專利名稱：控制柵極線信號值方法和設備、柵極驅(qū)動電路、顯示裝置的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別涉及一種控制柵極線信號值方法和設備、柵極驅(qū)動電路、顯示裝置。
背景技術：
由于TFT-1XD尺寸不斷縮小,而分辨率卻不斷增大，因此Fanout (扇出)區(qū)布線走不開的問題日益顯現(xiàn)，為了解決Fanout區(qū)布線走不開的問題，目前一般對Fanout區(qū)進行雙層布線。如圖1所示，在圖1中，從IC (集成電路)芯片兩端引出的柵極線對稱分布，分別為1,3, 5, 7,9……與2,4,6,8, 10……，從芯片每端引出的柵極線采用雙層金屬交替布線，
柵極線1，5，9......為同一層金屬(S/D層,源極層),柵極線3，7,......為同一層金屬(gate
層，柵極層);柵極線2，6，10……為同一層金屬(gate層)，柵極線4，8……為同一層金屬(S/D層);有效顯示區(qū)中的柵極線a與Fanout區(qū)域S/D層上柵極線I相連接，有效顯示區(qū)中的柵極線b與Fanout區(qū)域gate層上柵極線2相連接，由于雙層金屬，即gate層金屬與S/D層金屬的材料以及厚度不同，因此gate層與S/D層的走線阻抗不同，因而有效顯示區(qū)中的柵極線a與柵極線b上的信號值不同，從而導致有效顯示區(qū)不同行柵極線充電效果存在差異，進而H-1ine (橫線)不良發(fā)生，發(fā)生H-1ine不良的圖片的顏色不均勻，進而在播放畫面的時候會導致畫面品質(zhì)不好。針對H-1ine不良，目前還沒有一種改善的方案。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實施例提供的一種控制柵極線信號值方法和設備、柵極驅(qū)動電路、顯示裝置，用以改善由于gate層與S/D層的走線阻抗不同而引起的H-1ine不良的問題。本發(fā)明實施例提供的一種控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的方法，包括針對所述有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；在相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。本發(fā)明實施例提供的一種控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備，包括 第一控制模塊，用于針對所述有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；第二控制模塊，用于在所述相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值；
其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。本發(fā)明實施例提供的一種柵極驅(qū)動電路，包括集成電路驅(qū)動模塊和驅(qū)動控制模塊；驅(qū)動控制模塊，包括第一選通單元、第二選通單元、第一層柵極連接線、第二層柵極連接線、第一柵極線和第二柵極線；第一選通單元包括P型金屬氧化物半導體PMOS管和N型金屬氧化物半導體NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極施加同一個信號，第一層柵極連接線分別與第一選通單元的NMOS管的漏極和PMOS管的源極相連接；第二選通單元包括PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極施加同一個信號，第二層柵極連接線分別與第二選通單元的NMOS管的漏極和PMOS管的源極相連接；第一柵極線分別連接第一選通單元的NMOS管的源極和第二選通單元的NMOS管的源極；第二柵極線分別連接第一選通單元的PMOS管的漏極和第二選通單元的PMOS管的漏極；集成電路驅(qū)動模塊，用于產(chǎn)生柵極驅(qū)動信號并向所述驅(qū)動控制模塊發(fā)送所述柵極驅(qū)動信號；驅(qū)動控制模塊，用于針對任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第一層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第一信號值；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第二層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第二信號值；以及針對所述任意相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第一層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第一信號值；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第二層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接所述柵極驅(qū)動信號和所述柵極線；第一柵極線和第二柵極線是位于有效顯示區(qū)中的每一組柵極線中的相鄰兩個柵極線。