使污染物質(zhì)從手部CRH92以及由其保持的基板W的端部R落下，也可以防止污染物質(zhì)附著在手部CRH91以及由其保持的基板W上。
由此，能夠可靠地防止污染物質(zhì)附著在曝光處理前的基板W上。其結(jié)果，能夠可靠地防止曝光處理前的基板W的污染。
(7-e)使用了刷子的端部清洗處理的效果在端部清洗單元EC中，如圖4以及圖6所示，當(dāng)使用刷子213來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，由于刷子213直接接觸到基板W的端部R，所以能夠機(jī)械性地剝離在基板W的端部R的污染物質(zhì)。由此，能夠可靠地除去牢固地附著在端部R上的污染物質(zhì)。
(7-f)使用了二流體噴嘴的端部清洗處理的效果在端部清洗單元EC中，如圖7～圖9所示，當(dāng)使用二流體噴嘴310來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，氣體與液體的混合流體N被噴出到基板W的端部R，從而對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。這樣，通過使用混合流體N，能夠取得很高的清洗效果。
另外，通過向基板W的端部R噴出氣體與液體的混合流體N，在非接觸狀態(tài)下對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗，因此能夠防止清洗時(shí)對(duì)基板W的端部R的損傷。進(jìn)而，通過控制混合流體N的噴出壓力以及混合流體N中的氣體與液體的比例，還能夠輕易地控制對(duì)基板W的端部R的清洗條件。
另外，由于通過二流體噴嘴310能夠向基板W的端部R噴出均勻的混合流體N，因此不會(huì)發(fā)生清洗不均。
(7-g)使用了超聲波噴嘴的端部清洗處理的效果在端部清洗單元EC中，如圖10所示，當(dāng)使用超聲波噴嘴410來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，對(duì)通過超聲波噴嘴410內(nèi)的純水施加與高頻電流值對(duì)應(yīng)的高頻輸出。
由此，向基板W的端部R噴出處于超聲波振動(dòng)狀態(tài)的純水，從而對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。此時(shí)，可以根據(jù)基板W的種類以及清洗條件來(lái)以電的方式可變控制施加于純水的高頻輸出。
(7-h)對(duì)曝光處理后的基板的清洗處理的效果在曝光裝置17中對(duì)基板W進(jìn)行了曝光處理之后，在清洗/干燥處理模塊15的清洗/干燥處理部80中進(jìn)行對(duì)基板W的清洗處理。此時(shí)，即使在曝光處理時(shí)附著了液體的基板W上附著了環(huán)境中的灰塵等，也能夠除去該附著物。由此，能夠防止基板W的污染。
另外，在清洗/干燥處理部80中，對(duì)曝光處理后的基板W進(jìn)行干燥處理。由此，能夠防止在曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體落到基板處理裝置500內(nèi)。其結(jié)果，能夠防止基板處理裝置500的電氣系統(tǒng)的異常等的動(dòng)作不良。
另外，通過對(duì)曝光處理后的基板W進(jìn)行干燥處理，能夠防止環(huán)境中的灰塵等附著在曝光處理后的基板W上，因此能夠防止基板W的污染。
另外，由于能夠防止附著有液體的基板W搬送到基板處理裝置500內(nèi)，從而能夠防止在曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體給基板處理裝置500內(nèi)的環(huán)境帶來(lái)影響。由此，基板處理裝置500內(nèi)的溫濕度的調(diào)整變得容易。
另外，由于能夠防止在曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體附著于分度器機(jī)械手IR以及第一～第八中心機(jī)械手CR1～CR8上，從而能夠防止液體附著在曝光處理前的基板W上。由此，由于能夠防止環(huán)境中的灰塵附著在曝光處理前的基板W上，從而能夠防止基板W的污染。其結(jié)果，能夠防止在曝光處理時(shí)的解像性能的劣化，同時(shí)能夠可靠地防止在曝光裝置17內(nèi)的污染。
這樣的結(jié)果，能夠可靠地防止對(duì)基板W的處理不良。
此外，用于進(jìn)行對(duì)曝光處理后的基板W的干燥處理的結(jié)構(gòu)并部不僅限于圖1的基板處理裝置500的例子?？梢匀〈诳刮g覆蓋膜除去模塊14與接口模塊16之間設(shè)置清洗/干燥處理模塊15，而在接口模塊16內(nèi)設(shè)置清洗/干燥處理部80來(lái)對(duì)曝光處理后的基板W進(jìn)行干燥處理。
(7-i)對(duì)曝光處理后的基板的干燥處理的效果在清洗/干燥處理單元SD中，通過使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)從基板W的中心部向周邊部噴出惰性氣體，來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的干燥處理。此時(shí)，由于能夠可靠地除去基板W上的清洗液以及漂洗液，因此能夠防止環(huán)境中的灰塵等附著在清洗后的基板W上。由此，能夠可靠地防止基板W的污染，同時(shí)能夠防止在基板W的表面上產(chǎn)生干燥斑點(diǎn)。
(7-j)清洗/干燥處理模塊的效果本實(shí)施方式的基板處理裝置500具有在現(xiàn)有的基板處理裝置的基礎(chǔ)上追加了清洗/干燥處理模塊15的結(jié)構(gòu)，所以能夠以低成本防止對(duì)基板W的處理不良。
(7-k)關(guān)于接口用搬送機(jī)構(gòu)的手部的效果在接口模塊16中，當(dāng)從基板裝載部PASS15向曝光裝置17的基板搬入部17a搬送曝光處理前的基板W時(shí)、以及從清洗/干燥處理單元SD向基板裝載部PASS16搬送清洗以及干燥處理后的基板W時(shí)，使用接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部H1，而當(dāng)從曝光裝置17的基板搬出部17b向清洗/干燥處理單元SD搬送曝光處理后的基板W時(shí)，使用接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部H2。
