專利名稱：電子書及其驅動方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種顯示器件及其驅動方法，具體而言，本發(fā)明涉及一種應用時間灰 度法的顯示器件。
背景技術：
近年來，其中使用諸如發(fā)光二極管(LED)等發(fā)光元件形成像素的所謂的自發(fā)光顯 示器件已引起人們的注意。作為用于所述自發(fā)光顯示器件的發(fā)光元件，有機發(fā)光二極管 (OLED)(也稱作“有機EL元件”、電致發(fā)光(EL)元件等)已引起人們的注意，并且已被用于 EL顯示器等。諸如OLED的發(fā)光元件是自發(fā)光類型的；因此，與液晶顯示器相比較，它具有 諸如像素能見度更高、無背光、以及響應速度更高等優(yōu)點。另外，發(fā)光元件的亮度受流入該 發(fā)光元件的電流值控制。作為控制所述顯示器件的發(fā)光灰度的驅動方法，存在數(shù)字灰度法和模擬灰度法。 在數(shù)字灰度法中，通過以數(shù)字方式控制使得發(fā)光元件被接通/切斷以表示灰度等級。另一 方面，在模擬灰度法中，存在以模擬方式控制發(fā)光元件的發(fā)射強度的方法和以模擬方式控 制發(fā)光元件的發(fā)射時間的方法。在數(shù)字灰度法的情況中，只存在兩種狀態(tài)發(fā)光狀態(tài)和不發(fā)光狀態(tài)，因此只能表示 兩個灰度級。因此，通過與另一種方法相組合而實現(xiàn)多個灰度級顯示。作為用于實現(xiàn)多個 灰度級的方法，在多種情況中使用時間灰度方法。作為其中像素的顯示狀態(tài)以數(shù)字方式被控制并且結合時間灰度方法以表示灰度 等級的顯示器，除使用數(shù)字灰度法的有機EL顯示器以外，還存在一些顯示器，諸如等離子 體顯示器。時間灰度法是用于通過控制發(fā)光期間的長度和光發(fā)射的次數(shù)表示灰度等級的方 法。也就是說，將一個幀分成多個子幀，每個子幀都諸如通過光發(fā)射的次數(shù)或發(fā)光期間被加 權，并且每個灰度級的總權數(shù)(光發(fā)射的總次數(shù)或發(fā)光期間的總和)不同，從而表示灰度等 級。當使用所述時間灰度法時，已知會產(chǎn)生稱作偽輪廓線(pseudo contour)(或假輪廓線) 的顯示缺陷，因此，已經(jīng)開始考慮該問題的解決方案(見專利文獻1)。另外，幀頻已被增加以減少偽輪廓線。已有的各種方法中，存在這樣一種方法，其 中子幀的長度被減小到一半從而使得一個幀中的子幀的數(shù)量加倍。這基本與幀頻被加倍的 情況相同(見專利文獻2)。在本說明書中該方法被稱作“雙倍幀速法”。這里，假定5-比特(即5位)顯示(32個灰度級)的一種情況。首先，在圖43中 示出了根據(jù)傳統(tǒng)時間灰度法的子幀的選擇法，即，在每個灰度級下是否每個子幀都用于發(fā) 光。在圖43中，一個幀被分成為5個子幀(SFl到SF5)并且子幀的發(fā)光期間的各個長度被 設定為SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 4、SF4 = 8以及SF5 = 16 ；也就是說，每個發(fā)光期間的長度都是2的冪。應該注意的是，灰度級1和長度為1的發(fā)光期間彼此對應。通過組合這些 發(fā)光期間，可執(zhí)行具有32個灰度級(5-比特灰度)的顯示。這里，描述了查看圖43的方法。在O-標記所表示的子幀中執(zhí)行發(fā)光而在X-標記 所表示的子幀中不執(zhí)行發(fā)光。通過選擇在每個灰度級下執(zhí)行發(fā)光的子幀表示灰度等級。例 如，在灰度級為0的情況中，在SFl到SF5中不執(zhí)行發(fā)光。在灰度級為1的情況中，在SF2 到SF5中不執(zhí)行發(fā)光而在SFl中執(zhí)行發(fā)光。在灰度級為7的情況中，在SF4和SF5中不執(zhí) 行發(fā)光而在SFl到SF3中執(zhí)行發(fā)光。接下來，圖44中示出了其中雙倍幀速法被應用于圖43的情況的一個示例。圖43 中的每個子幀被分成為兩等份，從而形成了 10個子幀(SFl到SF10)并且其發(fā)光期間的各 個長度為 SFl = 0. 5、SF2 = 1、SF3 = 2、SF4 = 4、SF5 = 8、SF6 = 0. 5、SF7 = 1、SF8 = 2、 SF9 = 4、以及SFlO = 8。因此，幀頻被加倍。另外，相似地，也可考慮6-比特(即6位)顯示(64個灰度級)的一種情況。圖46 中示出了其中雙倍幀速法被應用于根據(jù)圖45中所示的時間灰度法的6-比特顯示的子幀結 構的一個示例。圖45中的每個子幀被分成為兩等份，從而形成了 12個子幀(SFl到SF12) 并且其發(fā)光期間的各個長度為SFl = 0. 5、SF2 = 1、SF3 = 2、SF4 = 4、SF5 = 8、SF6 = 16、 SF7 = 0. 5、SF8 = 1、SF9 = 2、SFlO = 4、SFll = 8、以及 SF12 = 16。應該注意的是，灰度 級1和長度為1的發(fā)光期間彼此對應。與5-比特顯示的情況相似，通過選擇在每個灰度級 下執(zhí)行發(fā)光的子幀表示灰度等級。如上所述的，通過將每個子幀分成為兩等份，可使得幀頻實質上增加到兩倍。另外，作為用于增加幀頻的另一種方法，在專利文獻3中已披露了一種方法。專利文獻3描述了 8-比特(即8位)顯示(256個灰度級)的一種情況。圖47A 和47B中示出了這種情況中子幀的選擇方法。在8-比特顯示的情況中，依照傳統(tǒng)時間灰度 法，一個幀被分成為8個子幀并且子幀的發(fā)光期間的各個長度被設定為1、2、4、8、16、32、64 和128，因此每個發(fā)光期間的長度都是2的冪。專利文獻3中所描述的是其中8個子幀中 僅4個子幀按照減小發(fā)光期間的順序被分被分割的一個示例；在圖47A中示出了這種情況 中子幀的選擇方法。另外，在專利文獻3中描述了這樣一個示例，其中，在不是通過將每個發(fā)光期間的 長度設定為2的冪來表示256個灰度級而是通過使用5個較高位比特中相鄰比特之間的差 為16的等差級數(shù)(諸如1、2、4、8、16、32、48、64和80)來表示256個灰度級的情況中，只有 5個子幀按照減小發(fā)光期間的順序被分割。在圖47B中示出了這種情況中子幀的選擇方法。通過使用上述方法，可實質上增加幀頻。[專利文獻1]日本專利No. 2903984[專利文獻2]日本專利未審定公開號No.2004-151162[專利文獻3]日本專利未審定公開號No.2001-42818然而，甚至在雙倍幀速法中，也出現(xiàn)了其中發(fā)光期間的選擇大大改變的偽輪廓線。首先，考慮5-比特(即5位)顯示的一種情況。使用圖44中所示的子幀，假定在 像素A中表示灰度級15而在與像素A相鄰的像素B中表示灰度級16。在圖48A和48B中 示出了那種情況中每個子幀中的發(fā)光/不發(fā)光的狀態(tài)。這里，圖48A示出了在不移動視軸 線的前提下僅看到像素A或像素B的情況。在這種情況中沒有出現(xiàn)偽輪廓線。這是由于眼
5睛感覺到與視軸線所經(jīng)過的亮度的總和一致的亮度。因此，眼睛感覺到像素A中的灰度級 為15( = 4+2+1+0. 5+4+2+1+0. 5)以及像素B中的灰度級為16 ( = 8+8)。也就是說，眼睛感 覺到精確的灰度級。另一方面，假定視軸線從像素A移動到像素B或從像素B移動到像素A。在圖48B中 示出了這種情況。在這種情況中，取決于視軸線的移動，眼睛有時感覺到灰度級為15. 5(= 4+2+1+0. 5+8)或23. 5( = 8+8+4+2+1+0. 5)。盡管應該看到灰度級正常為15和16，但是看 到了灰度級為15. 5或23. 5，因此出現(xiàn)了偽輪廓線。接著，圖49中示出了 6-比特顯示(64個灰度級)的一種情況。例如，假定在像素 A中表示灰度級31而在與像素A相鄰的像素B中表示灰度級32。與5-比特顯示的情況相 似，取決于視軸線的移動，眼睛有時感覺到灰度級為31. 5( = 8+4+2+1+0. 5+16)或47. 5 (= 16+16+8+4+2+1+0. 5)。盡管應該看到灰度級正常為31和32，但是看到了灰度級為31. 5或 47. 5，因此出現(xiàn)了偽輪廓線。另外，在圖50A中示出了圖47A的情況，而在圖50B中示出了圖47B的情況。例如， 假定在像素A中表示127的灰度級而在與像素A相鄰的像素B中表示128的灰度級。與上文 中所述的示例相似，取決于視軸線的移動，所感覺到的灰度級是不同的。例如，在圖50A的 情況中，眼睛有時感覺到灰度級為121 ( = 64+32+16+8+1)或134( = 32+16+8+8+4+2+64)。 在圖50B的情況中，眼睛有時感覺到灰度級為120 ( = 40+24+32+16+8)或134 (= 32+16+8+8+4+2+40+24)。在任意一種情況中，盡管應該看到灰度級正常為127和128，但是 也感覺到了具有過寬寬度的灰度級，因此出現(xiàn)了偽輪廓線。另外，在雙倍幀速法中，子幀的數(shù)量增加從而負荷比(其發(fā)光期間與一個幀的比 例)減小。因此，為了實現(xiàn)與不使用雙倍幀速法的情況中相同的平均亮度，施加于發(fā)光元件 的電壓增加因此能量消耗增加，發(fā)光元件的可靠性會降低等等。

發(fā)明內容
考慮到前述問題，本發(fā)明的一個目的是提供一種具有較少數(shù)量子幀并且可減少偽 輪廓線顯示器件，以及其驅動方法。為了解決上述問題，在本發(fā)明中提出了如下所述的驅動方法。依照本發(fā)明，在通過將一個幀分成為多個子幀來表示灰度等級的顯示器件的驅動 方法中，在灰度等級由η比特(這里η為整數(shù))表示的情況中，每個都由二進制表示的灰 度的比特被分類為三種比特組，即，第一比特組、第二比特組、以及第三比特組；一個幀被分 成為兩個子幀組；與屬于第一比特組的比特相對應的a個(這里，a為滿足0 < a < η的整 數(shù))子幀被分成為三份或更多份，將其大約每一半布置在所述一個幀的兩個子幀組的每個 中；與屬于第二比特組的比特相對應的b個(這里，b為滿足0 < b < η的整數(shù))子幀被分 成為兩份，它們中的每份都被布置在所述一個幀的兩個子幀組中的每個中；以及與屬于第 三比特組的比特相對應的c個(這里，c為滿足0 < c < η并且a+b+c = η的整數(shù))子幀 被布置在所述一個幀的兩個子幀組中的至少一個中；其中與屬于第一比特組的比特相對應 的多個子幀以及與屬于第二比特組的比特相對應的多個子幀的出現(xiàn)順序在所述一個幀的 兩個子幀組之間大致相同；并且對于與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀和與屬于 第二比特組的比特相對應的多個子幀的全部或部分來說，在所述一個幀的兩個子幀組的每個中順序地加權，從而表示灰度級。這里，“大約一半”是指這樣一種情況，即，假定子幀被 分成為X份并且X個子幀被分成為分別布置在子幀組中的y個子幀和Z個子幀(Z = x-y ； y > ζ)，ζ與y的比例(即，z/y)為0. 5或更大。也就是說，包括這樣一種情況，即，假定子 幀被分成為3個，所述子幀被分成為分別布置在子幀組中的一個子幀和兩個子幀。當然，它 可剛好為一半并且在1彡z/y彡0. 5的范圍內。最好，它可在1彡z/y彡0. 65的范圍內， 更好地是，在1彡z/y彡0. 8的范圍內。依照本發(fā)明，在通過將一個幀分成為多個子幀來表示灰度等級的顯示器件的驅動 方法中，在灰度等級由η比特(這里η為整數(shù))表示的情況中，每個都由二進制表示的灰度 的比特被分類為三種比特組，即，第一比特組、第二比特組、以及第三比特組；一個幀被分成 為k (這里，k為滿足k ^ 3的整數(shù))個子幀組；與屬于第一比特組的比特相對應的a個(這 里，a為滿足0<a<n的整數(shù))子幀被分成為(k+Ι)份或更多份，它們被布置在所述一個 幀的k個子幀組的每個子幀組中以使其大約包含相同的數(shù)量；與屬于第二比特組的比特相 對應的b個(這里，b為滿足0 < b < η的整數(shù))子幀被分成為k份，它們中的每份都被布 置在一個幀的k個子幀組中的每個中；以及與屬于第三比特組的比特相對應的c個(這里， c為滿足0彡c < η并且a+b+c = η的整數(shù))子幀被分成為(k_l)份或更少份或者不分割， 并且布置在所述一個幀的k個子幀組中的至少一個中；其中與屬于第一比特組的比特相對 應的多個子幀以及與屬于第二比特組的比特相對應的多個子幀的出現(xiàn)順序在所述一個幀 的k個子幀組之間大致相同；并且對于與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀和與屬 于第二比特組的比特相對應的多個子幀的全部或部分來說，在所述一個幀的k個子幀組的 每個中順序地加權，從而表示灰度級。這里，“大約相同數(shù)量”是指這樣一種情況，即，對于布 置在子幀組中的分割的子幀來說，當所布置的子幀的最大數(shù)量為Y而其最小數(shù)量為Z時，Z 與Y的比例(即，Z/Y)為0.5或更大。也就是說，包含這樣一種情況，即，假定子幀被分成為 4個以便于布置在三個子幀組中，所述子幀被分成為分別布置在子幀組中的一個子幀、一個 子幀和兩個子幀(即，Z = 1，Y = 2)。當然，它也可完全為相同數(shù)量并且在1彡Ζ/Υ彡0. 5 的范圍內。最好，它可在1彡Ζ/Υ彡0. 65的范圍內，更好地是，在1彡Ζ/Υ彡0.8的范圍內。在本文中，子幀組是指包括多個子幀的組。應該注意的是，當一個幀被分成為多個 子幀組時，包含在每個子幀組中的子幀的數(shù)量沒有限制；然而，每個子幀組最好包括大約相 同數(shù)量的子幀。另外，每個子幀組中發(fā)光期間的長度沒有限制；然而，在每個子幀組中發(fā)光 期間的長度最好大約相等。另外，在本說明書中，使用二進制表示的灰度級的比特被分類為三種比特組，即， 第一比特組、第二比特組、以及第三比特組。根據(jù)與灰度級的每個比特相對應的子幀分割的 數(shù)量區(qū)分這三種比特組。這里，將其如此定義，即，第一比特組為用于包含這樣的比特的組， 即，與灰度級的所述比特相對應的子幀被分成為大于子幀組數(shù)量的數(shù)量；第二比特組為用 于包含這樣的比特的組，即，與灰度級的所述比特相對應的子幀被分成為等于子幀組數(shù)量 的數(shù)量；以及第三比特組為用于包含這樣的比特的組，即，與灰度級的所述比特相對應的子 幀被分成為小于子幀組數(shù)量的數(shù)量或者不分割。因此，高位比特(大加權比特)被包含在 第一比特組中、中間位比特(中間加權比特)被包含在第二比特組中、以及低位比特(小加 權比特)被包含在第三比特組中不是必需的。例如，甚至高位比特如果其子幀被分成為等 于子幀組數(shù)量的數(shù)量的話則被包含在第二比特組中，而如果其子幀被分成為小于子幀組數(shù)量的數(shù)量的話，該高位比特被包含在第三比特組中。