專利名稱：基板處理裝置以及基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對基板進(jìn)行處理的基板處理裝置以及基板處理方法。
背景技術(shù)：
為了對半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等的各種基板進(jìn)行各種處理，使用基板處理裝置。
在這樣的基板處理裝置中，一般連續(xù)的對一張基板進(jìn)行多個(gè)不同的處理。JP特開2003-324139號(hào)公報(bào)所記載的基板處理裝置由分度器模塊、反射防止膜用處理模塊、抗蝕膜用處理模塊、顯影處理模塊以及接口模塊構(gòu)成。以相鄰于接口模塊的方式配置有與基板處理裝置另設(shè)的作為外部裝置的曝光裝置。
在上述的基板處理裝置中，從分度器模塊搬入的基板在反射防止膜用處理模塊以及抗蝕膜用處理模塊中進(jìn)行反射防止膜的形成以及抗蝕膜的涂布處理之后，經(jīng)由接口模塊搬送到曝光裝置中。在曝光裝置中，對基板上的抗蝕膜進(jìn)行曝光處理之后，基板經(jīng)由接口模塊被搬送到顯影處理模塊中。通過在顯影處理模塊中對基板上的抗蝕膜進(jìn)行顯影處理來形成抗蝕圖案之后，基板被搬送到分度器模塊。
近年來，伴隨著設(shè)備的高密度化以及高集成化，抗蝕圖案的微細(xì)化成為重要的課題。在以往的一般的曝光裝置中，通過將刻線的圖案經(jīng)由投影透鏡縮小投影在基板上，進(jìn)行曝光處理。可是，在這樣的以往的曝光裝置中，因?yàn)槠毓鈭D案的線寬由曝光裝置的光源的波長決定，所以抗蝕圖案的微細(xì)化有限。
因此，作為可將曝光圖案進(jìn)一步微細(xì)化的投影曝光方法，提出浸液法(例如參照國際公開第99/49504號(hào)手冊)。在國際公開第99/49504號(hào)手冊的投影曝光裝置中，在投影光學(xué)系統(tǒng)和基板間充滿液體，可以將基板表面的曝光光波縮短。由此，可將曝光圖案進(jìn)一步微細(xì)化。
可是，在上述國際公開第99/49504號(hào)手冊的投影曝光裝置中，在基板和液體接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，所以涂布在基板上的抗蝕劑的成分的一部分溶解到液體中。溶解到該液體中的抗蝕劑的成分殘留在基板的表面，可能成為不良的原因。
另外，溶解到液體中的抗蝕劑的成分污染曝光裝置的透鏡。由此，可能產(chǎn)生曝光圖案的尺寸不良以及形狀不良。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種可以防止基板上的感光性材料的成分溶解到曝光裝置的液體中的基板處理裝置以及基板處理方法。
(1)本發(fā)明的一個(gè)方面的基板處理裝置是以相鄰于曝光裝置的方式配置的基板處理裝置，其具有用于對基板進(jìn)行處理的處理部，和以相鄰于處理部的一端部的方式被設(shè)置且在處理部和曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接的交接部；處理部包括在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜的第一處理單元；在由第一處理單元形成感光性膜之后、并在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，進(jìn)行基板的洗滌處理的第二處理單元；在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之后對基板進(jìn)行顯影處理的第三處理單元。
在該基板處理裝置中，在第一處理單元中在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜。然后，在第二處理單元中進(jìn)行基板的洗滌處理。接著，基板通過交接部從處理部被搬送到曝光裝置，在曝光裝置中對基板進(jìn)行曝光處理。曝光處理后的基板通過交接部從曝光裝置搬送到處理部，在第三處理單元中對基板進(jìn)行顯影處理。
像這樣，在曝光裝置中進(jìn)行曝光處理之前，在第二處理單元中進(jìn)行基板的洗滌處理。由此，一部分在第一處理單元中形成在基板上的感光性膜的成分被溶解，并沖洗掉。此時(shí)，即使在曝光處理中在基板和液體接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，基板上的感光性材料的成分也幾乎不會(huì)溶解。由此，減小曝光裝置內(nèi)的污染的同時(shí)，也能防止感光性材料的成分殘留在基板的表面。其結(jié)果是，可以降低在曝光裝置中產(chǎn)生的基板的處理不良。
(2)處理部具有第一處理單位，該第一處理單位包括第一處理單元、對基板進(jìn)行熱處理的第一熱處理單元以及搬送基板的第一搬送單元；和第二處理單位，該第二處理單位包括第二處理單元、第三處理單元、對基板進(jìn)行熱處理的第二熱處理單元以及搬送基板的第二搬送單元。
此時(shí)，在第一處理單位中，由第一處理單元在基板上形成感光性膜。然后，基板由第一搬送單元搬送到第一熱處理單元，在第一熱處理單元中對基板進(jìn)行規(guī)定的熱處理。然后，基板由第一搬送單元搬送到相鄰的其他的處理單位。
接著，在第二處理單位中，由第二處理單元進(jìn)行基板的洗滌處理。然后，基板通過交接部從處理部搬送到曝光裝置，在曝光裝置中對基板進(jìn)行曝光處理。曝光處理后的基板通過交接部從曝光裝置搬送到處理部。
接著，在第二處理單位中，由第三處理單元進(jìn)行基板的顯影處理。然后，基板由第二搬送單元搬送到第二熱處理單元，在第二熱處理單元中對基板進(jìn)行規(guī)定的熱處理。然后，基板由第二搬送單元搬送到相鄰的其他的處理單位。
在該基板處理裝置中，在第二處理單位中進(jìn)行曝光處理前的基板的洗滌處理以及曝光處理后的基板的顯影處理。即，在具有第一以及第三處理單元的現(xiàn)有的基板處理裝置中，通過向含有第三處理單元的處理單位追加第二處理單元，可以在一個(gè)處理單位中進(jìn)行曝光處理前的基板的洗滌處理以及曝光處理后的基板的顯影處理。其結(jié)果，可以降低成本并且不增加占用面積，降低在曝光裝置中產(chǎn)生的基板的處理不良。
(3)第二處理單位可以相鄰于交接部的方式配置。此時(shí)，可以在曝光處理之前或之后立即進(jìn)行基板的洗滌處理以及顯影處理。由此，將基板從第二處理單位向曝光裝置搬送時(shí)以及從曝光裝置向第二處理單位搬送時(shí)，可以防止環(huán)境中的灰塵等附著在基板上。其結(jié)果，可以降低在曝光處理時(shí)以及顯影處理時(shí)產(chǎn)生的基板的處理不良。
(4)處理部還具有第三處理單位，其包含在由第一處理單元形成感光性膜之前在基板上形成反射防止膜的第四處理單元、對基板進(jìn)行熱處理的第三熱處理單元、以及搬送基板的第三搬送單元。此時(shí)，由于通過第四處理單元在基板上形成反射防止膜，可以減少在曝光處理時(shí)產(chǎn)生的駐波以及光暈。由此，可以降低在曝光處理時(shí)產(chǎn)生的基板的處理不良。
(5)還可具有基板搬入搬出部，其以與處理部的其它端部相鄰的方式配置，進(jìn)行向處理部搬入基板以及從處理部搬出基板，第三處理單位可以相鄰于基板搬入搬出部的方式來配置。
此時(shí)，可以按照在向處理部搬送基板之后立即在第三處理單位形成反射防止膜，之后在第一處理單位形成感光性膜的順序來進(jìn)行。由此，向基板上的反射防止膜以及感光性膜的形成可以順利地進(jìn)行。
(6)交接部可包括對基板進(jìn)行規(guī)定處理的第五處理單元和暫時(shí)裝載基板的裝載部；在處理部、第五處理單元以及裝載部之間搬送基板的第四搬送單元，以及在裝載部和曝光裝置之間搬送基板的第五搬送單元。
此時(shí)，基板由第四搬送單元從處理部搬送到第五處理單元。在第五處理單元對基板進(jìn)行規(guī)定的處理之后，基板由第四搬送單元搬送到裝載部。然后，基板由第五搬送單元從裝載部搬送到曝光裝置。在曝光裝置對基板進(jìn)行曝光處理之后，基板由第五搬送單元從曝光裝置搬送到裝載部。然后，基板由第四搬送單元從裝載部搬送到處理部。
像這樣，在交接部配置第五處理單元，由兩個(gè)搬送單元進(jìn)行基板的搬送，從而可以無需增加基板處理裝置的占用面積即可追加處理內(nèi)容。
(7)第四搬送單元具有保持基板的第一保持部以及第二保持部；第四搬送單元，在搬送由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前的基板時(shí)，由第一保持部保持基板，在搬送由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之后的基板時(shí)，由第二保持部保持基板；第五搬送單元具有保持基板的第三保持部以及第四保持部；第五搬送單元，在搬送由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前的基板時(shí)，由第三保持部保持基板，在搬送由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之后的基板時(shí)，由第四保持部保持基板。
此時(shí)，第一保持部以及第三保持部在搬送曝光處理之前的液體未附著的基板時(shí)使用，第二保持部以及第四保持部在搬送曝光處理之后的附著有液體的基板時(shí)使用。因此，因?yàn)橐后w不會(huì)附著在第一保持部以及第三保持部上，所以可以防止液體附著在曝光處理之前的基板上。由此，可以防止由環(huán)境中的塵埃等的附著導(dǎo)致的基板的污染。其結(jié)果，可以防止在曝光裝置中由解像性能惡化等導(dǎo)致的處理不良的發(fā)生。
(8)第二保持部設(shè)置在第一保持部的下方，第四保持部設(shè)置在第三保持部的下方。此時(shí)，即使液體從第二保持部以及第四保持部以及它們保持的基板落下，液體也不會(huì)附著在第一保持部以及第三保持部以及它們保持的基板上。由此，可靠地防止液體附著在曝光處理之前的基板上。
(9)第五處理單元包括曝光基板的周邊部的邊緣曝光部。此時(shí)，在邊緣曝光部對基板的周邊部進(jìn)行曝光處理。
(10)第二處理單元可以在基板的洗滌處理后進(jìn)一步進(jìn)行基板的干燥處理。
此時(shí)，可以防止環(huán)境中的灰塵等附著在洗滌后的基板上。另外，當(dāng)洗滌液殘留在洗滌后的基板上時(shí)，感光性材料的成分會(huì)溶解到殘留的洗滌液中。因此，通過在基板洗滌后干燥基板，可以防止基板上的感光性材料的成分溶解到殘留的洗滌液中。由此，可以可靠地防止涂在基板上的感光性膜發(fā)生形狀不良，同時(shí)可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。其結(jié)果，可以可靠地防止基板的處理不良。