即，在沒有附著液體的基板W的搬送中使用手部H1，而在附著有液體的基板W的搬送中使用手部H2。
此時(shí)，由于能夠防止在曝光處理時(shí)附著在基板W上的液體附著在手部H1上，所以能夠防止液體附著在曝光處理前的基板W上。另外，手部H2設(shè)置在手部H1的下方，所以即使液體從手部H2以及由其保持的基板W落下，也可以防止液體附著在手部H1以及由其保持的基板W上。由此，能夠可靠地防止液體附著在曝光處理前的基板W上。其結(jié)果，能夠可靠地防止曝光處理前的基板W的污染。
(7-l)對(duì)抗蝕覆蓋膜的涂敷處理的效果在曝光裝置17中對(duì)基板W進(jìn)行曝光處理之前，在抗蝕覆蓋膜用處理模塊13中在抗蝕膜上形成抗蝕覆蓋膜。此時(shí)，即使在曝光裝置17中基板W與液體接觸，也能夠防止通過抗蝕覆蓋膜而抗蝕膜與液體接觸，從而能夠防止抗蝕膜的成分溶出到液體中。
(7-m)對(duì)抗蝕覆蓋膜的除去處理效果在顯影模塊12中對(duì)基板W進(jìn)行顯影處理之前，在抗蝕覆蓋膜除去模塊14中進(jìn)行對(duì)抗蝕覆蓋膜的除去處理。此時(shí)，由于能夠在顯影處理前可靠地除去抗蝕覆蓋膜，從而能夠可靠地進(jìn)行顯影處理。
(7-n)清洗/干燥處理單元的效果如上所述，在清洗/干燥處理單元SD中，通過使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)從基板W的中心部向周邊部噴出惰性氣體來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的干燥處理，從而能夠可靠地除去清洗液以及漂洗液。
由此，能夠可靠地防止在將基板W從清洗/干燥處理部80搬送到顯影處理部50過程中抗蝕劑成分或者抗蝕覆蓋膜的成分溶出到殘留在基板W上的清洗液以及漂洗液中。由此，能夠防止形成在抗蝕膜上的曝光圖案的變形。其結(jié)果，能夠可靠地防止在顯影處理時(shí)的線寬精度的降低。
(7-o)關(guān)于機(jī)械手的手部的效果在第二～第六中心機(jī)械手CR2～CR6以及分度器機(jī)械手IR中，在對(duì)曝光處理前的基板W的搬送中使用上側(cè)的手部，而在對(duì)曝光處理后的基板W的搬送中使用下側(cè)的手部。由此，能夠可靠地防止液體附著在曝光處理前的基板W上。
(7-p)抗蝕膜用涂敷處理部的效果在本例中，在清洗過端部R的曝光處理前的基板W上，通過抗蝕膜用涂敷處理部40來(lái)形成抗蝕膜。
由此，在基板W上形成抗蝕膜時(shí)，由于附著在基板W的端部R上的污染物質(zhì)已被除去，因此能夠防止由基板W的端部R的污染導(dǎo)致的抗蝕膜的形成不良，從而能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良發(fā)生。
另外，在一臺(tái)基板處理裝置500中，能夠進(jìn)行對(duì)基板W的端部R的清洗的同時(shí)，在基板W上形成抗蝕膜，從而可以減少占用面積。
(8)第一實(shí)施方式的基板處理裝置的變形例及其效果(8-a)關(guān)于對(duì)曝光處理前基板的清洗處理第一實(shí)施方式的基板處理裝置500可以在曝光處理前進(jìn)行對(duì)基板W的清洗處理。此時(shí)，例如在清洗/處理干燥模塊15的清洗/干燥處理部80中，對(duì)曝光處理前的基板W進(jìn)行清洗以及干燥處理。由此，能夠除去附著在曝光處理前的基板W上的灰塵等。其結(jié)果，可以防止曝光裝置17內(nèi)的污染。
另外，在清洗/干燥處理部80中，在對(duì)基板W的清洗處理之后進(jìn)行對(duì)基板W的干燥處理。由此，由于能夠除去在清洗處理時(shí)附著在基板W上的清洗液或漂洗液，從而能夠防止環(huán)境中的灰塵等再次附著在清洗處理后的基板W上。其結(jié)果，能夠可靠地防止曝光裝置17內(nèi)的污染。
另外，在既是抗蝕覆蓋膜形成后、又是在曝光裝置17中對(duì)基板W進(jìn)行曝光處理之前的時(shí)候，在清洗/干燥處理部80中進(jìn)行對(duì)基板W的清洗處理。此時(shí)，形成在基板W上的抗蝕覆蓋膜的成分的一部分會(huì)溶出到清洗液中。由此，即使在曝光裝置17中基板W與液體接觸，也能夠防止抗蝕覆蓋膜的成分溶出到液體中。
這樣的結(jié)果，能夠可靠地防止在曝光裝置17內(nèi)的污染的同時(shí)，能夠防止抗蝕膜以及抗蝕覆蓋膜的成分殘留在基板W的表面上。由此，能夠可靠地防止對(duì)基板W的處理不良。
此外，也可以通過在接口模塊16內(nèi)設(shè)置清洗/干燥處理部80來(lái)進(jìn)行對(duì)曝光處理前的基板W的清洗以及干燥處理。
(8-b)關(guān)于抗蝕覆蓋膜用處理模塊在曝光處理前進(jìn)行對(duì)基板W的清洗處理時(shí)，也可以不設(shè)置抗蝕覆蓋膜用處理模塊13。此時(shí)，在曝光處理前進(jìn)行對(duì)基板W的清洗處理的清洗/干燥處理部80中，在清洗處理時(shí)抗蝕膜的成分的一部分溶出到清洗液中。由此，即使在曝光裝置17中抗蝕膜與液體接觸，也能夠防止抗蝕劑成分溶出到液體中。其結(jié)果，能夠防止曝光裝置17內(nèi)的污染。
進(jìn)而，當(dāng)不設(shè)置抗蝕覆蓋膜用處理模塊13時(shí)，不需要設(shè)置抗蝕覆蓋膜除去模塊14。因此，能夠減少基板處理裝置500的占用面積。
(8-c)關(guān)于基板處理裝置具有防水功能的情況在基板處理裝置500具有充分的防水功能的情況下，也可以不設(shè)置清洗/干燥處理部80。此時(shí)，能夠減少基板處理裝置500的占用面積。另外，由于可以省略在曝光處理后向清洗/干燥處理部80搬送基板W，所以能夠提高生產(chǎn)效率。
(8-d)關(guān)于其他的配置例在上述的實(shí)施方式中，抗蝕覆蓋膜除去模塊14包括2個(gè)抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b，但抗蝕覆蓋膜除去模塊14可以取代在2個(gè)抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b中的一方，而包括對(duì)基板W進(jìn)行熱處理的熱處理部。此時(shí)，由于能夠有效地對(duì)多張基板W進(jìn)行熱處理，所以能夠提高生產(chǎn)能力。
