專利名稱：基體、液晶顯示裝置和電子儀器的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種基體、液晶顯示裝置和電子儀器，特別是涉及一種具有反射膜或電磁屏蔽膜等導體膜和電極的基體、液晶顯示裝置和電子儀器。
在圖12所示的結構中，襯底220通常被稱為上襯底，襯底221通常被稱為下襯底。如圖12所示，當使襯底221在跟前，襯底220在后面，把兩者橫著立起來時，使襯底220比襯底221高，而且，使襯底221比襯底220的橫向寬度更寬，使襯底220和襯底221的各底邊部分和右側面部分別對齊之后成為一個整體，并且，把向上超出襯底221的部分作為襯底220的伸出端部223，把向左超出襯底220的部分成為襯底221的伸出端部224。
而且，在襯底220、221之間，沿著襯底220、221的重疊部分的角部，把樹脂制的密封材料222夾裝在襯底220、221之間。該密封材料222由以下所述部分構成沿著襯底220、221的重疊部分的周邊部分，配置為近乎矩形環(huán)狀的環(huán)狀部222a；在襯底220、221的右側面的中央部分上，向著襯底220、221的右側面，以彼此分開的狀態(tài)，幾乎平行地引出形成，并在襯底220、221的右側面一側形成了液晶的注入部226的延長部222b、222b；為封閉該注入部226而設的密封部222c。另外，在從注入部226稍向內側的地方，設有由與注入部226的寬度同樣長的樹脂所形成的線狀防護構件227，它夾在襯底220、221之間，與襯底220的右側面幾乎平行。
在密封材料222的內側的襯底220、221的對置面上，分別平行地形成多個長方形的顯示用電極，使在襯底220上形成的多個顯示用電極223b和在襯底221上形成的多個顯示用電極224b以90度角對置，并把它們配置為矩陣形狀，在密封材料222的內側，形成比環(huán)狀密封材料222還窄一些的矩形的電極形成區(qū)域230。
該顯示用電極223b、224b由銦錫氧化物(以下稱為ITO)等透明導電材料所構成。
在所述襯底220的伸出端部223中，在襯底221一側的面上，排列形成從所述多個顯示用電極223b引出的引出電極223a…，同時在所述襯底221的伸出端部224中，在襯底220一側的面上，排列形成從多個顯示用電極224b引出的引出電極224a。并且，這些引出電極223a、224a用于安裝液晶顯示裝置的驅動用IC等。
而且，雖然在襯底220、221的對置面一側，除了電極層，還層疊了外層和方向性膜，并且如果是用于進行彩色顯示的結構，還要設置濾色器，但是在本例的說明中，省略了這些部分的說明。
在襯底221(下襯底)的外面一側的近乎整個面上，形成由蒸鍍Al等構成的金屬反射膜231，該金屬反射膜231，只在與所述電極形成區(qū)域230對應的部分上形成金屬反射膜，同時在其周圍的與所述襯底221的引出電極形成區(qū)域對應的部分中，形成金屬反射膜的未形成部231b。
在制造這樣的襯底220時，在形成金屬反射膜231、引出電極223a、顯示用電極223b后，在形成方向性膜的工序中，因為有必要在印刷用滾子和印刷用的金屬臺之間擠壓襯底220，所以襯底220被牢牢地壓在印刷用金屬臺上。
而且，在其后的工序中，為了搬運襯底220等，有必要從金屬臺上剝離襯底220。因此，通過位于其四角上的頂針等，把襯底220從金屬臺上剝離。
可是，在從金屬臺上剝離該襯底220的工序中，由于帶電電荷導致的放電，而使該顯示用電極223b受損，在顯示區(qū)域中產生了顯示缺陷，變成了次品。
本發(fā)明人在追尋引發(fā)該放電的原因時發(fā)現(xiàn)，在方向性膜印刷工序中，利用印刷用滾子來滾壓襯底220和金屬臺，使它們緊密接觸，通過提高襯底220和金屬臺之間的接觸率，當在下面所述的工序中為了搬運而剝離襯底220時，該襯底220所帶的電荷量增加。
而且，如圖8所示，該襯底220的帶電電位因批量的不同而不同，在其帶電量的值較高時，發(fā)生放電的可能性較高。
而且，本發(fā)明人為了檢測所述放電，嘗試設有EMI(electromagneticinduced)探測器，通過測量由于放電導致的電磁波，在確定產生過程的同時，還考慮帶電模型，據(jù)此，來確定其原因。這樣一來，因為襯底220帶電，所以在從金屬臺上剝離時，只有與頂針接觸的部分附近的襯底220與金屬臺分開，襯底220自身發(fā)生彎曲，形成襯底220的中央部分與金屬臺接觸的狀態(tài)，因此，在顯示用電極223b、223b之間產生電位差，從而產生放電。