(11)第二處理單元可以具有將基板保持為大致水平的基板保持裝置、使由基板保持裝置保持的基板在垂直于該基板的軸的周圍旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置、在向被保持于基板保持裝置的基板上供給洗滌液的洗滌液供給部、以及在通過洗滌液供給部向基板上供給洗滌液之后，向基板上供給惰性氣體的惰性氣體供給部。
在此第二處理單元中，通過基板保持裝置將基板保持為大致水平，通過旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，基板在垂直于該基板的軸的周圍旋轉(zhuǎn)。此外，通過洗滌液供給部，向基板上供給洗滌液，接下來，通過惰性氣體供給部供給惰性氣體。
此時(shí)，因?yàn)樵谑够逍D(zhuǎn)的同時(shí)向基板上供給洗滌液，基板上的洗滌液通過離心力向基板的周邊部移動(dòng)并飛散。因此，可以防止溶解在洗滌液中的感光性材料的成分殘留在基板上。此外，因?yàn)樵谑够逍D(zhuǎn)的同時(shí)向基板上供給惰性氣體，所以在基板洗滌后能夠高效地排除殘留在基板上的洗滌液。由此，在能可靠地防止在基板上殘留感光性材料的成分的同時(shí)，可以可靠地干燥基板。因此，可以可靠地防止將洗滌后的基板向曝光裝置搬送的期間里，基板上的感光性材料的成分又溶解到殘留在基板上的洗滌液中。其結(jié)果，可以可靠地防止涂敷形成在基板上的感光性膜的形狀的不良的發(fā)生，同時(shí)可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。
(12)惰性氣體供給部，可以以使由洗滌液供給部供給到基板上的洗滌液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述洗滌液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，因?yàn)榭梢苑乐瓜礈煲簹埩粼诨迳系闹行牟浚钥梢钥煽康胤乐乖诨宓谋砻姘l(fā)生干燥痕跡。此外，可以可靠地防止將洗滌后的基板向曝光裝置搬送的期間里，感光性材料的成分又溶解到殘留在基板上的洗滌液中。由此，可以可靠地防止基板的處理不良。
(13)第二處理單元還可以具備沖洗液供給部，該沖洗液供給部在通過洗滌液供給部供給洗滌液之后，并在通過惰性氣體供給部供給惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
此時(shí)，因?yàn)榭梢酝ㄟ^沖洗液可靠地沖掉洗滌液，所以可以更加可靠地防止溶解在洗滌液中的感光性材料的成分殘留在基板上。
(14)惰性氣體供給部，可以以使由沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上被排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，因?yàn)榭梢苑乐乖诨迳系闹行牟繗埩魶_洗液，所以可以可靠地防止在基板的表面發(fā)生干燥痕跡。此外，可以可靠地防止將洗滌后的基板向曝光裝置搬送的期間里，基板上的感光性材料的成分又溶解到殘留在基板上的沖洗液中。由此，可以可靠地防止基板的處理不良。
(15)第二處理單元也可以通過從流體噴嘴向基板供給包含洗滌液以及氣體的混合流體來進(jìn)行基板的洗滌處理。
此時(shí)，從流體噴嘴噴射的混合流體含有洗滌液的微細(xì)液滴，因此，就算基板表面有凹凸，通過該微細(xì)液滴也可以去除附著在基板表面的污垢。另外，即使形成在基板上的膜的易濕性低的情況下，通過洗滌液的細(xì)微液滴也可以去除基板表面的污垢，因此，可以可靠地除去基板表面的污垢。
因而，在曝光處理前，即使在基板上形成的膜的溶劑等升華，其升華物再次附著在基板的情況下，在第二處理單元中，也可以可靠地除去該附著物。由此，可以可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。其結(jié)果，可以可靠地降低基板的處理不良。
另外，通過調(diào)節(jié)氣體的流量，可以容易的調(diào)節(jié)洗滌基板時(shí)的洗滌力。因而，在基板上形成的膜具有易損的性質(zhì)的情況下，通過降低洗滌力可以防止基板上的膜的破損。另外，在基板表面的污垢牢固的情況下，通過增強(qiáng)洗滌力可以可靠地除去基板表面的污垢。這樣，通過按照基板上的膜的性質(zhì)以及污垢的程度調(diào)節(jié)洗滌力，在防止基板上的膜的破損的同時(shí)可以可靠地洗滌基板。
(16)氣體也可以是惰性氣體。此時(shí)，即使在將藥液作為洗滌液使用了的情況下，也可以防止對形成在基板上的膜以及對洗滌液帶來化學(xué)性的影響，同時(shí)可以更可靠地除去基板表面的污垢。
(17)第二處理單元也可以在基板的洗滌處理后再進(jìn)行基板的干燥處理。
此時(shí)，可以防止環(huán)境中的塵埃等附著在洗滌處理后的基板上。另外，若洗滌液殘留在洗滌處理后的基板上，則有時(shí)感光性膜的成分會(huì)溶解到殘留的洗滌液中。因此，通過在基板的洗滌后干燥基板，可以防止基板上的感光性膜的成分溶解到殘留在基板上的洗滌液中。由此，可以可靠地防止形成在基板上的感光性膜發(fā)生形狀不良，同時(shí)可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。其結(jié)果，可以可靠地防止基板的處理不良。
(18)第二處理單元也可以包括惰性氣體供給部，其通過向基板上供給惰性氣體而進(jìn)行基板的干燥處理。此時(shí)，由于使用惰性氣體，可以在防止給形成在基板上的膜帶來化學(xué)性的影響的同時(shí)可靠地干燥基板。
(19)流體噴嘴也可以具有惰性氣體供給部的功能。此時(shí)，從流體噴嘴向基板上供給惰性氣體，而進(jìn)行基板的干燥處理。由此，不需要將惰性氣體供給部和流體噴嘴分別單獨(dú)設(shè)置。其結(jié)果，用簡單的結(jié)構(gòu)可以可靠進(jìn)行基板的洗滌以及干燥處理。
(20)第二處理單元還可以包括將基板大致水平保持的基板保持裝置；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由基板保持裝置保持的基板在垂直于該基板的軸的周圍進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
在該第二處理單元中，通過基板保持裝置將基板大致水平的保持，由旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置使基板在垂直于該基板的軸的周圍進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。另外，通過流體噴嘴將混合流體供給到基板上，接著，通過惰性氣體供給部供給惰性氣體。
此時(shí)，由于旋轉(zhuǎn)基板的同時(shí)將混合流體供給到基板上，所以基板上的混合流體通過離心力移動(dòng)分散到基板的周邊部。因此，可以可靠地防止通過混合流體除去的塵埃等的附著物殘留在基板上。另外，由于旋轉(zhuǎn)基板的同時(shí)將惰性氣體供給到基板上，所以可以高效排除在基板的洗滌后殘留在基板上的混合流體。由此，可以可靠防止塵埃等的附著物殘留在基板上，同時(shí)可以可靠地干燥基板。其結(jié)果，可以可靠防止基板的處理不良。
(21)第二處理單元也可以以使從流體噴嘴供給到基板上的混合流體從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述混合流體從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，由于可以防止混合流體殘留在基板上的中心部，所以可以可靠地防止在基板的表面產(chǎn)生干燥痕跡。由此，可以可靠地防止基板的處理不良。
(22)第二處理單元也還可以包括沖洗液供給部，其在從流體噴嘴供給了混合流體之后，且在通過惰性氣體供給部供給惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
此時(shí)，通過沖洗液可以可靠地沖洗混合流體，所以可以更可靠地防止塵埃等的附著物殘留在基板上。
(23)流體噴嘴也可以具有沖洗液供給部的功能。此時(shí)，沖洗液從流體噴嘴供給到基板上。由此，不需要將沖洗液供給部與流體噴嘴分別設(shè)置。其結(jié)果，用簡單的結(jié)構(gòu)就可以可靠地進(jìn)行基板的洗滌以及干燥處理。
(24)第二處理單元也可以以使由沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
此時(shí)，由于可以防止沖洗液殘留在基板上的中心部，所以可以可靠地防止在基板的表面產(chǎn)生干燥痕跡。由此，可以可靠地防止基板的處理不良。
(25)流體噴嘴也可以具有流通液體的液體流路；流通氣體的氣體流路；與液體流路連通并開口的液體噴射口；設(shè)置在液體噴射口的附近的同時(shí)與氣體流路連通并開口的氣體噴射口。
此時(shí)，通過洗滌液在液體流路流通并從液體噴射口噴射，氣體在氣體流路流通并從氣體噴射口噴射，從而可以在流體噴嘴的外部混合洗滌液和氣體。由此，可以生成霧狀的混合流體。
這樣，混合流體在流體噴嘴的外部通過混合洗滌液和氣體而生成。因此，在流體噴嘴的內(nèi)部不需要設(shè)置用于混合洗滌液和氣體的空間。其結(jié)果，流體噴嘴可小型化。
(26)根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面的基板處理方法，是在以相鄰于曝光裝置的方式被配置，具有第一處理單元、第二處理單元以及第三處理單元的基板處理裝置中，對基板進(jìn)行處理的方法，該基板處理方法具有在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，由第一處理單元在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜的工序；在由第一處理單元形成感光性膜之后，并在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，由第二處理單元進(jìn)行基板的洗滌處理的工序；在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之后，由第三處理單元對基板進(jìn)行顯影處理的工序。
在該基板處理方法中，在第一處理單元中在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜之后，在第二處理單元中進(jìn)行基板的洗滌處理。然后，在曝光裝置中對基板進(jìn)行曝光處理。曝光處理后，由第三處理單元進(jìn)行基板的顯影處理。
像這樣，在曝光裝置中進(jìn)行曝光處理之前，在第二處理單元中進(jìn)行基板的洗滌處理。由此，一部分在第一處理單元中形成在基板上的感光性膜的成分被溶解，并沖洗掉。此時(shí)，即使在曝光處理中在基板和液體接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，基板上的感光性材料的成分也幾乎不會(huì)溶解。由此，減小曝光裝置內(nèi)的污染的同時(shí)，也能防止感光性材料的成分殘留在基板的表面。其結(jié)果是，可以降低在曝光裝置中產(chǎn)生的基板的處理不良。