本發(fā)明實施例提供的一種顯示裝置，包括所述的柵極驅(qū)動電路。在本發(fā)明實施例中，針對有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；在相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線，由于在相鄰兩幀圖像中的一幀圖像的有效顯示區(qū)的每條柵極線上施加第一信號值，以及在相鄰兩幀圖像中的另一幀圖像的有效顯示區(qū)的每條柵極線上施加第二信號值，使得相鄰兩幀圖像有效顯示區(qū)每條柵極線充電效果互相補充，從而改善了由于gate層與S/D層的走線阻抗不同而引起的H-1ine不良的問題。


圖1為背景技術中Fanout區(qū)域柵極連接線采用雙層金屬交替布線示意圖；圖2為本發(fā)明實施例控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的方法流程示意圖；圖3為本發(fā)明實施例控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的結(jié)構示意圖4為本發(fā)明實施例有效顯示區(qū)柵極線分組的結(jié)構示意圖；圖5為本發(fā)明實施例控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備結(jié)構示意圖；圖6為本發(fā)明實施例提供的柵極驅(qū)動電路結(jié)構示意圖；圖7為本發(fā)明實施例第一控制信號和第二控制信號不同時的柵極驅(qū)動電路結(jié)構；圖8為本發(fā)明實施例第一控制信號和第二控制信號相同時的柵極驅(qū)動電路結(jié)構。
具體實施例方式本發(fā)明實施例，針對有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；在第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。由于在任意相鄰兩幀圖像中的前后兩幀圖像中，柵極線上所接收到的信號值都是通過不同層的柵極連接線傳遞過來的，因此在整個顯示過程(多個幀的連續(xù)畫面)中，因連接線處于不同金屬層(gate層與S/D層)帶來不同的走線阻抗而導致的H-1ine不均勻的問題，就能夠通過這種幀互補的方式得到緩解。其中，本發(fā)明實施例的信號值可以是電壓信號值，也可以是電流信號值。實施中，加在圖像有效顯示區(qū)一行柵極線上的信號值越大，對應的圖像有效顯示區(qū)一行柵極線顯示越亮。下面結(jié)合說明書附圖對本發(fā)明實施例作進一步詳細描述。如圖2所示，本發(fā)明實施例控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的方法包括下列步驟步驟201、針對有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；步驟202、在相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。較佳地，針對Fanout區(qū)域的各條柵極線，與各條柵極連接線連接的信號源可以向各條柵極連接線施加具有相同初始值的初始信號值，也可以向各條柵極連接線施加具有不同初始值的初始信號值，下面將分別進行介紹。方式一、與各條柵極連接線連接的信號源向各條柵極連接線施加具有相同初始值的初始信號值。可以由同一個信號源向各條柵極連接線施加具有相同初始值的初始信號值，則相同初始值的初始信號值在流經(jīng)過第一層柵極連接線，到達有效顯示區(qū)的柵極線時，該初始信號值變?yōu)榈谝恍盘栔?；相同初始值的初始信號值在流?jīng)過第二層柵極連接線，到達有效顯示區(qū)的柵極線時，該初始信號值變?yōu)榈诙盘栔怠７绞蕉?、與各條柵極連接線連接的信號源向各條柵極連接線施加具有不同初始值的初始信號值。與各條柵極連接線連接的信號源可以根據(jù)各條柵極連接線的阻抗，向各條柵極連接線施加具有不同初始值的初始信號值，柵極連接線的阻抗越大，施加的初始信號值的初始值越大，從而實現(xiàn)該初始信號值流經(jīng)過第一、二層柵極連接線，到達有效顯示區(qū)的柵極線時的信號值相等，進而解決由于gate層與S/D層的走線阻抗不同而引起的H-1ine不良的問題。較佳地，在步驟201中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值，包括