總之，查明了導致靜電破壞的原因。
而且，本發(fā)明人銳意追求所得到的結果是位于由于襯底背面產生的靜電引起的靜電放電而受損的部位的相鄰電極間的電位差，隨著反射膜和與該反射膜不重疊的部分的電極面積的比率而變化。
為實現(xiàn)以上所述目的，在本發(fā)明的基體中，在由絕緣材料構成的襯底上，具有由導電材料構成的導電鍍層；隔著絕緣膜，呈膜狀對該鍍層形成的多條配線；把所述導電鍍層的面積S1與所述配線中與所述導電鍍層不重疊的部分的面積S2的比率S2/S1設置在0.001以下。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，隔著液晶層相對配置，并且在所述液晶層一側的面上，在至少具有給定結構的電極的一對襯底中，在第一襯底上，設有至少覆蓋顯示區(qū)域的導電性反射膜；在所述第一襯底中，通過把所述反射膜的面積S1與所述電極中與所述反射膜2不重疊的部分的面積S2的比率S2/S1設在0.001以下，就能解決以上所述問題。
在本發(fā)明的電子儀器中，在由絕緣材料構成的襯底上，具有由導電材料構成的電磁屏蔽膜(導電鍍層)；對該電磁屏蔽膜隔著絕緣膜形成的多條膜狀配線；通過在所述電磁屏蔽膜的面積S1和所述配線中與所述電磁屏蔽膜不重疊的部分的面積S2中，把它們的面積比率S2/S1設置為0.001以下，就能解決以上所述的問題。
在本發(fā)明中，比較理想的是把所述比率S2/S1設置為0.0001以下。
而且，在本發(fā)明中，更理想的是使所述配線(電極)完全與所述導電鍍層(電磁波屏蔽膜或反射膜)重疊。
在本發(fā)明的基體中，通過把襯底上的各配線中的任意的一根中與所述導電鍍層不重疊的部分的面積S2與導電鍍層的面積S1的比率S2/S1設置為0.001以下，就能抑制由制造工序中產生的靜電引起的各配線之間的電位差，從而能在配線間防止發(fā)生放電，能降低由放電引起的、產生顯示缺陷的產品數(shù)相對于全部產品數(shù)的比例即不良發(fā)生率，從而起到提高產品合格率的作用。
具體而言，當把比率S2/S1設置為0.001以下時，由(發(fā)生由于靜電放電而導致的顯示缺陷的單元數(shù))/(制造的全部單元數(shù))所表示的次品率能達到3％以下。
在此，所謂的配線缺陷并不局限于配線的不良，而是指因靜電放電對配線周圍的結構造成影響，而不能表現(xiàn)所需性能的狀態(tài)。
而且，因為通過把該比率S2/S1設置為0.0001以下，就能把次品率控制在0.5％，所以更好。
另外，通過使所述配線(電極)完全與所述導電鍍層(電磁波屏蔽膜或反射膜)重疊，即通過使S2＝0，就能使起因于靜電放電的顯示缺陷所導致的次品率為0％，所以更好。
在本發(fā)明的液晶顯示裝置中，通過把襯底上各電極中的任意的一個中與所述反射膜不重疊的部分的面積S2與所述反射膜的面積S1的比率S2/S1設置為0.001以下，就能抑制由制造工序中產生的靜電所引起的各電極之間的電位差，從而能防止在電極間發(fā)生靜電放電，并能防止產生了由靜電放電引起的顯示缺陷的產品數(shù)相對于全部產品數(shù)的比例即次品率的上升，從而能起到提高產品合格率的作用。
具體而言，當把比率S2/S1設置在0.001以下時，由(發(fā)生由于靜電放電而導致的顯示缺陷的單元數(shù))/(制造的全部單元數(shù))所表示的次品率能達到30％以下。
在本發(fā)明的電子儀器中，通過把襯底上的各配線中的任意的一根中與所述電磁屏蔽膜不重疊的部分的面積S2與電磁屏蔽膜的面積S1的比率S2/S1設置為0.001以下，就能抑制由制造工序中產生的靜電引起的各配線之間的電位差，從而能防止在配線間發(fā)生放電，能降低由靜電放電引起的產生顯示缺陷的產品數(shù)相對于全部產品數(shù)的比例即次品率，能起到提高產品合格率的作用。
根據(jù)所述基體、液晶顯示裝置和電子儀器，不用改變制造工序本身和制造時的各種條件，通過設置配線(電極)中與所述電磁屏蔽膜不重疊的部分的面積S2和導電鍍層(反射膜、電磁屏蔽膜)的面積S1，不需改造制造設備等，就能防止配線(電極)間的放電，降低放電導致的次品率，從而能提高產品合格率。在此，在配線(電極)中與所述電磁屏蔽膜不重疊的部分是指在俯視圖中，與導電鍍層不重疊的部分，是不對著該導電鍍層的部分。