(8-e)關(guān)于清洗/干燥處理單元的其他例在圖12所示的清洗/干燥處理單元SD中，分別單獨(dú)設(shè)置有清洗處理用噴嘴650和干燥處理用噴嘴670，但如圖15所示，也可以一體設(shè)置清洗處理用噴嘴650和干燥處理用噴嘴670。這時(shí)，由于不需要在對(duì)基板W的清洗處理時(shí)、或者干燥處理時(shí)分別單獨(dú)移動(dòng)清洗處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670，所以可以使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)單化。
另外，也可以代替圖12所示的干燥處理用噴嘴670，而使用如圖16所示的干燥處理用噴嘴770。
圖16的干燥處理用噴嘴770具有向垂直下方延伸的同時(shí)從側(cè)面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥處理用噴嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成有噴出惰性氣體的氣體噴出口770a、770b、770c。從各噴出口770a、770b、770c分別向如圖16的箭頭所示的垂直下方以及斜下方噴出惰性氣體。即，在干燥處理用噴嘴770中，以向下方噴出范圍擴(kuò)大的方式噴出惰性氣體。
這里，當(dāng)使用干燥處理用噴嘴770時(shí)，清洗/干燥處理單元SD通過以下所說(shuō)明的動(dòng)作來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的干燥處理。
圖17是用于說(shuō)明在使用了干燥處理用噴嘴770的情況下對(duì)基板W的干燥處理方法的圖。
首先，通過在圖13中說(shuō)明的方法，在基板W的表面形成液層L之后，如圖17(a)所示，干燥處理用噴嘴770向基板W的中心部上方移動(dòng)。然后，從干燥處理用噴嘴770噴出惰性氣體。由此，如圖17(b)所示，基板W的中心部的漂洗液移動(dòng)到基板W的周邊部，而變成僅在基板W的周邊部存在液層L的狀態(tài)。此外，這時(shí)，使干燥處理用噴嘴770接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的漂洗液確實(shí)地移動(dòng)。
接著，旋轉(zhuǎn)軸625(參照?qǐng)D12)的轉(zhuǎn)速上升的同時(shí)，如圖17(c)所示，干燥處理用噴嘴770向上方移動(dòng)。由此，對(duì)基板W上的液層L作用很大的離心力的同時(shí)，在基板W上被噴出惰性氣體的范圍擴(kuò)大。其結(jié)果，能夠可靠地除去在基板W上的液層L。另外，通過設(shè)置在圖12的第二旋轉(zhuǎn)軸672上的旋轉(zhuǎn)軸升降機(jī)構(gòu)(未圖示)，使第二旋轉(zhuǎn)軸672上下升降，從而能夠使干燥處理用噴嘴770上下移動(dòng)。
另外，代替干燥處理用噴嘴770，而也可以使用如圖18所示的干燥處理用噴嘴870。圖18中的干燥處理用噴嘴870具有向下方直徑逐漸擴(kuò)大的噴出口870a。如圖18所示的箭頭，從該噴出口870a向垂直下方以及斜下方噴出惰性氣體。即，即使在干燥處理用噴嘴870，也與圖16的干燥處理用噴嘴770相同，也以向下方噴出的范圍擴(kuò)大的方式噴出惰性氣體。因而，在使用干燥處理用噴嘴870的情況下，也能夠通過與使用干燥處理用噴嘴770的情況相同的方法來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的干燥處理。
另外，也可以代替圖12所示的清洗/干燥處理單元SD，而使用如圖19所示的清洗/干燥處理單元SDa。
圖19所示的清洗/干燥處理單元SDa與圖12所示的清洗/干燥處理單元SD的不同點(diǎn)為以下的幾點(diǎn)。
在圖19的清洗/干燥處理單元SDa中，在旋轉(zhuǎn)卡盤621的上方設(shè)置有在中心部具有開口的圓板狀的遮斷板682。從臂部688的前端附近向鉛垂方向設(shè)置有支承軸689，并在該支承軸689的下端安裝有遮斷板682，以使其與由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上面相對(duì)向。
在支承軸689的內(nèi)部貫通有連通到遮斷板682的開口的氣體供給路徑690。在氣體供給路徑690例如供給氮?dú)?N2)。
在臂部688連接有遮斷板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)697以及遮斷板旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)698。遮斷板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)697使遮斷板682上下移動(dòng)在接近由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上面的位置和向上方遠(yuǎn)離旋轉(zhuǎn)卡盤621的位置之間。
在圖19的清洗/干燥處理單元SDa中對(duì)基板W進(jìn)行干燥處理時(shí)，如圖20所示，在使遮斷板682接近基板W的狀態(tài)下，對(duì)基板W和遮斷板682之間的間隙從氣體供給路徑690供給惰性氣體。這時(shí)，從基板W的中心部向周邊部能夠高效地供給惰性氣體，因此能夠可靠地除去基板W上的液層L。
B.第二實(shí)施方式第二實(shí)施方式的基板處理裝置與第一實(shí)施方式的基板處理裝置500具有以下不同點(diǎn)。
(1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)圖21是第二實(shí)施方式的基板處理裝置的示意性俯視圖。如圖21所示，在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，沒有設(shè)置第一實(shí)施方式的基板處理裝置500中的端部清洗處理模塊9。因此，分度器模塊8與反射防止膜用處理模塊10相鄰而設(shè)置。
