柵極驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)方法，該電路包括多級GOA電路，該多級GOA電路的第N級GOA電路包括：充電單元，其根據(jù)第N-1條柵極線信號對儲(chǔ)能單元進(jìn)行預(yù)充電以得到一電壓；驅(qū)動(dòng)單元，其根據(jù)電壓及時(shí)鐘脈沖信號上拉第N條柵極線的信號至上拉電壓；第一復(fù)位單元，其根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓而將第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓；第二復(fù)位單元，其根據(jù)第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓而將第N條柵極線復(fù)位至第二復(fù)位電壓。本發(fā)明提出的電路通過兩個(gè)復(fù)位單元實(shí)現(xiàn)像素單元四階驅(qū)動(dòng)，能夠有效地解決饋通電壓對像素電極的影響，提高影像品質(zhì)效果。
【專利說明】柵極驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及液晶顯示【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種柵極驅(qū)動(dòng)電路以及驅(qū)動(dòng)方法。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，隨著薄型化的顯示趨勢,液晶顯示器(Liquid Crystal Display, IXD)已廣泛使用在各種電子產(chǎn)品的應(yīng)用中，例如手機(jī)、筆記本計(jì)算機(jī)以及彩色電視機(jī)等。
[0003]陣列基板柵極驅(qū)動(dòng)(Gate Driver on Array, GOA)技術(shù)是直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路(Gate Driver ICs)制作在陣列基板上,來代替由外接娃晶片制作的一種技術(shù)。該技術(shù)的應(yīng)用可直接將柵極驅(qū)動(dòng)電路做在面板周圍，從而減少了制作程序，并且降低了產(chǎn)品成本。此夕卜，還提高了 TFT-LCD面板的高集成度，使面板更薄型化。
[0004]在對面板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)時(shí)，會(huì)產(chǎn)生由電容耦合弓丨起顯示電極(也稱像素電極)變動(dòng)的饋通(feed through)電壓。影響最大的是柵極驅(qū)動(dòng)電壓變化，即經(jīng)由寄生電容Cgd所產(chǎn)生的饋通電壓。因此通過對公共電壓補(bǔ)償?shù)姆椒梢詼p小饋通電壓的影響，但由于液晶電容Clc并非是一個(gè)固定的參數(shù)，因此通過調(diào)整公共電壓以便改進(jìn)影像品質(zhì)目的不易實(shí)現(xiàn)。
[0005]傳統(tǒng)的二階驅(qū)動(dòng)GOA電路本質(zhì)為一 4T1C (四個(gè)TFT開關(guān)、一個(gè)電容)電路。如圖1所示為傳統(tǒng)的兩階驅(qū)動(dòng)4T1C的GOA電路原理圖，其中，TFTl為驅(qū)動(dòng)晶體管，主要用于控制柵線高電位輸出。TFT2和TFT3為復(fù)位晶體管，主要作用是將柵線電位拉低，同時(shí)釋放保持電容Cb的電荷，使TFTl處于關(guān)閉狀態(tài)。TFT4是輸入(或預(yù)充電)晶體管，主要作用是給保持電容Cb預(yù)充，將TFTl打開。電容Cb主要作用是存儲(chǔ)電荷，保持TFTl柵極電位，其輸入信號為上一行的柵線輸出信號gate [N-l]，TFTl輸出信號為當(dāng)前行柵線輸出信號gate [N]，復(fù)位信號為下一行柵線輸出信號gate[N+l]。TFTl輸入端為時(shí)鐘信號Vck。具體驅(qū)動(dòng)時(shí)序如圖2所示。
[0006]通過將上述GOA電路作為GOA單元進(jìn)行以下動(dòng)作來完成二階驅(qū)動(dòng)。即前一 GOA單元的輸出作為本GOA單元的觸發(fā)信號，下一 GOA單元的輸出作為本GOA單元的復(fù)位信號。時(shí)鐘信號采用兩個(gè)(Vclk_A，Vclk_B)，分別用于奇數(shù)行的GOA單元和偶數(shù)行的GOA單元。柵線輸出電位Vss決定柵線上輸出脈沖的高度或者說是幅度。
[0007]然而上述電路沒有解決饋通電壓帶來的影像效果的影響。因此，如何解決上述問題，提供一種驅(qū)動(dòng)方案以有效減少饋通電壓對影像品質(zhì)的顯示效果影響，乃業(yè)界所致力的
課題之一。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0008]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題之一是需要提供一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，其能夠有效減少饋通電壓對影像品質(zhì)的顯示效果的影響。另外，還提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法。
