專利名稱：干涉式調(diào)制器及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的技術(shù)領(lǐng)域涉及微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。
背景技術(shù)：
微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)包括微機(jī)械元件、激勵器及電子元件。微機(jī)械元件可采用沉積、蝕刻或其他可蝕刻掉襯底及/或所沉積材料層的若干部分或可添加若干層以形成電和機(jī)電裝置的微機(jī)械加工工藝制成。一種類型的MEMS裝置被稱為干涉式調(diào)制器。干涉式調(diào)制器可包含一對導(dǎo)電板，其中之一或二者均可全部或部分地透明及/或為反射性，且在施加一個適當(dāng)?shù)碾娦盘枙r能夠相對運動。其中一個板可包含一沉積在一襯底上的靜止層，另一個板可包含一通過一氣隙與該靜止層隔開的金屬隔板。上述裝置具有廣泛的應(yīng)用范圍，且在此項技術(shù)中，利用及/或修改這些類型裝置的特性、以使其性能可用于改善現(xiàn)有產(chǎn)品及制造目前尚未開發(fā)的新產(chǎn)品將頗為有益。

發(fā)明內(nèi)容
本文所述的系統(tǒng)、方法及裝置均具有多個方面，任一單個方面均不能單獨決定其所期望特性。現(xiàn)在，對其更主要的特性進(jìn)行簡要說明，此并不限定本發(fā)明的范圍。在查看這一論述，尤其是在閱讀了標(biāo)題為“具體實施方式
”的部分之后，人們即可理解本文所述各實施例如何提供優(yōu)于其他方法及顯示裝置的優(yōu)點。
本發(fā)明的一個方面提供一種未釋放的干涉式調(diào)制器，其包括一犧牲層、一位于該犧牲層上的金屬鏡層、及一位于該犧牲層與該金屬鏡層之間的蝕刻終止層。在一實施例中，該犧牲層包含非晶硅、鍺及/或鉬。在一實施例中，該蝕刻終止層包含氧化硅、非晶硅、氮化硅、鍺、鈦、及/或鎢。在任一特定干涉式調(diào)制器中，用于形成該犧牲層的材料均通常不同于用于形成該蝕刻終止層的材料。
本發(fā)明的一個方面提供一種制作一干涉式調(diào)制器的方法，其包括在一第一鏡層上沉積一犧牲層，在該犧牲層上沉積一蝕刻終止層，及在該蝕刻終止層上沉積一第二鏡層。然后，移除該第二鏡層的一部分以暴露出該蝕刻終止層，由此形成該蝕刻終止層的一外露部分及該蝕刻終止層的一未外露部分。該蝕刻終止層的未外露部分位于該第二鏡層的一剩余部分之下。本發(fā)明的不同實施例提供通過此種方法制作而成的干涉式調(diào)制器(包括未釋放的干涉式調(diào)制器)。
本發(fā)明的另一方面提供一種制作一干涉式調(diào)制器的方法，其包括在一第一鏡層上沉積一犧牲層，在該犧牲層上沉積一蝕刻終止層，在該蝕刻終止層上沉積一第二鏡層，然后移除該犧牲層，以露出該蝕刻終止層的位于該第二鏡層之下的一部分。在一實施例中，使用一蝕刻劑移除該犧牲層，該蝕刻劑移除該犧牲層的速率比該蝕刻劑移除該蝕刻終止層的速率快至少約5倍。
另一方面提供一種制作一干涉式調(diào)制器的方法，其包括在一第一鏡層上沉積一犧牲層。該犧牲層包括非晶硅、鍺及/或鉬。該方法進(jìn)一步包括在該犧牲層上沉積一蝕刻終止層。該蝕刻終止層包含氧化硅、非晶硅、氮化硅、鍺、鈦、及/或鎢。在任一特定工藝流程中，用于形成該犧牲層的材料通常均不同于用于形成該蝕刻終止層的材料。該方法進(jìn)一步包括在該蝕刻終止層上沉積一第二鏡層。該第二鏡層包含一金屬，例如Al、Al-Si、Al-Cu、Al-Ti、及/或Al-Nd。該方法進(jìn)一步包括移除該第二鏡層的一部分以露出該蝕刻終止層，由此形成該蝕刻終止層的一外露部分及該蝕刻終止層的一未外露部分。該蝕刻終止層的一未外露部分位于該第二鏡層的一剩余部分之下。該方法進(jìn)一步包括移除該犧牲層，以露出該蝕刻終止層的位于該第二鏡層剩余部分之下的先前未外露部分。
根據(jù)下文所進(jìn)一步詳述的各實施例，將可更佳地了解本發(fā)明的這些及其他方面。


現(xiàn)在，將參照旨在例示而非限定本發(fā)明的較佳實施例的圖式(未按比例繪示)來說明本發(fā)明的這些及其他特征。
圖1為一等角圖，其顯示一干涉式調(diào)制器顯示器的一實施例的一部分，其中一第一干涉式調(diào)制器的一可移動反射層處于一弛豫位置，且一第二干涉式調(diào)制器的一可移動反射層處于一受激勵位置。
圖2為一系統(tǒng)方框圖，其顯示一包含一3x3干涉式調(diào)制器顯示器的電子裝置的一實施例。
圖3為圖1所示干涉式調(diào)制器的一實例性實施例的可移動鏡位置與所施加電壓的關(guān)系圖。
圖4為一組可用于驅(qū)動干涉式調(diào)制器顯示器的行和列電壓的示意圖。
圖5A及圖5B顯示可用于向圖2所示3×3干涉式調(diào)制器顯示器寫入一顯示數(shù)據(jù)幀的行和列信號的一實例性時序圖。
圖6A為一圖1所示裝置的剖面圖。
圖6B為一干涉式調(diào)制器的一替代實施例的一剖面圖。
圖6C為一干涉式調(diào)制器的另一替代實施例的一剖面圖。
圖7為一顯示一未釋放的干涉式調(diào)制器的一實施例的剖面圖。圖8A-8E為顯示一種用于制作一干涉式調(diào)制器陣列的方法的一實施例的初始工藝步驟的剖面圖。
圖9A-9H為顯示一種用于制作一干涉式調(diào)制器陣列的方法的該實施例的后續(xù)工藝步驟的剖面圖。
具體實施例方式
本發(fā)明的一實施例提供一種制作干涉式調(diào)制器的方法，其涉及到在上鏡層與犧牲層之間使用一蝕刻終止層。未釋放的及已釋放的干涉式調(diào)制器二者均可使用該方法來制作。該蝕刻終止層可用于減輕該犧牲層與該上鏡層之間不希望有的過蝕刻。該蝕刻終止層也可用作一障蔽層、緩沖層及/或模板層。