圖1是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的實施方式1的剖面圖。
圖2是表示圖1的液晶顯示裝置中的公共襯底的剖面圖。
圖3是表示圖2的公共襯底的俯視圖。
圖4是圖3的放大俯視圖。
圖5是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的實施方式2中的公共襯底的俯視圖。
圖6是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的實施方式3中的公共襯底的俯視圖。
圖7是是表示本發(fā)明的液晶顯示裝置的其他實施方式中的公共襯底的剖面圖。
圖8是表示方向性膜印刷工序中各批的帶電電位的偏差的圖。
圖9是表示本發(fā)明的實施方式中面積比(S2/S1)與次品率(％)關系的曲線圖。
圖10是表示本發(fā)明中的電子儀器的實施方式4的俯視圖。
圖11是表示圖10的電子儀器的立體分解圖。
圖12是表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的俯視圖。
圖13是表示本發(fā)明中的液晶顯示裝置的其他實施方式的俯視圖。
下面簡要說明附圖符號。
1—下方襯底，2、2’—反射膜(導電鍍層)，3、3A、3B、3C、3D—顯示區(qū)域，4、34—顯示電極，5—端子部，6、6’—引出配線，7、37—電極(配線)，11—外層膜，12—形狀復制膜，21—濾色器層，31—上方襯底，35—電極，41—外層膜，42、43—方向性膜，44—密封材料，45—液晶層，46—段襯底，47—公共襯底(基體)，20—電磁屏蔽膜(導電鍍層)。
圖1是表示本實施方式中的液晶顯示裝置的剖面圖。圖2是表示圖1的液晶顯示裝置中的公共襯底的剖面圖。圖3是表示同一公共襯底的俯視圖。圖4是圖3的放大俯視圖。
本實施方式中的液晶顯示裝置是反射型單純矩陣型的液晶顯示置，在圖中符號1是第一襯底，2是反射膜，3是顯示區(qū)域。
本液晶顯示裝置基本上是在一對由玻璃襯底等構成的襯底1、31之間夾著由STN(超螺旋向列)液晶等構成的液晶層45。
如圖1所示，公共襯底(基體)47的結構如下在下方襯底(第一襯底)1上與上方襯底31相對的面上，隔著形狀復制膜12，按順序層疊形成反射膜2(導電鍍層)和由紅(R)、綠(G)、藍(B)等彩色象素和遮光層(黑色矩陣)構成的濾色器層21，在其上隔著外層膜11形成多個電極7(配線)，在其上又形成方向性膜43。該公共襯底(基體)47是對應圖12所示的下襯底221的構成要素。
同樣，段襯底46的結構如下在上方襯底(第一襯底)31上與下方襯底1相對的面上，隔著外層膜41，形成了多個在與下方襯底1的顯示電極4正交的方向上的電極37，在其上形成了方向性膜42。該段襯底46是對應于圖12所示的上襯底220的構成要素。
把分開相對配置的這對玻璃襯底，即公共襯底47和段襯底46通過密封材料44貼在一起，通過在圍著這對襯底46、47所夾著的成為顯示區(qū)域3的部分形成的密封材料44所包圍的單元內，填充液晶45，形成液晶層。
另外，在液晶層45內，為了使液晶單元的單元間隙均勻化，配置了由二氧化硅、聚苯乙烯等構成的多個球狀間隔團，雖然在所述襯底31的外側設有偏振片、相位差板等光學元件，但是在附圖中并未顯示這些。
反射膜2由能反射光的銀和鋁等構成，從上方襯底一側31(觀察者一側)入射的太陽光等外來光，透射過液晶層45，被反射膜2反射，再次透射過液晶層45、上方襯底31，出射到外部，完成顯示。
反射膜2的設置范圍，不只是顯示區(qū)域3，還包括后面將描述的其外側的引出配線6、端子部5重疊的位置，關于設有該反射膜2的范圍將在后面討論。
如圖1所示，濾色器層21由紅(R)、綠(G)、藍(B)的著色層和相鄰的為著色層遮光的遮光層(黑色矩陣)構成。在本實施方式的液晶顯示裝置中，顯示電極4和顯示電極34交叉的部分是象素，對應于各象素，配置了紅、綠、藍的著色層中任何的著色層，用顯示紅、綠、藍的三個象素能形成一個顯示。外層膜11(平坦化膜)由有機膜等構成，是用來使形成了濾色器層21的下方襯底的表面變平坦。