通過第一控制信號控制第一選通開關連通第一層柵極連接線與該柵極線；通過第二控制信號控制第二選通開關關斷第二層柵極連接線與該柵極線的連接。其中，第一選通開關可以是一端連接第一層柵極連接線，另一端連接該柵極線的任何開關，比如，電子開關、二極管、三極管、SCR (晶閘管)、M0S (金屬氧化物半導體)管等；第二選通開關可以是一端連接第二層柵極連接線，另一端連接該柵極線的任何開關，比如，電子開關、二極管、三極管、SCR (晶閘管)、M0S (金屬氧化物半導體)管等。其中，第一層柵極連接線可以是S/D層柵極連接線，也可以是gate層柵極連接線；在第一層柵極連接線是S/D層柵極連接線時，第二層柵極連接線是gate層柵極連接線；在第一層柵極連接線是gate層柵極連接線時，第二層柵極連接線是S/D層柵極連接線。其中，第一控制信號和第二控制信號為高低電平互補的時鐘脈沖信號，每個時鐘脈沖信號在相鄰兩幀圖像之間進行高低電平反轉(zhuǎn)；第一控制信號和第二控制信號可以相同，也可以不同。下面將以第一控制信號和第二控制信號為相同的控制信號，選通開關為MOS管為例進行介紹，其他情況的實施方式與本發(fā)明實施例的實施方式類似，在此不再贅述。如圖3所示，s1、s2、s3、s4......sn以及s (n+1)為處于有效顯示區(qū)中的柵極線；
柵極連接線I，2，3,4……η以及n+1為處于Fanout區(qū)域中的柵極連接線，其中，柵極連接線1，4和n+1為位于S/D層上的柵極連接線，柵極連接線2，3和η為位于gate層上的柵極連接線；第一控制信號和第二控制信號為相同控制信號；若gate層柵極連接線是第一層柵極連接線，S/D層柵極連接線是第二層柵極連接線(gate層柵極連接線是第二層柵極連接線，S/D層柵極連接線是第一層柵極連接線的實施情況與本發(fā)明實施例實施情況類似);則各個NMOS管，即N1、N2、N3、N4……Nn和N(n+1)均為第一選通開關，各個PMOS管，即P1、P2、P3、P4……Pn和P (n+1)均為第二選通開關；在控制信號為高電平時，第一選通開關NI閉合，第一層柵極連接線(柵極連接線2)與Si連通，第二選通開關Pl斷開，第二層柵極連接線(柵極連接線I)與Si的連接關斷，因而向si施加第一信號值；s2、s3、s4、sn以及s (n+1)的實施情況與si的實施情況類似,在此不再贅述。其中，只需改變選通開關的類型或電路的結(jié)構就可以實現(xiàn)第一控制信號和第二控制信號是不同的控制信號。較佳地，在步驟202中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值，包括通過第一控制信號控制第一選通開關關斷第一層柵極連接線與該柵極線的連接；通過第二控制信號控制第二選通開關連通第二層柵極連接線與該柵極線。其中，步驟202、通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值與步驟201、通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值的實施情況類似。以圖3為例，如圖3所示，在控制信號為低電平時，第一選通開關NI斷開，第一層柵極連接線(柵極連接線2)與Si的連接關斷，第二選通開關Pl閉合，第二層柵極連接線(柵極連接線I)與Si連通，因而向Si施加第二信號值；s2、s3、s4、sn以及s (n+1)的實施情況與si的實施情況類似,在此不再贅述。實施中，針對有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，向該柵極線施加第一信號值，在相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，向該柵極線施加第二信號值，從而實現(xiàn)了相鄰兩幀圖像顯示效果的互補。較佳地，可以將有效顯示區(qū)中的柵極線分為多個柵極線組，每個柵極線組包括一條或相鄰的多條柵極線；其中，在同一幀圖像中，同組中的柵極線上所施加的信號值由同層的柵極連接線傳送，相鄰兩組柵極線上所施加的信號值由不同層的柵極連接線傳送。如圖4所示，選通開關Pl和選通開關P2之間的柵極線組包括相鄰的三條柵極線S1、s2和s3，選通開關NI和選通開關N2之間的柵極線組包括一條柵極線s4 ；通過在NI和Pl上施加相同的第一控制信號，在N2和P2上施加相同的第二控制信號，第一控制信號和第二控制信號不相等，從而實現(xiàn)在柵極線S1、s2和s3上所施加的信號值由同層的柵極連接線傳送，相鄰兩組柵極線上所施加的信號值由不同層的柵極連接線傳送?