以下詳細(xì)說明涉及本發(fā)明的某些具體實施例。不過，本發(fā)明可通過許多種不同的方式實施。在本說明中，會參照附圖，在附圖中，相同的部件自始至終使用相同的編號標(biāo)識。根據(jù)以下說明容易看出，各實施例可在任一配置用于顯示圖像-無論是動態(tài)圖像(例如視頻)還是靜態(tài)圖像(例如靜止圖像)，無論是文字圖像還是圖片圖像-的裝置中實施，及/或在用于制作這些裝置的工藝中實施。更具體而言，本發(fā)明涵蓋各實施例可在例如(但不限于)以下等眾多種電子裝置中實施或與這些電子裝置相關(guān)聯(lián)移動電話、無線裝置、個人數(shù)據(jù)助理(PDA)、手持式計算機(jī)或便攜式計算機(jī)、GPS接收器/導(dǎo)航器、照像機(jī)、MP3播放器、攝像機(jī)、游戲機(jī)、手表、時鐘、計算器、電視監(jiān)視器、平板顯示器、計算機(jī)監(jiān)視器、汽車顯示器(例如測距儀顯示器等)、駕駛艙控制裝置及/或顯示器、攝像機(jī)景物顯示器(例如車輛的后視攝像機(jī)顯示器)、電子照片、電子告示牌或標(biāo)牌、投影儀、建筑結(jié)構(gòu)、包裝及美學(xué)結(jié)構(gòu)(例如在一件珠寶上顯示圖像)。與本文所述MESE裝置具有類似結(jié)構(gòu)的MEMS裝置也可用于非顯示應(yīng)用，例如用于電子切換裝置。
在圖1中顯示一種包含一干涉式MEMS顯示元件的干涉式調(diào)制器顯示器實施例。在這些裝置中，像素處于亮或暗狀態(tài)。在亮(“開(on)”或“打開(open)”)狀態(tài)下，顯示元件將入射可見光的一大部分反射至用戶。在處于暗(“關(guān)(off)”或“關(guān)閉(closed)”)狀態(tài)下時，顯示元件幾乎不向用戶反射入射可見光。視不同的實施例而定，可顛倒“on”及“off”狀態(tài)的光反射性質(zhì)。MEMS像素可配置為主要在所選色彩下反射，以除黑色和白色之外還可實現(xiàn)彩色顯示。
圖1為一等角圖，其顯示一視覺顯示器的一系列像素中的兩相鄰像素，其中每一像素包含一MEMS干涉式調(diào)制器。在某些實施例中，一干涉式調(diào)制器顯示器包含一由這些干涉式調(diào)制器構(gòu)成的行/列陣列。每一干涉式調(diào)制器包括一對反射層，該對反射層定位成彼此相距一可變且可控的距離，以形成一至少具有一個可變尺寸的光學(xué)諧振腔。在一實施例中，其中一個反射層可在兩個位置之間移動。在本文中稱為弛豫狀態(tài)的第一位置上，該可移動層的位置距離一固定的局部反射層相對遠(yuǎn)。在第二位置上，該可移動層的位置更近地靠近該局部反射層。根據(jù)可移動反射層的位置而定，從這兩個層反射的入射光會以相長或相消方式干涉，從而形成各像素的總體反射或非反射狀態(tài)。
在圖1中顯示的像素陣列部分包括兩個相鄰的干涉式調(diào)制器12a和12b。在左側(cè)的干涉式調(diào)制器12a中，顯示一可移動的高度反射層38a處于一弛豫位置，該弛豫位置距一固定的局部反射層32a一預(yù)定距離。在右側(cè)的干涉式調(diào)制器12b中，顯示一可移動的高度反射層38b處于一受激勵位置，該受激勵位置靠近固定的局部反射層32b。
固定層32a、32b導(dǎo)電、局部透明且局部為反射性，并可通過(例如)在一透明襯底31上沉積一個或多個各自為鉻及氧化銦錫的層而制成。所述各層被圖案化成平行條帶，且可形成一顯示裝置中的行電極，下文中將進(jìn)一步對此說明?？梢苿訉?8a、38b可形成為由沉積在支柱60頂部上的一或多個沉積金屬層(與行電極32a、32b正交)及一沉積在支柱60之間的中間犧牲材料構(gòu)成的一系列平行條帶。在蝕刻掉犧牲材料以后，這些可變形的金屬層38a、38b與固定的導(dǎo)電性/局部反射性金屬層32a、32b通過一規(guī)定的氣隙19隔開。這些可變形層可使用一具有高度導(dǎo)電性及反射性的材料(例如鋁)，且該些條帶可形成一顯示裝置中的列電極。
在未施加電壓時，腔19保持位于層38a、32a之間，且可變形層處于如圖1中像素12a所示的機(jī)械弛豫狀態(tài)。然而，在向一所選行和列施加電位差時，在所述行和列電極相交處的對應(yīng)像素處形成的電容器變成充電狀態(tài)，且靜電力將這些電極拉向一起。如果電壓足夠高，則可移動層發(fā)生形變，并被壓到固定層上(可在固定層32a、32b上沉積一介電材料(在該圖中未示出)，以防止短路，并控制分隔距離)，如圖1中右側(cè)上的像素12b所示。無論所施加的電位差極性如何，該行為均相同。這樣，可控制反射相對非反射像素狀態(tài)的行/列激勵與傳統(tǒng)的LCD及其他顯示技術(shù)中所用的行/列激勵在許多方面相似。
圖2至圖5顯示一個在一顯示應(yīng)用中使用一干涉式調(diào)制器陣列的實例性方法及系統(tǒng)。圖2為一系統(tǒng)方框圖，該圖顯示一可體現(xiàn)本發(fā)明各方面的電子裝置的一個實施例。在該實例性實施例中，所述電子裝置包括一處理器21，其可為任何通用單芯片或多芯片微處理器，例如ARM、Pentium、Pentium II、PentiumIII、Pentium IV、PentiumPro、8051、MIpS、Power pC、ALPHA，或任何專用微處理器，例如數(shù)字信號處理器、微控制器或可編程門陣列。按照業(yè)內(nèi)慣例，可將處理器21配置成執(zhí)行一個或多個軟件模塊。除執(zhí)行一個操作系統(tǒng)外，還可將該處理器配置成執(zhí)行一個或多個軟件應(yīng)用程序，包括網(wǎng)頁瀏覽器、電話應(yīng)用程序、電子郵件程序或任何其他軟件應(yīng)用程序。