相似地，甚至低位比特如果其子幀被分 成為大于子幀組數(shù)量的數(shù)量的話則被包含在第一比特組中，而如果其子幀被分成為等于子 幀組數(shù)量的數(shù)量的話，低位比特被包含在第二比特組中。應該注意的是，子幀的分割是指分割包含在子幀中的發(fā)光期間的長度。另外，“與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀以及與屬于第二比特組的比 特相對應的多個子幀的出現(xiàn)順序大致相同”不僅包括正好相配的情況而且還包括與屬于第 三比特組的比特相對應的子幀被插在與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀和與屬 于第二比特組的比特相對應的多個子幀之間的情況。應該注意的是，依照本發(fā)明，對于第一比特組和第二比特組來說，通過在每個子幀 組中順序地增加包含在與屬于第一比特組和第二比特組的比特相對應的部分或全部子幀 中的發(fā)光期間(或者一定時間內的發(fā)光次數(shù))來表示灰度等級。也就是說，當灰度級增加 時用于執(zhí)行發(fā)光的子幀的數(shù)量增加。因此，在用于小灰度級處執(zhí)行發(fā)光的子幀中，在大灰度 級也同樣執(zhí)行發(fā)光。在本說明書中，這樣一種灰度法也被稱作“重疊時間灰度法”。應該注 意的是，重疊時間灰度法適用于與屬于第一比特組和第二比特組的比特相對應的子幀之中 其發(fā)光期間在每個子幀組中相等的子幀；然而，本發(fā)明不局限于此。應該注意的是，在本發(fā)明中，可使用各種模式的晶體管；因此，所使用的晶體管的 種類沒有限制。因此，使用以非晶硅或多晶硅為代表的非單晶硅半導體膜的薄膜晶體管 (TFT)、使用半導體襯底或SOI襯底形成的MOS晶體管、結型晶體管、雙極晶體管、使用諸如 ZnO或InGaZnO的化合物半導體的晶體管、使用有機半導體或碳毫微管的晶體管、或其它晶 體管都可使用。另外，晶體管可被放在任何種類的襯底上并且襯底的種類沒有具體限制。因 此，例如，晶體管可被放在單晶襯底、SOI襯底、玻璃襯底、塑料襯底、紙襯底、玻璃紙襯底、石 頭襯底等上。另外，可使用襯底形成晶體管，之后所述晶體管可被輸送到另一個襯底上以便 于設在該襯底上。應該注意的是，在本發(fā)明中，“被連接，，是指電連接和直接連接；因此，能夠進行電 連接的另一個元件(例如，開關、晶體管、電容器、感應器、電阻器或二極管)可被置于本發(fā) 明所述的結構中的預定連接中?；蛘撸谠摬贾弥胁槐胤湃肓硪粋€元件。應該注意的是，在 不包括電連接的情況下，只有在沒有放置能夠進行電連接以便于直接連接的另一個元件的 前提下執(zhí)行連接這樣的情況被稱作“直接連接”或“以直接的方式被連接”。還應該注意的 是，“被電連接”包括被電連接的情況和被直接連接的兩種情況。應該注意的是，在本說明書中，術語“半導體器件”是指具有包括半導體元件(例 如，晶體管或二極管)的電路的器件。而且，半導體器件還可指可通過使用半導體特征發(fā)揮 作用的每一種器件。另外，“顯示器件”是指具有顯示元件(例如，液晶元件或發(fā)光元件)的 器件。另外，顯示器件還可指顯示板的主體，在所述顯示板中，在襯底上形成有每個都包含 諸如液晶元件或EL元件的顯示元件的多個像素和用于驅動所述像素的外圍驅動器電路， 顯示器件還可包括具有撓性印刷電路(FPC)或印刷線路板(PWB)的顯示板。另外，“發(fā)光器 件”是指具有自發(fā)光顯示元件(具體如EL元件或用于FED的元件)的顯示器件?！耙壕э@ 示器件”是指具有液晶元件的顯示器件。應該注意的是，難以從結構上在晶體管的源極和漏極之間作出區(qū)分。另外，其各個 電勢的高度根據(jù)電路的操作可逆轉。因此，在本說明書中，沒有指定源極和漏極并且可稱其為“第一電極”和“第二電極”。例如，當?shù)谝浑姌O為源極時，第二電極就為漏極，而當?shù)谝浑?極為漏極時，第二電極就為源極。依照本發(fā)明，可減少偽輪廓線。因此，提高了圖像質量從而可顯示出清晰的圖像。 另外，與傳統(tǒng)雙倍幀速法相比較提高了負荷比，并且可降低施加于發(fā)光元件的電壓，從而可 降低能量消耗并且可抑制發(fā)光元件的退化。


圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖2A和2B是示出了在本發(fā)明的驅動方法中減少偽輪廓線的原因的圖表。圖3是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖4是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖5A和5B是示出了在本發(fā)明的驅動方法中減少偽輪廓線的原因的圖表。圖6是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖7是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖9是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖10是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖11是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖12A和12B是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖13A和13B是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖14A和14B是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖15是示出了在本發(fā)明的驅動方法中執(zhí)行gamma(伽馬)校正的情況中子幀的選 擇方法的示例的圖表。圖16A和16B是示出了在本發(fā)明的驅動方法中執(zhí)行gamma校正的情況中灰度級和 亮度之間關系的圖表。圖17是示出了在本發(fā)明的驅動方法中執(zhí)行gamma校正的情況中子幀的選擇方法 的示例的圖表。圖18A和18B是示出了在本發(fā)明的驅動方法中執(zhí)行gamma校正的情況中灰度級和 亮度之間關系的圖表。圖19A和19B是示出了在本發(fā)明的驅動方法中減少偽輪廓線的原因的示意圖。圖20A和20B是示出了在本發(fā)明的驅動方法中減少偽輪廓線的原因的示意圖。圖21是示出了在本發(fā)明的驅動方法中子幀的出現(xiàn)順序的示例的示意圖。圖22是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖23是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖24是示出了在像素的信號寫入期間和發(fā)光期間彼此分開的情況中的定時圖的 一個示例的示意圖。圖25是示出了在像素的信號寫入期間和發(fā)光期間彼此分開的情況中的像素結構 的一個示例的示意圖。圖26是示出了在像素的信號寫入期間和發(fā)光期間未彼此分開的情況中的定時圖
9的一個示例的示意圖。圖27是示出了在像素的信號寫入期間和發(fā)光期間未彼此分開的情況中的像素結 構的一個示例的示意圖。圖28是示出了用于在一個柵電極選擇期間中選擇兩行的定時圖的示例的示意 圖。圖29是示出了在執(zhí)行像素的信號擦除操作的情況中定時圖的示例的示意圖。圖30是示出了在執(zhí)行像素的信號擦除操作的情況中像素結構的示例的示意圖。圖31是示出了在執(zhí)行像素的信號擦除操作的情況中像素結構的示例的示意圖。圖32是示出了在執(zhí)行像素的信號擦除操作的情況中像素結構的示例的示意圖。圖33是示出了在執(zhí)行像素的信號擦除操作的情況中定時圖的示例的示意圖。圖34A到34C是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的顯示器件的示例的示意圖。圖35是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的顯示器件的示例的圖表。圖36是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的顯示器件中像素部分的布置的示例的示 意圖。圖37是示出了用于控制本發(fā)明的驅動方法的硬件的示例的示意圖。圖38是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的移動電話的示例的視圖。圖39A和39B都是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的顯示板的示例的示意圖。圖40是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的EL模塊的示例的視圖。圖41是示出了使用本發(fā)明的驅動方法的EL電視接收機的示例的視圖。圖42A到42H都是示出了本發(fā)明的驅動方法應用于其上的電子設備的示例的視 圖。圖43是示出了根據(jù)傳統(tǒng)時間灰度法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖44是示出了傳統(tǒng)雙倍幀速法所涉及的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖45是示出了根據(jù)傳統(tǒng)時間灰度法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖46是示出了傳統(tǒng)雙倍幀速法所涉及的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖47A和47B都是示出了傳統(tǒng)雙倍幀速法所涉及的子幀的選擇方法的示例的示意 圖。圖48A和48B都是示出了在傳統(tǒng)雙倍幀速法中產(chǎn)生偽輪廓線的原因的示意圖。圖49是示出了在傳統(tǒng)雙倍幀速法中產(chǎn)生偽輪廓線的原因的示意圖。圖50A和50B都是示出了在傳統(tǒng)雙倍幀速法中產(chǎn)生偽輪廓線的原因的示意圖。圖51是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖52是示出了根據(jù)本發(fā)明的驅動方法的子幀的選擇方法的示例的圖表。圖53是示出了在本發(fā)明的驅動方法中執(zhí)行gamma校正的情況中的子幀的選擇方 法的示例的圖表。圖54是示出了在依照本發(fā)明的驅動方法執(zhí)行gamma校正的情況中灰度級和亮度 之間關系的示意圖。圖55A到55E是示出了可用在本發(fā)明中的薄膜晶體管的制造工藝的示例的視圖。圖56A和56B是示出了具有本發(fā)明的像素結構的顯示板的視圖。圖57是示出了可用于具有本發(fā)明的像素結構的顯示器件的發(fā)光元件的一個示例的示意圖。圖58A到58C都是示出了發(fā)光元件的發(fā)光結構的視圖。圖59是用于使用濾色器執(zhí)行全色顯示的顯示板的剖面圖。圖60A和60B是顯示板的局部剖面圖。圖61A和61B是顯示板的局部剖面圖。圖62A和62B是顯示板的局部剖面圖。圖63A和63B是顯示板的局部剖面圖。圖64A和64B是顯示板的局部剖面圖。圖65A和65B是顯示板的局部剖面圖。
具體實施例方式盡管將參照附圖通過實施方式全面地描述本發(fā)明，但是應該理解，對于本領域技 術人員來說各種變化和修改將是顯而易見的。因此，除非所述變化和修改脫離本發(fā)明的范 圍，否則它們應當被解釋為包含在其中。(實施方式1)在該實施方式中描述的是其中本發(fā)明的驅動方法應用于5-比特(即5位)顯示 (32個灰度級)以及應用于6-比特(即6位)顯示(64個灰度級)的示例。在該實施方式的驅動方法的示例中，依照傳統(tǒng)時間灰度法，與屬于第一比特組的 比特相對應的子幀被分成為四份，與屬于第二比特組的比特相對應的子幀被分成為兩份， 而與屬于第三比特組的比特相對應的子幀未被分割。之后，一個幀被分成為兩個子幀組即， 前半個和后半個，并且屬于第一比特組的被分開的比特中每兩個被布置在每個子幀組中。 屬于第二比特組的被分開的比特中的一個被布置在每個子幀組中，以及屬于第三比特組的 比特被布置在一個或這兩個子幀組中。此時，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀以及 與屬于第二比特組的比特相對應的子幀的出現(xiàn)順序在兩個子幀組之間大致相同。應該注意 的是，可認為屬于第三比特組的比特未被分開或者它們一度被分成為兩份之后結合成一個 子幀。應該注意的是，重疊時間灰度法適用于與屬于第一比特組和第二比特組的比特相對 應的子幀之中其發(fā)光期間在每個子幀組中相等的子幀。也就是說，當灰度級增加時用于發(fā) 光的子幀的數(shù)量增加。首先，考慮的是5-比特(即5位)顯示(32個灰度級)的情況。首先將描述在每 個灰度級下子幀的選擇方法，即，在每個灰度級下每個子幀是否用于發(fā)光。這里，圖1示出 了在用5比特表示灰度等級的情況中根據(jù)本發(fā)明的子幀選擇方法的示例。在圖1中，依照 傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，假定一個比特被分派給第一比特組、兩個比特被分派給第二比特 組、并且兩個比特被分派給第三比特組，SF5被分派給屬于第一比特組的比特、SF3和SF4 被分派給屬于第二比特組的比特、以及SFl和SF2被分派給屬于第三比特組的比特。之后， SF5被等分為4個、SF3和SF4分別被等分為2個、以及SFl和SF2未被分割。接著，屬于第 一比特組的四個被分開的比特中每兩個被布置在每個子幀組中、屬于第二比特組的兩個被 分開的比特中的一個被布置在每個子幀組中，以及屬于第三比特組的比特分別被布置在子 幀組中。也就是說，屬于第一比特組的比特被布置在圖1中的SF4、SF5、SF9和SFlO中、屬 于第二比特組的比特被布置在圖1中的SF2、SF3、SF7和SF8中、以及屬于第三比特組的比特被布置在圖1中的SFl和SF6中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?0個并且子幀的發(fā)光期間的相 應長度為 SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 4、SF4 = 4、SF5 = 4、SF6 = 2、SF7 = 2、SF8 = 4、SF9 =4、以及SFlO = 4。這里，由于SF3到SF5和SF8到SFlO的發(fā)光期間的相應長度都為4， 因此重疊時間灰度法適用于SF3到SF5和SF8到SFlO。通過以這種方式分割每個子幀，可將子幀的數(shù)量保持為與傳統(tǒng)雙倍幀速法中相同 的數(shù)量。因此，幀頻可與傳統(tǒng)雙倍幀速法中的相同，所述幀頻可實質上被加倍。接下來描述的是表示灰度級的方法即，每個子幀的選擇方法的示例。