[0009]I)為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括多級GOA電路，該多級GOA電路的一第N級GOA電路包括:一儲(chǔ)能單元；一充電單元，電連接于一第N-1條柵極線和所述儲(chǔ)能單元之間，其根據(jù)第N-1條柵極線信號對所述儲(chǔ)能單元進(jìn)行預(yù)充電以得到一電壓；一驅(qū)動(dòng)單元，電連接于一時(shí)鐘輸出線及一第N條柵極線，其根據(jù)所述電壓及一時(shí)鐘脈沖信號上拉所述第N條柵極線的信號至一上拉電壓；一第一復(fù)位單元，電連接于所述儲(chǔ)能單元和一第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓之間，其根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓；一第二復(fù)位單元，電連接于一第N條柵極線和一第二復(fù)位電壓之間，其根據(jù)第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線復(fù)位至第二復(fù)位電壓。
[0010]2)在本發(fā)明的第I)項(xiàng)的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為負(fù)極性時(shí)，所述第一復(fù)位單元根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓，所述第一復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一負(fù)電壓差。
[0011]3)在本發(fā)明的第I)項(xiàng)或第2)項(xiàng)中的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為正極性時(shí)，所述第一復(fù)位單元根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第三復(fù)位電壓，所述第三復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一正電壓差。
[0012]4)在本發(fā)明的第I)項(xiàng)至第3)項(xiàng)中的任一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述第二復(fù)位單元為一晶體管，其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，該柵極電連接所述第N+3條柵極線，該第一源極/漏極和該第二源極/漏極分別電連接所述第N條柵極線和第二復(fù)位電壓。
[0013]5)在本發(fā)明的第I)項(xiàng)至第4)項(xiàng)中的任一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述第一復(fù)位單元包括一第一晶體管和一第二晶體管，分別具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極共同電連接并與所述第N+1條柵極線連接；所述第一晶體管的第一源極/漏極與所述儲(chǔ)能單元的第一端電連接，所述第二晶體管的第一源極/漏極與所述儲(chǔ)能單元的第二端電連接；所述第一晶體管和第二晶體管的第二源極/漏極共同電連接并與所述第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓電連接。
[0014]6)在本發(fā)明的第I)項(xiàng)至第5)項(xiàng)中的任一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述充電單元為一晶體管，其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，所述充電單元的柵極和第一源/漏極電連接所述第N-1條柵極線，其第二源/漏接電連接所述儲(chǔ)能單元的第一端。
[0015]7)在本發(fā)明的第I)項(xiàng)至第6)項(xiàng)中的任一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，所述驅(qū)動(dòng)單元為一晶體管，其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，所述驅(qū)動(dòng)單元的第一源極/漏極電連接所述時(shí)鐘輸出線，其柵極電連接儲(chǔ)能單元的第一端，其第二源極/漏極電連接第N條柵極線和所述儲(chǔ)能單元的第二端。
[0016]8)根據(jù)本發(fā)明的另一方面，還提供了一種使用如上任一種柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括:充電單元接收第N-1條柵極線信號對儲(chǔ)能單元進(jìn)行預(yù)充電以得到一電壓；驅(qū)動(dòng)單元接收一時(shí)鐘脈沖信號，并根據(jù)所述電壓及該時(shí)鐘脈沖信號上拉所述第N條柵極線的信號至一上拉電壓；第一復(fù)位單元接收第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓；第二復(fù)位單元接收第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線復(fù)位至第二復(fù)位電壓。[0017]9)在本發(fā)明的第8)項(xiàng)的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為負(fù)極性時(shí)，所述第一復(fù)位單元接收第一復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓，所述第一復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一負(fù)電壓差。