在一實施例中，處理器21還配置成與一陣列控制器22進(jìn)行通信。在一實施例中，該陣列控制器22包括向一像素陣列30提供信號的一行驅(qū)動電路24及一列驅(qū)動電路26。圖1中所示的陣列剖面圖在圖2中以線1-1示出。對于MEMS干涉式調(diào)制器，所述行/列激勵協(xié)議可利用圖3所示的這些裝置的滯后性質(zhì)。其可能需要例如一10伏的電位差來使一可移動層自弛豫狀態(tài)變形至受激勵狀態(tài)。然而，當(dāng)所述電壓自該值降低時，在所述電壓降低回至10伏以下時，所述可移動層將保持其狀態(tài)。在圖3的實例性實施例中，在電壓降低至2伏以下之前，可移動層不會完全弛豫。因此，在圖3所示的實例中，存在一大約為3-7伏的電壓范圍，在該電壓范圍內(nèi)存在一施加電壓窗口，在該窗口內(nèi)所述裝置穩(wěn)定在弛豫或受激勵狀態(tài)。在本文中將其稱為“滯后窗口”或“穩(wěn)定窗口”。對于一具有圖3所示滯后特性的顯示陣列而言，行/列激勵協(xié)議可設(shè)計成在行選通期間，向所選通行中將被激勵的像素施加一約10伏的電壓差，并向?qū)⒈怀谠サ南袼厥┘右唤咏?伏的電壓差。在選通之后，向像素施加一約5伏的穩(wěn)態(tài)電壓差，以使其保持在行選通使其所處的任何狀態(tài)。在被寫入之后，在該實例中，每一像素均承受一處于3-7伏“穩(wěn)定窗口”內(nèi)的電位差。該特性使圖1所示的像素設(shè)計在相同的所施加電壓條件下穩(wěn)定在一既有的激勵狀態(tài)或弛豫狀態(tài)。由于干涉式調(diào)制器的每一像素，無論處于激勵狀態(tài)還是弛豫狀態(tài)，實質(zhì)上均是一由所述固定反射層及移動反射層所構(gòu)成的電容器，因此，該穩(wěn)定狀態(tài)可在一滯后窗口內(nèi)的電壓下得以保持而幾乎不消耗功率。如果所施加的電位恒定，則基本上沒有電流流入像素。
在典型應(yīng)用中，可通過根據(jù)第一行中所期望的一組受激勵像素確定一組列電極而形成一顯示幀。此后，將一行脈沖施加于第1行的電極，從而激勵與所確定的列線對應(yīng)的像素。此后，將所確定的一組列電極變成與第二行中所期望的一組受激勵像素對應(yīng)。此后，將一脈沖施加于第2行的電極，從而根據(jù)所確定的列電極來激勵第2行中的相應(yīng)像素。第1行的像素不受第2行的脈沖的影響，因而保持其在第1行的脈沖期間所設(shè)定到的狀態(tài)?？砂错樞蛐苑绞綄θ肯盗械男兄貜?fù)上述步驟，以形成所述的幀。通常，通過以某一所期望幀數(shù)/秒的速度重復(fù)該過程來刷新及/或更新這些幀。還有很多種用于驅(qū)動像素陣列的行及列電極以形成顯示幀的協(xié)議為人們所熟知，且可與本發(fā)明一起使用。
圖4及圖5顯示一種用于在圖2所示的3×3陣列上形成一顯示幀的可能的激勵協(xié)議。圖4顯示一組可用于具有圖3所示滯后曲線的像素的可能的行及列電壓水平。在圖4的實施例中，激勵一像素包括將相應(yīng)的列設(shè)定至-Vbias，并將相應(yīng)的行設(shè)定至+ΔV-其可分別對應(yīng)于-5伏及+5伏。釋放像素則是通過將相應(yīng)的列設(shè)定至+Vbias并將相應(yīng)的行設(shè)定至相同的+ΔV、由此在所述像素兩端形成一0伏的電位差來實現(xiàn)。在那些其中行電壓保持0伏的行中，像素穩(wěn)定于其最初所處的狀態(tài)，而與該列處于+Vbias還是-Vbias無關(guān)。
圖5B為一顯示一系列行及列信號的時序圖，該些信號施加于圖2所示的3×3陣列，其將形成圖5A所示的顯示布置，其中受激勵像素為非反射性。在寫入圖5A所示的幀之前，像素可處于任何狀態(tài)，在該實例中，所有的行均處于0伏，且所有的列均處于+5伏。在這些所施加電壓下，所有的像素穩(wěn)定于其現(xiàn)有的受激勵狀態(tài)或弛豫狀態(tài)。
在圖5A所示的幀中，像素(1，1)、(1，2)、(2，2)、(3，2)及(3，3)受到激勵。為實現(xiàn)這一效果，在第1行的行時間將第1列及第2列設(shè)定為-5伏，將第3列設(shè)定為+5伏。此不會改變?nèi)魏蜗袼氐臓顟B(tài)，因為所有像素均保持處于3-7伏的穩(wěn)定窗口內(nèi)。此后，通過一自0伏上升至5伏然后又下降回至0伏的脈沖來選通第1行。由此激勵像素(1，1)和(1，2)并使像素(1，3)弛豫。陣列中的其他像素均不受影響。為將第2行設(shè)定為所期望狀態(tài)，將第2列設(shè)定為-5伏，將第1列及第3列被設(shè)定為+5伏。此后，向第2行施加相同的選通脈沖將激勵像素(2，2)并使像素(2，1)和(2，3)弛豫。同樣，陣列中的其他像素均不受影響。類似地，通過將第2列和第3列設(shè)定為-5伏，并將第1列設(shè)定為+5伏對第3行進(jìn)行設(shè)定。第3行的選通脈沖將第3行像素設(shè)定為圖5A所示的狀態(tài)。在寫入幀之后，行電位為0，而列電位可保持在+5或-5伏，且此后顯示將穩(wěn)定于圖5A所示的布置。應(yīng)了解，可對由數(shù)十或數(shù)百個行和列構(gòu)成的陣列使用相同的程序。還應(yīng)了解，用于實施行和列激勵的電壓的定時、順序及電平可在以上所述的一般原理內(nèi)變化很大，且上述實例僅為實例性，任何激勵電壓方法均可與本發(fā)明一起使用。
按照上述原理運行的干涉式調(diào)制器的詳細(xì)結(jié)構(gòu)可千變?nèi)f化。舉例而言，圖6A-6C顯示移動鏡結(jié)構(gòu)的三種不同實施例。圖6A為圖1所示實施例的剖面圖，其中在正交延伸的支撐件60上沉積一金屬材料條帶38。在圖6B中，可移動反射材料38僅在反射材料38的隅角處在系鏈33上連接至支撐件60。在圖6C中，可移動反射材料38通過一系鏈33懸吊在一可變形層40上。由于反射材料38的結(jié)構(gòu)設(shè)計及所用材料可在光學(xué)特性方面得到優(yōu)化，且可變形層40的結(jié)構(gòu)設(shè)計和所用材料可在所期望機(jī)械特性方面得到優(yōu)化，因此該實施例具有優(yōu)點。在許多公開文件中，包括例如第2004/0051929號美國公開申請案中，描述了各種不同類型干涉裝置的生產(chǎn)。可使用很多種人們所熟知的技術(shù)來制成上述結(jié)構(gòu)，此包括一系列材料沉積、圖案化及蝕刻步驟。