；谕话l(fā)明構思，本發(fā)明實施例中還提供了一種控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備，由于該設備解決問題的原理與本發(fā)明實施例的方法相似，因此該設備的實施可以參見方法的實施，重復之處不再贅述。圖5為本發(fā)明實施例控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備結(jié)構示意圖，如圖所示，本發(fā)明實施例的控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備包括第一控制模塊501，用于針對所述有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；第二控制模塊502，用于在所述相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。較佳地，第一控制模塊501，具體用于通過第一控制信號控制第一選通開關連通第一層柵極連接線與該柵極線；通過第二控制信號控制第二選通開關關斷第二層柵極連接線與該柵極線的連接；第二控制模塊502，具體用于通過第一控制信號控制第一選通開關關斷第一層柵極連接線與該柵極線的連接；通過第二控制信號控制第二選通開關連通第二層柵極連接線與該柵極線；
其中，所述第一控制信號和所述第二控制信號為高低電平互補的時鐘脈沖信號值，每個時鐘脈沖信號在相鄰兩幀圖像之間進行高低電平反轉(zhuǎn)。 較佳地，第一控制模塊501和/或第二控制模塊502，還用于針對各條柵極連接線，由與所述各條柵極連接線連接的信號源向所述各條柵極連接線施加具有相同初始值的初始信號值；或者，根據(jù)所述各條柵極連接線的阻抗，由與所述各條柵極連接線連接的信號源向所述各條柵極連接線施加具有不同初始值的初始信號值。較佳地，該設備還包括分組模塊503，用于將所述有效顯示區(qū)中的柵極線分為多個柵極線組，每個柵極線組包括一條或相鄰的多條柵極線；其中，在同一幀圖像中，同組中的柵極線上所施加的信號值由同層的柵極連接線傳送，相鄰兩組柵極線上所施加的信號值由不同層的柵極連接線傳送。圖6為本發(fā)明實施例提供的柵極驅(qū)動電路結(jié)構示意圖，如圖所示，本發(fā)明實施例的柵極驅(qū)動電路包括集成電路驅(qū)動模塊601和驅(qū)動控制模塊602 ；集成電路驅(qū)動模塊601，用于產(chǎn)生柵極驅(qū)動信號并向驅(qū)動控制模塊602發(fā)送柵極驅(qū)動信號；驅(qū)動控制模塊602，用于針對任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，通過第一選通單元，將第一層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第一信號值；通過第二選通單元，將第二層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第二信號值；以及針對任意相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，通過第一選通單元，將第一層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第一信號值；通過第二選通單元，將第二層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第二信號值；其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接柵極驅(qū)動信號和柵極線；第一柵極線和第二柵極線是位于有效顯示區(qū)中的每一組柵極線中的相鄰兩個柵極線。需要說明的是，只要能夠滿足下列分組條件的分組方式都適用本發(fā)明實施例即每一組柵極線由一個第一柵極線和一個第二柵極線組成，第一柵極線和第二柵極線是相鄰的兩個柵極線，且同一幀圖像中第一柵極線與扇出Fanout區(qū)域連接的柵極連接線和第二柵極線與Fanout區(qū)域連接的柵極連接線在不同層。較佳地，驅(qū)動控制模塊602，包括第一選通單元、第二選通單元、第一層柵極連接線、第二層柵極連接線、第一柵極線和第二柵極線；第一選通單元包括PMOS (P型金屬氧化物半導體)管和NMOS (N型金屬氧化物半導體)管，PMOS管和NMOS管的柵極施加同一個信號，第一層柵極連接線分別與第一選通單元的NMOS管的漏極和PMOS管的源極相連接；第二選通單元包括PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極施加同一個信號，第二層柵極連接線分別與第二選通單元的NMOS管的漏極和PMOS管的源極相連接。