(27)在由第二處理單元進(jìn)行基板的洗滌處理的工序之后，并在在由曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，還可以具有由第二處理單元進(jìn)行基板的干燥處理的工序。
此時(shí)，在第二處理單元中，進(jìn)行洗滌后的基板的干燥處理，因此可以防止環(huán)境中的塵埃等附著到洗滌后的基板上。另外，若在基板的洗滌后洗滌液殘留在基板上，則有時(shí)感光性材料的成分會(huì)溶解到殘留的洗滌液中。因此，通過在基板的洗滌后干燥基板，可以防止基板上的感光性材料的成分溶解到殘留在基板上的洗滌液中。由此，在可以可靠地防止在基板上涂敷的感光性膜的形狀不良的產(chǎn)生的同時(shí)可以可靠地防止曝光裝置內(nèi)的污染。其結(jié)果，可以可靠地防止基板的處理不良。
根據(jù)本發(fā)明，在曝光裝置中進(jìn)行曝光處理之前在第二處理單元中進(jìn)行基板的洗滌處理。此時(shí)，在曝光裝置中，即使在基板與液體接觸的狀態(tài)下進(jìn)行曝光處理，基板上的感光性材料的成分也幾乎不會(huì)溶解。由此，減小曝光裝置內(nèi)的污染的同時(shí)，也能防止感光性材料的成分殘留在基板的表面。其結(jié)果是，可以降低在曝光裝置中產(chǎn)生的基板的處理不良。


圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的基板處理裝置的俯視圖。
圖2是從+X方向來看的圖1的基板處理裝置的側(cè)視圖。
圖3是從一X方向來看的圖1的基板處理裝置的側(cè)視圖。
圖4是用于說明洗滌處理單元的結(jié)構(gòu)的圖。
圖5A、圖5B、圖5C是用于說明洗滌處理單元的動(dòng)作的圖。
圖6是一體地設(shè)置洗滌處理用噴嘴與干燥處理用噴嘴情況的示意圖。
圖7是表示干燥處理用噴嘴的其他的例子的示意圖。
圖8A、圖8B、圖8C是用于說明使用了圖7的干燥處理用噴嘴的情況下的基板的干燥處理方法的圖。
圖9是表示干燥處理用噴嘴的其他的例子的示意圖。
圖10是表示洗滌處理單元的其他的例子的示意圖。
圖11是用于說明使用了圖10的洗滌處理單元的情況下的基板的干燥處理方法的圖。
圖12是用于說明接口用搬送機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。
圖13是表示用于洗滌以及干燥處理的2流體噴嘴的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的縱向剖面圖。
圖14A、圖14B、圖14C是用于說明使用圖13的2流體噴嘴的情況下的基板的洗滌以及干燥處理方法的圖。
具體實(shí)施例方式
下面，針對本發(fā)明一個(gè)實(shí)施方式涉及的基板處理裝置，使用附圖進(jìn)行說明。在以下的說明中，所謂基板是指半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用基板、等離子顯示器用基板、光掩模用玻璃基板、光盤用基板、磁盤用基板、光磁盤用基板、光掩模用基板等。
圖1是本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的基板處理裝置的俯視圖。
在圖1以后的各圖，為了明確位置關(guān)系，標(biāo)有箭頭表示相互垂直的X方向、Y方向和Z方向。X方向以及Y方向在水平面內(nèi)相互垂直，Z方向相當(dāng)于鉛垂方向。此外，在各方向中，將箭頭指向的方向設(shè)為+方向，其相反的方向設(shè)為-方向。另外，將以Z方向?yàn)橹行牡男D(zhuǎn)方向設(shè)為θ方向。
如圖1所示，基板處理裝置500包括分度器模塊9、反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、洗滌/顯影處理模塊12、以及接口模塊13。以相鄰于接口模塊13的方式配置曝光裝置14。在曝光裝置14中，通過浸液法進(jìn)行基板W的曝光處理。
下面，將各個(gè)分度器模塊9、反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、洗滌/顯影處理模塊12以及接口模塊13分別稱為處理模塊。
分度器模塊9包括控制各處理模塊的動(dòng)作的主控制器(控制部)30、多個(gè)運(yùn)送器裝載臺(tái)60以及分度器機(jī)械手IR。在分度器機(jī)械手IR上設(shè)置有用于交接基板W的手部IRH。
反射防止膜用部10包括反射防止膜用熱處理部100、101、反射防止膜用涂敷處理部70以及第一中心機(jī)械手CR1。反射防止膜用涂敷處理部70隔著第一中心機(jī)械手CR1與反射防止膜用熱處理部100、101相對向而設(shè)置。在第一中心機(jī)械手CR1，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH1、CRH2。
在分度器模塊9和反射防止膜用處理模塊10之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用隔斷壁15。在該隔斷壁15，上下接近地設(shè)置有用于在分度器模塊9和反射防止膜用處理模塊10之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS1、PASS2。上側(cè)的基板裝載部PASS1在將基板W從分度器模塊9搬送到反射防止膜用處理模塊10時(shí)使用，下側(cè)的基板裝載部PASS2在將基板W從反射防止膜用處理模塊10搬送到分度器模塊9時(shí)使用。
另外，在基板裝載部PASS1、PASS2設(shè)置有檢測基板W的有無的光學(xué)式的傳感器(未圖示)。由此，可以判定在基板裝載部PASS1、PASS2中是否裝載有基板W。另外，在基板裝載部PASS1、PASS2設(shè)置有固定設(shè)置的多根支撐銷。此外，上述的光學(xué)式的傳感器以及支撐銷也同樣設(shè)置在后面所述的基板裝載部PASS3～PASS10上。
抗蝕膜用處理模塊11包括抗蝕膜用熱處理部110、111、抗蝕膜用涂敷處理部80以及第二中心機(jī)械手CR2?？刮g膜用涂敷處理部80隔著第二中心機(jī)械手CR2與抗蝕膜用熱處理部110、111相對向而設(shè)置。在第二中心機(jī)械手CR2，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH3、CRH4。
在反射防止膜用處理模塊10和抗蝕膜用處理模塊11之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁16。在該隔斷壁16，上下接近地設(shè)置有用于在反射防止膜用處理模塊10和抗蝕膜用處理模塊11之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS3、PASS4。上側(cè)的基板裝載部PASS3在將基板W從反射防止膜用處理模塊10搬送到抗蝕膜用處理模塊11時(shí)使用，下側(cè)的基板裝載部PASS4在將基板W從抗蝕膜用處理模塊11搬送到反射防止膜用處理模塊10時(shí)使用。
洗滌/顯影處理模塊12包括顯影用熱處理部120、曝光后烘干用熱處理部121、顯影處理部90、洗滌處理部95以及第三中心機(jī)械手CR3。曝光后烘干用熱處理部121與接口模塊13相鄰，如后所述，具有基板裝載部PASS7、PASS8。顯影處理部90以及洗滌處理部95隔著第三中心機(jī)械手CR3與顯影用熱處理部120、以及曝光后烘干用熱處理部121相對向設(shè)置。在第三中心機(jī)械手CR3，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH5、CRH6。
在抗蝕膜用處理模塊11和洗滌/顯影處理模塊12之間，設(shè)置有環(huán)境隔斷用的隔斷壁17。在該隔斷壁17，上下接近地設(shè)置有用于在抗蝕膜用處理模塊11和洗滌/顯影處理模塊12之間進(jìn)行基板W的交接的基板裝載部PASS5、PASS6。上側(cè)的基板裝載部PASS5在將基板W從抗蝕膜用處理模塊11搬送到洗滌/顯影處理模塊12時(shí)使用，下側(cè)的基板裝載部PASS6在將基板W從洗滌/顯影處理模塊12搬送到抗蝕膜用處理模塊11時(shí)使用。
接口模塊13包括第四中心機(jī)械手CR4、緩沖貯存器SBF、接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR以及邊緣曝光部EEW。另外，在邊緣曝光部EEW的下側(cè)，設(shè)置有后述的返回緩沖貯存器部RBF以及基板裝載部PASS9、PASS10。在第四中心機(jī)械手CR4，上下設(shè)置有用于交接基板W的手部CRH7、CRH8。
在本實(shí)施方式涉及的基板處理裝置500中，沿Y方向依次并列設(shè)置有分度器模塊9、反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11、洗滌/顯影處理模塊12以及接口模塊13。
圖2是從+X方向來看的圖1的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
在反射防止膜用處理模塊10的反射防止膜用涂敷處理部70(參照圖1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元BARC。各涂敷單元BARC具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤71以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤71上的基板W供給反射防止膜的涂敷液的供給噴嘴72。
在抗蝕膜用處理模塊11的抗蝕膜用涂敷處理部80(參照圖1)，上下層疊配置有3個(gè)涂敷單元RES。各涂敷單元RES具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤81以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤81上的基板W供給抗蝕膜的涂敷液的供給噴嘴82。
在洗滌/顯影處理模塊12，上下層疊配置有顯影處理部90以及干燥處理部95。在顯影處理部90，上下層疊配置有4個(gè)顯影處理單元DEV。各顯影處理單元DEV具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤91以及向保持在旋轉(zhuǎn)卡盤91上的基板W供給顯影液的供給噴嘴92。