圖7是一顯示一未釋放的干涉式調(diào)制器70的一實施例的剖面圖，該未釋放的干涉式調(diào)制器70包括一犧牲層46、一位于犧牲層46上的上金屬鏡層38及一位于犧牲層46與上金屬鏡層38之間的薄均勻?qū)?4。薄均勻?qū)?4的厚度通常介于約100埃至約700埃范圍內(nèi)。在某些實施例中，薄均勻?qū)?4的厚度介于約300埃至約700埃范圍內(nèi)。在所示實施例中，上鏡層38為鋁。在其他實施例中，上鏡層38包含鋁，因而可為鋁合金，例如Al-Si、Al-Cu、Al-Ti或Al-Nd。在所示實施例中，犧牲層46包含鉬。其他合適的犧牲材料包括非晶硅(“a-Si”)及鍺。在圖7中，薄均勻?qū)?4包含氧化硅(SiOx，例如SiO2)，但薄均勻?qū)?4也可包含其他材料，例如氮化硅(SixNy，例如SiN)、a-Si、鈦、鍺及鎢來取代氧化硅活或除氧化硅外還包含這些材料。薄均勻?qū)?4由既不同于犧牲層46也不同于金屬鏡層38的材料制成。較佳地，用于制作犧牲層46、金屬鏡層38及薄均勻?qū)?4的材料應(yīng)相互結(jié)合地進(jìn)行選擇，以產(chǎn)生某些所期望的效果，例如蝕刻選擇性、抗擴(kuò)散性(擴(kuò)散障蔽層)、阻障結(jié)晶影響、用作結(jié)晶模板，如下文所進(jìn)一步詳述。
上金屬鏡層38及薄均勻?qū)?4通過支柱60與一玻璃襯底31相間隔。未釋放的干涉式調(diào)制器70還包含一位于玻璃襯底31上的電極層32。電極層32可包含一透明金屬膜，例如氧化銦錫(ITO)或氧化鋅錫(ZTO)。一下金屬鏡層34(例如鉻)及一介電層36(例如SiO2)形成于電極層32上。電極層32、下金屬鏡層34及氧化物層36可一同稱作一光學(xué)堆疊50，該光學(xué)堆疊50部分地透射光并部分地反射光。薄均勻?qū)?4可包含于其他未釋放的干涉式調(diào)制器配置中，例如形成圖6A及6B所示干涉式調(diào)制器的配置中。
人們已發(fā)現(xiàn)，在金屬鏡層與犧牲層之間存在薄均勻?qū)?例如犧牲層46與金屬鏡層38之間的薄均勻?qū)?4)可明顯改善各種用于制作干涉式調(diào)制器(包括其陣列)的工藝的一個或多個方面，及/或可改善所形成的干涉式調(diào)制器自身的一或多種品質(zhì)。例如，薄均勻?qū)?4可包含或用作一如下文參照圖8-9在制作由圖6C所示的一般類型干涉式調(diào)制器陣列的上下文中所述的蝕刻終止層。根據(jù)所示實施例，所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員將了解，也可使用類似的蝕刻終止層來制造其他MEMS裝置，包括圖6A-6B所示的一般類型的干涉式調(diào)制器，以及其他類型的空間光調(diào)制器。因此，盡管下文參照圖8-9所述的工藝可提及具體步驟、順序及材料，然而應(yīng)了解，這些細(xì)節(jié)僅用于例示目的，也可使用其他步驟、順序及/或材料。
圖8A-8C為顯示一種用于制造一未釋放的干涉式調(diào)制器陣列(下文將參照圖9來說明通過移除犧牲材料進(jìn)行釋放以形成干涉式調(diào)制器)的工藝的初始步驟的剖視圖。在圖8-9中，將顯示形成一由三個干涉式調(diào)制器100(紅色子像素)、110(綠色子像素)及120(藍(lán)色子像素)構(gòu)成的陣列，其中如在顯示最終配置的圖9H中所示，干涉式調(diào)制器100、110、120在氧化物層36與上金屬鏡層38c之間分別具有不同的距離?？赏ㄟ^在所產(chǎn)生的圖像中使用三種(或更多種)調(diào)制器元件形成每一像素來形成彩色顯示器。每一干涉式調(diào)制器空腔(例如圖9H中的空腔75、80、85)的尺寸決定干涉的性質(zhì)及所得到的顏色。一種形成彩色像素的方法是構(gòu)造干涉式調(diào)制器陣列，其中每一干涉式調(diào)制器具有不同尺寸的空腔，例如在本實施例中具有三種分別對應(yīng)于紅色、綠色及藍(lán)色的不同尺寸?？涨坏母缮嫘再|(zhì)直接受其尺寸的影響。為形成這些不同的空腔尺寸，可如下文所述制作多個犧牲層，以使所形成的像素反射對應(yīng)于這三種原色中每一種顏色的光。也可具有其他顏色組合，以及使用黑色及白色像素。
圖8A顯示一通過如下方式形成的光學(xué)堆疊35在一透明襯底31上沉積一氧化銦錫電極層32，然后在電極層32上沉積一第一鏡層34。在所示實施例中，第一鏡層34包含鉻。也可使用例如鉬及鈦等其他反射性金屬來形成第一鏡層34。在圖8-9中，盡管將電極層32及第一鏡層34顯示為一單個層32、34，然而應(yīng)了解，第一鏡層34是如圖7所示形成于電極層32上。透明襯底31的觀察面31a位于襯底31的與第一鏡層34及電極層32相對的側(cè)上。在一此處未顯示的工藝中，對電極層32及金屬鏡層34進(jìn)行圖案化及蝕刻，以根據(jù)顯示器設(shè)計形成電極列、行或其他適用的形狀。如圖8A所示，光學(xué)堆疊35還包含一位于金屬層32上的氧化物介電層36，該氧化物介電層36通常是在已將電極層32及金屬鏡層34圖案化及蝕刻之后形成。
圖8A進(jìn)一步顯示一通過在光學(xué)堆疊35上(因而在氧化物介電層36、第一鏡層34及電極層32上)沉積鉬而形成的第一像素犧牲層46a。對鉬進(jìn)行蝕刻以形成第一像素犧牲層46a，由此暴露出氧化物介電層36中將最終包含于所形成的綠色干涉式調(diào)制器110及藍(lán)色干涉式調(diào)制器120(圖9H)中的一部分36a。第一犧牲層46a的厚度(連同如下文所述隨后沉積的層的厚度)會影響所形成的干涉式調(diào)制器100中的對應(yīng)空腔75(圖9H)的尺寸。