由此，在分度器模塊8和反射防止膜用處理模塊10之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用隔斷壁20。在該隔斷壁20，上下接近設(shè)置有用于在分度器模塊8和反射防止膜用處理模塊10之間進(jìn)行對(duì)基板W的交接的基板裝載部PASS1、PASS2。上側(cè)的基板裝載部PASS1在將基板W從分度器模塊8搬送到反射防止膜用處理模塊10時(shí)使用，而下側(cè)的基板裝載部PASS2在將基板W從反射防止膜用處理模塊10搬送到分度器模塊8時(shí)使用。
圖22是從+X方向觀察圖21的基板處理裝置500的側(cè)視圖。圖23是從-X方向觀察圖21的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
如上所述，在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，相鄰設(shè)置有分度器模塊8與反射防止膜用處理模塊10。
另外，如圖23所示，在本實(shí)施方式的基板處理裝置500中，在清洗/干燥處理模塊15的清洗/干燥處理部80(參照?qǐng)D21)，依次層疊配置有一個(gè)端部清洗單元EC以及2個(gè)清洗/干燥處理單元SD。
(2)基板處理裝置的動(dòng)作下面，針對(duì)本實(shí)施方式的基板處理裝置500的動(dòng)作，參照附圖21～圖23說(shuō)明與第一實(shí)施方式的基板處理裝置500的不同點(diǎn)。
與第一實(shí)施方式相同，向分度器模塊8的搬運(yùn)器裝載臺(tái)82上，被搬入對(duì)多張基板W進(jìn)行多級(jí)容納的搬運(yùn)器C。分度器機(jī)械手IR使用上側(cè)的手部IRH1來(lái)取出容納在搬運(yùn)器C內(nèi)的未處理基板W。然后，分度器機(jī)械手IR沿±X方向移動(dòng)的同時(shí)沿±θ方向旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，而將未處理的基板W裝載到基板裝載部PASS1上。
裝載到基板裝載部PASS1上的基板W，通過反射防止膜用處理模塊10的第二中心機(jī)械手CR2來(lái)被接收。第二中心機(jī)械手CR2將該基板W搬入到反射防止膜用涂敷處理部30。通過該反射防止膜用涂敷處理部30的對(duì)基板W的處理，與第一實(shí)施方式相同。
接著，第二中心機(jī)械手CR2從反射防止膜用涂敷處理部30取出涂覆處理結(jié)束的基板W，并將該基板W搬入到反射防止膜用熱處理部100、101。
接著，第二中心機(jī)械手CR2從反射防止膜用熱處理部100、101取出熱處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS3上。
然后，與第一實(shí)施方式同樣，將基板W通過第三～第六中心機(jī)械手CR3～CR6來(lái)搬送到基板裝載部PASS11上。
裝載到基板裝載部PASS11上的基板W，通過清洗/干燥處理模塊15的第七中心機(jī)械手CR7來(lái)被接收。
這里，在本實(shí)施方式中，在通過曝光裝置17的曝光處理前，對(duì)基板W實(shí)施后述的端部清洗處理。第七中心機(jī)械手CR7將接收的基板W搬入到清洗/干燥處理部80的端部清洗單元EC內(nèi)。對(duì)搬入到端部清洗單元EC內(nèi)的基板W實(shí)施端部清洗處理。
接著，第七中心機(jī)械手CR7從端部清洗單元EC取出端部清洗處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS13上。
裝載到基板裝載部PASS13上的基板W，通過接口模塊16的第八中心機(jī)械手CR8來(lái)被接收。
與第一實(shí)施方式同樣，第八中心機(jī)械手CR8將該基板W搬入到邊緣曝光部EEW，然后從邊緣曝光部EEW取出邊緣曝光處理結(jié)束的基板W，并將該基板W裝載到基板裝載部PASS15上。
裝載到基板裝載部PASS15上的基板W，通過接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR搬入到曝光裝置17的基板搬入部17a(參照?qǐng)D21)。
在曝光裝置17中對(duì)基板W實(shí)施了曝光處理之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR從曝光裝置17的基板搬出部17b(參照?qǐng)D21)取出基板W，并搬入到清洗/干燥處理模塊15的清洗/干燥處理部80。在清洗/干燥處理部80的清洗/干燥處理單元SD中，進(jìn)行對(duì)曝光處理后的基板W的清洗以及干燥處理。
然后，與第一實(shí)施方式同樣，基板W通過接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR以及第二～第八中心機(jī)械手被搬送到基板裝載部PASS2上。
裝載到基板裝載部PASS2上的基板W，通過分度器模塊8的分度器機(jī)械手IR來(lái)被容納在搬運(yùn)器C內(nèi)。
(3)關(guān)于端部清洗單元對(duì)在本實(shí)施方式中使用的端部清洗單元EC進(jìn)行詳細(xì)的說(shuō)明。端部清洗單元EC的各構(gòu)成元件的動(dòng)作，受到設(shè)置在圖21的分度器模塊8中的主控制器81的控制。
(3-a)端部清洗單元的一個(gè)結(jié)構(gòu)例在本實(shí)施方式中，作為上述的端部清洗單元EC而可以使用在第一實(shí)施方式中說(shuō)明過的圖4的端部清洗單元EC。
通常，抗蝕覆蓋膜不以覆蓋基板W的上述周邊部的方式形成的情況較多。即，形成在基板W上的周邊部的反射防止膜以及抗蝕膜中的一方或雙方處于露出的狀態(tài)。
在本實(shí)施方式中，在作為后工序的、由曝光裝置17的曝光處理前，通過清洗/干燥處理部80的端部清洗單元EC來(lái)對(duì)基板W實(shí)施端部清洗處理。所謂端部清洗處理是通過對(duì)基板W的端部R(斜面部以及周邊部)使用在曝光裝置17中使用的浸液液體來(lái)進(jìn)行清洗，使處于露出狀態(tài)的反射防止膜以及抗蝕膜的一方或雙方預(yù)先溶出或析出的處理。
由此，當(dāng)通過曝光裝置17進(jìn)行曝光處理時(shí)，能夠防止反射防止膜以及抗蝕膜的一方或雙方溶出或析出到浸液液體中。