另外，在洗滌處理部95，配置有1個(gè)洗滌處理單元SOAK。在該洗滌處理單元SOAK中，進(jìn)行基板W的洗滌以及干燥處理。關(guān)于洗滌處理單元SOAK的具體結(jié)構(gòu)，在后面敘述。
在接口模塊13內(nèi)，上下層疊配置有兩個(gè)邊緣曝光部EEW、返回緩沖貯存器部RBF以及基板裝載部PASS9、PASS10，同時(shí)配置有第四中心機(jī)械手CR4(參照圖1)以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR。各邊緣曝光部EEW具有以水平姿勢吸附保持基板W并進(jìn)行旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)卡盤98以及對保持在旋轉(zhuǎn)卡盤98上的基板W的周邊進(jìn)行曝光的光照射器99。
圖3是從-X方向看到的圖1的基板處理裝置500的側(cè)視圖。
在反射防止膜用處理模塊10的反射防止膜用熱處理部100，上下層疊配置有兩個(gè)2個(gè)冷卻單元(冷卻板)CP，在反射防止膜用熱處理部101，上下層疊配置有4個(gè)加熱單元(加熱板)HP以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在反射防止膜用熱處理部100、101，其最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在抗蝕膜用處理模塊11的抗蝕膜用熱處理部110，上下層疊配置有4個(gè)冷卻單元CP，在抗蝕膜用熱處理部111，上下層疊配置有5個(gè)加熱單元HP。另外，在抗蝕膜用熱處理部110、111，其最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
在洗滌/顯影處理模塊12的顯影用熱處理部120，上下層疊配置有3個(gè)加熱單元HP以及4個(gè)冷卻單元CP，在曝光后烘干用熱處理部121，上下層疊配置有4個(gè)加熱單元HP、基板裝載部PASS7、PASS8以及2個(gè)冷卻單元CP。另外，在顯影用熱處理部120以及曝光后烘干用熱處理部121，其最上部分別配置有控制冷卻單元CP以及加熱單元HP的溫度的局部控制器LC。
下面，針對本實(shí)施方式涉及的基板處理裝置500的動(dòng)作進(jìn)行說明。
在分度器模塊9的運(yùn)送器裝載臺(tái)60的上面，搬入多級(jí)容納多張基板W的運(yùn)送器C。分度器機(jī)械手IR使用手部IRH，取出容納在運(yùn)送器C內(nèi)的未處理的基板W。然后，分度器機(jī)械手IR沿±X方向移動(dòng)的同時(shí)沿±θ方向旋轉(zhuǎn)移動(dòng)，將未處理的基板W移載到基板裝載部PASS1。
在本實(shí)施方式中，采用FOUP(front opening unifiedpod前開式統(tǒng)一標(biāo)準(zhǔn)箱)作為運(yùn)送器C，但是不限于此，也可以使用SMIF(StandardMechanical Inter Face標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械界面)盒或?qū)⑷菁{基板W曝露在外部空氣中的OC(open cassette開放式盒子)等。進(jìn)一步，在分度器機(jī)械手IR、第一～第四中心機(jī)械手CR1～CR4以及接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，使用分別相對于基板W直線滑動(dòng)而進(jìn)行手部的進(jìn)退動(dòng)作的直線運(yùn)動(dòng)型搬送機(jī)械手，但是不限于此，也可以使用通過使關(guān)節(jié)動(dòng)作來直線的進(jìn)行手部的進(jìn)退動(dòng)作的多關(guān)節(jié)型機(jī)械手。
移載到基板裝載部PASS1上的未處理的基板W，通過反射防止膜用處理模塊10的第一中心機(jī)械手CR1的手部CRH1接收。第一中心機(jī)械手CR1通過手部CRH1將基板W搬入到反射防止膜用涂敷處理部70。在該反射防止膜用涂敷處理部70中，為了減少曝光時(shí)產(chǎn)生的駐波和光暈，通過涂敷單元BARC在基板W上涂敷形成反射防止膜。
然后，第一中心機(jī)械手CR1通過手部CRH2從反射防止膜用涂敷處理部70取出涂敷處理過的基板W，搬入到反射防止膜用熱處理部100、101。
接著，第一中心機(jī)械手CR1通過手部CRH1從反射防止膜用熱處理部100、101取出熱處理過的基板W，移載到基板裝載部PASS3。
移載到基板裝載部PASS3的基板W通過抗蝕膜用處理模塊11的第二中心機(jī)械手CR2的手部CRH3被接收。第二中心機(jī)械手CR2通過手部CRH3將基板W搬入到抗蝕膜用涂敷處理部80。在該抗蝕膜用涂敷處理部80中，通過涂敷單元RES在涂敷形成了反射防止膜的基板W上涂敷形成抗蝕膜。
然后，第二中心機(jī)械手CR2通過手部CRH4從抗蝕膜用涂敷處理部80取出涂敷處理過的基板W，并搬到抗蝕膜用熱處理部110、111。
接著，第二中心機(jī)械手CR2由手部CRH3從抗蝕膜用熱處理部110、111取出完成了熱處理的基板W，移載到基板裝載部PASS5上。
移載到基板裝載部PASS5上的基板W通過洗滌/顯影處理模塊12的第三中心機(jī)械手CR3的手部CRH5被接收。第三中心機(jī)械手CR3通過手部CRH5將基板W搬入到洗滌處理部95。在該洗滌處理部95，如上述那樣通過洗滌處理單元SOAK進(jìn)行基板W的洗滌處理以及干燥處理。
接著，第三中心機(jī)械手CR3通過手部CRH5將處理過的基板W從洗滌處理單元SOAK取出，移載到基板裝載部PASS7上。移載到基板裝載部PASS7上的基板W，通過接口模塊13的第四中心機(jī)械手CR4的上側(cè)的手部CRH7被接收。第四中心機(jī)械手CR4通過手部CRH7將基板W搬入到邊緣曝光部EEW。在該邊緣曝光部EEW中，對基板W的周邊部實(shí)施曝光處理。
接著，第四中心機(jī)械手CR4通過手部CRH7從邊緣曝光部EEW取出完成了邊緣曝光處理的基板W。然后，第四中心機(jī)械手CR4通過手部CRH7將基板W移載到基板裝載部PASS9上。
移載到基板裝載部PASS9上的基板W通過接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部H5搬入到曝光裝置14。在曝光裝置14中對基板W實(shí)施了曝光處理后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR通過手部H6將基板W移載到PASS10上。此外，關(guān)于接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的具體結(jié)構(gòu)，在后面敘述。
移載到基板裝載部PASS10上的基板W通過接口模塊13的第四中心機(jī)械手CR4的下側(cè)的手部CRH8被接收。第四中心機(jī)械手CR4通過手部CRH8將基板W搬入到洗滌/顯影處理模塊12的曝光后烘干用熱處理部121。在曝光后烘干用熱處理部121中，對基板W進(jìn)行曝光后烘干(PEB)。然后，第四中心機(jī)械手CR4通過手部CRH8從曝光后烘干用熱處理部121取出基板W，并移載到基板裝載部PASS8。
移載到基板裝載部PASS8上的基板W，通過洗滌/顯影處理模塊12的第三中心機(jī)械手CR3的手部CRH6被接收。第三中心機(jī)械手CR3通過手部CRH6將基板W搬入到顯影處理部90。在顯影處理部90中，通過顯影處理單元DEV對基板W進(jìn)行顯影處理。
然后，第三中心機(jī)械手CR3通過手部CRH5從顯影處理部90取出顯影處理過的基板W，搬入到顯影用熱處理部120。
下面，第三中心機(jī)械手CR3通過手部CRH6從顯影用熱處理部120取出熱處理后的基板W，移載到基板裝載部PASS6。
此外，由于故障等，在顯影處理部90中暫時(shí)不能進(jìn)行基板W的顯影處理時(shí)，在曝光后烘干用熱處理部121中對基板W實(shí)施熱處理之后，可以暫時(shí)將基板W容納保管在接口模塊13的返回緩沖貯存器部RBF。
移載到基板裝載部PASS6的基板W通過抗蝕膜用處理模塊11的第二中心機(jī)械手CR2的手部CRH4而移載到基板裝載部PASS4上。移載到基板裝載部PASS4上的基板W通過反射防止膜用處理模塊10的第一中心機(jī)械手CR1的手部CRH2，被移載到基板裝載部PASS2上。
移載到基板裝載部PASS2上的基板W通過分度器模塊9的分度器機(jī)械手IR容納在搬運(yùn)器C內(nèi)。由此，基板處理裝置中的基板W的各處理結(jié)束。
在這里，利用附圖對上述的洗滌處理單元SOAK進(jìn)行詳細(xì)的說明。
首先，說明洗滌處理單元SOAK的結(jié)構(gòu)。圖4是用于說明洗滌處理單元SOAK的結(jié)構(gòu)的圖。
如圖4所示，洗滌處理單元SOAK具有旋轉(zhuǎn)卡盤621，該旋轉(zhuǎn)卡盤621用于水平地保持基板W的同時(shí)在通過基板W的中心的鉛直的旋轉(zhuǎn)軸的周圍使基板W旋轉(zhuǎn)。
旋轉(zhuǎn)卡盤621固定在通過卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636而旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸625的上端。另外，在旋轉(zhuǎn)卡盤621上形成有吸氣路徑(無圖示)，通過在將基板W裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤621上的狀態(tài)下在吸氣路徑內(nèi)排氣，從而將基板W的下表面與旋轉(zhuǎn)卡盤621真空吸附，可以將基板W以水平姿勢保持。
在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)設(shè)置有第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660。第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660與第一旋轉(zhuǎn)軸661連接。另外，第一臂部662以向水平方向延伸的方式連接在第一旋轉(zhuǎn)軸661上，并在第一臂部662的前端設(shè)置洗滌處理用噴嘴650。
通過第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660旋轉(zhuǎn)第一旋轉(zhuǎn)軸661的同時(shí)使第一臂部662旋轉(zhuǎn)，洗滌處理用噴嘴650移動(dòng)到由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上方。