圖8B-8C顯示通過在氧化物介電層36的外露部分36a及第一像素犧牲層46a上實施沉積、掩膜及圖案化而形成一第二像素犧牲層46b。第二像素犧牲層46b較佳包含與第一像素犧牲層46a相同的犧牲材料(在本實施例中為鉬)。如圖8C所示對第二像素犧牲層46b進(jìn)行圖案化及蝕刻，以露出氧化物介電層36的將最終包含于所形成的藍(lán)色干涉式調(diào)制器120(圖9H)中的一部分36b。然后，如圖8D所示在氧化物介電層36的外露部分36b及第二像素犧牲層46b上沉積一第三像素犧牲層46c。在本實施例中不需要對第三像素犧牲層46c進(jìn)行圖案化或蝕刻，因為其厚度將影響所形成的干涉式調(diào)制器100、110、120(圖9H)中所有三個空腔75、80、85的尺寸。所沉積的三個像素犧牲層46a、46b、46c不必具有相同的厚度。
圖8E顯示通過如下方式形成一蝕刻終止層44在第三像素犧牲層46c上沉積氧化物(例如SiO2)，隨后在氧化物蝕刻終止層44上沉積一含鋁的金屬來形成一第二鏡層38。在所示實施例中，第二鏡層38也用作一電極。較佳在沉積蝕刻終止層44后立即或很快地沉積第二鏡層38。在一實施例中，是在沉積蝕刻終止層44之后、較佳在同一沉積室中不打破真空地立即在蝕刻終止層上沉積第二鏡層38，從而使第二鏡層38的表面的氧化減輕。蝕刻終止層44的厚度可介于約100埃至約700埃范圍內(nèi)，較佳介于約100埃至300埃范圍內(nèi)。對于其中蝕刻終止層44也為一擴(kuò)散障蔽層的實施例中，蝕刻終止層的厚度較佳介于約300埃至約700埃范圍內(nèi)。盡管上述說明提到某些用于制作圖8-9所示各個層的實例性材料，然而應(yīng)了解，也可使用其他材料，例如上文中參照圖7所述的材料。
圖9A-9H為顯示在圖8所示工藝步驟之后的各后續(xù)步驟的剖面圖。在圖9A中，已使用一適于移除金屬的適當(dāng)?shù)奈g刻化學(xué)品對第二鏡層38(在本實施例中含有鋁)進(jìn)行了圖案化及蝕刻。這些蝕刻化學(xué)品為所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員所熟知。例如，PAN蝕刻(含水的磷酸/乙酸/硝酸)即可適用于移除金屬。第二鏡層38的剩余部分38c由一掩膜(未圖示)加以保護(hù)，因而在蝕刻期間未被移除。在蝕刻第二鏡層38以形成第二鏡部分38c期間，蝕刻終止層44保護(hù)下面的第三犧牲層46c不受蝕刻。對第二鏡層38進(jìn)行蝕刻以形成各部分38c會露出蝕刻終止層44的各部分44b。蝕刻終止層44的各未外露部分44a位于剩余的第二鏡部分38c下方。然后，通過使用一不同的蝕刻化學(xué)品(例如氫氟酸(HF)蝕刻)進(jìn)行進(jìn)一步蝕刻來移除(圖9B)蝕刻終止層44的各外露部分，該蝕刻化學(xué)品不會移除第三犧牲層46c，因而會留下位于剩余金屬鏡層38c下方的部分44a。
因此，圖9A顯示移除第二鏡層38的一部分以露出蝕刻終止層44，由此形成蝕刻終止層44的一外露部分44b及蝕刻終止層的一未外露部分44a。蝕刻終止層44的未外露部分44a位于第二鏡層38的剩余部分38c之下。然后，移除蝕刻終止層44的外露部分44a，以露出下面的第三犧牲層46c。在一替代實施例中，使用同一蝕刻劑(例如HF)來移除第二鏡層38及蝕刻終止層44。在另一替代實施例中，是在一后續(xù)階段中，例如在移除犧牲層時，移除薄均勻?qū)?4。
圖9B顯示在已圖案化的第二鏡層38c及第三犧牲層46c上形成一第四犧牲層46d。圖9C顯示通過對第四犧牲層46d進(jìn)行圖案化及蝕刻來形成支柱孔54b及連接器孔54a。在圖9D中，視需要施用一平面化材料42來填充支柱孔54b及連接器孔54a。平面化材料的實例包括(但不限于)二氧化硅、氮化硅、有機(jī)材料(例如環(huán)氧樹脂類、丙烯酸樹脂類、及基于乙烯基的化學(xué)品)、及含硅或金屬的有機(jī)金屬化合物。在一實施例中，可使用各種聚酰亞胺、低k材料、及旋涂玻璃。圖9E顯示通過以下方式形成一機(jī)械膜(撓性的或可變形的層)40在平面化材料42及第四犧牲層46d上沉積一撓性材料(例如，金屬)，隨后對機(jī)械層40進(jìn)行圖案化及蝕刻，以形成一未釋放的干涉式調(diào)制器陣列90(圖9F)。在一實施例中(未圖示)，未使用平面化材料42，在此種情形中，可使用用于形成機(jī)械層40的材料來填充支柱孔54b及連接器孔54a。
圖9G顯示移除犧牲層46a、46b、46c、46d，以形成空腔75、80、85，由此暴露出蝕刻終止層44的位于鏡層38的剩余部分38c之下的部分44a。在所示實施例中，使用氣態(tài)或蒸氣態(tài)的XeF2作為蝕刻劑來移除鉬犧牲層46a、46b、46c、46d。應(yīng)了解，XeF2可用作一含氟氣體(例如，F(xiàn)2及HF)源，因而可使用F2或HF取代XeF2或除XeF2外還使用F2或HF來作為較佳犧牲材料的蝕刻劑。因移除犧牲層46a、46b、46c而暴露出的蝕刻終止層44a(位于第二鏡層38c之下)會在對犧牲層46a、46b、46c、46d蝕刻期間保護(hù)第二鏡層38c。平面化材料42不會被蝕刻劑移除，因而保留下來形成支柱60(圖9H)。然后，如圖9H所示，通過使用適當(dāng)?shù)奈g刻化學(xué)品進(jìn)行蝕刻(例如SF6等離子蝕刻)來移除位于第二鏡層38c之下的蝕刻終止層44a自身，由此暴露出第二鏡層38c的鏡表面38d。在一替代實施例中，使用相同的蝕刻劑來移除蝕刻終止層44a及犧牲層46a、46b、46c、46d。舉例而言，可使用一用于移除鉬犧牲層的XeF2蝕刻劑來移除極薄的SiO2蝕刻終止層。