具體地，關于 其發(fā)光期間的長度相等的子幀，在子幀的選擇中最好存在以下規(guī)律性。首先，將描述應用重疊時間灰度法適用于其上的子幀的示例。關于布置在前面子 幀組中的SF3到SF5和布置在后面子幀組中的SF8到SF10，SF3和SF8、SF4和SF9、以及SF5 和SFlO分別同時發(fā)光以使得當灰度級增加時執(zhí)行發(fā)光的子幀的數(shù)量也增加。也就是說，在 前面的子幀組中，當灰度級增加時SF3、SF4、和SF5被相繼增加以便發(fā)光。相似地，在后面 的子幀組中，當灰度級增加時SF8、SF9、和SFlO被相繼增加地發(fā)光。因此，與相同比特相對 應的子幀(SF3和SF8、SF4和SF9、以及SF5和SF10)同時發(fā)光。因此，在灰度級為8或更 大的情況下SF3和SF8保持發(fā)光、在灰度級為16或更大的情況下SF4和SF9保持發(fā)光、在 灰度級為24或更大的情況下SF5和SFlO保持發(fā)光。也就是說，在小灰度級下發(fā)光的子幀 在大灰度級下也發(fā)光。接下來，將描述重疊時間灰度法不適用其上的子幀。關于重疊時間灰度法不適用 其上的SF1、SF2、SF6、和SF7，選擇每個子幀是否發(fā)光以表示灰度級。應該注意的是，在每 個發(fā)光期間的長度都為2的SF2、SF6、和SF7之中，SF2和SF7同時發(fā)光。這是由于SF2和 SF7是通過將其發(fā)光期間為4的子幀分成為兩份而形成的。然而，同時發(fā)光的子幀不局限于 它們；例如，SF2和SF6也可同時發(fā)光。因此，例如，在表示灰度級2的情況中，在每個發(fā)光期間的長度都為2的SF2、SF6、 和SF7之中，SF6發(fā)光。在表示灰度級4的情況中，在每個發(fā)光期間的長度都為2的SF2、 SF6、和SF7之中，同時執(zhí)行發(fā)光的SF2和SF7發(fā)光。在表示灰度級8的情況中，在每個發(fā)光 期間的長度都為4的SF3到SF5和SF8到SFlO之中，同時執(zhí)行發(fā)光的SF3和SF8發(fā)光。在 表示灰度級16的情況中，在每個發(fā)光期間的長度都為4的SF3到SF5和SF8到SFlO之中， SF3、SF4、SF8和SF9發(fā)光。在所要表示的灰度級更大的情況中，也相似地選擇發(fā)光/不發(fā) 光。依照本發(fā)明的驅動方法，可減少偽輪廓線。例如，假定在圖1中在像素A中表示灰 度級15而在像素B中表示灰度級16，在圖2A和2B中示出了每個子幀中的發(fā)光/不發(fā)光。這 里，如果視軸線移動的話，根據(jù)視軸線的軌跡，眼睛有時感覺到灰度級為15 ( = 4+4+4+2+1) 或16 ( = 4+2+2+4+4)。圖2A示出了這種情況。由于應該看到灰度級正常為15和16，因此 可準確地看到它們，由此減少了偽輪廓線。接著，圖2B示出了急劇地移動視軸線的情況。如果急劇地移動視軸線的話，根據(jù) 視軸線的軌跡，眼睛有時感覺到灰度級為15 ( = 4+2+4+4+1)或16( = 4+4+2+4+2)。圖2A 示出了這種情況。由于應該看到灰度級正常為15和16，因此可準確地看到它們，由此減少 了偽輪廓線。應該注意的是，盡管每個子幀的發(fā)光期間的長度(即，一個時期內發(fā)光的次數(shù)，即，加權量)為1、2或4，但是本發(fā)明不局限于此。另外，盡管被設定為SFl = 1、SF2 = 2、 SF3 = 4、SF4 = 4、SF5 = 4、SF6 = 2、SF7 = 2、SF8 = 4、SF9 = 4、以及 SFlO = 4，但是子 幀編號和發(fā)光期間長度之間的對應不局限于此。另外，每個子幀的選擇方法不局限于此。例如，在該實施方式中，在表示灰度級4 的情況中，在每個其發(fā)光期間的長度都為2的SF2、SF6、和SF7之中，同時執(zhí)行發(fā)光的SF2和 SF7發(fā)光；然而，SF2和SF6也可發(fā)光。另外，“與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀以及與屬于第二比特組的比 特相對應的多個子幀的出現(xiàn)順序大致相同”不僅包括正好相匹配的情況而且還包括與屬于 第三比特組的比特相對應的子幀被插在與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀和與 屬于第二比特組的比特相對應的多個子幀之間的情況。因此，即使與屬于第三比特組的比 特相對應的子幀的位置在前面的子幀組與后面的子幀組之間不同，與屬于第一比特組的比 特相對應的多個子幀以及與屬于第二比特組的比特相對應的多個子幀的出現(xiàn)順序也是相 同的。在圖51中示出了其一個示例。在圖51中，依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)分派給屬 于第三比特組的比特的SFl和SF2分別被布置在SF3和SF9中。應該注意的是，盡管在圖1中與屬于第三比特組的比特相對應的每個子幀被布置 在這兩個子幀組的每個中，但是本發(fā)明不局限于此，并且其兩個子幀也可被布置在這兩個 子幀組的一個中。例如，圖3中示出了其中屬于第三比特組的這兩個比特被布置在圖1中 的前面子幀組中的一個示例。在圖3中，依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，分派給屬于第三比 特組的比特的SFl和SF2被布置前面的子幀組中。也就是說，屬于第三比特組的比特分別 被布置在圖3中的SFl和SF2中。應該注意的是，發(fā)光期間的長度根據(jù)灰度級的總數(shù)量(比特位數(shù))、子幀的總數(shù)量 等任意改變。因此，即使發(fā)光期間的長度相等，如果灰度級的總數(shù)量(比特位數(shù))或子幀的 總數(shù)量改變的話，實際發(fā)光的期間長度(例如，μ s的尺寸)也可改變。應該注意的是，“發(fā)光期間”用于連續(xù)地發(fā)光的情況并且“發(fā)光次數(shù)”用于光線在一 定時期內保持閃爍的情況。應用發(fā)光次數(shù)的典型顯示器件為等離子體顯示器。應用發(fā)光期 間的典型顯示器件為有機EL顯示器。接下來，考慮的是6-比特顯示(64個灰度級)的情況。這里，圖4示出了在用6 比特表示灰度等級的情況中根據(jù)本發(fā)明的子幀選擇方法的示例。在圖4中，依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖45)，假定一個比特被分派給第一比特組、三 個比特被分派給第二比特組、以及兩個比特被分派給第三比特組，SF6被分派給屬于第一比 特組的比特、SF3、SF4和SF5被分派給屬于第二比特組的比特、以及SFl和SF2被分派給屬 于第三比特組的比特。之后，SF6被等分為4個、SF3、SF4和SF5分別被等分為2個、以及 SFl和SF2未被分割。接著，屬于第一比特組的四個被分開的比特中每兩個被布置在每個子 幀組中、屬于第二比特組的兩個被分開的比特中的一個被布置在每個子幀組中，以及屬于 第三比特組的比特分別被布置在子幀組中。也就是說，屬于第一比特組的比特被布置在圖 4中的SF5、SF6、SF11和SF12中、屬于第二比特組的比特被布置在圖4中的SF2、SF3、SF4、 SF8、SF9和SFlO中、以及屬于第三比特組的比特被布置在圖4中的SFl和SF7中。因此， 子幀的數(shù)量變?yōu)?2個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 4、SF4 =8、SF5 = 8、SF6 = 8、SF7 = 2、SF8 = 2、SF9 = 4、SFlO = 8、SFll = 8、以及 SF12 = 8。
13這里，由于SF4到SF6和SFlO到SF12的發(fā)光期間的相應長度都為8，因此重疊時間灰度法 適用于SF4到SF6和SFlO到SF12。與5-比特顯示的情況相似，依照本發(fā)明的驅動方法，可減少偽輪廓線。例如，假定 使用圖4中所示的子幀在像素A中表示灰度級31而在像素B中表示灰度級32，在圖5A和 5B中示出了每個子幀中的發(fā)光/不發(fā)光。這里，如果視軸線移動的話，根據(jù)視軸線的軌跡， 眼睛有時感覺到灰度級為31 ( = 8+8+8+4+2+1)或32 ( = 8+4+2+2+8+8)。圖5A示出了這 種情況。由于應該看到灰度級正常為31和32，因此可準確地看到它們，由此減少了偽輪廓 線。接著，圖5B示出了急劇地移動視軸線的情況。如果急劇地移動視軸線的話，根據(jù) 視軸線的軌跡，眼睛有時感覺到灰度級為27 ( = 8+4+2+8+4+1)或36 ( = 8+8+2+8+8+2)。然 而灰度級之間的間隙小于(圖46中)雙倍速度幀法中的情況，因此減少了偽輪廓線。應該注意的是，與5-比特顯示的情況相似，盡管每個子幀的發(fā)光期間的長度(或， 一個時期內的發(fā)光次數(shù)，即，加權量)為1、2、4和8，但是本發(fā)明不局限于此。另外，盡管被 設定為 SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 4、SF4 = 8、SF5 = 8、SF6 = 8、SF7 = 2、SF8 = 2、SF9 = 4,SFlO = 8,SFll = 8、以及SF12 = 8，但是子幀編號和發(fā)光期間長度之間的對應不局限于 此。另外，子幀的選擇方法不局限于此。應該注意的是，在該實施方式中，分派給每個比特組的比特的數(shù)量不局限于以上 所述的示例。然而，最好分別分派給第一比特組和第二比特組至少一個比特。例如，圖6示出了其中在5-比特顯示的情況中，一個比特被分派給第一比特組、三 個比特被分派給第二比特組、以及一個比特被分派給第三比特組的一個示例。依照傳統(tǒng)時 間灰度法(圖43)，SF5被分派給屬于第一比特組的比特、SF2到SF4被分派給屬于第二比 特組的比特、以及SFl被分派給屬于第三比特組的比特。之后，SF5被分成為4份、SF2到 SF4分別被分成為2份、以及SFl未被分割。接著，屬于第一比特組的四個被分開的比特中 每兩個被布置在每個子幀組中、屬于第二比特組的兩個被分開的比特中的一個被布置在每 個子幀組中，以及屬于第三比特組的比特被布置在子幀組中的一個中。也就是說，屬于第一 比特組的比特被布置在圖6中的SF5、SF6、SFlO和SFll中、屬于第二比特組的比特被布置 在圖6中的SF2到SF4和SF7到SF9中、以及屬于第三比特組的比特被布置在圖6中的SFl 中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?1個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 1、SF3 =2、SF4 = 4、SF5 = 4、SF6 = 4、SF7 = 1、SF8 = 2、SF9 = 4、SFlO = 4、以及 SFll = 4。 這里，由于SF4到SF6和SF9到SFll的發(fā)光期間的相應長度都為4，因此重疊時間灰度法適 用于SF4到SF6和SF9到SFl 1。另外，例如，圖7示出了其中在5-比特顯示的情況中，兩個比特被分派給第一比特 組、一個比特被分派給第二比特組、以及兩個比特被分派給第三比特組的一個示例。依照傳 統(tǒng)時間灰度法(圖43)，SF4和SF5被分派給屬于第一比特組的比特、SF3被分派給屬于第 二比特組的比特、以及SFl和SF2被分派給屬于第三比特組的比特。之后，SF4和SF5分別 被分成為4份、SF3被分成為2份、以及SFl和SF2未被分割。接著，屬于第一比特組的四 個被分開的比特中每兩個被布置在每個子幀組中、屬于第二比特組的兩個被分開的比特中 的一個被布置在每個子幀組中，以及屬于第三比特組的比特被分別布置在子幀組中。也就 是說，屬于第一比特組的比特被布置在圖7中的SF3到SF6、和SF9到SF12中、屬于第二比特組的比特被布置在圖7中的SF2和SF8中、以及屬于第三比特組的比特被布置在圖7中 的SFl和SF7中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?2個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 2、SF4 = 2、SF5 = 4、SF6 = 4、SF7 = 2、SF8 = 2、SF9 = 2、SFlO = 2、 SFll = 4、以及SF12 = 4。這里，由于SF2到SF4和SF8到SFlO的發(fā)光期間的相應長度都 為2，因此重疊時間灰度法適用于SF2到SF4和SF8到SF10。另外，例如，圖8示出了其中在5-比特顯示的情況中，一個比特被分派給第一比特 組、四個比特被分派給第二比特組、以及零比特被分派給第三比特組的一個示例。依照傳 統(tǒng)時間灰度法(圖43)，SF5被分派給屬于第一比特組的比特、以及其它的SFl到SF4被分 派給屬于第二比特組的比特。之后，SF5被分成為4份、其它的SFl到SF4分別被分成為2 份。接著，屬于第一比特組的四個被分開的比特中每兩個被布置在每個子幀組中、屬于第二 比特組的兩個被分開的比特中的一個被布置在每個子幀組中。也就是說，屬于第一比特組 的比特被布置在圖8中的SF5、SF6、SF11和SF12中、以及屬于第二比特組的比特被布置在 圖8中的SFl到SF4和SF7到SFlO中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?2個并且子幀的發(fā)光期間 的相應長度為 SFl = 0. 5、SF2 = 1、SF3 = 2、SF4 = 4、SF5 = 4、SF6 = 4、SF7 = 0. 5、SF8 =1、SF9 = 2,SFlO = 4,SFll = 4、以及 SF12 = 4。這里，由于 SF4 到 SF6 和 SFlO 到 SF12 的發(fā)光期間的相應長度都為4，因此重疊時間灰度法適用于SF4到SF6和SFlO到SF12。應該注意的是，圖8的情況似乎是如圖6中屬于第三比特組的比特被分成分別布 置在前一個比特組和后一個比特組中。結果，對于屬于第三比特組的比特而言，其幀頻似乎 實質性地增大。因此，可欺騙人眼以以便可減少偽輪廓線。應該注意的是，盡管在該實施方式中最高位比特(最大加權比特)被選擇為屬于 第一比特組的比特，但是屬于第一比特組的比特不局限于此，并且任何比特都可被選擇為 屬于第一比特組的比特。相似地，任何比特都可被選擇為屬于第二比特組或第三比特組的 比特。例如，圖9示出了其中在5-比特顯示的情況中，第二最高位比特被選擇為屬于第 一比特組的比特的示例。依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，假定一個比特被分派給第一比特 組、兩個比特被分派給第二比特組、以及兩個比特被分派給第三比特組，與第二最高位比特 對應的SF4被分派給屬于第一比特組的比特、SF3和SF5被分派給屬于第二比特組的比特、 以及SFl和SF2被分派給屬于第三比特組的比特。之后，SF4被分成為4份、SF3和SF5分 別被分成為2份、以及SFl和SF2未被分割。接著，屬于第一比特組的四個被分開的比特中 每兩個被布置在每個子幀組中、屬于第二比特組的兩個被分開的比特中的一個被布置在每 個子幀組中、以及屬于第三比特組的比特分別被布置在子幀組中。也就是說，屬于第一比特 組的比特被布置在圖9中的SF3、SF4、SF8和SF9中、屬于第二比特組的比特被布置在圖9 中的SF2、SF5和SF7到SFlO中、以及屬于第三比特組的比特被布置在圖9中的SFl和SF6 中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?0個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 2、SF3 =2、SF4 = 2、SF5 = 8、SF6 = 2、SF7 = 2、SF8 = 2、SF9 = 2、以及 SFlO = 8。這里，由于 SF2到SF4和SF7到SF9的發(fā)光期間的相應長度都為2，因此重疊時間灰度法適用于SF2到 SF4 禾口 SF7 至Ij SF9。應該注意的是，如圖9中所示的示例中，與被分成為與子幀組的數(shù)量相同數(shù)量的 最高位比特相對應的子幀屬于第二比特組。