方向性膜42、43由聚酰亞胺等方向性高分子構成，并且配合未外加電場時液晶層45的定向狀態(tài)，用布在其表面沿著給定方向摩擦后形成的。
在下方襯底1、上方襯底31在液晶層45一側的表面上，分別形成了多個由ITO(銦錫氧化物)等構成的電極(配線)7、37，通過在該電極7、37外加給定的電壓，使液晶的定向狀態(tài)改變，通過在光學上識別它，完成顯示。
電極7、37，在顯示區(qū)域3中，作為顯示電極4、34形成了分別正交的帶狀，這些顯示電極4、34交叉的部分成為象素，采用了從外部按各象素驅動液晶的方式。
顯示電極4在顯示區(qū)域3的內部形成帶狀，其端部通過位于顯示區(qū)域3外側的引出配線(電極)6與位于顯示區(qū)域3外側的各端子部(電極)5相連。這些顯示電極4、引出配線6、端子部5構成電極7。
引出配線6、6…，例如，寬度尺寸W1為70μm，間隔尺寸P1為20μm。
如圖3所示，顯示區(qū)域3中多個顯示電極4、4…分為四塊，分別與集中在不同的部位的端子部5、5相連。
總之，位于圖3中右端的顯示區(qū)域3A中的顯示電極4、4…分別通過位于圖下方的引出電極6、6…，與位于下方襯底1的右下角的端子部5、5…相連。同樣，位于圖3中從右數(shù)第二個顯示區(qū)域3B中的顯示電極4、4…分別通過位于圖上方的引出電極6、6…，與位于下方襯底1的右上角的端子部5、5…相連。
同樣，位于圖3中從左數(shù)第二個顯示區(qū)域3C中的顯示電極4、4…分別通過位于圖下方的引出電極6、6…，與位于下方襯底1的左下角的端子部5、5…相連。同樣，位于圖3中的左端的顯示區(qū)域3D中的顯示電極4、4…分別通過位于圖上方的引出電極6、6…，與位于下方襯底1的左上角的端子部5、5…相連。
下方襯底1上的電極7，通過位于顯示區(qū)域3外側的端子部5由各向異性導電材料構成的密封材料44，與上方襯底31的電極35相連。在位于該上方襯底31上的顯示區(qū)域外的電極35和上方襯底31的電極37上，分別安裝了為各襯底的顯示區(qū)域4、34提供信號的驅動電路，各區(qū)動用電路和各透明電極是連接導通的。
這樣，通過采用如下結構即設置在下方襯底1的四角的端子部5、5，通過由各向異性導電材料構成的密封材料44、上方襯底31的電極35，與驅動電路向連，就不再需要圖12所示的下方襯底221上設置的延出端部224，能只把驅動電路連接(安裝)到上方襯底上，不但能使液晶顯示裝置小型化，還能使在襯底上安裝驅動電路變得簡單。
下面，說明設有反射膜2的范圍。
如圖3、圖4所示，雖然反射膜2被一直設置到顯示區(qū)域3的外側位置，但是，該范圍是根據(jù)和電極7的關系而設置的。
總之，反射膜2的面積S1，應該設置為滿足一下條件對于下方襯底1上的各電極7、7…中任意的一根中與該反射膜2在俯視圖上不重疊的部分的面積S2，這些面積的比率即S2/S1在0.001以下。
在圖4中，作為該電極7中與反射膜2不重疊的部分的面積S2的一個例子，對于具有位于襯底1的最外側的引出配線6的電極7，顯示了成為S2的區(qū)域。總之，在該例子中，在穿過圖3的顯示區(qū)域3A的電極7中，與反射膜2部重疊的部分的長度最長，總之，由電極7的寬度W1和總伸長的乘積定義的區(qū)域S2的面積最大，即表示相對于反射膜的面積的比率S2/S1是最大的。
因此，如果圖中所示的S2滿足所述的條件，顯示區(qū)域3A的其他電極7、7…全部滿足所述條件。
同樣，在顯示區(qū)域3B、3C、3D中，設置設有反射膜2的范圍，使在所有的電極7、7…中，面積S2的值滿足所述條件。
在此，在下方襯底1的顯示區(qū)域3的外側，如圖3所示，設有不與穿過顯示區(qū)域3的電極4相連的虛設電極所在的區(qū)域D。因為存在于該區(qū)域D中的虛設電極被認為與存在于顯示電極4、4之間的靜電放電無關，所以在本實施方式中，它沒必要滿足所述S2/S1的條件，被從所述條件中排除了。
在本實施方式的液晶顯示裝置中，通過把下方襯底1上的各電極7、7…中任意一根中與所述反射膜2不重疊的部分的面積S2與所述反射膜2的面積S1的比率S2/S1設置在0.001以下，在公共襯底47的制造工序中，對于形成了形狀復制膜12、反射膜2、外層膜11、電極7的下方襯底，在進行下一工序即方向性膜43的印刷時，把成為公共襯底47的下方襯底1裝在金屬臺上，用該金屬臺和印刷用滾子擠壓下方襯底1后，能抑制從金屬臺上剝離下方襯底1時產生的靜電所導致的各電極7、7…之間的電位差。