圖9H與圖8E的比較顯示空腔75的尺寸(圖9H)對應(yīng)于三個犧牲層46a、46b、46c及蝕刻終止層44的組合厚度。同樣地，空腔80的尺寸對應(yīng)于兩個犧牲層46b、46c及蝕刻終止層44的組合厚度，且空腔85的尺寸對應(yīng)于犧牲層46c及蝕刻終止層44的組合厚度。因此，空腔75、80、85的尺寸根據(jù)這四個層46a、46b、46c、44的不同的組合厚度而異，從而形成一由能夠顯示三種不同顏色(例如紅色、綠色及藍(lán)色)的干涉式調(diào)制器100、110、120構(gòu)成的陣列。
用于制作犧牲層46、金屬鏡層38及薄均勻?qū)?4的材料較佳相互結(jié)合地進(jìn)行選擇，以產(chǎn)生某些所期望的效果。在一其中犧牲層46含有a-Si或鍺且其中金屬鏡層38含有金屬(例如鋁)的實施例中，薄均勻?qū)?4的厚度較佳地介于約100埃至約700埃范圍內(nèi)且較佳地含有一選自由鈦及鎢組成的群組中的材料。在一其中犧牲層46含有鉬且其中金屬鏡層38含有金屬(例如鋁)的實施例中，薄均勻?qū)?4的厚度較佳地介于約100埃至約700埃范圍內(nèi)且較佳地含有一選自由氧化硅(SiOx)、非晶硅、氮化硅(SixNy)、鍺、鈦及鎢組成的群組中的材料。
在一實施例中，薄均勻?qū)?4包含或用作一擴(kuò)散障蔽層，其可減慢金屬自金屬鏡層38向犧牲材料46內(nèi)的擴(kuò)散。人們已發(fā)現(xiàn)，此種擴(kuò)散通常是人們所不期望的，因為其往往混淆金屬鏡層與犧牲層之間的邊界，致使在處理期間的蝕刻選擇性降低且所形成的干涉式調(diào)制器中鏡的質(zhì)量降低。在一其中薄均勻?qū)?4包含或用作擴(kuò)散障蔽層、其中犧牲材料46含有一選自由a-Si、鍺及鉬組成的群組中的材料、且其中金屬鏡層38含有鋁的實施例中，薄均勻?qū)?4較佳地含有一選自由氧化硅(SiOx)、氮化硅(SixNy)、鈦及鎢組成的群組中的材料。薄均勻?qū)?障蔽層44的厚度較佳地介于約300埃至約700埃之間。在一較佳實施例中，薄均勻?qū)?4同時包含或用作蝕刻終止層及障蔽層二者。
在一實施例中，薄均勻?qū)?4包含或用作一緩沖層，其可基本防止因犧牲材料46的結(jié)晶取向而產(chǎn)生金屬鏡層38的對應(yīng)的結(jié)晶取向。人們已發(fā)現(xiàn)，某些用于形成犧牲層的材料在經(jīng)過沉積及/或隨后的處理步驟之后，會顯示出結(jié)晶取向。舉例而言，鉬是一種晶體材料，其在任一特定表面上均具有因鉬原子的晶格間距而形成的結(jié)晶取向(通常為體心立方晶格)。當(dāng)將一金屬鏡層38直接沉積至一鉬犧牲材料46上時，所沉積的金屬可能往往遵循下面的鉬的結(jié)晶取向，從而在金屬層38中產(chǎn)生一對應(yīng)的結(jié)晶取向。由此形成的沉積金屬層的晶格間距通常不同于假若不存在下面的鉬時的晶格間距，因此，在許多情況下，所沉積金屬層受到機(jī)械應(yīng)變。在移除犧牲層后，已沉積的金屬原子的晶格間距即可弛豫至該金屬的自然晶格間距，在某些情況下此會改變金屬層的尺寸并產(chǎn)生不期望的翹曲。
對于其中薄均勻?qū)?4包含或用作緩沖層的實施例而言，薄均勻?qū)?緩沖層44較佳為非晶層或者不與下面的犧牲層46具有相同的晶格間距。金屬原子沉積于薄均勻?qū)?緩沖層上而非沉積于下面的犧牲層46上，且緩沖層可基本防止因犧牲層46的結(jié)晶取向而產(chǎn)生金屬鏡層38的對應(yīng)的結(jié)晶取向。在一其中薄均勻?qū)?4包含或用作緩沖層、其中犧牲層46含有一選自由鍺及鉬組成的群組中的材料、且其中金屬鏡層38含有鋁的實施例中，薄均勻?qū)?緩沖層44較佳地含有一選自由氧化硅(SiOx)及氮化硅(SixNy)組成的群組中的材料。薄均勻?qū)?緩沖層44的厚度較佳地介于約100埃至約700埃范圍內(nèi)。在一較佳實施例中，薄均勻?qū)?4同時包含或用作蝕刻終止層及緩沖層。
在一實施例中，薄均勻?qū)?4包含或用作一模板層，其具有一與金屬鏡層的結(jié)晶取向基本相同的結(jié)晶取向。如上文所述，沉積的金屬可能往往遵循下面的層的結(jié)晶取向，從而在金屬層中產(chǎn)生一對應(yīng)的結(jié)晶取向?？赏ㄟ^選擇一種具有期望賦予金屬層的結(jié)晶取向的材料來用作薄均勻?qū)?4，而有利地利用該趨向。因而，由此種材料形成的薄均勻?qū)?4用作一結(jié)晶模板，其會在隨后沉積的金屬鏡層38中產(chǎn)生一基本相同的結(jié)晶取向。在一其中薄均勻?qū)?4還用作一模板層、其中犧牲層46含有一選自由a-Si、鍺及鉬組成的群組中的材料、且其中金屬鏡層38含有鋁的實施例中，薄均勻?qū)?模板層44較佳地含有一選自由鈦及鎢組成的群組中的材料。薄均勻?qū)?模板層44的厚度較佳地介于約100埃至約700埃范圍內(nèi)。在一較佳實施例中，薄均勻?qū)?4同時包含或用作蝕刻終止層及模板層。
用于制作本文所述干涉式調(diào)制器及其陣列的處理步驟較佳地與用于制作犧牲層46、金屬鏡層38及薄均勻?qū)?4的材料相結(jié)合地進(jìn)行選擇，以產(chǎn)生某些所期望的效果。例如，在上文參照圖9A所述的實施例中，在對第二鏡層38進(jìn)行蝕刻以形成各部分38c期間，蝕刻終止層44會保護(hù)下面的第三犧牲層46c免受蝕刻。在上文參照圖9G所述的另一實施例中，因移除犧牲層46a、46b、46c而暴露出的蝕刻終止層44a(位于第二鏡層38c之下)會在對犧牲層46a、46b、46c、46d進(jìn)行蝕刻期間保護(hù)第二鏡層38c。因此，蝕刻終止層可在移除某一其他層期間保護(hù)一犧牲層及/或一鏡層免受蝕刻。在此種蝕刻期間，較佳地，移除所蝕刻的材料的速率比移除蝕刻終止層的速率快至少約10倍、較佳地快至少約20倍。因此，例如，參照圖9A，在對第二鏡層38進(jìn)行蝕刻以形成各部分38c期間，蝕刻劑移除第二鏡層38中的鋁的速率較佳比蝕刻劑移除蝕刻終止層44中的氧化物的速率快至少約10倍，更佳地快至少約20倍。同樣地，參照圖9G，在對犧牲層46a、46b、46c、46d進(jìn)行蝕刻期間，XeF2蝕刻劑移除犧牲層46a、46b、46c、46d中的鉬的速率較佳比XeF2蝕刻劑移除蝕刻終止層44中的氧化物的速率快至少約10倍，更佳地快至少約20倍。