應該注意的是，盡管該實施方式中所述的是其中與屬于第一比特組的比特相對應 的子幀被分成為4份的示例，但是與屬于第一比特組的比特相對應的子幀的分割數(shù)量不局 限于此，只要其大于子幀組的數(shù)量就可以。也就是說，在子幀組的數(shù)量為兩個的情況下，分 割數(shù)量為3個或更多。例如，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀可被分成為3份并且 被布置成使得兩個子幀和一個子幀分別被包含在這兩個子幀組中。應該注意的是，與屬于 第一比特組的比特相對應的子幀最好被分成為子幀組數(shù)量的倍數(shù)；也就是說，當子幀組的 數(shù)量為兩個時，子幀最好被分成為(2Xm)份(這里，m為滿足的整數(shù))。這是由于與 屬于第一比特組的比特相對應的分開的比特可被均勻地布置在子幀組中，從而可避免出現(xiàn) 閃爍或偽輪廓線。例如，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀可被分成為6份。然而，本 發(fā)明不局限于此。應該注意的是，在本實施方式中，盡管與屬于第一比特組的比特相對應的所有子 幀分別被分成為4份，但是與屬于第一比特組的比特相對應的所有子幀的分割數(shù)量可不 同。在第一比特組中分開的數(shù)量可不同。例如，圖10中示出的是這樣一個示例，其中依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，與圖7 的情況相似，SF4和SF5被分派給屬于第一比特組的比特、SF3被分派給屬于第二比特組的 比特、以及SFl和SF2被分派給屬于第三比特組的比特，之后，SF4被分成為4個而SF5被 分成為6個，它們被分派給屬于第一比特組的比特。首先，SF4被分成為4個并且SF5被分 成為6個，它們被分派給屬于第一比特組的比特。接著，屬于第一比特組的六個被分開的比 特中每三個被布置在每個子幀組中、以及屬于第一比特組的四個被分開的比特中每兩個被 布置在每個子幀組中。也就是說，屬于第一比特組的六個被分開的比特被布置在圖10中 的SF5到SF7和SF12到SF14中，屬于第一比特組的四個被分開的比特被布置在圖10中的 SF3、SF4、SF10和SFll中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?4個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為 SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 2、SF4 = 2、SF5 = 8/3、SF6 = 8/3、SF7 = 8/3、SF8 = 2、SF9 = 2、SFlO = 2、SFll = 2、SF12 = 8/3、SF13 = 8/3 以及 SF14 = 8/3。這里，由于 SF2 到 SF4 和SF9到SFll的發(fā)光期間的相應長度都為2，因此重疊時間灰度法適用于SF2到SF4和SF9 到 SFl1。應該注意的是，在本實施方式中，盡管相對于傳統(tǒng)時間灰度法與屬于第一比特組 的比特相對應的子幀被等分為4個并且與屬于第二比特組的比特相對應的子幀被等分為2 個，但是子幀的分割寬度不局限于此。子幀也不必被等分。例如，在5-比特顯示的情況中，依照傳統(tǒng)時間灰度法，與屬于第二比特組的比特 相對應的子幀(SF4)可被分成為使得其發(fā)光期間(長度為8)被分成為2份和6份，在圖11 中示出了其一個示例。在圖11中，分派給屬于第二比特組的比特的SF4被分成為發(fā)光期間 為2和發(fā)光期間為6，并且其發(fā)光期間為2的分割的子幀被布置在SF3中，其發(fā)光期間為6 的分割的子幀被布置在SF8中。這里，由于圖11中SF2和SF3的發(fā)光期間的相應長度都為 2，因此重疊時間灰度法適用于SF2和SF3。應該注意的是，在本實施方式中，與屬于第一比特組的比特相對應的以及與屬于 第二比特組的比特相對應的子幀的出現(xiàn)順序在這兩個子幀組之間是相同的。然而，本發(fā)明 不局限于在出現(xiàn)順序上正好相配的情況，并且在這兩個子幀組之間，子幀的順序可以不同。 例如，在圖1的情況中，SF8和SF9可相互改變，也就是說，可存在這樣一種布置，S卩，SFU
16SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF9、SF8 和 SFlO0應該注意的是，上文中描述的有關于被分派給每個比特組的比特數(shù)量(即比特位 數(shù))、被選擇為屬于每個比特組的比特、屬于第一比特組的比特的分開數(shù)量、子幀的分割寬 度、以及子幀的出現(xiàn)順序的描述可組合使用。例如，圖12A和12B中所示的是這樣的示例，其中在5_比特顯示的情況中，兩個比 特被分派給第一比特組、一個比特被分派給第二比特組、以及兩個比特被分派給第三比特 組的一個示例，并且依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，屬于第一比特組的比特之一在分割寬度 方面改變。依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，SF4和SF5被分派給屬于第一比特組的比特、SF3 被分派給屬于第二比特組的比特、以及SFl和SF2被分派給屬于第三比特組的比特。之后， SF4和SF5分別被分成為4份。此時，SF4的發(fā)光期間(長度為8)被等分為2、2、2和2而 SF5的發(fā)光期間(長度為16)被分成為2、6、2和6。另外，SF3被分成為兩個，而SFl和SF2 未被分割。接著，屬于第一比特組的四個分開的比特中每兩個被布置在這兩個子幀組的每 個中、屬于第二比特組的兩個分開的比特中每個被布置在這兩個子幀組的每個中、以及屬 于第三比特組的比特分別被布置在這兩個子幀組中。也就是說，在屬于第一比特組的比特 之中，SF4被分開以便于布置在圖12A和12B的SF3、SF4、SF9和SFlO中，并且SF5被分成 為2、2、6和6的發(fā)光期間以便于分別被布置在圖12A禾口 12B中的SF5、SFlU SF6和SF12 中。另外，屬于第二比特組的比特分別被布置在圖12A和12B中的SF2和SF8中，屬于第三 比特組的比特分別被布置在圖12A和12B中的SFl和SF7中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?2個 并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 2、SF4 = 2、SF5 = 2、SF6 = 6、SF7 = 2、SF8 = 2、SF9 = 2、SFlO = 2、SFll = 2、以及 SF12 = 6。這里，將對重疊時間灰度法適用于其上的子幀進行描述。由于圖12A和12B中SF2 到SF5和SF8到SFll的發(fā)光期間的相應長度都為2，因此重疊時間灰度法適用于這些子幀。 同時，重疊時間灰度法不必適用于其發(fā)光期間相同的所有子幀。例如，重疊時間灰度法可適 用于圖12A中所示的SF2到SF4和SF8到SF10，或者重疊時間灰度法可適用于圖12B中所 示的SF2到SF5和SF8到SFl 1。應該注意的是，在本實施方式中，重疊時間灰度法適用于在與屬于第一比特組和 第二比特組的比特相對應的子幀之中，在每個子幀組中其發(fā)光期間相等的子幀；然而，重疊 時間灰度法所適用的子幀不局限于其發(fā)光期間相等的子幀。重疊時間灰度法也可適用于其 發(fā)光期間不同的子幀。例如，圖52中所示的是其中屬于第一比特組的比特改變圖1所示情況中的分割寬 度的示例。在圖52中，依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)，與屬于第一比特組的比特相對應的 SF5被分開以使得其發(fā)光期間(長度為16)被分成為3、5、3、和5，并且其發(fā)光期間分別為3 的比特被布置在圖52中的SF4和SF9中，而其發(fā)光期間分別為5的比特被布置在圖52中 的SF5和SFlO中。因此，子幀的數(shù)量變?yōu)?0個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 2、SF3 = 4、SF4 = 3、SF5 = 5、SF6 = 2、SF7 = 2、SF8 = 4、SF9 = 3、以及 SFlO =5。這里，盡管圖52中SF3和SF4之間以及SF8和SF9之間的各個發(fā)光期間是彼此不同 的，但是重疊時間灰度法也適用于SF3和SF4以及SF8和SF9。上文中所述的是使用本發(fā)明的驅動方法用5比特或6比特表示灰度等級的情況。 以相似的方式，本發(fā)明可用于各種數(shù)量比特的情況。例如，在用η(這里η為自然數(shù))比特表示灰度等級的情況中，依照傳統(tǒng)時間灰度法，子幀的總數(shù)為η。另外，與最高位比特相對應的 子幀的發(fā)光期間的長度為211-1。另一方面，相對于傳統(tǒng)時間灰度法，假定將被分成為L份(這 里L為滿足L彡3的整數(shù))的屬于第一比特組的比特的數(shù)量為a (這里a為滿足0 < a < η 的整數(shù))、將被分成為2份的屬于第二比特組的比特的數(shù)量為b (這里b為滿足0 < b < η的 整數(shù))，并且將不被分開的屬于第三比特組的比特的數(shù)量為c (這里c為滿足0 < c < η并且 a+b+c = η的整數(shù))，依照本發(fā)明的驅動方法，子幀的總數(shù)至少變?yōu)?LXa+2Xb+c)。另外， 在最高位比特被選擇為屬于第一比特組的比特并且與該比特相對應的子幀被等分為L個 的情況中，在分割之后與該比特相對應的每個子幀的發(fā)光期間的長度為(2n_7L)。例如，在 圖1的情況中，由于η = 5、L = 4、a = l、b = 2以及c = 2，子幀的總數(shù)量為(4X1+2X2+2 =)10并且在分割之后與屬于第一比特組的比特相對應的子幀的每個發(fā)光期間的長度為 (25_i/4 = )4。相似地，在圖4的情況中，由于η = 6、L = 4、a = l、b = 3以及c = 2，子幀 的總數(shù)量為(4X1+2X3+2 = ) 12并且在分割之后與屬于第一比特組的比特相對應的子幀 的每個發(fā)光期間的長度為(26_74 = )8。另外，在圖7的情況中，由于11 = 5丄=4、3 = 2、 b = 1以及c = 2，子幀的總數(shù)量為(4X2+2X1+2 = ) 12并且在分割之后與屬于第一比特 組的比特之中的最高位比特相對應的子幀的每個發(fā)光期間的長度為(25_74 = )4。如上所述的，通過使用本發(fā)明的驅動方法，在不用增加子幀的數(shù)量的情況下可實 現(xiàn)減少偽輪廓線、增加顯示的灰度級的數(shù)量等。應該注意的是，可能存在多種表示某一灰度級的子幀選擇方法。因此，某一灰度級 下子幀的選擇方法可依時間或地點而改變。也就是說，子幀的選擇方法可根據(jù)時間而改變 或者可根據(jù)像素而改變。另外，子幀的選擇方法可根據(jù)時間和像素兩者而改變。例如，為了表示某一灰度級，子幀的選擇方法可根據(jù)幀編號是奇數(shù)編號或是偶數(shù) 編號而改變。這里，圖13A和13B中示出了 5-比特顯示的情況的一個實施例。例如，在奇 數(shù)號幀中可通過圖13A中所示的子幀的選擇方法表示灰度等級而在偶數(shù)號幀中可通過圖 13B中所示的子幀的選擇方法表示灰度等級。圖13A和13B在用于表示灰度級16和23的 子幀的選擇方法上不同。另外，在5-比特顯示的情況中在灰度級16和23下易于出現(xiàn)偽輪 廓線。因此，通過在奇數(shù)號幀和偶數(shù)號幀之間改變易于出現(xiàn)偽輪廓線的灰度級下的子幀選 擇方法可減少偽輪廓線。應該注意的是，在圖13A和13B中改變了易于出現(xiàn)偽輪廓線的灰度級下的子幀的 選擇方法；然而，也可在任意灰度級下改變子幀的選擇方法。另外，14A和14B中示出了另一個實施例。在奇數(shù)號幀中可通過圖14A中所示的子 幀的選擇方法表示灰度等級而在偶數(shù)號幀中可通過圖14B中所示的子幀的選擇方法表示 灰度等級。圖14A和14B在SF3和SF8的發(fā)光期間的長度上不同，并且子幀的選擇方法不 同。另外，為了表示某一灰度級，子幀的選擇方法也可根據(jù)像素的行號是奇數(shù)還是偶 數(shù)而改變?；蛘?，為了表示某一灰度級，子幀的選擇方法也可根據(jù)像素的列號是奇數(shù)還是偶 數(shù)而改變。應該注意的是，另一種灰度顯示方法可與本發(fā)明的驅動方法組合使用。區(qū)域灰度 法是通過將一個像素分成為多個子像素并且改變發(fā)光區(qū)域而表示灰度等級的方法。因此， 可進一步減少偽輪廓線。