以通過第一旋轉(zhuǎn)馬達(dá)660、第一旋轉(zhuǎn)軸661以及第一臂部662的內(nèi)部的方式設(shè)置洗滌處理用供給管663。洗滌處理用供給管663通過閥門Va以及閥門Vb連接洗滌液供給源R1以及沖洗液供給源R2。通過控制該閥門Va、Vb的開關(guān)，可以進(jìn)行供給到洗滌處理用供給管663的處理液的選擇以及供給量的調(diào)整。在圖4的結(jié)構(gòu)中，通過打開閥門Va，可以將洗滌液供給到洗滌處理用供給管663，通過打開閥門Vb，可以將沖洗液供給到洗滌處理用供給管663。
將洗滌液或者沖洗液通過洗滌處理用供給管663從洗滌液供給源R1或者沖洗液供給源R2供給到洗滌處理用噴嘴650。由此，可以向基板W的表面供給洗滌液或者沖洗液。洗滌液例如可以使用純水、在純水中溶解了絡(luò)合物(離子化)的液體或者氟類藥液等。沖洗液例如可以使用純水、碳酸水、氫水、電解離子水以及HFE(氫氟醚)的任一種。
在旋轉(zhuǎn)卡盤621的外側(cè)設(shè)置有第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671。第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671與第二旋轉(zhuǎn)軸672連接。另外，第二臂部673以向水平方向延伸的方式連接在第二旋轉(zhuǎn)軸672，并在第二臂部673的前端設(shè)置干燥處理用噴嘴670。
通過第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671旋轉(zhuǎn)第二旋轉(zhuǎn)軸672的同時(shí)使第二臂部673旋轉(zhuǎn)，干燥處理用噴嘴670移動(dòng)到由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W的上方。
以通過第二旋轉(zhuǎn)馬達(dá)671、第二旋轉(zhuǎn)軸672以及第二臂部673的內(nèi)部的方式設(shè)置干燥處理用供給管674。干燥處理用供給管674經(jīng)由閥門Vc連接于惰性氣體供給源R3。通過控制該閥門Vc的開關(guān)，可以調(diào)整供給到干燥處理用供給管674的惰性氣體的供給量。
在干燥處理用噴嘴670，通過干燥處理用供給管674從惰性氣體供給源R3供給惰性氣體。由此，可以向基板W的表面供給惰性氣體。惰性氣體例如可以使用氮?dú)?N2)。
在向基板W的表面供給洗滌液或者沖洗液時(shí)，洗滌處理用噴嘴650位于基板的上方，在向基板W的表面供給惰性氣體時(shí)，洗滌用噴嘴650退避到規(guī)定的位置。
另外，在向基板W的表面供給洗滌液或者沖洗液時(shí)，干燥處理用噴嘴670退避到規(guī)定的位置，在向基板W的表面供給惰性氣體時(shí)，干燥處理用噴嘴670位于基板W的上方。
由旋轉(zhuǎn)卡盤621保持的基板W被容納于處理杯623內(nèi)。在處理杯623的內(nèi)側(cè)，設(shè)置有筒狀的間隔壁633。另外，以包圍旋轉(zhuǎn)卡盤621的周圍的方式形成有用于排出基板W的處理中使用的處理液(洗滌液或者沖洗液)的排液空間631。進(jìn)一步，以包圍排液空間631的方式形成有用于在處理杯623和間隔壁633之間回收基板W的處理中使用的處理液的回收液空間632。
在排液空間631，連接著用于向排液處理裝置(未圖示)引導(dǎo)處理液的排液管634，在回收液空間632連接著用于向回收處理裝置(未圖示)引導(dǎo)處理液的回收管635。
在處理杯623的上方設(shè)置有用于防止來自基板W的處理液向外側(cè)飛散的防護(hù)裝置624。該防護(hù)裝置624由相對于旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)對稱的形狀構(gòu)成。在防護(hù)裝置624上端部的內(nèi)面，環(huán)狀形成截面“＜”字狀的排液引導(dǎo)槽641。
另外，在防護(hù)裝置624的下端部的內(nèi)面，形成由向外側(cè)下方傾斜的傾斜面構(gòu)成的回收液引導(dǎo)部642。在回收液引導(dǎo)部642的上端附近，形成有用于容納處理杯623的間隔壁633的間隔壁容納槽643。
在該防護(hù)裝置624設(shè)置有用滾珠絲杠機(jī)構(gòu)等構(gòu)成的防護(hù)裝置升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)(未圖示)。防護(hù)裝置升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)，使防護(hù)裝置624在回收液引導(dǎo)部642與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W的外周端面相對向的回收位置、和排液引導(dǎo)槽641與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W的外周端面相對向的排液位置之間上下移動(dòng)。在防護(hù)裝置624位于回收位置(如圖4所示的防護(hù)裝置的位置)的情況下，將從基板W向外側(cè)飛散的處理液通過回收液引導(dǎo)部642引導(dǎo)到回收液空間632，而通過回收管635進(jìn)行回收。另一方面，在防護(hù)裝置624位于排液位置時(shí)，將從基板W向外側(cè)飛散的處理液通過排液引導(dǎo)槽641引導(dǎo)到排液空間631，通過排液管634排液。根據(jù)以上的結(jié)構(gòu)，進(jìn)行處理液的排液以及回收。
接著，對具有上述結(jié)構(gòu)的洗滌處理單元SOAK的處理動(dòng)作進(jìn)行說明。此外，以下說明的洗滌處理單元SOAK的各構(gòu)成要件的動(dòng)作通過圖1的主控制器30進(jìn)行控制。
首先，在搬入基板W時(shí)，防護(hù)裝置624下降的同時(shí)，圖1的第三中心機(jī)械手CR3將基板W裝載到旋轉(zhuǎn)卡盤621上。裝載在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W，通過旋轉(zhuǎn)卡盤621而被吸附保持。
然后，防護(hù)裝置624移動(dòng)到上述排液位置的同時(shí)，洗滌處理用噴嘴650向基板W的中心部上方移動(dòng)。之后，旋轉(zhuǎn)軸625旋轉(zhuǎn)，伴隨著該旋轉(zhuǎn)而被保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W旋轉(zhuǎn)。之后，將洗滌液從洗滌處理用噴嘴650噴到基板W的上表面。由此，進(jìn)行基板W的洗滌，基板W上的抗蝕劑的成分溶解到洗滌液中。在這里，基板W的洗滌中，使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)向基板W上供給洗滌液。這時(shí)，基板W上的洗滌液由于離心力總是向基板W的周邊部移動(dòng)飛散。因而，可以防止溶解到洗滌液中的抗蝕劑的成分殘留在基板W上。此外，上述抗蝕劑的成分也可以例如通過在基板W上盛滿純水并保持一定時(shí)間來溶解。還有，向基板W上的洗滌液的供給，也可以通過使用2流體噴嘴的柔性噴射方式進(jìn)行。
經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，停止洗滌液的供給，從洗滌處理用噴嘴650噴射沖洗液。由此，沖洗基板W上的洗滌液。其結(jié)果，可以可靠地防止溶解到洗滌液中的抗蝕劑液的成分殘留在基板W上。
進(jìn)一步，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度降低。由此，通過基板W的旋轉(zhuǎn)而甩開的沖洗液的量減少，如圖5A所示，在基板W的表面整體上形成沖洗液的液層L。此外，也可以使旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)停止而在基板W的表面整體上形成液層L。
在本實(shí)施方式中，采用下述結(jié)構(gòu)以可以從洗滌液處理用噴嘴650任意供給洗滌液以及沖洗液的方式，采用在洗滌液的供給以及沖洗液的供給中共用洗滌液處理用噴嘴650的結(jié)構(gòu)，但也可以采用洗滌液供給用的噴嘴和沖洗液處理用的噴嘴分別分開的結(jié)構(gòu)。
另外，在供給沖洗液時(shí)，為了使沖洗液不蔓延到基板W的背面，對基板W的背面從未圖示的防沖洗用噴嘴供給純水也可以。
此外，在洗滌基板W的洗滌液使用純水的情況下，不需要進(jìn)行沖洗液的供給。
下面，停止沖洗液的供給，洗滌處理用噴嘴650退避到規(guī)定的位置的同時(shí)，干燥處理用噴嘴670移動(dòng)到基板W的中心部上方。之后，從干燥處理用噴嘴670噴射惰性氣體。由此，如圖5B所示變?yōu)橐韵聽顟B(tài)基板W的中心部的沖洗液移動(dòng)到基板W的周邊部，僅基板W的周邊部存在液層L。
接著，旋轉(zhuǎn)軸625(參照圖4)的轉(zhuǎn)速上升的同時(shí)，如圖5C所示，干燥處理用噴嘴670從基板W的中心部上方向周邊部上方緩緩移動(dòng)。由此，在基板W上的液層L作用很大離心力的同時(shí)，可以對基板W的表面整體噴射惰性氣體，因此，可以可靠地除去基板W上的液層L。其結(jié)果，可以使基板W可靠地干燥。
下面，停止惰性氣體的供給，干燥處理噴嘴670退避到規(guī)定的位置的同時(shí)使旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)停止。之后，防護(hù)裝置624下降的同時(shí)圖1的第三中心機(jī)械手CR3將基板W從洗滌處理單元SOAK搬出。由此，洗滌處理單元SOAK中的處理動(dòng)作結(jié)束。
此外，洗滌以及干燥處理中的防護(hù)裝置624的位置最好是按照處理液的回收或者排液的需要而適當(dāng)變更。
此外，在圖4所示的洗滌處理單元SOAK中，將洗滌處理用噴嘴650和干燥處理用噴嘴670分別單獨(dú)設(shè)置，但如圖6所示，也可以將洗滌處理用噴嘴650和干燥處理用噴嘴670一體設(shè)置。這時(shí)，由于不需要在基板W的洗滌處理時(shí)或者干燥處理時(shí)將洗滌處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670分別各自移動(dòng)，所以可以使驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)簡單化。
另外，代替干燥處理用噴嘴670，而使用如圖7所示的干燥處理用噴嘴770也是可以的。
圖7的干燥處理用噴嘴770具有向垂直下方延伸的同時(shí)從側(cè)面向斜下方延伸的分支管771、772。在干燥處理用噴嘴770的下端以及分支管771、772的下端形成噴射惰性氣體的氣體噴射口770a、770b、770c。從各噴射口770a、770b、770c分別如圖7的箭頭所示向鉛直下方以及斜下方噴射惰性氣體。即，在干燥處理用噴嘴770中，以向下方擴(kuò)大噴射范圍的方式噴射惰性氣體。