由此，能在為了方向性膜43的印刷的下一工序而把下方襯底1從金屬臺上剝離時，防止在各電極7、7…之間產生靜電放電。因此，能使起因于放電的電極7、7…破損(配線缺陷)或外層膜11絕緣不良等導致的產生顯示缺陷的次品率在3％以下。
在此，所謂次品率用發(fā)生了起因于靜電放電的顯示缺陷的單元數(shù)與全部制造的單元數(shù)的比來表示。
另外，根據(jù)本實施方式的液晶顯示裝置，不用改變制造工序和制造時的各條件，只把反射膜2向顯示區(qū)域的外差延伸，總之，只通過設置反射膜2相對于下方襯底的形成為制，不用改造制造設備，就能防止電極7、7…之間的放電，能降低靜電放電導致的次品率，從而提高成品率。
另外，在本實施方式中，雖然反射膜2的輪廓為矩形，但是并不局限于此，在符合本發(fā)明的宗旨的范圍內，可以使用各種形狀。例如，如圖13所示，在各顯示區(qū)域3A、3B、3C、3D中，使各電極7和反射膜2不重疊的部分的長度統(tǒng)一，或對于各電極7、7，能降低S2/S1的比率的標準離差。
實施方式2下面，參照


本發(fā)明中的基體、液晶顯示裝置的實施方式2。
在本實施方式中，與圖1～圖4所示的實施方式1的不同點在于電極7相對于反射膜2的配置。對除此之外的構成要素使用了同一符號，并且省略了說明。
圖5是表示本實施方式的液晶顯示裝置中的公共襯底的俯視圖。
在本實施方式的公共襯底47中，反射膜2相對于該下方襯底1的配置與圖3、圖4所示的實施方式1略有不同，如圖5所示，在各電極7、7中，引出配線6’、6’與反射膜2完全重疊。
總之，在各電極7、7中與反射膜2不重疊的部分只有端子部5、5。可以通過在各引出配線6’、6’中，例如把各寬度W1設置為50，實現(xiàn)這一布局。
而且，反射膜2的面積S1，應該設置為滿足一下條件對于下方襯底1上的各電極7、7…中任意的一根中與該反射膜2在俯視圖上不重疊的部分的面積S2，這些面積的比率即S2/S1在0.0001以下。
與圖4所示的實施方式1相比，該電極7中與反射膜2不重疊的部分的面積S2中，只有端子部5的部分被規(guī)定為本實施方式中的S2?？傊谠摾又?，在穿過圖5的各顯示區(qū)域3A、3B、3C、3D的電極7、7中，把與反射膜2不重疊的部分的面積S2全部設置為相等。即把相對于反射膜2的面積的比率S2/S1的值全部設置同樣的0.0001。
在本實施方式的液晶顯示裝置中，不但取得了與所述實施方式1相同的效果，還通過把下方襯底1上的各電極7、7…中任意的一根中與所述反射膜2不重疊的部分的面積S2與所述反射膜2的面積S1的比率即S2/S1設置在0.0001以下，在公共襯底47的制造工序中，對于形成了形狀復制膜12、反射膜2、外層膜11、電極7的下方襯底，在進行下一工序即方向性膜43的印刷時，把成為公共襯底47的下方襯底1裝在金屬臺上，用該金屬臺和印刷用滾子擠壓下方襯底1后，能抑制從金屬臺上剝離下方襯底1時產生的靜電所導致的各電極7、7…之間的電位差。
由此，能在為了方向性膜43的印刷的下一工序而把下方襯底1從金屬臺上剝離時，進一步防止在各電極7、7…之間產生靜電放電。因此，能使起因于放電的電極7、7…破損或外層膜11絕緣不良等導致的產生顯示缺陷的次品率在0.5％以下。
并且，在本實施方式中，雖然通過使引出配線6’、6’…的寬度小于實施方式1的值，把面積比率S2/S1設置為0.0001，但是除此之外，還可以通過改變反射膜2的形狀，從而改變該面積比率S2/S1的值。
實施方式3下面，參照

本發(fā)明中的基體、液晶顯示裝置的實施方式3。
在本實施方式中，與圖1～圖4所示的實施方式1的不同點在于反射膜2相對于下方襯底1的配置。對除此之外的構成要素使用了同一符號，并且省略了說明。
圖6是表示本實施方式的液晶顯示裝置中的公共襯底的俯視圖。
在本實施方式的公共襯底47中，設置為反射膜2與下方襯底1具有大致相同的面積，如圖6所示，各電極7、7與反射膜2完全重疊。
即設置為在各電極7、7…中，沒有與反射膜2不重疊的部分，總之，在各電極7、7中，不存在不對著反射膜2的部分。
而且，反射膜2的面積S1，應該設置為滿足一下條件對于下方襯底1上的各電極7、7…中任意的一根中與該反射膜2在俯視圖上不重疊的部分的面積S2，這些面積的比率即S2/S1為0。