此外，作為在對(duì)基板W的端部清洗處理中使用的浸液液體，可以舉例純水、具有高折射率的丙三醇、混合了高折射率的微粒(例如，鋁氧化物)與純水的混合液以及有機(jī)類液體等。
另外，作為浸液液體的其他例子，可以舉例在純水中溶解有絡(luò)合物(離子化的物質(zhì))的液體、碳酸水、含氫水、電解離子水、HFE(氫氟醚)、氟酸、硫酸以及硫酸過氧化氫水溶液等。
(3-b)端部清洗單元的其他結(jié)構(gòu)例端部清洗單元EC可以采用以下的結(jié)構(gòu)。圖24是用于說(shuō)明使用在第二實(shí)施方式中的端部清洗單元EC的其他結(jié)構(gòu)例的圖。
如圖24所示，本例的端部清洗單元EC具有與在第一實(shí)施方式中說(shuō)明過的圖7的端部清洗單元EC大致相同的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作。
因此，以下針對(duì)本例的端部清洗單元EC，說(shuō)明與圖7的端部清洗單元EC的不同點(diǎn)。
在本實(shí)施方式中，設(shè)置在臂部303的前端部的二流體噴嘴310，相對(duì)由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的表面，傾斜安裝在基板W的外側(cè)。
當(dāng)對(duì)基板W的端部清洗處理開始時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸302通過馬達(dá)301來(lái)旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，臂部303也轉(zhuǎn)動(dòng)。由此，二流體噴嘴310移動(dòng)到由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的端部R的上方。其結(jié)果，二流體噴嘴310的混合流體的噴出部310a與基板W的端部R相對(duì)向。
而且，通過打開閥門332，將作為清洗液的浸液液體通過清洗液供給管331來(lái)供給到二流體噴嘴310。另外，通過打開閥門342，對(duì)二流體噴嘴310供給氣體。
當(dāng)進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，清洗液以及氣體被供給到二流體噴嘴310。由此，從二流體噴嘴310向旋轉(zhuǎn)的基板W的端部R噴出混合流體。由此，基板W的端部R良好地被清洗。
還有，在本實(shí)施方式中，在端部清洗單元EC中，設(shè)置有二流體噴嘴310b，其具有與上述二流體噴嘴310相同的結(jié)構(gòu)以及功能。該二流體噴嘴310b以與由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的背面相對(duì)向的方式傾斜安裝在基板W的外側(cè)。此外，二流體噴嘴310b具有噴出混合流體的噴出部310c，并安裝在未圖示的臂部上。
這樣，通過以分別與基板W的表面以及背面相對(duì)向的方式設(shè)置二流體噴嘴310、310b，能夠可靠地清洗基板W的端部R。此外，由于二流體噴嘴310b的清洗液以及氣體的各供給系統(tǒng)與二流體噴嘴310相同，所以省略其說(shuō)明。
二流體噴嘴310、310b例如具有在第一實(shí)施方式中說(shuō)明過的圖8以及圖9的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
(3-c)端部清洗單元的另一個(gè)其他結(jié)構(gòu)例端部清洗單元EC還可以具有以下的結(jié)構(gòu)。圖25是用于說(shuō)明使用在第二實(shí)施方式中的端部清洗單元EC的另一個(gè)其他結(jié)構(gòu)例的圖。
如圖25所示，本例的端部清洗單元EC具有與在第一實(shí)施方式中說(shuō)明過的圖10的端部清洗單元EC大致相同的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作。
因此，以下針對(duì)本例的端部清洗單元EC，說(shuō)明與圖10的端部清洗單元EC的不同點(diǎn)。
如圖25所示，在本例中，在臂部303的前端部以相對(duì)由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的表面傾斜安裝在基板W的外側(cè)的方式安裝有超聲波噴嘴410。
在超聲波噴嘴410上，連接有清洗液供給管331。由此，與圖24的例子同樣，通過打開閥門332來(lái)使作為清洗液的浸液液體通過清洗液供給管331而供給到超聲波噴嘴410。
在進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，從超聲波噴嘴410向基板W的端部R噴出浸液液體。這里，當(dāng)從超聲波噴嘴410噴出浸液液體時(shí)，從高頻波發(fā)生裝置420向高頻振子411供給高頻電流。
由此，高頻振子411進(jìn)行超聲波振動(dòng)，從而對(duì)通過超聲波噴嘴410內(nèi)的浸液液體施加與高頻電流值對(duì)應(yīng)的高頻輸出。其結(jié)果，處于超聲波振動(dòng)狀態(tài)的浸液液體被噴出到基板W的端部R上，從而對(duì)基板W的端部R進(jìn)行清洗。
此外，在本例中，與圖24的端部清洗單元EC的例子同樣，在端部清洗單元EC內(nèi)設(shè)置具有與上述超聲波噴嘴410相同結(jié)構(gòu)以及功能的超聲波噴嘴410a。
該超聲波噴嘴410a以與由旋轉(zhuǎn)卡盤201保持的基板W的背面相對(duì)向的方式傾斜安裝在基板W的外側(cè)。此外，在超聲波噴嘴410a內(nèi)置有高頻振子411a，并且，超聲波噴嘴410a被安裝在未圖示的臂部上。
這樣，通過以與基板W的表面以及背面分別相對(duì)向的方式設(shè)置有超聲波噴嘴410、410a，從而能夠可靠地清洗基板W的端部R。此外，超聲波噴嘴410a的清洗液以及高頻電流的各供給系統(tǒng)與超聲波噴嘴410相同，所以省略其說(shuō)明。
(4)關(guān)于清洗/干燥處理單元用于第二實(shí)施方式的清洗/干燥處理單元SD的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作與在第一實(shí)施方式中說(shuō)明過的清洗/干燥處理單元SD的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作相同。因此，省略其說(shuō)明。