[0018]10)在本發(fā)明的第8)項(xiàng)或第9)項(xiàng)中的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方式中，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為正極性時(shí)，所述第一復(fù)位單元接收第三復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第三復(fù)位電壓，所述第三復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一正電壓差。
[0019]與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例可以具有如下優(yōu)點(diǎn):
[0020]本發(fā)明提出了一種四階驅(qū)動(dòng)GOA電路，該電路通過兩個(gè)復(fù)位信號，對于負(fù)極性的柵極線，將柵極輸出信號拉低至復(fù)位信號Vssl和復(fù)位信號Vss2，對于正極性的柵極線，將柵極輸出信號拉低至復(fù)位信號Vss3和復(fù)位信號Vss2，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)像素單元四階驅(qū)動(dòng)。并且，該驅(qū)動(dòng)電路能夠有效地解決二階驅(qū)動(dòng)電路無法解決的饋通電壓對像素電極的影響，進(jìn)而提高影像品質(zhì)效果。
[0021]本發(fā)明的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說明書中闡述，并且，部分地從說明書中變得顯而易見，或者通過實(shí)施本發(fā)明而了解。本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過在說明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來實(shí)現(xiàn)和獲得。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0022]附圖用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與本發(fā)明的實(shí)施例共同用于解釋本發(fā)明，并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中:
[0023]圖1是現(xiàn)有技術(shù)中二階驅(qū)動(dòng)的GOA電路示意圖；
[0024]圖2是現(xiàn)有技術(shù)中二階驅(qū)動(dòng)GOA電路輸出的時(shí)序圖；
[0025]圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的四階驅(qū)動(dòng)的GOA電路示意圖；
[0026]圖4是根據(jù)本發(fā)明的四階驅(qū)動(dòng)的GOA電路輸出的時(shí)序圖；
[0027]圖5是四階驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)的電壓波形示意圖；
[0028]圖6是四階驅(qū)動(dòng)的正極性顯示電極的電壓波形示意圖；
[0029]圖7是四階驅(qū)動(dòng)的負(fù)極性顯示電極的電壓波形示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0030]為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，以下結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步地詳細(xì)說明。
[0031]需要說明的是，本實(shí)施例的驅(qū)動(dòng)電路屬于四階驅(qū)動(dòng)電路。其可以在不變動(dòng)公共電壓的情形下，將饋通電壓給補(bǔ)償回來。本實(shí)施例的四階驅(qū)動(dòng)電路是利用經(jīng)由存儲(chǔ)電容Cs的饋通電壓，來補(bǔ)償經(jīng)由寄生電容Cgd所產(chǎn)生的饋通電壓。
[0032]圖3是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的四階驅(qū)動(dòng)的GOA電路示意圖。為方便描述，僅繪制了多級GOA電路的一第N級GOA電路。如圖3所示，包括:一儲(chǔ)能單元Cb，一充電單元31，電連接于一第N-1條柵極線和儲(chǔ)能單元Cb之間，其根據(jù)第N-1條柵極線信號對儲(chǔ)能單元Cb進(jìn)行預(yù)充電以得到一電壓。一驅(qū)動(dòng)單元32，電連接于一時(shí)鐘輸出線及一第N條柵極線，其根據(jù)電壓及一時(shí)鐘脈沖信號上拉第N條柵極線的信號至一上拉電壓。一第一復(fù)位單元33，電連接于儲(chǔ)能單元Cb和一第一復(fù)位電壓Vssl或第三復(fù)位電壓Vss3之間，其根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓Vssl或第三復(fù)位電壓Vss3而將第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓Vssl或第三復(fù)位電壓Vss3。一第二復(fù)位單元34,電連接于一第N條柵極線和一第二復(fù)位電壓Vss2之間，其根據(jù)第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓Vss2而將第N條柵極線復(fù)位至第二復(fù)位電壓Vss2。