上文中的描述是針對當灰度級增加時發(fā)光期間以線性比例增加的情況作出的。因 此，在本實施方式中將描述執(zhí)行gamma校正的情況。執(zhí)行gamma (伽馬)校正以使得當灰度 級增加時發(fā)光期間以非線性的方式增加。甚至當亮度(輝度)以線性比例增加時，人眼也 不能感覺到亮度以線性比例增加。當亮度(輝度)增加時，人眼不易于感覺到亮度的差異。 因此，為了由人眼感覺到亮度的差異，當灰度級增加時需要增加發(fā)光期間，也就是說，執(zhí)行 gamma校正。應該注意的是，當灰度級為χ并且亮度(輝度)為y時，由以下公式(1)表示 具有gamma校正的灰度級和亮度之間的關系。[公式1]y = Axy......(1)注意，A為恒量以使得亮度(輝度)y歸一化為1。這里，作為灰度級χ的 指數(shù)的Y是用于表示gamma校正的程度的參數(shù)。作為用于執(zhí)行gamma校正的最簡單的方法，存在這樣一種方法，其中用比實際顯 示的比特數(shù)量(灰度級)更多的比特數(shù)量(灰度級)執(zhí)行顯示。例如，在6比特(64個灰 度級)顯示的情況中，實際上將顯示8比特(256個灰度級)。這樣，在實際執(zhí)行顯示時，用 6比特(64個灰度級)執(zhí)行顯示，以使得灰度級的亮度變?yōu)榉蔷€性的。因此，可實現(xiàn)gamma 校正。作為示例，圖15中示出了將以6比特進行顯示和通過執(zhí)行gamma校正以5比特進 行顯示的情況中子幀的選擇方法。圖15示出了通過執(zhí)行gamma校正以使得在所有灰度級 下滿足Y = 2. 2而以5比特進行顯示情況下的子幀的選擇方法。應該注意的是，Y =2.2 是補償人類大部分視覺感測特征的數(shù)值，甚至當亮度較高時，也可感覺到最合適的亮度差 異。在圖15中，一直到具有5比特gamma校正的灰度級3，實際通過具有6比特的灰度級0 處的子幀的選擇方法進行顯示。相似地，在具有5比特gamma校正的灰度級4，實際通過具 有6比特的灰度級1處的子幀的選擇方法進行顯示，而在具有5比特gamma校正的灰度級 6，實際通過具有6比特的灰度級2處的子幀的選擇方法進行顯示。圖16A和16B是灰度級 χ和亮度y的圖表。圖16A示出了所有灰度級下灰度級χ和亮度y之間的關系，圖16B是示 出了較低灰度級下灰度級χ和亮度y的圖表。因此可根據(jù)其中具有5比特gamma校正的灰 度級與具有6比特的灰度級相對應的圖表進行顯示。以這種方式，可實現(xiàn)gamma校正以滿 足 Y = 2. 2。然而，如圖16B中所示的，灰度級0到3、灰度級4和5、以及灰度級6和7分別可 通過圖15的示例中的相同的亮度進行顯示。這是由于在6-比特顯示的情況中，由于灰度 級數(shù)量不足因此不能表示出亮度差異。至于其解決辦法，存在以下兩種方法。第一種方法是增加能夠被顯示的比特的數(shù)量。并非用6比特，而是用7或7以上 比特進行顯示，最好是用8或8以上比特進行顯示。因此，甚至在低灰度級的區(qū)域(其亮度 較低的區(qū)域)也可執(zhí)行平滑的顯示。第二種方法是，盡管在低灰度級的區(qū)域下不滿足Y = 2. 2的關系，但是通過線性 地改變亮度平滑地顯示的方法。在圖17中示出了這種情況中的子幀的選擇方法。在圖17 中，直至具有5比特的灰度級17，子幀的選擇方法與具有6比特的相同。然而，在具有5比 特gamma校正的灰度級18，實際通過在具有6比特的灰度級19處子幀的選擇方法執(zhí)行發(fā) 光。相似地，在具有5比特gamma校正的灰度級19處，實際通過具有6比特的灰度級21處
19的子幀的選擇方法執(zhí)行發(fā)光，而在具有5比特gamma校正的灰度級20，實際在通過具有6 比特的灰度級24處的子幀的選擇方法執(zhí)行發(fā)光。圖18A和18B是灰度級χ和亮度y的示 意圖。圖18A示出了所有灰度級下灰度級χ和亮度y之間的關系，圖18B是示出了較低灰 度級下灰度級χ和亮度y的圖表。在低灰度級的區(qū)域處，亮度線性地改變。通過如此執(zhí)行 gamma校正，可更平滑地顯示較低灰度級。也就是說，在低灰度級區(qū)域中亮度線性地成比例改變，而在其它灰度級的其它區(qū) 域中，亮度非線性地改變，從而可更平滑地顯示較低灰度級的區(qū)域。應該注意的是，可通過延長每個子幀的發(fā)光期間執(zhí)行gamma校正。例如，圖53示 出了在通過延長應用重疊時間灰度法的子幀的發(fā)光期間而執(zhí)行gamma校正的情況中子幀 的選擇方法。在圖53中，在應用重疊時間灰度法的SF4到SF6和SFlO到SF12中發(fā)光期間 增加2。圖54是這種情況下灰度級χ和亮度y的圖表。也可通過這樣一種方法執(zhí)行gamma 校正。應該注意的是，在較低灰度級的區(qū)域中亮度可線性或非線性地改變。應該注意的是，具有5比特gamma校正的灰度級與具有6比特灰度級之間的對應 表可任意改變。因此，通過改變對應表，可容易地改變gamma校正的程度(即，Y值)。因 此，本發(fā)明不局限于Y =2.2。另外，設定了將顯示的比特的數(shù)量(例如，ρ比特，這里ρ為整數(shù))，并且通過多少 比特(例如，q比特，這里q為整數(shù))執(zhí)行gamma校正顯示不局限于以上所述的。在其中已 執(zhí)行了 gamma校正以后執(zhí)行顯示的情況中，比特的數(shù)量ρ最好盡可能地大以便于平滑地表 示灰度等級。然而，如果比特的數(shù)量太大的話，也存在不利作用，即，子幀的數(shù)量變大了。因 此，比特的數(shù)量q和比特的數(shù)量P最好滿足q+2 < ρ < q+5。因此，可實現(xiàn)在平滑地表示灰 度等級的同時子幀的數(shù)量不會增加太多。在上文中，描述了表示灰度等級的方法，S卩，子幀的選擇方法。接下來，將描述子幀 的出現(xiàn)順序。盡管這里使用5-比特顯示(圖1)的情況作為示例，但是本發(fā)明不局限于此 并且可相似地適于其它附圖。首先，最基本的一個幀是由SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8、SF9 和 SFlO 按 以上順序構成。依照子幀的這種布置，在每個子幀組中，最先布置其發(fā)光期間最短的子幀， 之后按增加發(fā)光期間的順序布置不應用重疊時間灰度法的子幀，然后按發(fā)光順序布置應用 重疊時間灰度法的子幀。圖1對應于子幀的該出現(xiàn)順序。與之相反，一個幀也可由SF10、SF9、SF8、SF7、SF6、SF5、SF4、SF3、SF2 和 SFl 按以 上順序構成。依照子幀的這種布置，最先布置其發(fā)光期間最長的子幀，之后按發(fā)光的相反順 序布置應用重疊時間灰度法的子幀，然后按減少發(fā)光期間的順序布置不應用重疊時間灰度 法的子幀。應該注意的是，適用重疊時間灰度法的子幀可按發(fā)光的順序(例如SF3、SF4和SF5 的順序和SF8、SF9和SFlO的順序)或發(fā)光的相反順序(例如SF5、SF4和SF3的順序和 SF10、SF9和SF8的順序)被布置?；蛘?，子幀可從中間子幀(例如SF4、SF3和SF5的順序 和SF9、SF8和SFlO的順序)處逐漸發(fā)光。例如，圖19A和19B示出了其中在5-比特顯示的情況中按SF1、SF2、SF4、SF3、SF5、 SF6、SF7、SF9、SF8和SFlO的順序布置子幀的情況。這里，假定在像素A中表示灰度級15 而在像素B中表示灰度級16。這里，如果視軸線移動的話，根據(jù)視軸線的軌跡，眼睛有時感覺到灰度級為15 ( = 4+4+4+2+1)或16( = 4+2+2+4+4)。圖19A示出了這種情況。由于應 該看到灰度級正常為15和16，因此可準確地看到它們，由此減少了偽輪廓線。接著，圖19B示出了急劇地移動視軸線的情況。如果急劇地移動視軸線的話，根據(jù) 視軸線的軌跡，眼睛有時感覺到灰度級為15 ( = 4+4+2+4+1)或16( = 4+2+4+4+2)。由于應 該看到灰度級正常為15和16，因此可準確地看到它們，由此減少了偽輪廓線。如上所述的，通過將適用重疊時間灰度法的子幀布置得從中間子幀處逐漸發(fā)光可 減少偽輪廓線。另外，在從第一幀改變?yōu)榈诙瑫r可減少偽輪廓線的出現(xiàn)。也就是說，可減 少運動圖像偽輪廓線。接下來描述的是與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀被插在與 屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間的情況。例如，存在SFl、SF3、SF4、SF2、SF5、SF6、 SF8、SF9、SF7和SFlO這樣一種順序，其中與屬于第二比特組的比特相對應的SF2被插在與 屬于第一比特組的比特相對應的SF4和SF5之間，與屬于第二比特組的比特相對應的SF7 被插在與屬于第一比特組的比特相對應的SF9和SFlO之間。應該注意的是，用于插入與屬 于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀的位置不局限于此。另外，被插入的子幀 的數(shù)量不局限于此。應該注意的是，通過在與屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間插入與屬于第 二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀，可欺騙人眼以使得偽輪廓線看起來是減少 了。應該注意的是，在與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀被插在與 屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間的情況中，通過插入其發(fā)光期間最接近于與屬于 第一比特組的比特相對應的子幀的發(fā)光期間的子幀可進一步減少偽輪廓線。例如，通過將 其發(fā)光期間最接近于與屬于第一比特組的比特相對應的子幀的發(fā)光期間的子幀(總發(fā)光 期間為 8 :SF3 和 SF8)插在 SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8、SF9 和 SFlO 的最基本結 構中與屬于第一比特組的比特相對應的子幀(總發(fā)光期間為16 :SF4、SF5、SF9、和SF10)之 間，可如圖19A和19B中所示的那樣減少偽輪廓線。接下來描述的是與屬于第一比特組相對應的子幀之一和與屬于第二比特組或第 三比特組的比特相對應的子幀之一可相互交換的情況。例如，存在SFl、SF4、SF3、SF2、SF5、 SF6、SF9、SF8、SF7和SFlO這樣一種順序，其中與屬于第一比特組的比特相對應的SF4和與 屬于第二比特組的比特相對應的SF2相互交換，與屬于第一比特組的比特相對應的SF9和 與屬于第二比特組的比特相對應的SF7相互交換。應該注意的是，用于交換子幀的位置不 局限于此。另外，所交換的子幀的數(shù)量不局限于此。以這種方式，通過相互交換與屬于第一比特組的比特相對應的子幀的順序和與屬 于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀的順序，可欺騙人眼以使得偽輪廓線看起 來是減少了。這里，圖20A和20B示出了其中在5-比特顯示的情況中按SFl、SF4、SF3、SF2、SF5、 SF6、SF9、SF8、SF7和SFlO的順序布置子幀的情況。這里，假定在像素A中表示灰度級15 而在像素B中表示灰度級16。這里，如果視軸線移動的話，根據(jù)視軸線的軌跡，眼睛有時感 覺到灰度級為15 ( = 4+4+2+4+1)或16( = 2+4+2+4+4)。圖20A示出了這種情況。由于應 該看到灰度級正常為15和16，因此可準確地看到它們，由此減少了偽輪廓線。
接著，圖20B示出了急劇地移動視軸線的情況。如果急劇地移動視軸線的話，根據(jù) 視軸線的軌跡，眼睛有時感覺到灰度級為15 ( = 2+4+4+4+1)或16( = 4+4+2+2+4)。由于應 該看到灰度級正常為15和16，因此可準確地看到它們，由此減少了偽輪廓線。以這種方式，在與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀被插在與屬 于第一比特組的比特相對應的子幀之間的情況中，或者，在與屬于第一比特組的比特相對 應的子幀的順序和與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀的順序交換的情 況中，可首先確定與屬于第一比特組的比特相對應的子幀的順序，并且將與屬于第二比特 組或第三比特組的比特相對應的子幀插在它們之間，從而確定所有子幀的出現(xiàn)順序。在這種情況下，在每個子幀組中，可按增加發(fā)光期間的順序或按其相反順序布置 與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀?；蛘?，可將子幀布置得從中間子幀 處逐漸發(fā)光?；蛘?，可全部按隨機的順序布置他們。因此，可欺騙人眼以使得偽輪廓線看起 來是減少了。應該注意的是，在將與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀插在與 屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間的情況下，插入的子幀的數(shù)量沒有限制。另外，可首先確定與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀的順序， 并且將與屬于第一比特組的比特相對應的子幀插在它們之間，從而確定子幀的出現(xiàn)順序。以這種方式，通過將與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的子幀插在與 屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間，可避免子幀被反常地布置。因此，可欺騙人眼以 使得偽輪廓線看起來是減少了。作為示例，圖21示出了圖1情況中子幀的出現(xiàn)順序的模式示例。作為第一模式，存在SFl、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF8、SF9 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，在每個子幀組中，最先布置其發(fā)光期間最短的子幀，之后按增加發(fā)光 期間的順序布置不適用重疊時間灰度法的子幀，然后按發(fā)光順序布置適用重疊時間灰度法 的子幀。作為第二模式，存在SF10、SF9、SF8、SF7、SF6、SF5、SF4、SF3、SF2 和 SFl 的順序。 依照子幀的這種布置，在每個子幀組中，最先布置其發(fā)光期間最長的子幀，之后按發(fā)光的反 順序布置適用重疊時間灰度法的子幀，然后按減少發(fā)光期間順序布置不適用重疊時間灰度 法的子幀。作為第三模式，存在SFl、SF2、SF5、SF4、SF3、SF6、SF7、SF10、SF9 和 SF8 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，適用重疊時間灰度法的SF3、SF4和SF5的子幀和 SF8、SF9和SFlO的子幀按發(fā)光的反順序布置。作為第四模式，存在SFl、SF2、SF4、SF3、SF5、SF6、SF7、SF9、SF8 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，適用重疊時間灰度法的SF3、SF4和SF5的子幀和 SF8、SF9和SFlO的子幀被布置得便于分別從中間子幀逐漸發(fā)光。作為第五模式，存在SF6、SF7、SF8、SF9、SF10、SFl、SF2、SF3、SF4 和 SF5 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，前面子幀組中的子幀和后面子幀組中的子幀相互 交換。作為第六模式，存在SFl、SF3、SF4、SF2、SF5、SF6、SF8、SF9、SF7 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，與屬于第二比特組的比特相對應的子幀之一被插