較佳地，在第一選通單元上施加的控制信號和在第二選通單元上施加的控制信號可以相同，也可以不同，針對在第一、二選通單元上施加的控制信號是否相同，可以采用不同的電路結(jié)構實現(xiàn)，下面將分別進行介紹。情況一、在第一、二選通單元上施加的控制信號不同。驅(qū)動控制模塊602的第一柵極線分別連接第一選通單元的NMOS管的源極和第二選通單元的NMOS管的源極，以及第二柵極線分別連接第一選通單元的PMOS管的漏極和第二選通單元的PMOS管的漏極；驅(qū)動控制模塊602，用于針對任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第一層柵極連接線與第一柵極線連通；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第二層柵極連接線與第二柵極線連通；以及針對任意相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第一層柵極連接線與第二柵極線連通；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第二層柵極連接線與第一柵極線連通。如圖7所示，sl、s2、s3、s4、sn以及s (n+1)為處于有效顯示區(qū)中的柵極線；柵極線1，2，3，4，η以及n+1為處于Fanout區(qū)域中的柵極連接線，其中，柵極線1，4和n+1為位于S/D層上的柵極連接線，柵極線2，3和η為位于gate層上的柵極連接線；T1、T2、T3、T4、Tn以及T (n+1)為選通單元；假設Si和s2為確定的第一組柵極線，si為第一組柵極線中的第一柵極線，s2為第一組柵極線中的第二柵極線，s3和s4為確定的第二組柵極線，s3為 第二組柵極線中的第一柵極線，s4為第二組柵極線中的第二柵極線，第一層柵極連接線的信號值等于第一信號值，第二層柵極連接線的信號值等于第二信號值；下面以第一選通單元Tl和T4上施加第一控制信號，第二選通單元T2和T3上施加第二控制信號為例進行說明，其他情況的實施方式類似，在此不再贅述；針對在相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，設置第一控制信號為低，第二控制信號為高，則Tl和T4中的NMOS管截止，PMOS管導通；T2和Τ3中的PMOS管截止，NMOS管導通；T1的PMOS管連通Fanout區(qū)域的位于S/D層上的柵極連接線I (第一層柵極連接線)與第一組柵極線中的Si (第一柵極線);T2的NMOS管連通Fanout區(qū)域的位于gate層上的柵極連接線2 (第二層柵極連接線)與第一組柵極線中的s2 (第二柵極線);T3的NMOS管連通Fanout區(qū)域的位于gate層上的柵極連接線3 (第二層柵極連接線)與第二組柵極線中的s4 (第二柵極線);T4的PMOS管連通Fanout區(qū)域的位于S/D層上的柵極連接線4 (第一層柵極連接線)與第二組柵極線中的s3 (第一柵極線)；針對在相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，設置第一控制信號為高，第二控制信號為低,則Tl和Τ4中的NMOS管導通，PMOS管截止；Τ2和Τ3中的PMOS管導通，NMOS管截止；T1的NMOS管連通Fanout區(qū)域的位于S/D層上的柵極連接線I (第一層柵極連接線)與第一組柵極線中的s2 (第二柵極線);T2的PMOS管連通Fanout區(qū)域的位于gate層上的柵極連接線2 (第二層柵極連接線)與第一組柵極線中的Si (第一柵極線);T3的PMOS管連通Fanout區(qū)域的位于gate層上的柵極連接線3 (第二層柵極連接線)與第二組柵極線中的S3 (第一柵極線);T4的NMOS管連通Fanout區(qū)域的位于S/D層上的柵極連接線4 (第一層柵極連接線)與第二組柵極線中的s4 (第二柵極線)。針對在相鄰兩幀圖像中的一幀圖像，第一控制信號可以為高，第一控制信號也可以為低；針對在相鄰兩幀圖像中的另一幀圖像，第一控制信號可以為高，第一控制信號也可以為低，只要滿足針對相鄰兩幀圖像中，第一控制信號的信號值使控制單元中的PMOS管和NMOS管各導通一次即可。情況二、在第一、二選通單元上施加的控制信號相同。