[0033]需要說明的是，在第N級GOA電路所連接的柵極線為負(fù)極性時(shí)，第一復(fù)位單元33根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓Vssl而將第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓Vssl,該第一復(fù)位電壓Vssl與第二復(fù)位電壓Vssl具有一負(fù)電壓差(如后述圖5所示VeH )。而在第N級GOA電路所連接的柵極線為正極性時(shí)，第一復(fù)位單元33根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第三復(fù)位電壓Vss3而將第N條柵極線的信號復(fù)位至第三復(fù)位電壓Vss3，該第三復(fù)位電壓Vss3與第二復(fù)位電壓Vss2具有一正電壓差(如后述圖5所不Ve(+))。
[0034]如圖3所示，該GOA電路實(shí)質(zhì)為一 5T4C電路包括:晶體管TFTl (作為驅(qū)動(dòng)單元32)、晶體管TFT2和TFT3 (共同構(gòu)成第一復(fù)位單元33)、晶體管TFT4 (作為充電單元31)和晶體管TFT5 (作為第二復(fù)位單元34)這五個(gè)晶體管開關(guān)以及一保持電容Cb (作為儲(chǔ)能單元)。并且，還示意性地繪制出了 TFTl柵極和漏極之間的寄生電容Cgd。
[0035]該電路的輸入信號包括時(shí)鐘信號(正極性或負(fù)極性時(shí)鐘信號)Vck、第N-1行柵線的輸出Output [N-1]、第N+1行柵線的輸出Output [N+1]、第N+3行柵線的輸出Output [N+3]、第一復(fù)位信號Vssl或第三復(fù)位信號Vss3，以及第二復(fù)位信號Vss2。
[0036]其中，驅(qū)動(dòng)晶體管TFTl具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，其第一源極/漏極電連接時(shí)鐘輸出線Vck，其柵極電連接電容Cb的第一端，其第二源極/漏極電連接第N條柵極線和電容Cb的第二端。主要用于控制柵線高電位輸出。
[0037]TFT2、TFT3和TFT5為復(fù)位晶體管，主要用于將柵線電位拉低，同時(shí)將保持電容Cb電荷釋放，使TFTl處于關(guān)閉狀態(tài)。
[0038]TFT2和TFT3的柵極共同電連接并與第N+1條柵極線連接，TFT2的第一源極/漏極與電容Cb的第一端電連接，TFT3的第一源極/漏極與電容Cb的第二端電連接，TFT2和TFT3的第二源極/漏極共同電連接并與第一復(fù)位電壓Vssl或第三復(fù)位電壓Vss3電連接。由于像素電壓四階驅(qū)動(dòng)藉由正負(fù)極行柵極電位的不同變化而實(shí)現(xiàn)，因此對于負(fù)極行輸出，TFT2將柵線輸入復(fù)位到Vssl電位，對于正極行輸出，TFT2將柵線輸入復(fù)位到Vss3電位。
[0039]其中，TFT5將柵極輸出復(fù)位到Vss2電位，其由輸出信號gate [N+3]進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。TFT5具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，該柵極電連接第N+3條柵極線，該第一源極/漏極和該第二源極/漏極分別電連接第N條柵極線和第二復(fù)位電壓Vss2。
[0040]TFT4是輸入(或預(yù)充電)晶體管，主要作用是給保持電容Cb預(yù)充，將TFTl打開。其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，柵極和第一源/漏極電連接第N-1條柵極線，其第二源/漏接電連接電容Cb的第一端。
[0041]具體的驅(qū)動(dòng)時(shí)序如圖4所示。采用兩個(gè)周期相同、極性相反的時(shí)鐘序列(Clk A,Clk B)。它們分別被用在奇數(shù)行柵線上對應(yīng)的GOA電路以及偶數(shù)行柵線上對應(yīng)的GOA電路上。
[0042]以對應(yīng)奇數(shù)行柵線Gatel (負(fù)極性)上的GOA電路為例，說明如何實(shí)現(xiàn)四階驅(qū)動(dòng)。[0043]首先，TFT4接收到上一柵線的驅(qū)動(dòng)電壓，對保持電容Cb進(jìn)行預(yù)充，將TFTl打開。
[0044]TFTl輸出柵線高電位Vgh。TFT2和TFT3接收下一柵線的驅(qū)動(dòng)電壓，將柵線電位拉低，同時(shí)將保持電容Cb電荷釋放，使TFTl處于關(guān)閉狀態(tài)。
[0045]由于為奇行輸出，TFT2將柵線輸入復(fù)位(拉低)到Vssl電位。最后，TFT5被第N+3條柵線驅(qū)動(dòng)，以將柵極輸出復(fù)位到Vss2電位，完成如圖4所示的Gatel的驅(qū)動(dòng)。
[0046]為了進(jìn)一步了解本發(fā)明，下面具體對時(shí)序波形進(jìn)行說明。圖5為四階驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)電壓的波形圖。從這個(gè)四階驅(qū)動(dòng)的波形圖中可以看出，在這個(gè)四階驅(qū)動(dòng)的柵極驅(qū)動(dòng)電壓波形之中，正負(fù)兩種極性的電壓總共有4種:打開電壓Vgh、壓差為Vg的關(guān)閉電壓Vss2、比關(guān)閉電壓Vss2高(存在壓差Ve⑴)的電壓Vss3以及比關(guān)閉電壓Vss2更低(存在壓差Ve(_))的電壓Vssl。