(5)關(guān)于接口模塊的接口用搬送機(jī)構(gòu)圖26是用于說(shuō)明接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。用于本施方式的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作與在第一實(shí)施方式中說(shuō)明過的接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作相同。因此，省略其說(shuō)明。
此外，如上所述，在本實(shí)施方式中，在端部清洗單元EC內(nèi)通過浸液液體對(duì)由曝光裝置17的處理前的基板W的端部R進(jìn)行清洗。
(6)在第二實(shí)施方式中的效果第二實(shí)施方式的基板處理裝置500在第一實(shí)施方式的基板處理裝置500的效果的基礎(chǔ)上，還具有以下效果。
(6-a)通過端部清洗處理的效果如上所述，在清洗/干燥處理部80的端部清洗單元EC內(nèi)通過浸液液體來(lái)對(duì)由曝光裝置17的曝光處理前的基板W的端部R進(jìn)行清洗。由此，在通過浸液法的曝光處理中，反射防止膜以及抗蝕膜中的一方或雙方溶出或析出的成分，預(yù)先在端部清洗單元EC中被溶出或被析出，并且溶出物或析出物被沖洗掉。因此，能夠防止在進(jìn)行曝光處理時(shí)反射防止膜以及抗蝕膜中的一方或雙方溶出或析出到浸液液體中。由此，可以防止曝光裝置17(曝光裝置17的透鏡)被污染。其結(jié)果，能夠防止曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良的發(fā)生。
此外，在進(jìn)行曝光處理時(shí)可能會(huì)溶出或析出到浸液液體中的成分，并不僅限于包含在上述反射防止膜以及抗蝕膜中的成分，也會(huì)有通過設(shè)置在本實(shí)施方式的基板處理裝置500外部的外部裝置而形成在基板W上的半導(dǎo)體膜、金屬膜、絕緣膜或有機(jī)膜等所包含的成分。包含在這些膜中的成分也能夠預(yù)先在端部清洗單元EC中溶出或析出。
(6-b)使用了刷子的端部清洗處理的效果當(dāng)在端部清洗單元EC中通過刷子213來(lái)進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，由于刷子213直接接觸到基板W的端部R，所以能夠可靠地除去來(lái)自基板W的端部R的反射防止膜以及抗蝕膜中的一方或雙方的溶出物或析出物。
(7)第二實(shí)施方式的基板處理裝置的變形例及其效果(7-a)關(guān)于使用在端部清洗處理中的清洗噴嘴的其他例在上述實(shí)施方式中，當(dāng)進(jìn)行對(duì)基板W的端部清洗處理時(shí)，使用了清洗液供給路徑241a、241b、二流體噴嘴310、310b以及超聲波噴嘴410、410a，但并不僅限于此，還可以使用具備小口徑的針狀的噴出部的清洗噴嘴。此時(shí)，能夠高精度地清洗基板W的小區(qū)域端部R。
(7-b)端部清洗單元的其他配置例在上述實(shí)施方式中，在清洗/干燥處理模塊15的清洗/干燥處理部80中的端部清洗單元EC中進(jìn)行了對(duì)基板W的端部清洗處理，但并不僅限于此，也可以在清洗/干燥處理部80以外的部分(例如，抗蝕覆蓋膜用處理模塊13的抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60中的涂敷單元COV)進(jìn)行處理。此時(shí)，能夠消減到抗蝕覆蓋膜形成后的端部清洗單元EC為止的搬送工序，從而能夠提高生產(chǎn)能力。
(7-c)關(guān)于其他的配置例在上述的實(shí)施方式中，抗蝕覆蓋膜除去模塊14包括2個(gè)抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b，但是，抗蝕覆蓋膜除去模塊14可以取代2個(gè)抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b中的一方，而包括對(duì)基板W進(jìn)行熱處理的熱處理部。此時(shí)，由于能夠高效地進(jìn)行對(duì)多張基板W的熱處理，所以能夠提高生產(chǎn)能力。
(7-d)關(guān)于清洗/干燥處理單元的其他例與第一實(shí)施方式同樣，使用于清洗/干燥處理單元SD中的清洗處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670的結(jié)構(gòu)也可以采用不同的結(jié)構(gòu)，并進(jìn)行跟這些結(jié)構(gòu)對(duì)應(yīng)的對(duì)基板W的清洗處理以及干燥處理。
C.技術(shù)方案中的各構(gòu)成元件與實(shí)施方式中的各部的對(duì)應(yīng)(1)技術(shù)方案中的各構(gòu)成元件與第一實(shí)施方式中的各部的對(duì)應(yīng)在第一實(shí)施方式中，端部清洗處理模塊9、反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、顯影處理模塊12、抗蝕覆蓋膜用處理模塊13、抗蝕覆蓋膜除去模塊14以及清洗/干燥處理模塊15相當(dāng)于處理部；接口模塊16相當(dāng)于交接部，端部清洗處理部90的端部清洗單元EC相當(dāng)于第一處理單元。
另外，反射防止用涂敷處理部30的涂敷單元BARC、抗蝕膜用涂敷處理部40的涂敷單元RES以及抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60的涂敷單元COV相當(dāng)于第二處理單元；顯影處理部50的顯影處理單元DEV、抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b的除去單元REM以及清洗/干燥處理部80的清洗/干燥處理單元SD相當(dāng)于第三處理單元。
并且，接口模塊16相當(dāng)于基板搬入搬出部；中心機(jī)械手CR1相當(dāng)于第一搬送單元；端部清洗處理模塊9相當(dāng)于第一處理單位；中心機(jī)械手CR2、CR3、CR5相當(dāng)于第二搬送單元；反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11以及抗蝕覆蓋膜用處理模塊13相當(dāng)于第二處理單位。