驅(qū)動控制模塊602的第一柵極線分別連接第一選通單元的NMOS管的源極和第二選通單元的PMOS管的漏極，以及第二柵極線分別連接第一選通單元的PMOS管的漏極和第二選通單元的NMOS管的源極；驅(qū)動控制模塊602,用于針對任意相鄰兩巾貞圖像中的第一巾貞圖像,通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第一層柵極連接線與第一柵極線連通；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第二層柵極連接線與第二柵極線連通；以及針對所述相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第一層柵極連接線與第二柵極線連通；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第二層柵極連接線與第一柵極線連通。如圖8所示，sl、s2、s3、s4、sn以及s (n+1)為處于有效顯示區(qū)中的柵極線；柵極線1，2，3,4, η以及n+1為處于Fanout區(qū)域中的柵極連接線，其中，柵極線1，4和n+1為位于S/D層上的柵極連接線，柵極線2，3和η為位于gate層上的柵極連接線；T1、T2、T3、T4、Tn以及T (n+1)為選通單元；假設Si和s2為確定的第一組柵極線，si為第一組柵極線中的第一柵極線，s2為第一組柵極線中的第二柵極線；T1為第一選通單元，T2為第二選通單 元;針對相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，設置第三控制信號為高，則Tl和T2中的NMOS管導通，PMOS管截止；T1的NMOS管連通Fanout區(qū)域的位于S/D層上的柵極連接線I (第一層柵極連接線)與第一組柵極線中的Si (第一柵極線);T2的NMOS管連通Fanout區(qū)域的位于gate層上的柵極線2 (第二層柵極連接線)與第一組柵極線中的s2 (第二柵極線)；針對相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，設置第三控制信號為低，則Tl和T2中的PMOS管導通，NMOS管截止；T1的PMOS管連通Fanout區(qū)域的位于S/D層上的柵極連接線I (第一層柵極連接線)與第一組柵極線中的s2 (第二柵極線)；T2的PMOS管連通Fanout區(qū)域的位于gate層上的柵極連接線2 (第二層柵極連接線)與第一組柵極線中的Si (第一柵極線)。實施中,驅(qū)動控制模塊602向每一組柵極線中的第一柵極線上施加的第一信號值部分或者全不相等，第二柵極線上施加的第二信號值部分或者全不相等。理想狀態(tài)下，每一組柵極線中的第一柵極線上施加的第一信號值以及第二柵極線上施加的第二信號值均相等，但是由于受到實施過程中Fanout區(qū)域同一層上柵極線的布線方式以及制作工藝等方面的影響，實際上，每一組柵極線中的第一柵極線上施加的第一信號值以及第二柵極線上施加的第二信號值可能部分相等，也可能全部不相等。實際上，針對相鄰兩幀圖像中的一幀圖像，每一組柵極線中的第一柵極線上施加的第一信號值存在不相等的情況下，每一組柵極線中的第一柵極線上施加的第一信號值的差值比較小，對顯示的結(jié)果沒有大的影響；以及第二柵極線上施加的第二信號值存在不相等的情況下，第二柵極線上施加的第二信號值的差值比較小，對顯示的結(jié)果沒有大的影響。比如，如圖1所示，假設柵極線a與柵極線b分為一組柵極線，柵極線c與柵極線d分為一組柵極線，柵極線a上施加第一信號值，柵極線b上施加第二信號值，柵極線c上施加第二信號值，柵極線d上施加第一信號值，第一信號值大于第二信號值，柵極線a上施加的第一信號值與柵極線d上施加的第一信號值不相等，柵極線c上施加的第二信號值與柵極線b上施加的第二信號值不相等；則柵極線a上施加的第一信號值與柵極線d上施加的第一信號值的差值比較小，由于第一信號值大于第二信號值，因而柵極線a相對于柵極線b的顯示結(jié)果為亮，柵極線b的顯示結(jié)果為暗；柵極線d相對于柵極線c的顯示結(jié)果為亮，柵極線c的顯示結(jié)果為暗。較佳地，本發(fā)明實施例控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備和柵極驅(qū)動電路中的IC芯片的數(shù)目具體有多少可以根據(jù)需要設定。較佳地，從IC芯片引出的柵極線分布的方式不限于圖1中所示的柵極線的分布方式，可以根據(jù)需要進行改變，比如從IC芯片引出的所有柵極線都位于IC芯片的一側(cè)。較佳地，本發(fā)明實施例提供的顯示裝置，包括所述柵極驅(qū)動電路和/或所述控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備。較佳地，本發(fā)明實施例提供的集成所述柵極驅(qū)動電路和/或所述控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備的顯示裝置可以是任何具有顯示功能的電子設備，比如手機、平板電腦、電視機、電腦的顯示器或筆記本電腦等。盡管已描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施例，但本領域內(nèi)的技術人員一旦得知了基本創(chuàng)造性概念，則可對這些實施例作出另外的變更和修改。所以，所附權利要求意欲解釋為包括優(yōu)選實施例以及落入本發(fā)明范圍的所有變更和修改。顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權利要求