[0047]負(fù)責(zé)正極性與負(fù)極性的柵極驅(qū)動(dòng)走線電壓是不一樣的，如圖6所示，為正極性顯示電極的電壓波形圖。其中，61表示第N-1條柵極驅(qū)動(dòng)電壓，62表示公共電壓，64表示第N條柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
[0048]從圖中我們可以看出，顯示電極電壓63通過源極驅(qū)動(dòng)充好電后，會(huì)再經(jīng)過三次的電壓變化(如圖中虛線圈所示)。首先是當(dāng)前第N條柵極驅(qū)動(dòng)走線關(guān)閉時(shí)經(jīng)由寄生電容Cgd的饋通電壓631，其次是由前一條(第N-1)柵極驅(qū)動(dòng)走線電壓拉回時(shí)經(jīng)由存儲(chǔ)電容Cs的饋通電壓632，該電壓是將顯示電極電壓63推升到正極性電壓范圍的最重要的電壓。而最后，則是當(dāng)前第N條柵極驅(qū)動(dòng)走線電壓下拉時(shí)經(jīng)由寄生電容Cgd所產(chǎn)生的饋通電壓633，這個(gè)電壓由于是經(jīng)由寄生電容Cgd的關(guān)系，而且變化的幅度也不大，所以影響也比較小。
[0049]如圖7所示，其為負(fù)極性顯示電極的電壓波形圖。其中71表示第N-1條柵極驅(qū)動(dòng)電壓，72表示公共電壓，74表示第N條柵極驅(qū)動(dòng)電壓。
[0050]從圖7中可以看出，顯示電極電壓73通過源極驅(qū)動(dòng)充好電后，會(huì)再經(jīng)過三次的電壓變化。首先是當(dāng)前第N條柵極驅(qū)動(dòng)走線電壓關(guān)閉時(shí)經(jīng)由寄生電容Cgd所產(chǎn)生的饋通電壓731影響，由于電壓關(guān)閉的關(guān)系則會(huì)把顯示電極電壓73往下拉。其次是上一條(第N-1)柵極驅(qū)動(dòng)走線下拉時(shí)經(jīng)過存儲(chǔ)電容Cs的饋通電壓732，這個(gè)電壓的影響很重要，因?yàn)樗菍㈦妷赫{(diào)整成負(fù)極性電壓的主要成分，必須能夠?qū)⒄w的電壓調(diào)整到所需要的準(zhǔn)位。最后是當(dāng)前第N條柵極驅(qū)動(dòng)走線電壓拉回時(shí)經(jīng)由寄生電容Cgd的饋通電壓733的影響，由于拉回電壓的幅度比較小，所以整體的影響也比較少。
[0051]因?yàn)槭艿浇?jīng)過寄生電容Cgd的饋通電壓影響，若是要將正負(fù)極性的電壓范圍分開的話，對于正極性的電壓范圍，往上提升的電壓會(huì)比較大，而其往上提升的電壓是由上一條柵極驅(qū)動(dòng)走線電壓往上拉經(jīng)由存儲(chǔ)電容Cs的饋通電壓來形成。因?yàn)槠渌璧碾妷罕容^大，所以上一條柵極驅(qū)動(dòng)走線在的拉回時(shí)電壓也會(huì)比較大。而對于負(fù)極性的顯示電壓范圍的形成，也是利用上一條柵極驅(qū)動(dòng)走線的電壓變化來完成。跟正極性的顯示電極電壓不一樣的是，它需要的是下拉的饋通電壓，以便形成負(fù)的顯示電極電壓范圍。它所需要的下拉電壓跟正極性的上拉電壓比較起來會(huì)比較小。通過對柵極驅(qū)動(dòng)走線的電壓進(jìn)行上述的四階驅(qū)動(dòng)，能夠減少饋通電壓像素電極的影響。
[0052]綜上所述，本發(fā)明提出了一種5T1C的四階驅(qū)動(dòng)GOA電路，該電路通過兩個(gè)復(fù)位信號，對奇數(shù)行分別將柵極輸出信號拉低至復(fù)位信號Vssl和復(fù)位信號Vss2，偶數(shù)行分別將柵極輸出信號拉低至復(fù)位信號Vss3和復(fù)位信號Vss2，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)像素單元四階驅(qū)動(dòng)。并且，該驅(qū)動(dòng)電路能夠有效地解決二階驅(qū)動(dòng)電路無法解決的饋通電壓對像素電極的影響，進(jìn)而提高影像品質(zhì)效果。
[0053]以上所述，僅為本發(fā)明較佳的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉該技術(shù)的人員在本發(fā)明所揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【權(quán)利要求】
1.一種柵極驅(qū)動(dòng)電路，包括多級GOA電路，該多級GOA電路的一第N級GOA電路包括: 一儲(chǔ)能單元； 一充電單元，電連接于一第N-1條柵極線和所述儲(chǔ)能單元之間，其根據(jù)第N-1條柵極線信號對所述儲(chǔ)能單元進(jìn)行預(yù)充電以得到一電壓； 一驅(qū)動(dòng)單元，電連接于一時(shí)鐘輸出線及一第N條柵極線，其根據(jù)所述電壓及一時(shí)鐘脈沖信號上拉所述第N條柵極線的信號至一上拉電壓； 一第一復(fù)位單元，電連接于所述儲(chǔ)能單元和一第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓之間，其根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓； 一第二復(fù)位單元，電連接于一第N條柵極線和一第二復(fù)位電壓之間，其根據(jù)第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線復(fù)位至第二復(fù)位電壓。