在本實施方式的液晶顯示裝置中，不但能取得與所述實施方式1相同的效果，還通過把下方襯底1上的各電極7、7…中任意的一根中與該反射膜2不重疊的部分的面積S2設為0，使相對于所述反射膜2的面積S1的比率S2/S1為0，在公共襯底47的制造工序中，對于形成了形狀復制膜12、反射膜2、外層膜11、電極7的下方襯底，在進行下一工序即方向性膜43的印刷時，把成為公共襯底47的下方襯底1裝在金屬臺上，用該金屬臺和印刷用滾子擠壓下方襯底1后，能抑制從金屬臺上剝離下方襯底1時產生的靜電所導致的各電極7、7…之間的電位差。
由此，能在為了方向性膜43的印刷的下一工序而把下方襯底1從金屬臺上剝離時，完全防止在各電極7、7…之間產生靜電放電。因此，能使起因于放電的電極7、7…破損或外層膜11絕緣不良等導致的產生顯示缺陷的次品率為0％。
并且，在所述各實施方式中，雖然說明了彩色液晶顯示裝置和其基體，但是如圖7所示，還能采用沒有濾色器層21的結構。
實施方式4下面，參照

本發(fā)明中的基體、液晶顯示裝置的實施方式4。
圖10表示了本發(fā)明的電子儀器的一個例子，圖11是表示圖10所示的電子儀器的層疊結構的主要部分的立體圖。
本實施方式中的電子儀器，是用于計算機等的襯墊型數(shù)據(jù)輸入裝置100，如圖10、11所示，形成了電極結構，并且，有通孔的傳感器襯底102和在單面有配線結構的傳感器襯底102的反面一側設有用于屏蔽電磁波的電磁屏蔽膜20的第一襯底即印刷電路板(以下，用PCB表示)120，使用了隔著絕緣層接合在一起的層疊襯底。
所述傳感器襯底102由聚對苯二甲酸乙二醇酯等的板構成，如圖11所示，在所述傳感器襯底102的表面上，平行形成了多個X電極112，在背面，平行形成了多個Y電極113。如圖11所示，所述X電極112和所述Y電極113配置為矩陣狀，彼此交叉，在該交叉部分，形成輸入點。
在該數(shù)據(jù)輸入裝置100中，在所述輸入點，通過改變X電極112和Y電極113之間的靜電電容，進行坐標信息的輸入。
如圖11所示，在與所述傳感器襯底102的X電極112平行的邊緣部分上，形成了與所述Y電極113的端部117相對的虛設電極114。而在所述傳感器襯底102的Y電極113平行的邊緣部分上，形成了與所述X電極112的端部116相對的虛設電極113a。
而且，在所述Y電極113的端部117和虛設電極114相對的區(qū)域內，形成貫穿傳感器襯底102的通孔135；同樣，在所述X電極112的端部116和虛設電極113a相對的區(qū)域內，形成貫穿傳感器襯底102的通孔136。
另外，如圖11所示，在與所述傳感器襯底102的X電極112平行的邊緣部分的通孔135外側，形成了構成排氣通路的縱向通路的氣孔102a。
而且，如圖11所示，在傳感器襯底102的表面邊緣部分，一體形成地線118。如圖11所示，所述地線118的端部露在層疊襯底的外部，成為框架地線115。所述框架地線115是用來代替接地部的。
并且，為了提高分辨率，所述Y電極113的線寬最好比X電極112的線寬寬。并且，所述傳感器襯底(樹脂板)102的厚度最好在250～800μm。
如圖11所示，在所述傳感器襯底102之上，例如，層疊了由環(huán)氧樹脂等構成的保護膜106，在下側也層疊了同樣的保護膜。
如圖11所示，在設置在所述傳感器襯底102的表面一側(圖中的上方)的成為所述傳感器襯底102的表面一側絕緣層的保護膜106上與X電極112平行的邊緣部分，形成了構成所述排氣通路的縱向通路的一部分的氣孔124a和包圍了所述縱向通路、并且向外伸出的伸出部124。另外，在所述保護膜106上，在與所述通孔136相對的位置形成凹孔125，它使所述X電極112的端部116露出；在與所述通孔135相對的位置和凹孔125，它使與所述Y電極113的端部117相對的虛設電極114露出。
另一方面，在所述傳感器襯底102的的背面一側設置的成為絕緣層的保護膜上，在與所述通孔136相對的位置上形成了切孔，它使傳感器襯底102的虛設電極113a露出；在與所述通孔135相對的位置上形成了圓孔，它使Y電極113的端部117露出；把從該圓孔到傳感器襯底102上設置的氣孔102a的下方的位置連續(xù)形成排氣通路的橫向通路。