1.一種控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的方法，其特征在于，該方法包括 針對所述有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值； 在所述相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值； 其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。
2.如權利要求1所述的方法，其特征在于，第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值，包括 通過第一控制信號控制第一選通開關連通第一層柵極連接線與該柵極線；通過第二控制信號控制第二選通開關關斷第二層柵極連接線與該柵極線的連接； 通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值，包括 通過第一控制信號控制第一選通開關關斷第一層柵極連接線與該柵極線的連接；通過第二控制信號控制第二選通開關連通第二層柵極連接線與該柵極線； 其中，所述第一控制信號和所述第二控制信號為高低電平互補的時鐘脈沖信號，每個時鐘脈沖信號在相鄰兩幀圖像之間進行高低電平反轉(zhuǎn)。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，通過第一層柵極連接線或者第二層柵極連接線向柵極線施加信號值之前，所述方法還包括 針對各條柵極連接線，由與所述各條柵極連接線連接的信號源向所述各條柵極連接線施加具有相同初始值的初始信號值；或者， 根據(jù)所述各條柵極連接線的阻抗，由與所述各條柵極連接線連接的信號源向所述各條柵極連接線施加具有不同初始值的初始信號值。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法還包括 將所述有效顯示區(qū)中的柵極線分為多個柵極線組，每個柵極線組包括一條或相鄰的多條柵極線； 其中，在同一幀圖像中，同組中的柵極線上所施加的信號值由同層的柵極連接線傳送，相鄰兩組柵極線上所施加的信號值由不同層的柵極連接線傳送。
5.一種控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的設備，其特征在于，該設備包括 第一控制模塊，用于針對所述有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值； 第二控制模塊，用于在所述相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值； 其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接信號源和該柵極線。
6.如權利要求5所述的設備，其特征在于，所述第一控制模塊，具體用于通過第一控制信號控制第一選通開關連通第一層柵極連接線與該柵極線；通過第二控制信號控制第二選通開關關斷第二層柵極連接線與該柵極線的連接；所述第二控制模塊，具體用于通過第一控制信號控制第一選通開關關斷第一層柵極連接線與該柵極線的連接；通過第二控制信號控制第二選通開關連通第二層柵極連接線與該柵極線； 其中，所述第一控制信號和所述第二控制信號為高低電平互補的時鐘脈沖信號值，每個時鐘脈沖信號在相鄰兩幀圖像之間進行高低電平反轉(zhuǎn)。
7.如權利要求5所述的設備，其特征在于，所述第一控制模塊和/或第二控制模塊，還用于針對各條柵極連接線，由與所述各條柵極連接線連接的信號源向所述各條柵極連接線施加具有相同初始值的初始信號值；或者，根據(jù)所述各條柵極連接線的阻抗，由與所述各條柵極連接線連接的信號源向所述各條柵極連接線施加具有不同初始值的初始信號值。
8.如權利要求5所述的設備，其特征在于，所述設備還包括分組模塊，用于將所述有效顯示區(qū)中的柵極線分為多個柵極線組，每個柵極線組包括一條或相鄰的多條柵極線；其中，在同一幀圖像中，同組中的柵極線上所施加的信號值由同層的柵極連接線傳送，相鄰兩組柵極線上所施加的信號值由不同層的柵極連接線傳送。