22在與屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間。作為第七模式，存在SF2、SF3、SF4、SFl、SF5、SF7、SF8、SF9、SF6 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，與屬于第三比特組的比特相對應的子幀被插在與 屬于第一比特組的比特相對應的子幀之間。作為第八模式，存在SFl、SF4、SF3、SF2、SF5、SF6、SF9、SF8、SF7 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀之一和與 屬于第二比特組的比特相對應的子幀之一相互交換。作為第九模式，存在SF4、SF2、SF3、SFl、SF5、SF9、SF7、SF8、SF6 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀之一和與 屬于第三比特組的比特相對應的子幀之一相互交換。作為第十模式，存在SF2、SF3、SFl、SF4、SF5、SF7、SF8、SF6、SF9 和 SFlO 的順序。 依照子幀的這種布置，相對于第一模式，與屬于第三比特組的比特相對應的子幀被插在與 屬于第一比特組的比特相對應的子幀和與屬于第二比特組的比特相對應的子幀之間。作為第4^一模式，存在SF2、SF4、SF3、SF5、SFl、SF7、SF9、SF8、SFlO 和 SF6 的順 序。依照子幀的這種布置，與屬于第一比特組、第二比特組和第三比特組的比特相對應的子 幀按隨機順序布置。如作為上述模式的一個示例所述的，最好，在多個子幀組的至少一個中，與屬于第 一比特組的比特相對應的所有子幀可發(fā)光，之后，與屬于第二比特組或第三比特組的比特 相對應的所有子幀可發(fā)光。另外，最好，在多個子幀組的至少一個中，與屬于第二比特組或第三比特組的比特 相對應的所有子幀可發(fā)光，之后與屬于第一比特組的比特相對應的所有子幀可發(fā)光。另外，最好，在多個子幀組的至少一個中，與屬于第一比特組的比特相對應的多個 子幀中的一個可發(fā)光，與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的多個子幀中的至少 1個可發(fā)光，之后與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀中的另一個可發(fā)光。另外，最好，在每個子幀組中，與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的多 個子幀中的一個可發(fā)光，之后，與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀中的至少一個 可發(fā)光，之后，與屬于第二比特組或第三比特組的比特相對應的多個子幀中的另一個可發(fā) 光。應該注意的是，子幀的出現(xiàn)順序可隨時間而改變。例如，子幀的出現(xiàn)順序可在第一 幀與第二幀之間改變。另外，子幀的出現(xiàn)順序也可隨地點而改變。例如，子幀的出現(xiàn)順序可 在像素A與像素B之間改變?；蛘?，子幀的出現(xiàn)順序可隨時間和地點兩者而改變。(實施方式2)實施方式1中所述的是一個幀被分成為兩個子幀組的情況。然而，依照本發(fā)明的 驅動方法，一個幀也可被分成為三個或更多子幀組。因此，在該實施方式中，將針對一個幀 被分成為三個或更多子幀組的情況作為一個示例進行描述。應該注意的是，子幀組的數(shù)量 不局限于2或3，并且可任意確定子幀組的數(shù)量。依照該實施方式的一個示例，依照傳統(tǒng)時間灰度法，首先，與屬于第一比特組的比 特相對應的子幀被分成為6份、與屬于第二比特組的比特相對應的子幀被分成為3份，而與 屬于第三比特組的比特相對應的子幀未被分割。之后，一個幀被分成為三個子幀組，并且屬于第一比特組的被分開的比特中每兩個被布置在每個子幀組中。屬于第二比特組的被分開 的比特中的一個被布置在每個子幀組中，屬于第三比特組的比特被布置在這三個子幀組的 至少一個中。此時，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀以及與屬于第二比特組的比特 相對應的子幀的出現(xiàn)順序在子幀組之間大致相同。應該注意的是，可認為屬于第三比特組 的比特未被分開或者它們一度被分成為三份之后結合成一個子幀。應該注意的是，重疊時 間灰度法適用于與屬于第一比特組和第二比特組的比特相對應的子幀之中其發(fā)光期間在 每個子幀組中相等的子幀。例如，圖22中示出了在5-比特顯示的情況中的實施例。在圖22中，依照傳統(tǒng)時 間灰度法(圖43)，假定一個比特被分派給第一比特組、兩個比特被分派給第二比特組、以 及兩個比特被分派給第三比特組，SF5被分派給屬于第一比特組的比特、SF3和SF4被分派 給屬于第二比特組的比特、以及SFl和SF2被分派給屬于第三比特組的比特。之后，SF5被 等分為6個、SF3和SF4分別被等分為3個、以及SFl和SF2未被分割。接著，屬于第一比特 組的六個被分開的比特中每兩個被布置在每個子幀組中、屬于第二比特組的三個被分開的 比特中的一個被布置在每個子幀組中，以及屬于第三比特組的比特被布置在這三個子幀組 的至少一個中。也就是說，屬于第一比特組的比特被布置在圖22中的SF4、SF5、SF9、SF10、 SF13和SF14中、屬于第二比特組的比特被布置在圖22中的SF2、SF3、SF7和SF8、SFll和 SF12中、以及屬于第三比特組的比特被布置在圖22中的SFl和SF6中。因此，子幀的數(shù)量 變?yōu)?4并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 1、SF2 = 4/3、SF3 = 8/3、SF4 = 8/3、 SF5 = 8/3、SF6 = 2、SF7 = 4/3、SF8 = 8/3、SF9 = 8/3、SFlO = 8/3、SFll = 4/3、SF12 = 8/3、SF13 = 8/3、以及 SF14 = 8/3。這里，由于 SF3 到 SF5、SF8 到 SFlOjP SF12 到 SF14 的 發(fā)光期間的相應長度都為8/3，因此重疊時間灰度法適用于SF3到SF5、SF8到SFlO和SF12 到 SF14。通過以這種方式分割每個子幀，可使得幀頻基本被增加三倍以上。應該注意的是，盡管每個子幀的發(fā)光期間的長度(或，一個時期內的發(fā)光次數(shù)， 即，加權量)不局限于此。另外，子幀編號和發(fā)光期間長度之間的對應不局限于此。另外， 子幀的選擇方法不局限于此。應該注意的是，盡管在該實施方式中與屬于第三比特組的比特相對應的子幀未被 分割，但是也可將他們分成為小于子幀組數(shù)量的數(shù)量。例如，圖23中示出了這樣一個示例，其中在圖22的情況中分派給屬于第三比特組 的比特的SFl和SF6分別被進一步分成為兩份。在圖23中，圖22中的SFl和SF6分別被 進一步分成為兩份并且在圖23中被布置在SF1、SF6、SF11和SF12中。因此，子幀的數(shù)量變 為16個并且子幀的發(fā)光期間的相應長度為SFl = 0. 5、SF2 = 4/3、SF3 = 8/3、SF4 = 8/3、 SF5 = 8/3、SF6 = 1、SF7 = 4/3、SF8 = 8/3、SF9 = 8/3、SFlO = 8/3、SFll = 0. 5、SF12 = 1、SF13 = 4/3、SF14 = 8/3、SF15 = 8/3、SF16 = 8/3。這里，由于 SF3 到 SF5、SF8 到 SF10、 和SF14到SF16的發(fā)光期間的相應長度都為8/3，因此重疊時間灰度法適用于SF3到SF5、 SF8到SFlO和SF14到SF16。應該注意的是，布置有屬于第三比特組的分開的比特的子幀 組不局限于此。應該注意的是，在該實施方式中，將分派給每個比特組的比特數(shù)量(即比特位數(shù)) 不局限于以上所述的示例。然而，最好至少一個比特可被分派給第一比特組和第二比特組的每個中。應該注意的是，在該實施方式中，盡管最高位比特被選擇為屬于第一比特組的比 特，但是屬于第一比特組的比特不局限于此并且任何比特都可被選擇為屬于第一比特組的 比特。相似地，任何比特都可被選擇為屬于第二比特組或第三比特組的比特。應該注意的是，盡管本實施方式中描述的是其中與屬于第一比特組的比特相對應 的子幀被分成為6份的示例，但是與屬于第一比特組的比特相對應的子幀的分割數(shù)量不局 限于此。例如，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀可被分成為5份并且將其布置成在 這三個子幀組中分別包含兩個子幀、兩個子幀以及一個子幀。應該注意的是，與屬于第一比 特組的比特相對應的子幀最好被分成為子幀組數(shù)量的倍數(shù)；也就是說，當子幀組的數(shù)量為 3個時，子幀最好被分成為(3Xm)份(這里，m為滿足的整數(shù))。這是由于屬于第一 比特組的被分開的比特可被均勻地布置在子幀組中以使得可避免閃爍或偽輪廓線。例如， 與屬于第一比特組的比特相對應的子幀可被分成為9份。然而，本發(fā)明不局限于此。應該注意的是，盡管在該實施方式中相對于傳統(tǒng)時間灰度法分別將與屬于第一比 特組的比特相對應的所有子幀分成為6份，但是與屬于第一比特組的比特相對應的所有子 幀的分割數(shù)量可不同。第一比特組中的分開數(shù)量可不同。與屬于第三比特組的比特相似， 與屬于第三比特組的比特相對應的所有子幀的分割數(shù)量可不同。應該注意的是，盡管在該實施方式中相對于傳統(tǒng)時間灰度法分別將與屬于第一比 特組的比特相對應的所有子幀等分為6份并且分別將與屬于第二比特組的比特相對應的 所有子幀等分為3份，但是子幀的分割寬度不局限于此。子幀也不必被等分。例如，在5-比 特顯示的情況中，依照傳統(tǒng)時間灰度法(圖43)與屬于第一比特組的比特相對應的子幀 (SF5)可被分割成使其發(fā)光期間(長度為16)被分成為2、2、4、2、3、3。應該注意的是，在該實施方式中，在這三個子幀組中，與屬于第一比特組的比特和 與屬于第二比特組的比特相對應的子幀的出現(xiàn)順序是相同的。然而，本發(fā)明不局限于在出 現(xiàn)順序上正好相配的情況，并且在這三個子幀組中，一些子幀的順序可為不同的。例如，在 圖22的情況中SF7和SF8、以及SFll和SF12可相互交換，也就是說，可存在這樣一種布置， 即，SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF8、SF7、SF9、SF10、SF12、SF11、SF13 和 SF14。應該注意的是，上文中描述的有關于被分派給每個比特組的比特數(shù)量、被選擇為 屬于每個比特組的比特、分別屬于第一比特組和第三比特組的比特的分開數(shù)量、子幀的分 割寬度、以及子幀的出現(xiàn)順序的描述可組合使用。應該注意的是，上文中描述的有關于被分派給每個比特組的比特數(shù)量、被選擇為 屬于每個比特組的比特、分別屬于第一比特組和第三比特組的比特的分開數(shù)量、子幀的分 割寬度、以及子幀的出現(xiàn)順序的描述也可應用于子幀組的數(shù)量為3個或更多的情況。考慮這樣一種情況，其中一個幀通常被分成為k (這里k為滿足k ^ 3的整數(shù))個 子幀組。在這種情況中，依照傳統(tǒng)時間灰度法，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀被分 成為(k+Ι)或更多份，與屬于第二比特組的比特相對應的子幀被分成為k份，而與屬于第三 比特組的比特相對應的子幀分成為(k-1)或更少份或者未被分割。之后，屬于第一比特組 的被分開的比特被布置在k個子幀組中以使其包含大約相同的數(shù)量；屬于第二比特組的被 分開的比特中的每一個被布置在k個子幀組的每個中；以及屬于第三比特組的每個比特被 布置在這k個子幀組的至少一個中。此時，與屬于第一比特組的比特相對應的子幀以及與屬于第二比特組的比特相對應的子幀的出現(xiàn)順序在這k個子幀組之間大致相同。在這種情況下，在由η比特(這里η為整數(shù))表示灰度等級的情況中，依照傳統(tǒng)時 間灰度法，總子幀數(shù)量為η。另外，與最高位比特相對應的子幀的發(fā)光期間的長度為2ηΛ另 一方面，相對于傳統(tǒng)時間灰度法，假設將被分成為L1 (這里L1為滿足L1 的整數(shù))份的 屬于第一比特組的比特數(shù)量(即比特位數(shù))為a (這里a為滿足0 < a < η的整數(shù))、將被 分成為k份的屬于第二比特組的比特的數(shù)量為b (這里b為滿足0 < b < η的整數(shù))，并且 將被分成為L2 (這里L2為滿足1 < L2彡k-Ι的整數(shù))份或者不被分開(即，相當于L2 = 1) 的屬于第三比特組的比特的數(shù)量為c (這里c為滿足0彡c < η并且a+b+c = η的整數(shù))， 依照本發(fā)明的驅動方法，子幀的總數(shù)為(LiXa+kXb+I^Xc)。另外，在最高位比特被選擇為 屬于第一比特組的比特并且與該比特相對應的子幀被等分為L1個的情況中，與該比特相對 應的每個分割的子幀的發(fā)光期間的長度為On-1Zl1)。例如，在圖22的情況中，其中k = 3、n =5、!^ = 6、L2 = l、a = l、b = 2 以及 c = 2，子幀的總數(shù)量為 14( = 6X1+3X2+1X2)， 與屬于第一比特組的比特相對應的每個分割的子幀的發(fā)光期間的長度為8/3( = 25_76)。應該注意的是，在本實施方式中進行了如下描述，其中在子幀組的數(shù)量方面擴展 了實施方式1中所進行的描述。因此，本實施方式可與實施方式1自由組合。(實施方式3)在該實施方式中，將針對定時圖的示例進行描述。盡管圖1中的子幀的選擇方法 用作子幀選擇方法的示例，但是本發(fā)明不局限于此。本發(fā)明可容易地適用于子幀的另一種 選擇方法、另一數(shù)量的灰度級等。另外，盡管作為示例，子幀的出現(xiàn)順序為SF1、SF2、SF3、SF4、SF5、SF6、SF7、SF9、 SF8和SFlO這樣一種順序，但是本發(fā)明不局限于此并且可適用于另一種順序。首先，圖24示出了向像素中寫入信號的期間與發(fā)光期間相分離的情況中的定時 圖。首先，在信號寫入期間中用于一屏的信號被輸入到所有像素中。在該期間中，像素不發(fā) 出光線。在信號寫入期間之后，開始發(fā)光期間并且像素發(fā)出光線。此時發(fā)光期間的長度為 1。接著，開始隨后的子幀并且在信號寫入期間中用于一屏的信號被輸入到所有像素中。在 該期間中，像素不發(fā)光。在信號寫入期間之后，開始發(fā)光期間并且像素發(fā)出光線。