在該保護膜的下面形成地線層。通過在PET等絕緣板上粘結或印刷Cu箔或Ag類膠，形成該地線層。所述切孔是與圓孔或所述切孔連續(xù)形成的。在地線層的下面，形成接合層。另外，所述接合層的材料最好用熱熔粘結劑等。并且，該接合層是在PCB120的表面或傳感器襯底102一側的所述地線層的表面上，通過印刷法等形成的。
如圖11所示，成為第一襯底的所述PCB120是只在背面(圖中的下方)形成了配線結構的單面襯底。如圖11所示，在所述PCB120的背面，在與所述傳感器襯底102的虛設電極113a和Y電極113的端部117相對的部分上，形成了凸臺182。在所述凸臺182的位置形成了通孔123。即如圖11所示，所述傳感器襯底102的結構(i)、(ii)、(iii)…和所述PCB120一側的凸臺(i)、(ii)、(iii)…，通過通孔135和123，分別相對；所述傳感器襯底102的結構①、②…和所述PCB120一側的凸臺①、②…，通過通孔136和123，分別對置。
而且，在所述PCB120的背面，形成了由所述凸臺182延伸出來的配線結構，在其全面上設有電磁屏蔽膜20。安裝了IC等電子元件，它們與所述配線結構連接并導通。
所述電磁屏蔽膜20為例如Al等的金屬，它屏蔽從位于數(shù)據(jù)輸入裝置100的背面一側的電子元件發(fā)出的電磁波，是用來維持該數(shù)據(jù)輸入裝置100的動作穩(wěn)定性的，在整個PCB120上形成了該屏蔽膜。在圖中，為了便于說明，把傳感器襯底102、印刷電路板120、電磁屏蔽膜20分開后加以描述。
如圖11所示，對于把所述傳感器襯底102和所述PCB120層疊，通過粘結層粘結而成的層疊體，從所述傳感器襯底102的通孔135和136填充了導電材料。
該導電材料是導電性樹脂，可以使用在例如環(huán)氧樹脂和苯酚或聚酯類的熱硬化性樹脂中混入了Ag等導電性填充劑的物質。在圖11所示的傳感器襯底102的表面上形成了通孔135和136的位置，填充所述導電材料。
而且，通過所述導電材料，傳感器襯底102的X電極112以及Y電極113的端部與PCB120背面的凸臺182導通，形成層疊襯底。
本實施方式的數(shù)據(jù)輸入裝置100，是在所述層疊襯底的保護膜106的上面，層疊數(shù)據(jù)輸入時手指直接接觸的表面板后得到的。
在具有該結構的數(shù)據(jù)輸入裝置100中，操作者通過在表面板上，用手指輕輕摩擦滑動，所述傳感器襯底102上形成的X電極112和Y電極113中，從X電極112指向Y電極113的電力線的一部分被操作者的手指吸收。由此，被Y電極113吸收的電力線減少，發(fā)生靜電電容變化的現(xiàn)象。根據(jù)隨著所述靜電電容的變化而變化的傳感器襯底102的電流輸出值，檢測手指所在的坐標位置。
在這樣的數(shù)據(jù)輸入裝置100中，因為Y電極113沒有與電磁屏蔽膜20不重疊的部分，所以和圖6所示的實施方式3一樣，S2/S1的值為0。在此，電磁屏蔽膜20對應于反射膜2’，Y電極113對應于電極7。
作為本實施方式的電子儀器的輸入裝置100中，能取得與所述實施方式3同樣的效果?？傊ㄟ^把Y電極113中的任意的一根中與電磁屏蔽膜20不重疊的部分的面積S2與電磁屏蔽膜20的面積S1的比率S2/S1設置為0，能抑制由制造工序中產生的靜電引起的Y電極113、113之間的電位差，防止發(fā)生放電，能使由靜電放電引起的破損等導致的發(fā)生配線缺陷的次品率為0％。
實施例下面，作為本發(fā)明的實施例，如以下所述的那樣，通過使面積比率S2/S1變化，來測定這時的次品率。
實施例1首先，作為實施例1，制造了與圖3所示的實施方式1同等的結構。在該實施例1中，把面積比率S2/S1設置為0.001以下。
各部分的具體尺寸如以下所述。
相當于S1的反射膜2的尺寸4.3cm×3.6cmS2的一部分即引出配線6中最長的，即，在顯示區(qū)域3c中最外側的引出導線6中，如圖3所示，斜著的引出導線6a的尺寸為155μm×長度0.36cm。
在圖3中，在左右方向上的引出導線6b的尺寸為70μm×長度1.1cm。
端子部5的尺寸為50μm×0.3cm。
實施例2接著，作為實施例2，制造了與圖5所示的實施方式2同等的結構。在該實施例2中，把面積比率S2/S1設置為0.0001以下。
各部分的具體尺寸如以下所述。
相當于S1的反射膜2的尺寸4.3cm×3.6cmS2的一部分即電極7中端子部5的尺寸為50μm×0.3cm實施例3接著，作為實施例3，制造了與圖6所示的實施方式3同等的結構。在該實施例3中，反射膜2覆蓋了襯底1的全部。