在這里，使用干燥處理用噴嘴770時(shí)，洗滌處理單元SOAK通過以下說明的動(dòng)作進(jìn)行基板W的干燥處理。
圖8A～圖8C是用于說明使用了干燥處理用噴嘴770的情況的基板W的干燥處理方法的圖。
首先，通過在圖5A中說明的方法在基板W的表面形成液層L之后，如圖8A所示，干燥處理用噴嘴770向基板W的中心部上方移動(dòng)。之后，從干燥處理用噴嘴770噴射惰性氣體。由此，如圖8B所示變?yōu)橐韵聽顟B(tài)，基板W的中心部的沖洗液移動(dòng)到基板W的周邊部，僅基板W的周邊部存在液層L。此外，這時(shí)，干燥處理用噴嘴770接近基板W的表面，以使存在于基板W的中心部的沖洗液可靠地移動(dòng)。
然后，在旋轉(zhuǎn)軸625(參照圖4)的轉(zhuǎn)速上升的同時(shí)，如圖8C所示干燥處理用噴嘴770向上方移動(dòng)。由此，在基板W上的液層L作用很大的離心力的同時(shí)，基板W上的惰性氣體噴射的范圍擴(kuò)大。其結(jié)果，可以可靠地除去基板W上的液層L。另外，干燥處理用噴嘴770通過設(shè)置在圖4的第二旋轉(zhuǎn)軸672上的旋轉(zhuǎn)軸升降機(jī)構(gòu)(未圖示)而使第二旋轉(zhuǎn)軸672上下升降，從而可以上下移動(dòng)。
另外，代替干燥處理用噴嘴770，而使用如圖9所示的干燥處理用噴嘴870也可以。圖9的干燥處理用噴嘴870具有向下方緩慢擴(kuò)大直徑的噴射口870a。從該噴射口870a沿圖9所示的箭頭向鉛直下方以及斜下方噴射惰性氣體。即，即使在干燥處理用噴嘴870，也與圖7的干燥處理用噴嘴770相同，以向下方噴射的范圍擴(kuò)大的方式噴射惰性氣體。因而，使用干燥處理用噴嘴870，也通過與使用干燥處理用噴嘴770的情況相同的方法從而可以進(jìn)行基板W的干燥處理。
另外，代替圖4所示的洗滌處理單元SOAK，也可以使用如圖10所示洗滌處理單元SOAKa。
如圖10所示的洗滌處理單元SOAKa與圖4所示的洗滌處理單元SOAK的不同點(diǎn)為以下所說明的點(diǎn)。
在圖10的洗滌處理單元SOAKa中，在旋轉(zhuǎn)卡盤621的上方設(shè)置有在中心部具有開口的圓板狀的遮斷板682。從臂部688的前端附近向垂直方向設(shè)置支承軸689，在該支承軸689的下端，遮斷板682以與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W的上表面相對向的方式安裝著。
在支承軸689的內(nèi)部，貫通有與遮斷板682的開口連通著的氣體供給路徑690。在氣體供給路徑690例如供給氮?dú)?N2)。
在臂部688，連接著遮斷板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)697以及遮斷板旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)698。遮斷板升降驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)697使遮斷板682在與保持在旋轉(zhuǎn)卡盤621上的基板W的上表面接近的位置和從旋轉(zhuǎn)卡盤621離開到上方的位置之間上下移動(dòng)。
在圖10的洗滌處理單元SOAKa中，在基板W的干燥處理時(shí)，如圖11所示，在使遮斷板682接近基板W的狀態(tài)下，對基板W和遮斷板682之間的間隙從氣體供給路徑690供給惰性氣體。這時(shí)，從基板W的中心部向周邊部可以高效的供給惰性氣體，因此，可以可靠地除去基板W上的液層L。
另外，上述實(shí)施方式中，在洗滌處理單元SOAK中通過旋轉(zhuǎn)干燥方法對基板W執(zhí)行干燥處理，但也可以通過減壓干燥方法、風(fēng)刀干燥方法等其他的干燥方法對基板W執(zhí)行干燥處理。
另外，在上述實(shí)施方式中，是在形成沖洗液的液層L的狀態(tài)下，從干燥處理用噴嘴670供給惰性氣體，但在沒有形成沖洗液的液層L的情況或者沒有使用沖洗液的情況下，使基板W旋轉(zhuǎn)而將洗滌液的液層一旦甩開之后，立即從干燥處理用噴嘴670供給惰性氣體使基板W完全干燥也是可以的。
如上所述，在本實(shí)施方式涉及的基板處理裝置500中，在曝光裝置14中對基板W進(jìn)行曝光處理之前，在洗滌處理單元SOAK中對基板W進(jìn)行洗滌處理。在該洗滌處理時(shí)，基板W上的抗蝕劑液的成分的一部分溶解到洗滌液或者沖洗液中，而被沖洗。為此，即使在曝光處理14中基板W和液體接觸，基板W上的抗蝕劑的成分幾乎沒有溶解到液體中。由此，降低曝光裝置14內(nèi)的污染的同時(shí)，也能防止在基板W的表面殘留抗蝕劑的成分。其結(jié)果，能夠降低在曝光裝置14中產(chǎn)生的基板W的處理不良。
另外，在洗滌處理單元SOAK中，由于在洗滌處理后進(jìn)行基板W的干燥處理，所以在搬運(yùn)洗滌處理后的基板W時(shí)，可以防止環(huán)境中的塵埃等附著在基板W上。由此，可以防止基板W的污染。
另外，洗滌/顯影處理模塊12以相鄰于接口模塊13的方式設(shè)置。此時(shí)，能夠在曝光裝置14的曝光處理之前以及之后立即進(jìn)行基板W的洗滌處理以及顯影處理。由此，將基板W從洗滌/顯影處理模塊12向曝光裝置14搬送、以及從曝光裝置14向洗滌/顯影處理模塊12搬送時(shí)，可以防止環(huán)境中的塵埃等附著在基板W上。其結(jié)果，能夠充分降低在曝光處理時(shí)以及顯影處理時(shí)產(chǎn)生的基板W的處理不良。
另外，在洗滌處理單元SOAK中，通過在旋轉(zhuǎn)基板W的同時(shí)從基板W的中心部向周邊部噴射惰性氣體，來進(jìn)行基板W的干燥處理。此時(shí)，由于能夠可靠地除去基板W上的洗滌液以及沖洗液，所以能夠可靠地防止環(huán)境中的塵埃等附著在洗滌后的基板W上。由此，能夠可靠地防止基板W的污染，同時(shí)能夠防止在基板W的表面產(chǎn)生干燥痕跡。
另外，由于可以可靠地防止在洗滌后的基板W殘留洗滌液以及沖洗液，所以在從洗滌處理單元SOAK將基板W搬送到曝光裝置14期間，可以可靠地防止抗蝕劑的成分進(jìn)一步溶解到洗滌液以及沖洗液中。由此，可以可靠地防止抗蝕膜的形狀不良的產(chǎn)生，同時(shí)可以可靠地防止曝光裝置14內(nèi)的污染。
這些的結(jié)果是，可以可靠地防止基板W的處理不良。
下面，針對接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR進(jìn)行說明。圖12是用于說明接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)以及動(dòng)作的圖。
首先，針對接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的結(jié)構(gòu)進(jìn)行說明。如圖12所示，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的可動(dòng)臺(tái)21與螺旋軸22擰到一塊。螺旋軸22以在X方向延伸的方式由支撐臺(tái)23可旋轉(zhuǎn)地支撐。在螺旋軸22的一端部設(shè)置有馬達(dá)M1，通過該馬達(dá)M1，螺旋軸22旋轉(zhuǎn)，可動(dòng)臺(tái)21在±X方向上水平移動(dòng)。
另外，在可動(dòng)臺(tái)21，在±θ方向可旋轉(zhuǎn)并且在±Z軸方向可升降的裝載有手部支撐臺(tái)24。手部支撐臺(tái)24經(jīng)由旋轉(zhuǎn)軸25與可動(dòng)臺(tái)21內(nèi)的馬達(dá)M2連接，通過該馬達(dá)M2，手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)。在手部支撐臺(tái)24上下可自由進(jìn)退地設(shè)置有以水平姿勢保持基板W的兩個(gè)手部H5、H6。
下面，針對接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作進(jìn)行說明。接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作由圖1的主控制器30控制。
首先，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR，在圖12的位置A，使手部支承臺(tái)24旋轉(zhuǎn)，同時(shí)沿+Z方向上升，使上側(cè)的手部H5進(jìn)入基板裝載部PASS9。在基板裝載部PASS9中，當(dāng)手部H5接收基板W時(shí)，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H5從基板裝載部PASS9后退，使手部支撐臺(tái)24沿-Z方向下降。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR沿-X方向移動(dòng)，在位置B，使手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，使手部H5進(jìn)入曝光裝置14的基板搬入部14a(參照圖1)。將基板W搬入基板搬入部14a之后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H5從基板搬入部14a后退。
接著，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H6進(jìn)入曝光裝置14的基板搬出部14b(參照圖1)。在基板搬出部14b中，當(dāng)手部H6接受到曝光處理后的基板W時(shí)，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR使手部H6從基板搬出部14b后退。
然后，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR沿+X方向移動(dòng)，在位置A使手部支撐臺(tái)24旋轉(zhuǎn)的同時(shí)沿+Z方向上升，使手部H6進(jìn)入基板載置部PASS10，將基板W移載到基板載置部PASS10。
此外，將基板W從基板載置部PASS9搬送到曝光裝置14期間，在曝光裝置14不能接受基板W的情況下，基板W暫時(shí)容納保管在緩沖貯存器SBF中。
如上所述，在本實(shí)施方式中，在將基板W從基板載置部PASS9搬送到曝光裝置14時(shí)，使用接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的手部H5，在將基板W從曝光裝置14搬送到基板載置部PASS10時(shí)，使用手部H6。即，手部H6使用于曝光處理之后不久的附著有液體的基板W的搬送，手部H5使用于液體未附著的基板W的搬送。因此，基板W的液體不會(huì)附著在手部H5上。