此時發(fā)光 期間的長度為2。通過重復上述操作，發(fā)光期間的長度按1、2、4、4、4、2、2、4、4和4的順序布置。其中如上所述的向像素寫入信號的期間與發(fā)光期間相分離的驅動方法最好應用 于等離子體顯示器。應該注意的是，在驅動方法用于等離子體顯示器的情況中，需要用于初 始化等的操作；然而，為了簡便起見圖24中省略了所述操作。另外，該驅動方法最好還應用于EL顯示器(有機EL顯示器、無機EL顯示器、包 括包含有機材料和無機材料兩者的元件的顯示器等)、場發(fā)射顯示器、使用數(shù)字微鏡裝置 (DMD)的顯示器等。圖25示出了那種情況中的像素結構。圖25中所示的像素包括第一晶體管2501、 第二晶體管2503、存儲電容器2502、顯示元件2504、信號線2505、掃描線2507、第一電源線 2506、以及第二電源線2508。第一晶體管2501的柵電極與掃描線2507相連接、其第一電極與信號線2505相連 接，其第二電極與存儲電容器2502的第二電極以及第二晶體管2503的柵電極相連接。第二晶體管2503的第一電極與第一電源線2506相連接，其第二電極與顯示元件2504的第一 電極相連接。存儲電容器2502的第一電極與第一電源線2506相連接。顯示元件2504的 第二電極與第二電源線2508相連接。應該注意的是，第一晶體管用作用于將信號線2505連接于存儲電容器2502的第 二電極的開關以便于將從信號線2505中輸入的信號輸入到存儲電容器2502中。注意，第二晶體管具有向顯示元件2504供應電流的功能。下面將描述圖25中所示的像素結構的操作。首先，在信號寫入期間，使得掃描線 2507的電勢高于信號線2505的最高電勢或第一電源線2506的電勢從而選擇掃描線2507， 以使得第一晶體管2501被接通并且信號從信號線2505被輸入到存儲電容器2502中。注意，在信號寫入期間，第一電源線2506和第二電源線2508的相應電勢被控制以 使其不會向顯示元件2504施加電壓。例如，第二電源線2508可被設定在浮動狀態(tài)下?；?者，可使得第二電源線2508的電勢等于或高于第一電源線2506的電勢。因此，可防止顯示 元件2505在信號寫入期間發(fā)光。接下來，在發(fā)光期間，第一電源線2506和第二電源線2508的相應電勢被控制以使 其向顯示元件2504施加電壓。例如，可使得第二電源線2508的電勢低于第一電源線2506 的電勢。因此，根據(jù)已在信號寫入期間保持在存儲電容器2502中的信號控制第二晶體管 2503的電流，因此電流通過顯示元件2504從第一電源線2506流到第二電源線2508，結果 顯示元件2504發(fā)光。接著，圖26示出了在向像素中寫入信號的期間與發(fā)光期間不分離的情況中的定 時圖。在剛好對每一行執(zhí)行了信號寫入操作之后，開始發(fā)光期間。在某一行中，信號被寫入并且預定發(fā)光期間結束，之后下一個子幀的信號寫入操 作開始。通過重復上述操作，發(fā)光期間的長度按1、2、4、4、4、2、2、4、4和4的順序布置。因此，即使信號寫入操作較緩慢，也可在一個幀中布置許多子幀。所述方法最好應用于等離子體顯示器。應該注意的是，在驅動方法用于等離子體 顯示器的情況中，需要用于初始化等的操作；然而，為了簡便起見圖26中省略了所述操作。另外，該驅動方法最好還應用于EL顯示器、場發(fā)射顯示器、使用數(shù)字微鏡裝置 (DMD)的顯示器等。圖27示出了那種情況中的像素結構。圖27中所示的像素包括第一晶體管2701、第 二晶體管2711、第三晶體管2703、存儲電容器2702、顯示元件2704、第一信號線2705、第二 信號線2715、第一掃描線2707、第二掃描線2717、第一電源線2706、以及第二電源線2708。第一晶體管2701的柵電極與第一掃描線2707相連接，其第一電極與第一信號線 2705相連接，其第二電極與存儲電容器2702的第二電極、第二晶體管2711的第二電極以 及第三晶體管2703的柵電極相連接。第二晶體管2711的柵電極與第二掃描線2717相連 接，并且其第一電極與第二信號線2715相連接。第三晶體管2703的第一電極與第一電源 線2706相連接，并且其第二電極與顯示元件2704的第一電極相連接。存儲電容器2702的 第一電極與第一電源線2706相連接。顯示元件2704的第二電極與第二電源線2708相連 接。應該注意的是，為了將從第一信號線2705輸入的信號輸入到存儲電容器2702中， 第一晶體管用作用于將第一信號線2705連接于存儲電容器2702之第二電極的開關。
應該注意的是，為了將從第二信號線2715輸入的信號輸入到存儲電容器2702中， 第二晶體管用作用于將第二信號線2715連接于存儲電容器2702之第二電極的開關。注意，第三晶體管具有向顯示元件2704供應電流的功能。下面將描述圖27中所示的像素結構的操作。首先，開始第一信號寫入操作。使得 第一掃描線2707的電勢高于第一信號線2705的最高電勢或第一電源線2706的電勢從而 選擇第一掃描線2707，以使得第一晶體管2701被接通并且信號從第一信號線2705中被輸 入到存儲電容器2702中。因此，根據(jù)已保持在存儲電容器2702中的信號控制第三晶體管 2703的電流，因此電流通過顯示元件2704從第一電源線2706流到第二電源線2708。結果， 顯示元件2704變亮。在預定發(fā)光期間之后，開始下一個子幀的信號寫入操作(第二信號寫入操作)。使 得第二掃描線2717的電勢高于第二信號線2715的最高電勢或第一電源線2706的電勢從 而選擇第二掃描線2717，以使得第二晶體管2711被接通并且信號從第二信號線2715被輸 入到存儲電容器2702中。因此，根據(jù)已保持在存儲電容器2702中的信號控制第三晶體管 2703的電流，因此電流通過顯示元件2704從第一電源線2706流到第二電源線2708。結果， 顯示元件2704發(fā)光。第一掃描線2707和第二掃描線2717可獨立地被控制。相似地，第一信號線2705 和第二信號線2715可獨立地被控制。因此，信號可同時被輸入到兩行像素中從而可實現(xiàn)圖 26中的驅動方法。注意，也可使用圖25的電路實現(xiàn)圖26中所示的驅動方法。在圖28中示出了這種 情況中的定時圖。如圖28中所示的，一個柵極選擇期間被分成為多個期間(圖28中為兩 個)。在分割的選擇期間中使得每個掃描線的電勢較高，從而選擇每個掃描線，以使得與所 述期間相對應的信號被輸入到第一信號線2705中。例如，在某一個柵極選擇期間中，在該 期間的前半部分中選擇第i行，而在該期間的后半部分中選擇第j行。因此，可執(zhí)行操作， 就如同在一個柵極選擇期間同時選擇了兩行一樣。應該注意的是，在日本專利未審定公開No. 2001-324958等中描述了驅動方法的 細節(jié)，其內容可與本發(fā)明結合使用。接著，圖29示出了在執(zhí)行擦除像素的信號的操作的情況中的定時圖。在每一行 中，執(zhí)行信號寫入操作，并且在下一個信號寫入操作開始之前擦除像素的信號。因此，可容 易地控制發(fā)光期間的長度。在某一行中，在信號被寫入并且預定發(fā)光期間結束之后，下一個子幀的信號寫入 操作開始。在發(fā)光期間較短的情況中，執(zhí)行信號擦除操作以便于強制地形成不發(fā)光狀態(tài)。通 過重復上述操作，發(fā)光期間的長度按1、2、4、4、4、2、2、4、4和4的順序布置。注意，盡管在圖29中在發(fā)光期間為1或2的情況下執(zhí)行信號擦除操作，但是本發(fā) 明不局限于此。也可在另一個發(fā)光期間中執(zhí)行擦除操作?；诖?，即使信號寫入操作較緩慢也可在一個幀中布置許多子幀。另外，在執(zhí)行擦 除操作的情況中，不必取得用于擦除類似視頻信號的數(shù)據(jù)，因此也可減小信號線驅動器電 路的驅動頻率。所述驅動方法最好應用于等離子體顯示器。應該注意的是，在驅動方法用于等離 子體顯示器的情況中，需要用于初始化等的操作；然而，為了簡便起見圖29中省略了所述操作。另外，該驅動方法最好還應用于EL顯示器、場發(fā)射顯示器、使用數(shù)字微鏡裝置 (DMD)的顯示器等。圖30示出了那種情況中的像素結構。圖30中所示的像素包括第一晶體管3001、 第二晶體管3011、第三晶體管3003、存儲電容器3002、顯示元件3004、信號線3005、第一掃 描線3007、第二掃描線3017、第一電源線3006、以及第二電源線3008。第一晶體管3001的柵電極與第一掃描線3007相連接，其第一電極與信號線3005 相連接，其第二電極與存儲電容器3002的第二電極、第二晶體管3011的第二電極、以及第 三晶體管3003的柵電極相連接。第二晶體管3011的柵電極與第二掃描線3017相連接，并 且其第一電極與第一電源線3006相連接。第三晶體管3003的第一電極與第一電源線3006 相連接，并且其第二電極與顯示元件3004的第一電極相連接。存儲電容器3002的第一電 極與第一電源線3006相連接。顯示元件3004的第二電極與第二電源線3008相連接。應該注意的是，為了將從第一信號線3005輸入的信號輸入到存儲電容器3002中， 第一晶體管用作用于將信號線3005連接于存儲電容器3002的第二電極的開關。應該注意的是，為了切斷第三晶體管，第二晶體管用作用于將第三晶體管3003的 柵電極連接于第一電源線3006的開關。注意，第三晶體管具有向顯示元件3004供應電流的功能。下面將描述圖30中所示的像素結構的操作。首先，當信號被寫入到像素中時，使 得第一掃描線3007的電勢高于信號線3005的最高電勢或第一電源線3006的電勢從而選 擇第一掃描線3007，以使得第一晶體管3001被接通并且信號從信號線3005被輸入到存儲 電容器3002中。因此，根據(jù)已保持在存儲電容器3002中的信號控制第三晶體管3003的電 流，因此電流通過顯示元件3004從第一電源線3006流到第二電源線3008。結果，顯示元件 3004發(fā)光。在要擦除信號的情況中，使得第二掃描線3017的電勢高于信號線3005的最高電 勢或第一電源線3006的電勢從而選擇第二掃描線3017，以使得第二晶體管3011被接通同 時第三晶體管3003被切斷。因此，阻止電流通過顯示元件3004從第一電源線3006流到第 二電源線3008。結果，可提供不發(fā)光期間，從而可自由控制發(fā)光期間的長度。盡管在圖30中第二晶體管3011用于提供不發(fā)光期間，但是也可使用另一種方法。 為了強制地提供不發(fā)光期間，阻止電流被供應到顯示元件3004。因此，可通過在其中電流 通過(經(jīng)由)顯示元件3004從第一電源線3006流到第二電源線3008的路徑中的某處布 置開關并且控制該開關的接通/切斷來提供不發(fā)光期間?；蛘?，可控制第三晶體管3003的 柵-源電壓以便于強制地切斷第三晶體管。圖31示出了與圖30中的第三晶體管相對應的晶體管被強制地切斷的情況中像素 結構的示例。圖31中所示的像素包括第一晶體管3101、第二晶體管3103、存儲電容器3102、 顯示元件3104、信號線3105、第一掃描線3107、第二掃描線3117、第一電源線3106、第二電 源線3108、以及二極管3111。這里，第二晶體管3103對應于圖30中的第三晶體管3003。第一晶體管3101的柵電極與第一掃描線3107相連接，其第一電極與信號線3105 相連接，其第二電極與存儲電容器3102的第二電極、第二晶體管3103的柵電極、以及二極 管3111的第二電極相連接。第二晶體管3103的第一電極與第一電源線3106相連接，并且
29其第二電極與顯示元件3104的第一電極相連接。存儲電容器3102的第一電極與第一電源 線3106相連接。顯示元件3104的第二電極與第二電源線3108相連接。二極管3111的第 一電極與第二掃描線3117相連接。應該注意的是，為了將輸入到信號線3105的信號輸入到存儲電容器3102中，第一 晶體管用作用于將信號線3105連接于存儲電容器3102的第二電極的開關。注意，第二晶體管具有向顯示元件3104供應電流的功能。注意，存儲電容器3102具有保持第二柵電極3103之柵電勢的功能。因此，它被連 接在第二晶體管3103的柵電極與第一電源線3106之間；然而，本發(fā)明不局限于此，只要可 保持第二晶體管3103的柵電勢就可以。另外，在可使用第二晶體管3103的柵電容等保持 第二晶體管3103的柵電勢的情況中，可省卻存儲電容器3102。下面將描述圖31中所示的像素結構的操作。首先，當信號被寫入到像素中時，使 得第一掃描線3107的電勢高于信號線3105的最高電勢或第一電源線3106的電勢從而選 擇第一掃描線3107，以使得第一晶體管3101被接通并且信號從信號線3105中被輸入到存 儲電容器3102中。因此，根據(jù)已保持在存儲電容器3102中的信號控制第二晶體管3103的 電流，因此電流通過顯示元件3104從第一電源線3106流到第二電源線3108。結果，顯示元 件3104發(fā)光。在要擦除信號的情況中，使得第二掃描線3117的電勢高于信號線3105的最高電 勢或第一電源線3106的電勢從而選擇第二掃描線3117，以使得二極管3111被接通并且電 流從第二掃描線3117流到第二晶體管3103的柵電極。結果，第二晶體管3103被切斷。因 此，阻止電流通過顯示元件3104從第一電源線3106流到第二電源線3108。因此，可提供不 發(fā)光期間，從而可自由控制發(fā)光期間的長度。在要保持信號的情況中，使得第二掃描線3117的電勢低于信號線3105的最低電 勢。因此，二極管被切斷，從而保持第二晶體管3103的柵電勢。注意，二極管3111可為任何元件，只要它是具有整流特性的元件就可以。它可為 PN 二極管、PIN 二極管、肖特基二極管或齊納二極管?；蛘撸O管3111可為以二極管方式連接的晶體管(即其柵電極和漏極被相互連 接)。圖32為那種情況的電路圖。使用以二極管方式的晶體管3211作為擦除二極管3111。 應該注意的是，盡管這里N-溝道類型晶體管用作晶體管3211，但是本發(fā)明不局限于此。也 可使用P-溝道類型晶體管。此外，使用圖25中所示的電路作為另一個電路，也可實現(xiàn)圖29中所示的驅動方 法。圖28示出這種情況的定時圖。如圖28中所示的，一個柵極選擇期間被分成為多個期 間(圖28中為兩個)。在每個分割的選擇期間中使得掃描線的每個電勢較高以選擇每個掃 描線并且相應的信號(視頻信號和用于擦除的信號)被輸入到信號線2505中。例如，在一 個柵極選擇期間中，在該期間的前半部分中選擇第i行，而在該期間的后半部分中選擇第j 行。當選擇第i行時，視頻信號被輸入，而當選擇第j行時，用于切斷驅動晶體管的信號被 輸入。因此，可執(zhí)行操作，就如同在一個柵極選擇期間同時選擇了兩行一樣。應該注意的是，在日本專利未審定公開No. 2001-324958等中描述了驅動方法的 細節(jié)，其內容可與本發(fā)明結合使用。另外，本發(fā)明一個示例中使用的是這樣一個方法，其中依照傳統(tǒng)時間灰度法，屬于第一比特組的比特被分成為4份、屬于第二比特組的比特被分成為2份、屬于第三比特組的 比特未被分開。因此，負荷比變得高于傳統(tǒng)雙倍幀速法的負荷比。