比較例而且，作為比較例，制造了與圖3所示的實施方式1中的反射膜2的結構不同的結構。在該比較例中，圖3所示的結構中，只在顯示區(qū)域3設有反射膜2，并且引出配線的尺寸變大，面積比率S2/S1設置為0.0013。各部分的具體尺寸如以下所述。
相當于S1的反射膜2”的尺寸3.8cm×3.0cmS2的一部分即引出配線6中最長的，總之，在顯示區(qū)域3c中最外側的引出導線6中，如圖3所示，斜著的引出導線6a的尺寸為155μm×長度0.36cm。
與圖3所示的同樣的在左右方向上的引出導線6b的尺寸為70μm×長度1.1cm。
端子部5的寬度尺寸為50μm×0.3cm。
把具有所述實施例1～3和比較例的結構的單元各制造4000個，測定了這時的次品率。
次品率用(發(fā)生了由靜電放電導致的顯示缺陷的單元數(shù))/(制造的全部單元數(shù))。
把該結果表示在圖9中。
由該圖表可知，如果是S2/S1的值為0.0013左右的比較例，次品率為30％左右；如果是S2/S1的值為0.001的實施例1，次品率下降到3％；如果是S2/S1的值為0.0001的實施例2，則次品率下降到0.5％；如果是S2/S1的值為0的實施例3，則次品率下降到0％。
據(jù)此，根據(jù)本發(fā)明的基體、液晶顯示裝置和電子儀器，通過把襯底上的各電極(配線)中的任意的一根中與反射膜(電磁屏蔽膜)不重疊的部分的面積S2與反射膜的面積S1的比率S2/S1設置在0.001以下或0.0001或0，就能抑制由制造工序中產生的靜電引起的各電極之間的電位差，從而能防止在電極間發(fā)生放電，能防止由靜電放電引起的產生顯示缺陷的產品數(shù)相對于全部產品數(shù)的比例即次品率的增大，從而起到提高產品合格率的作用。
權利要求
1.一種基體，其特征在于在由絕緣材料構成的襯底上具有由導電材料構成的導電鍍層和隔著絕緣膜對該鍍層形成的呈膜狀的多條配線；把所述導電鍍層的面積S1與所述配線中與所述導電鍍層不重疊的部分的面積S2的比率S2/S1設置在0.001以下。
2.根據(jù)權利要求1所述的基體，其特征在于把所述比率S2/S1設置在0.0001以下。
3.根據(jù)權利要求1所述的基體，其特征在于所述配線全部與所述導電鍍層重疊。
4.一種液晶顯示裝置，其特征在于隔著液晶層相對配置，并且在所述液晶層一側的面上，在至少具有給定結構的電極的一對襯底中，在第一襯底上，設有至少覆蓋顯示區(qū)域的導電性反射膜；在所述第一襯底中，把所述反射膜的面積S1與所述電極中與所述反射膜不重疊的部分的面積S2的比率S2/S1設在0.001以下。
5.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于把所述比率S2/S1設置在0.0001以下。
6.根據(jù)權利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述電極全部與所述反射膜重疊。
7.一種電子儀器，其特征在于在由絕緣材料構成的襯底上具有由導電材料構成的電磁屏蔽膜，和隔著絕緣膜對該電磁屏蔽膜形成的呈膜狀的多條配線；把所述電磁屏蔽膜的面積S1與所述配線中與所述電磁屏蔽膜不重疊的部分的面積S2的比率S2/S1設置在0.001以下。
8.根據(jù)權利要求7所述的電子儀器，其特征在于把所述比率S2/S1設置在0.0001以下。
9.根據(jù)權利要求7所述的電子儀器，其特征在于所述配線全部與所述電磁屏蔽膜重疊。
全文摘要
一種液晶顯示裝置,隔著液晶層45相對配置,并且在所述液晶層45一側的面上至少具有給定結構的電極7、7的一對襯底1、31中,在第一襯底1上,設置至少覆蓋顯示區(qū)域3的導電性反射膜2;在所述第一襯底1中,把所述反射膜2的面積S1與所述電極7中與所述反射膜2不重疊的部分的面積S2的比率S2/S1設置在0.001以下。
文檔編號G02F1/1335GK1367402SQ0210170
公開日2002年9月4日 申請日期2002年1月14日 優(yōu)先權日2001年1月15日
發(fā)明者仲野陽, 蛇口廣行, 菅原清三, 秋元丈美, 河地和彥, 岡村安雄, 鈴木一彥, 川田貞夫, 草野學 申請人:阿爾卑斯電氣株式會社