另外，因?yàn)槭植縃6設(shè)置在手部H5的下方，所以即使液體從手部H6以及其保持的基板W落下，液體也不會(huì)附著在手部H5以及其保持的基板W上。
而且如上所述，即使在第四中心機(jī)械手CR4中，在曝光處理后的附著了液體的基板W的搬送(基板裝載部PASS10和曝光后烘干用熱處理部121之間)中使用了下側(cè)的手部CRH8，在曝光處理前的未附著液體的基板W的搬送(基板裝載部PASS7和邊緣曝光部EEW之間、以及邊緣曝光部EEW與基板裝載部PASS9之間)中使用上側(cè)的手CRH7。因此，即使在第四中心機(jī)械手CR4中，液體也不會(huì)附著在曝光處理前的基板W上。
這些的結(jié)果是，由于可以防止液體附著在曝光處理前的基板W上，所以可以防止環(huán)境中的塵埃等的附著導(dǎo)致的基板W的污染。由此，可以防止在曝光裝置14中由于分辨性能的惡化導(dǎo)致基板W的處理不良的產(chǎn)生。
此外，在本實(shí)施方式中，通過1臺(tái)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR進(jìn)行基板W的搬送，但是也可以使用多個(gè)接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR來進(jìn)行基板W的搬送。
另外，可以根據(jù)曝光裝置14的基板搬入部14a以及基板搬出部14b的位置，變更接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR的動(dòng)作以及結(jié)構(gòu)。例如，曝光裝置14的基板搬入部14a以及基板搬出部14b處在與圖12的位置A相對向的位置時(shí)，可以不設(shè)置圖12的螺旋軸22。
另外，涂敷單元BARC、RES、顯影處理單元DEV、洗滌處理單元SOAK、加熱單元HP以及冷卻單元CP的個(gè)數(shù)也可以對應(yīng)于各處理模塊的處理速度進(jìn)行適當(dāng)變更。
另外，在洗滌處理單元SOAK中，代替如圖4所示的洗滌處理用噴嘴650以及干燥處理用噴嘴670的一方或者雙方而使用如圖13所示的2流體噴嘴也可以。
圖13是表示用于洗滌以及干燥處理的2流體噴嘴950的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的縱向剖面圖。從2流體噴嘴950可以選擇性的噴射氣體、液體以及氣體和液體的混合流體。
本實(shí)施方式的2流體噴嘴950被稱為外部混合型。如圖13所示的外部混合型的2流體噴嘴950是由內(nèi)部主體部311及外部主體部312構(gòu)成的。內(nèi)部主體部311例如由石英等構(gòu)成，外部主體部312例如由PTFE(聚四氟乙烯)等的氟樹脂構(gòu)成。
沿內(nèi)部主體部311的中心軸形成圓筒狀的液體導(dǎo)入部311b。在液體導(dǎo)入部311b安裝有圖4的洗滌處理用供給管663。由此，將從洗滌處理用供給管663供給的洗滌液或者沖洗液導(dǎo)入到液體導(dǎo)入部311b。
在內(nèi)部主體部311的下端，形成有與液體導(dǎo)入部311b連通的液體噴射口311a。內(nèi)部主體部311插入到外部主體部312內(nèi)。另外，內(nèi)部主體部311以及外部主體部312的上端相互接合，而下端沒有接合在一起。
在內(nèi)部主體部311和外部主體部312之間形成有圓筒狀的氣體通過部312b。在外部主體部312的下端形成有與氣體通過部312b連通的氣體噴射口312a。在外部主體部312的圓周壁上，以連通于氣體通過部312b的方式安裝著圖4的干燥處理用供給管674。由此，將從干燥處理用供給管674供給的惰性氣體導(dǎo)入到氣體通過部312b中。
氣體通過部312b，在氣體噴射口312a附近，隨著向下方而直徑變小。其結(jié)果是，惰性氣體的流速加速，由氣體噴射口312a被噴射出。
從液體噴射口311a噴射的洗滌液和從氣體噴射口312a噴射的惰性氣體在2流體噴嘴950的下端附近的外部被混合，生成含有洗滌液的微細(xì)液滴的霧狀的混合流體。
圖14A～圖14C是用于說明使用了圖13的2流體噴嘴950時(shí)的基板W的洗滌以及干燥處理方法的圖。
首先，如圖4所示，基板W由旋轉(zhuǎn)卡盤621被吸附保持，隨著旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)而旋轉(zhuǎn)。這時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的轉(zhuǎn)速例如約為500rpm。
在該狀態(tài)下，如圖14A所示，從2流體噴嘴950向基板W的上表面噴射由洗滌液以及惰性氣體構(gòu)成的霧狀混合流體，同時(shí)2流體噴嘴950從基板W的中心部上方向周邊部上方緩緩移動(dòng)。由此，混合流體從2流體噴嘴950向基板W的表面全體噴射，進(jìn)行基板W的洗滌。
下面，如圖14B所示，停止混合流體的供給，在旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度降低的同時(shí)，從2流體噴嘴向基板W上噴射沖洗液。這時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度例如約10rpm。由此，在基板W的表面整體形成沖洗液的液層L。另外，也可以使旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)停止，在基板W的表面整體形成液層L。另外，使用純水作為在洗滌基板W的混合流體中的洗滌液的情況下，也可以不供給沖洗液。
形成液層L之后，停止沖洗液的供給。然后，如圖14C所示，在基板W上從2流體噴嘴950噴射惰性氣體。由此，基板W的中心部的洗滌液移動(dòng)到基板W的周邊部，變?yōu)橐簩覮僅存在于基板W的周邊部的狀態(tài)。
此后，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度上升。這時(shí)，旋轉(zhuǎn)軸625的旋轉(zhuǎn)速度例如約為100rpm。由此，由于在基板W上的液層L作用很大的離心力，所以可以除去基板W上的液層L。其結(jié)果，使基板W干燥。
另外，在除去基板W上的液層L時(shí)，2流體噴嘴950也可以從基板W的中心部上方向周邊部上方緩緩移動(dòng)。由此，可以向基板W的表面整體噴射惰性氣體，因此可以可靠地除去基板W上的液層L。其結(jié)果，可以可靠地使基板W干燥。
如上所述，在圖13的2流體噴嘴中，從2流體噴嘴950噴射的混合流體包含洗滌液的細(xì)微液滴，因此即使是基板W表面有凹凸的情況，也可以通過洗滌液的細(xì)微液滴去除附著在基板W上的污垢。由此，可以可靠地除去基板W表面的污垢。另外，在基板W上的膜的易濕性低的情況下，因?yàn)橥ㄟ^洗滌液的微細(xì)液滴去除基板W表面的污垢，所以可以可靠地除去基板W表面的污垢。
因此，在曝光處理前通過加熱單元HP對基板W實(shí)施熱處理時(shí)，抗蝕膜的溶劑等在加熱單元HP內(nèi)升華，即使其升華物再次附著在基板W上的情況下，在洗滌處理單元SOAK中，也可以可靠地除去其附著物。由此，可以可靠地防止曝光裝置14內(nèi)的污染。
另外，通過調(diào)節(jié)惰性氣體的流量，可以容易的調(diào)節(jié)洗滌基板W時(shí)的洗滌力。由此，在基板W上的有機(jī)膜(抗蝕膜)具有易損的性質(zhì)的情況下，通過使洗滌力減弱而可以防止基板W上的有機(jī)膜的破損。另外，基板W表面的污垢牢固的情況下通過增強(qiáng)洗滌力而可以可靠地除去基板W表面的污垢。這樣，通過按照基板W上的有機(jī)膜的性質(zhì)以及污垢的程度調(diào)節(jié)洗滌力，從而可以防止基板W上的有機(jī)膜的破損，同時(shí)可以可靠地洗滌基板W。
另外，在外部混合型的2流體噴嘴950中，混合流體是在2流體噴嘴950的外部通過混合洗滌液和惰性氣體而生成的。在2流體噴嘴950的內(nèi)部，惰性氣體和洗滌液在分別不同的流路區(qū)分流通。由此，在氣體通過部312b內(nèi)不會(huì)殘留洗滌液，而可以將惰性氣體單獨(dú)的從2流體噴嘴950噴射。進(jìn)一步，通過從洗滌處理用供給管663供給沖洗液，而可以將沖洗液從2流體噴嘴950單獨(dú)噴射。因而，可以將混合流體、惰性氣體以及沖洗液從2流體噴嘴950選擇性的噴射。
另外，在使用2流體噴嘴950的情況下，不需要分別設(shè)置用于向基板W供給洗滌液或者沖洗液的噴嘴、和用于向基板W供給惰性氣體的噴嘴。由此，用簡單的結(jié)構(gòu)就可以可靠地進(jìn)行基板W的洗滌以及干燥。
此外，在上述的說明中，通過2流體噴嘴950而向基板W供給沖洗液，但也可以用另外的噴嘴向基板W供給沖洗液。
另外，在上述的說明中，通過2流體噴嘴950而向基板W供給惰性氣體，但也可以用另外的噴嘴向基板W供給惰性氣體。
在本實(shí)施方式中，反射防止膜用處理模塊10、抗蝕膜用處理模塊11以及洗滌/顯影處理模塊12相當(dāng)于處理部，接口模塊13相當(dāng)于交接部，分度器模塊9相當(dāng)于基板搬入搬出部，涂敷單元RES相當(dāng)于第一處理單元，抗蝕膜用處理模塊11相當(dāng)于第一處理單位，洗滌處理單元SOAK、SOAKa相當(dāng)于第二處理單元，顯影處理單元DEV相當(dāng)于第三處理單元，洗滌/顯影處理模塊12相當(dāng)于第二處理單位，涂敷單元BARC相當(dāng)于第四處理單元，反射防止膜用處理模塊10相當(dāng)于第三處理單位，抗蝕膜相當(dāng)于感光性膜。
另外，加熱單元HP以及冷卻單元CP相當(dāng)于第一～第三熱處理單元，第二中心機(jī)械手CR2相當(dāng)于第一搬送單元，第三中心機(jī)械手CR3相當(dāng)于第二搬送單元，第一中心機(jī)械手CR1相當(dāng)于第三搬送單元，第四中心機(jī)械手CR4相當(dāng)于第四搬送單元，接口用搬送機(jī)構(gòu)IFR相當(dāng)于第五搬送單元，手部CRH7相當(dāng)于第一保持部，手部CRH8相當(dāng)于第二保持部，手部H5相當(dāng)于第三保持部，手部H6相當(dāng)于第四保持部，基板裝載部PASS9、PASS10相當(dāng)于裝載部。
另外，旋轉(zhuǎn)卡盤621相當(dāng)于基板保持裝置，旋轉(zhuǎn)軸625以及卡盤旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)636相當(dāng)于旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，洗滌處理用噴嘴650相當(dāng)于洗滌液供給部以及沖洗液供給部，干燥處理用噴嘴670、770、870相當(dāng)于惰性氣體供給部。