中心機(jī)械手CR4、CR6、CR7相當(dāng)于第三搬送單元；顯影處理模塊12、抗蝕覆蓋膜除去模塊14以及清洗/干燥處理模塊15相當(dāng)于第三處理單位；基板裝載部PASS81相當(dāng)于第一裝載部；基板裝載部PASS1相當(dāng)于第二裝載部；手部CRH92相當(dāng)于第一保持部；手部CRH91相當(dāng)于第二保持部。
并且，清洗/干燥處理部80的清洗/干燥處理單元SD相當(dāng)于干燥處理單元；接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR相當(dāng)于第四搬送單元；手部H1相當(dāng)于第三保持部；手部H2相當(dāng)于第四保持部。
另外，抗蝕膜用涂敷處理部40的涂敷單元RES相當(dāng)于感光性膜形成單元；抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60的涂敷單元COV相當(dāng)于保護(hù)膜形成單元；抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b的除去單元REM相當(dāng)于除去單元；反射防止用涂敷處理部30的涂敷單元BARC相當(dāng)于反射防止膜形成單元；顯影處理部50的顯影處理單元DEV相當(dāng)于顯影處理單元。
(2)技術(shù)方案中的各構(gòu)成元件與第二實(shí)施方式中的各部的對(duì)應(yīng)在第二實(shí)施方式中，反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、顯影處理模塊12、抗蝕覆蓋膜用處理模塊13、抗蝕覆蓋膜除去模塊14以及清洗/干燥處理模塊15相當(dāng)于處理部；接口模塊16相當(dāng)于交接部。
另外，在上述實(shí)施方式中，抗蝕膜用涂敷處理部40的涂敷單元RES相當(dāng)于第二處理單元；端部清洗處理部90的端部清洗單元EC相當(dāng)于第一處理單元；抗蝕覆蓋膜用涂敷處理部60的涂敷單元COV相當(dāng)于第三處理單元；反射防止用涂敷處理部30的涂敷單元BARC相當(dāng)于第四處理單元；抗蝕覆蓋膜除去用處理部70a、70b的除去單元REM相當(dāng)于第五處理單元；顯影處理部50的顯影處理單元DEV相當(dāng)于第六處理單元；接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR相當(dāng)于搬送裝置；手部H1、H2分別相當(dāng)于第一以及第二保持部。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，相鄰于曝光裝置而配置，其特征在于，具有處理部，其用于對(duì)基板進(jìn)行處理；交接部，其相鄰于上述處理部的一端部而設(shè)置，用于在上述處理部和上述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接，上述處理部包括對(duì)由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部進(jìn)行清洗的第一處理單元。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部具有第二處理單元，其對(duì)由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板進(jìn)行規(guī)定的處理；第三處理單元，其對(duì)由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板進(jìn)行規(guī)定的處理，上述第一處理單元對(duì)由上述第二處理單元進(jìn)行處理前的基板的端部進(jìn)行清洗。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有基板搬入搬出部，該基板搬入搬出部相鄰于上述處理部的另一端部而配置，并向上述處理部搬入基板以及從上述處理部搬出基板，上述處理部包括第一處理單位，其具有上述第一處理單元以及搬送基板的第一搬送單元；一個(gè)或多個(gè)第二處理單位，其具有上述第二處理單元以及搬送基板的第二搬送單元；一個(gè)或多個(gè)第三處理單位，其具有上述第三處理單元以及搬送基板的第三搬送單元，上述第一處理單位相鄰于上述基板搬入搬出部而配置。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單位還具有第一裝載部，其在基板被搬入到該處理單位時(shí)裝載基板；第二裝載部，其在基板被從該處理單位搬出時(shí)裝載基板，上述第一搬送單元包括保持基板的第一以及第二保持部，上述第一搬送單元，當(dāng)從上述第一裝載部向上述第一處理單元搬送基板時(shí)，通過上述第一保持部來(lái)保持基板，當(dāng)從上述第一處理單元向上述第二裝載部搬送基板時(shí)，通過上述第二保持部來(lái)保持基板。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一保持部設(shè)置在上述第二保持部的下方。
6.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第三處理單元包括在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后對(duì)基板進(jìn)行干燥處理的干燥處理單元，具有上述干燥處理單元的上述第三處理單位相鄰于上述交接部而配置，上述交接部具有第四搬送單元，該第四搬送單元將曝光處理前的基板交接到上述曝光裝置，而將曝光處理后的基板從上述曝光裝置搬送到上述干燥處理單元，并接收由上述干燥處理單元進(jìn)行過干燥處理的基板。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第四搬送單元包括保持基板的第三以及第四保持部，上述第四搬送單元，當(dāng)將曝光處理前的基板交接到上述曝光裝置時(shí)，以及接收由上述干燥處理單元進(jìn)行過干燥處理的基板時(shí)，通過上述第三保持部來(lái)保持基板，當(dāng)將曝光處理后的基板從上述曝光裝置搬送到上述干燥處理單元時(shí)，通過上述第四保持部來(lái)保持基板。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第四保持部設(shè)置在上述第三保持部的下方。