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為負(fù)極性時(shí)，所述第一復(fù)位單元根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓，所述第一復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一負(fù)電壓差。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為正極性時(shí)，所述第一復(fù)位單元根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第三復(fù)位電壓，所述第三復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一正電壓差。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述第二復(fù)位單元為一晶體 管，其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極，該柵極電連接所述第N+3條柵極線，該第一源極/漏極和該第二源極/漏極分別電連接所述第N條柵極線和第二復(fù)位電壓。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于， 所述第一復(fù)位單元包括一第一晶體管和一第二晶體管，分別具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極， 所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極共同電連接并與所述第N+1條柵極線連接；所述第一晶體管的第一源極/漏極與所述儲(chǔ)能單元的第一端電連接，所述第二晶體管的第一源極/漏極與所述儲(chǔ)能單元的第二端電連接； 所述第一晶體管和第二晶體管的第二源極/漏極共同電連接并與所述第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓電連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述充電單元為一晶體管，其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極， 所述充電單元的柵極和第一源/漏極電連接所述第N-1條柵極線，其第二源/漏接電連接所述儲(chǔ)能單元的第一端。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)單元為一晶體管，其具有一柵極、一第一源極/漏極和一第二源極/漏極， 所述驅(qū)動(dòng)單元的第一源極/漏極電連接所述時(shí)鐘輸出線，其柵極電連接儲(chǔ)能單元的第一端，其第二源極/漏極電連接第N條柵極線和所述儲(chǔ)能單元的第二端。
8.一種使用如權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)所述的柵極驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)方法，包括: 充電單元接收第N-1條柵極線信號對儲(chǔ)能單元進(jìn)行預(yù)充電以得到一電壓； 驅(qū)動(dòng)單元接收一時(shí)鐘脈沖信號，并根據(jù)所述電壓及該時(shí)鐘脈沖信號上拉所述第N條柵極線的信號至一上拉電壓； 第一復(fù)位單元接收第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓或第三復(fù)位電壓； 第二復(fù)位單元接收第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+3條柵極線的信號以及第二復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線復(fù)位至第二復(fù)位電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為負(fù)極性時(shí)， 所述第一復(fù)位單元接收第一復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第一復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第一復(fù)位電壓，所述第一復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一負(fù)電壓差。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的驅(qū)動(dòng)方法，其特征在于，在所述第N級GOA電路所連接的柵極線為正極性時(shí)， 所述第一復(fù)位單元接收第三復(fù)位電壓，并根據(jù)第N+1條柵極線的信號以及第三復(fù)位電壓而將所述第N條柵極線的信號復(fù)位至第三復(fù)位電壓，所述第三復(fù)位電壓與所述第二復(fù)位電壓具有一正電壓差。
【文檔編號】G09G3/36GK103761949SQ201310750809
【公開日】2014年4月30日 申請日期:2013年12月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年12月31日
【發(fā)明者】徐向陽 申請人:深圳市華星光電技術(shù)有限公司