另外，2流體噴嘴950相當(dāng)于流體噴嘴，液體導(dǎo)入部311b相當(dāng)于液體流路，氣體通過部312b相當(dāng)于氣體流路。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，以相鄰于曝光裝置的方式配置，其特征在于，具有處理部，其用于對基板進(jìn)行處理；交接部，其以相鄰于上述處理部的一端部的方式設(shè)置，用于在上述處理部和上述曝光裝置之間進(jìn)行基板的交接；上述處理部包括第一處理單元，其在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜；第二處理單元，其在由上述第一處理單元形成上述感光性膜之后、并在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，進(jìn)行基板的洗滌處理；第三處理單元，其由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之后對基板進(jìn)行顯影處理。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部具有第一處理單位，其包括上述第一處理單元、對基板進(jìn)行熱處理的第一熱處理單元以及搬送基板的第一搬送單元；第二處理單位，其包括上述第二處理單元、上述第三處理單元、對基板進(jìn)行熱處理的第二熱處理單元以及搬送基板的第二搬送單元。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單位以相鄰于上述交接部的方式配置。
4.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其特征在于，上述處理部還具有第三處理單位，該第三處理單位包含第四處理單元，其在由上述第一處理單元形成上述感光性膜之前，在基板上形成反射防止膜；第三熱處理單元，其對基板進(jìn)行熱處理；以及第三搬送單元，其搬送基板。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，還具有基板搬入搬出部，其以與上述處理部的其它端部相鄰的方式配置，進(jìn)行向上述處理部搬入基板以及從上述處理部搬出基板，上述第三處理單位以相鄰于上述基板搬入搬出部的方式來配置。
6.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述交接部包括第五處理單元，其對基板進(jìn)行規(guī)定的處理；裝載部，其暫時(shí)裝載基板；第四搬送單元，其在上述處理部、上述第五處理單元以及上述裝載部之間搬送基板；第五搬送單元，其在上述裝載部以及上述曝光裝置之間搬送基板。
7.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第四搬送單元包含保持基板的第一以及第二保持部，上述第四搬送單元在搬送由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板時(shí)，通過上述第一保持部保持基板，而在搬送由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板時(shí)，通過上述第二保持部保持基板，上述第五搬送單元包含保持基板的第三以及第四保持部，上述第五搬送單元在搬送由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理前的基板時(shí)，通過上述第三保持部保持基板，而在搬送由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理后的基板時(shí)，通過上述第四保持部保持基板。
8.如權(quán)利要求7所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二保持部設(shè)置在上述第一保持部的下方，上述第四保持部設(shè)置在上述第三保持部的下方。
9.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第五處理單元包括對基板的周邊部進(jìn)行曝光的邊緣曝光部。
10.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元在對基板進(jìn)行洗滌處理后，還對基板進(jìn)行干燥處理。
11.如權(quán)利要求10所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元具有基板保持裝置，其保持基板大致水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由上述基板保持裝置保持的基板在垂直于該基板的軸的周圍進(jìn)行旋轉(zhuǎn)；洗滌液供給部，其向被保持于上述基板保持裝置的基板上供給洗滌液；惰性氣體供給部，其在通過上述洗滌液供給部向基板上供給洗滌液之后，向基板上供給惰性氣體。
12.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，上述惰性氣體供給部，以使由上述洗滌液供給部供給到基板上的洗滌液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述洗滌液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
13.如權(quán)利要求11所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元還具有沖洗液供給部，該沖洗液供給部在通過上述洗滌液供給部供給洗滌液之后，且在通過上述惰性氣體供給部供給惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其特征在于，上述惰性氣體供給部，以使由上述沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
15.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元通過從流體噴嘴向基板供給含有洗滌液以及氣體的混合流體來進(jìn)行基板的洗滌處理。
16.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，上述氣體為惰性氣體。
17.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元在對基板進(jìn)行洗滌處理后，還對基板進(jìn)行干燥處理。
18.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元包括惰性氣體供給部，該惰性氣體供給部通過向基板上供給惰性氣體而進(jìn)行基板的干燥處理。
19.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，上述流體噴嘴具有上述惰性氣體供給部的功能。
20.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元還包括基板保持裝置，其保持基板大致水平；旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)裝置，其使由上述基板保持裝置保持的基板在垂直于該基板的軸的周圍進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
21.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元，以使從上述流體噴嘴供給到基板上的混合流體從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述混合流體從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
22.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元還包括沖洗液供給部，該沖洗液供給部在從上述流體噴嘴供給了混合流體之后，且在通過上述惰性氣體供給部供給上述惰性氣體之前，向基板上供給沖洗液。
23.如權(quán)利要求22所述的基板處理裝置，其特征在于，上述流體噴嘴具有上述沖洗液供給部的功能。
24.如權(quán)利要求22所述的基板處理裝置，其特征在于，上述第二處理單元，以使由上述沖洗液供給部供給到基板上的沖洗液從基板上的中心部向外側(cè)移動(dòng)來使上述沖洗液從基板上排除的方式，供給惰性氣體。
25.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，上述流體噴嘴具有流通液體的液體流路；流通氣體的氣體流路；與上述液體流路連通并開口的液體噴射口；設(shè)置在上述液體噴射口的附近的同時(shí)與上述氣體流路連通并開口的氣體噴射口。
26.一種基板處理方法，是在以相鄰于曝光裝置的方式配置的、具有第一處理單元、第二處理單元以及第三處理單元的基板處理裝置中處理基板的方法，其特征在于，包括在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，由上述第一處理單元在基板上形成由感光性材料構(gòu)成的感光性膜的工序；在由上述第一處理單元形成上述感光性膜之后，并在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，由上述第二處理單元進(jìn)行基板的洗滌處理的工序；在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之后，由上述第三處理單元對基板進(jìn)行顯影處理的工序。
27.如權(quán)利要求26所述的基板處理方法，其特征在于，在由上述第二處理單元進(jìn)行基板的洗滌處理的工序之后，并在由上述曝光裝置進(jìn)行曝光處理之前，還具有由上述第二處理單元進(jìn)行基板的干燥處理的工序。
全文摘要
基板處理裝置具有分度器模塊、反射防止膜用處理模塊、抗蝕膜用處理模塊、洗滌/顯影處理模塊以及接口模塊。以相鄰于接口模塊的方式配置曝光裝置。在抗蝕膜用處理模塊中，在基板上形成抗蝕膜。在曝光裝置中對基板進(jìn)行曝光處理之前，在洗滌/顯影處理模塊的洗滌處理單元中進(jìn)行基板的洗滌以及干燥處理。
文檔編號(hào)G03F7/38GK1786828SQ20051012956
公開日2006年6月14日 申請日期2005年12月6日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月6日
發(fā)明者安田周一, 金岡雅, 金山幸司, 宮城聰, 茂森和士, 淺野徹, 鳥山幸夫, 田口隆志, 三橋毅, 奧村剛 申請人:大日本網(wǎng)目版制造株式會(huì)社