9.一種柵極驅(qū)動電路，其特征在于，包括集成電路驅(qū)動模塊和驅(qū)動控制模塊；所述驅(qū)動控制模塊，包括第一選通單元、第二選通單元、第一層柵極連接線、第二層柵極連接線、第一柵極線和第二柵極線；第一選通單元包括P型金屬氧化物半導體PMOS管和N型金屬氧化物半導體NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極施加同一個信號，第一層柵極連接線分別與第一選通單元的NMOS管的漏極和PMOS管的源極相連接；第二選通單元包括PMOS管和NMOS管，PMOS管和NMOS管的柵極施加同一個信號，第二層柵極連接線分別與第二選通單元的NMOS管的漏極和PMOS管的源極相連接；第一柵極線分別連接第一選通單元的NMOS管的源極和第二選通單元的NMOS管的源極；第二柵極線分別連接第一選通單元的PMOS管的漏極和第二選通單元的PMOS管的漏極； 集成電路驅(qū)動模塊，用于產(chǎn)生柵極驅(qū)動信號并向所述驅(qū)動控制模塊發(fā)送所述柵極驅(qū)動信號; 驅(qū)動控制模塊，用于針對任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第一層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第一信號值；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第二層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第二信號值；以及針對所述任意相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第一層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第一信號值；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第二層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第二信號值； 其中，第一層柵極連接線和第二層柵極連接線位于顯示基板的扇出區(qū)域的不同層，用于連接所述柵極驅(qū)動信號和所述柵極線；第一柵極線和第二柵極線是位于有效顯示區(qū)中的每一組柵極線中的相鄰兩個柵極線。
10.如權利要求9所述的柵極驅(qū)動電路，其特征在于，第一柵極線分別連接第一選通單元的NMOS管的源極和第二選通單元的PMOS管的漏極；第二柵極線分別連接第一選通單元的PMOS管的漏極和第二選通單元的NMOS管的源極； 驅(qū)動控制模塊，還用于針對任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第一層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第一信號值；通過在第二選通單兀的PMOS管和NMOS管的柵極施加第一控制信號，將第二層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第二信號值；以及針對所述相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像，通過在第一選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第一層柵極連接線與第二柵極線連通，向第二柵極線施加第一信號值；通過在第二選通單元的PMOS管和NMOS管的柵極施加第二控制信號，將第二層柵極連接線與第一柵極線連通，向第一柵極線施加第二信號值。
11.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括如權利要求擴10任一所述的柵極驅(qū)動電路。
全文摘要
本發(fā)明實施例涉及顯示技術領域，特別涉及一種控制柵極線信號值方法和設備、柵極驅(qū)動電路、顯示裝置，用以改善由于gate層與S/D層的走線阻抗不同而引起的H-line不良的問題。本發(fā)明實施例提供的控制有效顯示區(qū)柵極線的信號值的方法包括針對所述有效顯示區(qū)中的每條柵極線，在任意相鄰兩幀圖像中的第一幀圖像中，通過第一選通開關將第一層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第一信號值；在相鄰兩幀圖像中的第二幀圖像中，通過第二選通開關將第二層柵極連接線與該柵極線連通，向該柵極線施加第二信號值。本發(fā)明實施例實現(xiàn)了改善由于gate層與S/D層的走線阻抗不同而引起的H-line不良的問題。
文檔編號G09G3/36GK103000152SQ20121050098
公開日2013年3月27日 申請日期2012年11月29日 優(yōu)先權日2012年11月29日
發(fā)明者時凌云, 鄭義, 劉蕊 申請人:北京京東方光電科技有限公司