9.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元包括感光性膜形成單元，該感光性膜形成單元在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元還包括保護(hù)膜形成單元，該保護(hù)膜形成單元形成保護(hù)上述感光性膜的保護(hù)膜。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第三處理單元還包括除去單元，該除去單元在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后除去上述保護(hù)膜。
12.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元還包括反射防止膜形成單元，該反射防止膜形成單元在由上述感光性膜形成單元形成上述感光性膜之前形成反射防止膜。
13.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第三處理單元包括對(duì)基板進(jìn)行顯影處理的顯影處理單元。
14.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元使用刷子來(lái)清洗基板的端部。
15.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元使用二流體噴嘴來(lái)清洗基板的端部。
16.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元使用超聲波噴嘴來(lái)清洗基板的端部。
17.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還包括第二處理單元，該第二處理單元在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜，上述第一處理單元通過使用于浸液法的曝光處理中的液體，來(lái)清洗由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板的端部。
18.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還包括第三處理單元，該第三處理單元在由上述第二處理單元形成的上述感光性膜上形成保護(hù)該感光性膜的保護(hù)膜，上述第三處理單元通過上述液體來(lái)清洗在上述曝光處理前的基板的端部露出的上述感光性膜。
19.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還包括第四處理單元，該第四處理單元在由上述第二處理單元形成上述感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜，上述第一處理單元通過上述液體來(lái)清洗在上述曝光處理前的基板的端部露出的上述反射防止膜以及上述感光性膜中的一方或雙方。
20.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述液體包含有純水、丙三醇以及混合了高折射率的微粒與純水的混合液中的至少一種。
21.如權(quán)利要求20所述的基板處理裝置，其特征在于，上述高折射率的微粒包括鋁氧化物。
22.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述交接部包括搬送裝置，該搬送裝置在上述處理部和上述曝光裝置之間搬送基板，上述搬送裝置包括保持基板的第一以及第二保持部，當(dāng)搬送上述曝光處理前的基板時(shí)，通過上述第一保持部來(lái)保持基板，當(dāng)搬送上述曝光處理后的基板時(shí)，通過上述第二保持部來(lái)保持基板。
23.如權(quán)利要求22所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二保持部設(shè)置在上述第一保持部的下方。
24.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還包括第五處理單元，該第五處理單元在上述曝光處理后除去上述保護(hù)膜。
25.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還包括對(duì)基板進(jìn)行顯影處理的第六處理單元。
26.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元包括二流體噴嘴，該二流體噴嘴向上述基板的端部噴出上述液體以及氣體的混合流體。
27.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第一處理單元包括超聲波噴嘴，該超聲波噴嘴對(duì)上述液體施加超聲波的同時(shí)，將上述液體噴出到上述基板的端部。
全文摘要
本發(fā)明提供一種基板處理裝置。該基板處理裝置具有分度器模塊、端部清洗處理模塊、反射防止膜用處理模塊、抗蝕膜用處理模塊、顯影處理模塊、抗蝕覆蓋膜用處理模塊、抗蝕覆蓋膜除去模塊、清洗/干燥處理模塊以及接口模塊。相鄰于基板處理裝置的接口模塊而配置有曝光裝置。在曝光裝置中，通過浸液法來(lái)進(jìn)行對(duì)基板的曝光處理。在端部清洗模塊的端部清洗處理部中，對(duì)曝光處理前的基板的端部進(jìn)行清洗。
文檔編號(hào)G03F7/38GK1885160SQ200610093230
公開日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2006年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月24日
發(fā)明者茂森和士, 金山幸司, 春木晶子, 宮城聰, 金岡雅, 安田周一 申請(qǐng)人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社