專利名稱：像素電路、顯示裝置和像素電路的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種像素電路、顯示裝置和像素電路的驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
有機發(fā)光二極管(Organic Light Emitting Diode,0LED)為電流驅(qū)動主動發(fā)光型器件，因其具有自發(fā)光、快速響應(yīng)、寬視角和可制作在柔性襯底上等獨特特點，以O(shè)LED為基礎(chǔ)的有機發(fā)光顯示預(yù)計今后幾年將成為顯示領(lǐng)域的主流。有機發(fā)光顯示的每個顯示單元，都是由OLED構(gòu)成的，有機發(fā)光顯示按驅(qū)動方式可分為有源有機發(fā)光顯示和無源有機發(fā)光顯示，其中有源有機發(fā)光顯示是指每個OLED都由薄膜晶體管(Thin Film Transistor, TFT)電路來控制流過OLED的電流，OLED和用于驅(qū)動OLED的TFT電路構(gòu)成像素電路。一種典型的像素電路如圖I所示，包括2個TFT晶體管，I個電容和I個0LED，其中開關(guān)管T2將數(shù)據(jù)線上的電壓傳輸?shù)津?qū)動管Tl的柵極，驅(qū)動管Tl將這個數(shù)據(jù)電壓轉(zhuǎn)化為相應(yīng)的電流，供給OLED器件，其電流可表示為
權(quán)利要求
1.一種像素電路，其特征在于，包括 發(fā)光兀件； 用于驅(qū)動所述發(fā)光元件的驅(qū)動薄膜晶體管，其漏極輸入電源電壓信號； 第一薄膜晶體管，其源極與所述發(fā)光元件相連接，其漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的源極相連接，其柵極接收第一控制信號； 第二薄膜晶體管，其源極接收數(shù)據(jù)信號，其漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極相連接，其柵極接收掃描信號； 第三薄膜晶體管，其源極接收參考電壓信號，其柵極接收所述掃描信號； 第四薄膜晶體管，其源極與所述第三薄膜晶體管的漏極相連接，其漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極及所述第二薄膜晶體管的漏極相連接，其柵極接收第二控制信號； 電容，所述電容的一極板連接至第一節(jié)點，另一極板連接至第二節(jié)點，所述第一節(jié)點為所述第一薄膜晶體管漏極與所述驅(qū)動薄膜晶體管源極的連接點，所述第二節(jié)點為所述第四薄膜晶體管源極與所述第三薄膜晶體管漏極的連接點。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素電路，其特征在于， 所述驅(qū)動薄膜晶體管為N型薄膜晶體管。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的像素電路，其特征在于， 所述薄膜晶體管為耗盡型薄膜晶體管，或者增強型薄膜晶體管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的像素電路，其特征在于， 所述發(fā)光元件為有機發(fā)光二極管。
5.一種顯示裝置，其特征在于，設(shè)置有權(quán)利要求1-4任一項所述的像素電路。
6.一種驅(qū)動方法，適用于權(quán)利要求I所述的像素電路，其特征在于， 包括 預(yù)充階段，所述掃描信號開啟所述第二和第三薄膜晶體管，所述數(shù)據(jù)信號輸入所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，使所述驅(qū)動薄膜晶體管關(guān)斷，同時所述第二控制信號關(guān)斷第四薄膜晶體管，所述第一控制信號開啟所述第一薄膜晶體管，所述第一節(jié)點儲存的電荷通過所述發(fā)光元件釋放，所述第一節(jié)點的電壓降低； 補償階段，所述第二和第三薄膜晶體管繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，所述數(shù)據(jù)信號輸入所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵極，開啟所述驅(qū)動薄膜晶體管，同時所述第四薄膜晶體管繼續(xù)保持關(guān)斷狀態(tài)，所述第一控制信號關(guān)斷所述第一薄膜晶體管，所述電源電壓信號通過所述驅(qū)動薄膜晶體管向所述第一節(jié)點充電，使所述第一節(jié)點的電壓升高； 保持發(fā)光階段，所述掃描信號關(guān)斷所述第二和第三薄膜晶體管，所述驅(qū)動薄膜晶體管繼續(xù)保持導(dǎo)通狀態(tài)，同時所述第二控制信號開啟所述第四薄膜晶體管，所述第一控制信號開啟所述第一薄膜晶體管，所述電容保持所述驅(qū)動薄膜晶體管的柵源電壓不變，所述薄膜晶體管驅(qū)使所述發(fā)光元件發(fā)光。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種像素電路、顯示裝置和像素電路的驅(qū)動方法，涉及顯示領(lǐng)域，可有效地補償耗盡型或增強型驅(qū)動TFT閾值電壓非均勻性、漂移，以及OLED非均勻性導(dǎo)致的電流差異。所述像素電路包括發(fā)光元件；驅(qū)動薄膜晶體管，漏極輸入電源電壓信號；第一薄膜晶體管，漏極與驅(qū)動薄膜晶體管的源極相連，源極與發(fā)光元件相連，柵極接收第一控制信號；第二薄膜晶體管，源極接收數(shù)據(jù)信號，漏極與驅(qū)動薄膜晶體管柵極相連，柵極接收掃描信號；第三薄膜晶體管，源極接收參考電壓信號，柵極接收掃描信號；第四薄膜晶體管，源極與第三薄膜晶體管漏極相連，漏極與驅(qū)動薄膜晶體管的柵極及第二薄膜晶體管漏極相連，柵極接收第二控制信號；電容。
文檔編號G09G3/32GK102930822SQ201210452120
公開日2013年2月13日 申請日期2012年11月12日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月12日
發(fā)明者吳仲遠, 段立業(yè) 申請人:京東方科技集團股份有限公司