參照圖9G-9H，可通過以一種使對第二鏡部分38c的鏡表面38d的損傷最小化的方式進(jìn)行蝕刻以暴露出鏡表面38d，來選擇性地移除第二鏡部分38c下面的蝕刻終止層44的各部分44a。蝕刻劑移除蝕刻終止層44的各部分44a的速率較佳地比蝕刻劑移除第二鏡部分38c的速率快至少約10倍，更佳地快至少約20倍。用于移除各部分44a的蝕刻化學(xué)品較佳不同于用于移除犧牲層46的蝕刻化學(xué)品。例如，自整個未釋放的干涉式調(diào)制器90(圖9F)移除鉬犧牲層46可能涉及到使用XeF2進(jìn)行過蝕刻，以實現(xiàn)所期望程度的移除，尤其是在厚的段或更不易接近的區(qū)域中。假若不存在蝕刻終止層44的位于第二鏡部分38c下面的各部分44a，則此種過蝕刻可導(dǎo)致?lián)p壞鏡表面38d。因此，較佳使用一第一蝕刻劑來相對于蝕刻終止層44的各部分44a選擇性地移除犧牲層46、并使用一第二蝕刻劑來相對于第二鏡部分38c選擇性地移除所述各部分44a。由于所述各部分44a薄且相對均勻，因而不必進(jìn)行干蝕刻，從而對鏡表面38d的損傷可最小化。
上述實施例并非旨在限制本發(fā)明，且本文所述的方法也可應(yīng)用于任一其中兩種具有相似蝕刻分布的材料用于一鄰近區(qū)域中且在期望進(jìn)行選擇性蝕刻的地方受到蝕刻的結(jié)構(gòu)。較佳地，可應(yīng)用本文所述方法來提高在一含Al的材料與一含Mo的材料的組合之間的蝕刻選擇性。不施加或意圖具有任何結(jié)構(gòu)限制或約束。此外，不對特定的形成順序施加或意圖具有任何限制或約束。
本文所述的用于制作干涉式調(diào)制器的方法可使用傳統(tǒng)的半導(dǎo)體制造技術(shù)，例如光刻法、沉積(例如，諸如化學(xué)氣體沉積(CVD)等“干式”方法及諸如旋涂等濕式方法)、掩膜、蝕刻(例如，諸如等離子蝕刻等干式方法及濕式方法)、等等。
所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)了解，可對上文所述的工藝作出各種刪略、添加及修改，此并不背離本發(fā)明的范疇，且所有這些修改及改變均打算歸屬于由隨附權(quán)利要求書所界定的本發(fā)明范疇內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種未釋放的干涉式調(diào)制器，其包括一犧牲層；一位于所述犧牲層上的金屬鏡層；及一位于所述犧牲層與所述金屬鏡層之間的均勻?qū)印?br> 2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述犧牲層含有至少一種選自非晶硅、鍺及鉬的材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述均勻?qū)影晃g刻終止層。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述蝕刻終止層包含一含有氧化硅、非晶硅、氮化硅、鍺、鈦、及鎢中的至少一種的材料。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述犧牲層含有至少一種選自鍺及鉬的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述犧牲層含有非晶硅，且所述均勻?qū)雍兄辽僖环N選自鈦及鎢的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述均勻?qū)影粩U(kuò)散障蔽層，所述擴(kuò)散障蔽層減慢金屬自所述金屬鏡層向所述犧牲層內(nèi)的擴(kuò)散。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述擴(kuò)散障蔽層含有一選自由氧化硅、氮化硅、鈦、及鎢組成的群組的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述均勻?qū)影痪彌_層，所述緩沖層基本上防止所述犧牲層的一結(jié)晶取向產(chǎn)生所述金屬鏡層的一對應(yīng)的結(jié)晶取向。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述緩沖層含有至少一種選自氧化硅及氮化硅的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求2所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述均勻?qū)影荒０鍖?，所述模板層具有一與所述金屬鏡層的一結(jié)晶取向基本相同的結(jié)晶取向。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述模板層含有至少一種選自鈦及鎢的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述金屬鏡層含有鋁。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述金屬鏡層含有至少一種選自Al-Si、Al-Cu、Al-Ti、及Al-Nd中的鋁合金。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述均勻?qū)泳哂幸唤橛诩s100埃至約700埃范圍內(nèi)的厚度。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的未釋放的干涉式調(diào)制器，其中所述均勻?qū)影幌鄬τ谒鰻奚鼘蛹八鼋饘夔R層中的至少一層較薄的層。
17.一種制作一干涉式調(diào)制器的方法，其包括在一第一鏡層上沉積一犧牲層；在所述犧牲層上沉積一蝕刻終止層；在所述蝕刻終止層上沉積一第二鏡層；及移除所述犧牲層，以暴露出所述蝕刻終止層的位于所述第二鏡層之下的一部分。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其進(jìn)一步包括選擇性地移除所述蝕刻終止層的位于所述第二鏡層之下的所述部分。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中選擇性地移除所述蝕刻終止層的位于所述第二鏡層之下的所述部分包括使用一蝕刻劑來蝕刻所述蝕刻終止層的所述部分，所述蝕刻劑以一比所述蝕刻劑移除所述第二鏡層的速率快至少約10倍的速率移除所述蝕刻終止層的所述部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中移除所述犧牲層包括使用一蝕刻劑來蝕刻所述犧牲層，所述蝕刻劑以一比所述蝕刻劑移除所述蝕刻終止層的速率快至少約10倍的速率移除所述犧牲層。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其中所述蝕刻劑包含XeF2。
22.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述犧牲層含有至少一種選自非晶硅、鍺及鉬的材料。
23.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述蝕刻終止層含有至少一種選自氧化硅、非晶硅、氮化硅、鍺、鈦、及鎢中的材料。
24.一種制作一干涉式調(diào)制器的方法，其包括在一第一鏡層上沉積一犧牲層；在所述犧牲層上沉積一蝕刻終止層；在所述蝕刻終止層上沉積一第二鏡層；及移除所述第二鏡層的一部分，以暴露出所述蝕刻終止層，由此形成所述蝕刻終止層的一外露部分及所述蝕刻終止層的一未外露部分，所述蝕刻終止層的所述未外露部分位于所述第二鏡層的一剩余部分之下。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其進(jìn)一步包括移除所述蝕刻終止層的所述外露部分。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的方法，其進(jìn)一步包括選擇性地移除所述犧牲層，以暴露出所述蝕刻終止層的位于所述第二鏡層的所述剩余部分之下的所述部分。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的方法，其進(jìn)一步包括選擇性地移除位于所述第二鏡層的所述剩余部分之下的所述蝕刻終止層。
28.一種通過根據(jù)權(quán)利要求27所述的方法制成的干涉式調(diào)制器。
29.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中移除所述第二鏡層的所述部分以暴露出所述蝕刻終止層包括使用一蝕刻劑來蝕刻所述第二鏡層，所述蝕刻劑以一比所述蝕刻劑移除所述蝕刻終止層的速率快至少約10倍的速率移除所述第二鏡層。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的方法，其中所述蝕刻劑包含一含水酸。
31.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，其中所述犧牲層含有至少一種選自非晶硅、鍺及鉬的材料。
32.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其中所述蝕刻終止層含有至少一種選自氧化硅、非晶硅、氮化硅、鍺、鈦、及鎢中的材料。
33.一種通過根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法制成的未釋放的干涉式調(diào)制器。
34.一種制作一干涉式調(diào)制器的方法，其包括在一第一鏡層上沉積一犧牲層，所述犧牲層含有至少一種選自非晶硅、鍺及鉬的材料；在所述犧牲層上沉積一薄均勻?qū)?，所述薄均勻?qū)泳哂幸唤橛诩s100埃至約700埃范圍內(nèi)的厚度，所述薄均勻?qū)雍兄辽僖环N選自氧化硅、非晶硅、氮化硅、鍺、鈦、及鎢中的材料；在所述薄均勻?qū)由铣练e一第二鏡層，所述第二鏡層含有至少一種選自Al、Al-Si、Al-Cu、Al-Ti、及Al-Nd的金屬；移除所述第二鏡層的一部分以暴露出所述薄均勻?qū)樱纱诵纬伤霰【鶆驅(qū)拥囊煌饴恫糠旨八霰【鶆驅(qū)拥囊晃赐饴恫糠?，所述薄均勻?qū)拥乃鑫赐饴恫糠治挥谒龅诙R層的一剩余部分之下；及移除所述犧牲層以暴露出所述薄均勻?qū)拥奈挥谒龅诙R層的所述剩余部分之下的所述先前未外露部分。
35.一種通過根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法制成的干涉式調(diào)制器。
全文摘要
通過在一犧牲層與一鏡層之間使用一蝕刻終止層來改良例如干涉式調(diào)制器等MEMS裝置的制作。所述蝕刻終止層可減輕對犧牲層及鏡層的不良過蝕刻。所述蝕刻終止層還可用作一障蔽層、緩沖層及/或模板層。
文檔編號G02B26/00GK1755418SQ200510102598
公開日2006年4月5日 申請日期2005年9月12日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月27日
發(fā)明者克拉倫斯·徐, 馬尼什·科塔里, 布萊恩·詹姆斯·加利, 董明孝 申請人:Idc公司