這是由于通過將屬于第一 比特組的比特分成為4份，其發(fā)光期間最長的子幀的數(shù)量(即都不需要擦除操作的子幀的 數(shù)量)增加了，因此，需要擦除操作的子幀的數(shù)量減少了，并且可縮短每個幀的擦除期間。例如，圖33中示出了在傳統(tǒng)雙倍幀速法應用于5-比特顯示(圖44)的情況下執(zhí) 行擦除像素信號的操作的情況中的定時圖。將傳統(tǒng)雙倍幀速法(圖33)與本發(fā)明的驅動方 法(圖29)相比較，在傳統(tǒng)雙倍幀速法(圖33)中其發(fā)光期間最長的子幀的數(shù)量(都不需 要擦除操作的子幀的數(shù)量)為兩個，而在本發(fā)明的驅動方法(圖29)中為六個。也就是說， 本發(fā)明的驅動方法中總擦除期間更短。以這種方式，依照本發(fā)明的驅動方法，負荷比可高于傳統(tǒng)雙倍幀速法的負荷比，因 此可減少施加于發(fā)光元件的電壓并且可降低能耗。另外，還可抑制發(fā)光元件的退化。應該注意的是，本實施方式中所述的定時圖、像素結構以及驅動方法為示例并且 本發(fā)明不局限于此。本發(fā)明可適用于各種定時圖、像素結構以及驅動方法。應該注意的是，子幀的出現(xiàn)順序可隨時間而改變。例如，子幀的出現(xiàn)順序可在第一 幀與第二幀之間改變。另外，子幀的出現(xiàn)順序也可隨地點而改變。例如，子幀的出現(xiàn)順序可 在像素A與像素B之間改變?；蛘?，子幀的出現(xiàn)順序可隨時間和地點兩者而改變。注意，盡管本實施方式中在一個幀中提供了發(fā)光期間、信號寫入期間以及非發(fā)光 期間，但本發(fā)明不局限于此。可提供另一種操作期間。例如，也可提供其中施加于顯示元件 的電壓的極性與正常極性相反的期間(即反偏壓期間)。通過提供反偏壓期間，可提高顯示 元件的可靠性。注意，本實施方式中所述的像素結構為示例并且本發(fā)明不局限于此。另外， 形成像素的晶體管的極性也不局限于此。注意，可以與實施方式1和實施方式2中所述內容自由組合的方式實施該實施方 式3中所述的內容。(實施方式4)在該實施方式4中，將針對顯示器件、信號線驅動器電路、掃描線驅動器電路等的 結構以及其操作進行描述。如圖34A中所示的，顯示器件包括像素部分3401、掃描線驅動器電路3402、以及信 號線驅動器電路3403。掃描線驅動器電路3402順序地向像素部分3401輸出選擇信號。在圖34B中示出 了掃描線驅動器電路3402的結構的一個示例。掃描線驅動器電路包括移位寄存器3404、緩 沖電路3405等。時鐘信號(G-CLK)、起動脈沖(G-SP)以及反向時鐘信號(G-CLKB)被輸入 到移位寄存器3404中，并且根據(jù)這些信號的時限，移位寄存器3404順序地輸出采樣脈沖。 被輸出的采樣脈沖在緩沖電路3405中被放大并且通過每個掃描線被輸入到像素部分3401 中。應該注意的是，在許多情況中，掃描線驅動器電路3402除移位寄存器3404、緩沖電路 3405以外還包括電平移位器電路、脈沖寬度控制電路等。信號線驅動器電路3403順序地向像素部分3401輸出視頻信號。像素部分3401 根據(jù)視頻信號通過控制發(fā)光的狀態(tài)顯示圖像。在許多情況中，從信號線驅動器電路3403輸 入到像素部分3401中的視頻信號是電壓。也就是說，從信號線驅動器電路3403輸入的視 頻信號(電壓)改變布置在每個像素中的顯示元件和用于控制該顯示元件的元件的各個狀
31態(tài)。作為布置在像素中的顯示元件的示例，有EL元件、用于FED(場發(fā)射顯示器)的元件、 液晶、DMD (數(shù)字微鏡裝置)等。應該注意的是，可布置多個掃描線驅動器電路3402或信號線驅動器電路3403。在圖34C中示出了信號線驅動器電路3403的結構的一個示例。信號線驅動器電 路3403包括移位寄存器3406、第一鎖存電路(LATl) 3407、第二鎖存電路(LAT2)3408，以及 放大器電路3409。放大器電路3409可具有將數(shù)字信號轉換為模擬信號的功能并且還可具 有執(zhí)行gamma校正的功能。另外，像素包括顯示元件(諸如EL元件)。還可包括用于向顯示元件輸出電流(視 頻信號)的電路，即，電流源電路。下面，將簡要描述信號線驅動器電路3403的操作。時鐘信號(S-CLK)、起動脈沖 (S-SP)以及反向時鐘信號(S-CLKb)被輸入到移位寄存器3406中，并且根據(jù)這些信號的時 限，移位寄存器3406順序地輸出采樣脈沖。從移位寄存器3406輸出的采樣脈沖被輸入到第一鎖存電路(LAT1)3407。由于視 頻信號從視頻信號線3410中被輸入到第一鎖存電路(LAT1)3407中，因此視頻信號根據(jù)采 樣脈沖的輸入時限被保持在每一列中。在第一鎖存電路(LATl) 3407中直至最后一列保持視頻信號都完成之后，從鎖存 控制線3411中輸入鎖存脈沖(Latch Pulse)，并且已被保持在第一鎖存電路(LATl) 3407中 的視頻信號在水平回掃期間被一次傳輸?shù)降诙i存電路(LAT2)3408中。之后，已被保持在 第二鎖存電路(LAT2)3408中的一行視頻信號同時被輸入到放大器電路3409中。從放大器 電路3409中輸出的信號被輸入到像素部分3401中。已被保持在第二鎖存電路(LAT2)3408中的視頻信號被輸入到放大器電路3409 中，而在視頻信號被輸入到像素部分3401中時，移位寄存器3406再次輸出采樣脈沖。也就 是說，同時執(zhí)行兩項操作。因此可執(zhí)行線連續(xù)驅動。之后，重復前述操作。應該注意的是，替代設在與像素部分3401同一個襯底上的情況，使用外部IC芯片 也可形成信號線驅動器電路或其一部分(諸如電流源電路或放大器電路)。注意，信號線驅動器電路、掃描線驅動器電路等其結構不局限于圖34A到34C中所 示的那些。例如，可通過點式連續(xù)驅動將信號供應給像素。圖35中示出了那種情況的示例。 信號線驅動器電路3503包括移位寄存器3504和采樣電路3505。采樣脈沖從移位寄存器 3504中被輸出到采樣電路3505中。視頻信號從視頻信號線3506中被輸入，并且根據(jù)采樣 脈沖，被輸出給像素部分3501。之后信號被順序地輸入到掃描線驅動器電路3502所選擇的 一行像素中。注意，如上所述的，本發(fā)明的晶體管可為任何類型的晶體管，并且可被形成在任何 襯底上。因此，圖34或35中所示的所有電路都可被形成在玻璃襯底、塑料襯底、單晶襯底、 或SOI襯底?；蛘?，圖34或35中的一部分電路可被形成在某一襯底上，而圖34或35中的 另一部分電路可被形成在另一個襯底上。也就是說，圖34或35中全部電路無需被形成在 同一個襯底上。例如，在圖34或35中，像素部分和掃描線驅動器電路可使用TFT被形成玻 璃襯底上，而信號線驅動器電路(或其一部分)可被形成在單晶襯底上作為IC芯片，之后 IC芯片可通過COG(玻璃上芯片)連接被安裝在玻璃襯底上?；蛘?，IC芯片可使用TAB (自 動載帶焊)或印刷的襯底被連接于玻璃襯底上。
注意，本實施方式的描述對應于使用實施方式1到3中描述的描述。因此，實施方 式1到3中的描述也可適用于該實施方式4。(實施方式5)在本實施方式中，將針對本發(fā)明顯示器件中的像素設計進行描述。作為示例，圖36 是圖32中電路結構的設計圖。注意，電路圖和設計圖不限于圖32和36。圖36中所示的像素包括第一晶體管3101、第二晶體管3103、存儲電容器3102、顯 示元件3104、信號線3105、第一掃描線3107、第二掃描線3117、第一電源線3106、第二電源 線3108、以及以二極管方式連接的晶體管3211。第一晶體管3101的柵電極與第一掃描線3107相連接，其第一電極與信號線3105 相連接，其第二電極與存儲電容器3102的第二電極、第二晶體管3103的第二電極、以及以 二極管方式連接的晶體管3111的第二電極相連接。第二晶體管3103的第一電極與第一電 源線3106相連接，并且其第二電極與顯示元件3104的第一電極相連接。存儲電容器3102 的第一電極與第一電源線3106相連接。顯示元件3104的第二電極與第二電源線3108相 連接。以二極管方式連接的晶體管3211的柵電極與以二極管方式連接的晶體管3211的第 二電極相連接，并且其第一電極與第二掃描線3117相連接。信號線3105和第一電源線3106由第二配線構成，而第一掃描線3107和第二掃描 線3117由第一配線構成。在頂部柵極結構的情況中，按以下順序形成襯底、半導體層、柵絕緣膜、第一配線、 層間絕緣膜、以及第二配線。在底部柵極結構的情況中，按以下順序形成襯底、第一配線、柵 絕緣膜、半導體層、層間絕緣膜、以及第二配線。注意，本實施方式中所述的內容可與實施方式1到4中所述的內容以自由組合的 方式執(zhí)行。(實施方式6)本實施方式中描述的是用于控制實施方式1到5中所述的驅動方法的硬件。圖37是粗略結構圖。像素部分3704被布置在襯底3701上。另外，在許多情況中， 布置有信號線驅動器電路3706或掃描線驅動器電路3705。除此之外，還可布置電源電路、 預充電電路、時限產(chǎn)生電路等。還存在沒有布置信號線驅動器電路3706或掃描線驅動器電 路3705的這樣一種情況。在這種情況中，未設在襯底3701上的電路在許多情況中被形成 在IC上。在許多情況中IC通過COG(玻璃上芯片)被安裝在襯底3701上?；蛘?，IC可被 安裝在用于將外圍電路襯底3702連接于襯底3701的連接襯底3707上。信號3703被輸入到外圍電路襯底3702中，并且控制器3708進行控制以使得信號 被儲存在存儲器3709、存儲器3710等中。在信號3703為模擬信號的情況下，在許多情況中 在執(zhí)行了模擬_數(shù)字轉換之后信號3703被儲存在存儲器3709、存儲器3710等中?？刂破?3708使用儲存在存儲器3709、存儲器3710等中的信號向襯底3701中輸出信號。為了實現(xiàn)實施方式1到5中所述的驅動方法，控制器3708控制子幀等的出現(xiàn)順 序，并且向襯底3701輸出信號。注意，本實施方式中所述的內容可與實施方式1到5中所述的內容以自由組合的 方式執(zhí)行。(實施方式7)
在該實施方式中，將參照圖55A到55E描述可用于本發(fā)明顯示器件的薄膜晶體管 的制造工藝的示例。注意，在該實施方式中，描述了形成有晶體半導體的頂部柵極薄膜晶體 管的制造工藝；然而，可用于本發(fā)明的薄膜晶體管不局限于此。例如，也可使用形成有非晶 半導體的薄膜晶體管或底部柵極薄膜晶體管。首先，基底膜11201被形成在襯底11200上。由硼硅酸鋇玻璃、硼硅酸鋁等制成的 玻璃襯底；硅襯底、塑料襯底或具有熱阻的樹脂襯底等可用作襯底11200?？墒褂镁蹖Ρ蕉?甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN，polyethylene naphthalate)、聚苯醚砜 (PES)、壓克力、聚酰亞胺等作為塑料襯底或樹脂襯底。通過CVD方法、等離子體CVD方法、 濺射法、旋涂法等使用包含硅的氧化物或氮化物的疊層或單層形成基底膜11201。通過形成 基底膜11201，可防止半導體膜由于來自于襯底11200的污染物而導致退化。之后，半導體膜11202被形成在基底膜11201上(見圖55A)?？赏ㄟ^濺射法、 LPCVD方法、等離子體CVD方法等將半導體膜11202形成得具有25nm到200nm(最好，50nm 到150nm)的厚度。在該實施方式中，形成了非晶半導體膜之后使其結晶化。可使用硅或鍺 作為半導體膜11202的材料；然而，所述材料不局限于此?？墒褂眉す饨Y晶方法、熱結晶方法、使用促進結晶化的元素(諸如鎳等)的熱結晶 方法作為結晶方法。在不引入促進結晶化的元素的情況中，在用激光照射非晶硅膜之前， 通過在500°C在氮氣氛中加熱一個小時釋放出氫氣直到包含在非晶硅膜中的氫氣濃度變?yōu)?IXlO2tl原子/立方厘米。這是由于當用激光照射時，包含大量氫氣的非晶硅膜被損壞。在將用作催化劑的元素引入到非晶半導體膜中的情況中對引入方法沒有具體限 制，只要催化元素可存在于非晶半導體膜的表面上或內部中就可以。例如，可使用濺射法、 CVD方法、等離子體處理方法(包括等離子體CVD方法)、吸附方法、或用于涂覆金屬鹽溶液 的方法。在它們中，使用溶液的方法是優(yōu)選的，這是由于該方法是簡單的，并且在金屬元素 的濃度控制方面較為容易。此時最好通過在氧氣氛中用紫外線照射、熱氧化方法、用包含羥 基的過氧化氫或臭氧水等的處理形成氧化物膜，以使得水溶液遍布在非晶半導體膜的整個 表面上?？赏ㄟ^熱處理和激光照射的組合執(zhí)行非晶半導體膜的結晶化，或者通過獨立地執(zhí) 行熱處理或激光照射多次來完成非晶半導體膜的結晶化?；蛘?，可組合使用激光結晶化和 使用金屬元素的結晶化。之后，使用光刻法步驟在通過結晶化非晶半導體膜而形成的半導體膜11202上制 造抗蝕劑掩模，并使用掩模執(zhí)行蝕刻以形成半導體區(qū)域11203?？墒褂檬袌錾系陌庠雒?劑的抗蝕劑材料作為掩模。例如，可使用酚醛清漆樹脂(即，典型的正型抗蝕劑)、萘醌二嗪 農化合物(即，光增敏劑)、基礎樹脂(即，負型抗蝕劑)、二苯基硅烷二醇、或酸生成劑。在 使用任何材料時，都可通過調節(jié)溶劑的濃度、加入表面活性劑等適當?shù)乜刂票砻鎻埩驼?性。注意，在該實施方式的光刻法步驟中，可在涂覆抗蝕劑之前在半導體膜上形成具 有大約幾納米厚度的絕緣膜。該步驟可避免半導體膜與抗蝕劑的直接接觸并且可阻止雜質 進入半導體膜中。之后，在半導體區(qū)域11203上形成柵絕緣膜11204。注意，在該實施方式中柵絕 緣膜具有單層結構，然而，它也可具有兩層或多層的疊層結構。在疊層結構的情況中，最好在相同的溫度下在同一個腔室中連續(xù)地形成絕緣膜，同時在反應氣體改變的情況下保持真 空。當在保持真空的同時連續(xù)地形成絕緣膜時，可防止疊層之間的接觸面被污染?？蛇m當?shù)厥褂霉柩趸?SiOx :x > 0)、硅氮化物(SiNx :x > 0)、氮氧化硅(SiOxNy x>y>0)，氧氮化硅(SiNxOy :X > y > 0)等作為柵絕緣膜11204的材料。注意，為了在較 低膜形成溫度下形成具有低柵漏電流的致密絕緣膜，稀有氣體元素(諸如氬)被包含在反 應氣體中并且被混合于即將形成的絕緣膜中。在該實施方式中，使用SiH4*N20作為反應 氣體將硅氧化物膜形成為柵絕緣膜11204，以使其具有IOnm到100nm(最好為20nm到80nm) 的厚度，例如60nm的厚度。注意柵絕緣膜11204的厚度不局限于該范圍。之后，在柵絕緣膜11204上形成柵電極11205 (見圖55B)。柵電極11205的厚度最 好在IOnm到200nm的范圍內。盡管在該實施方式中描述了用于制造具有單柵結構的TFT 的方法，但是也可使用具有兩個或多個柵電極的多柵結構。通過使用多柵結構，可制造出 具有減小的斷開狀態(tài)泄漏電流的TFT。根據(jù)應用，可使用諸如銀(Ag)、金(Au)、鉬(Pt)、鎳 (Ni)、鎢(W)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鐵(Fe)、鈷(Co)、銅(Cu)、鈀(Pd)、碳(C)、鋁(Al)、錳(Mn)、 鈦(Ti)或鉭(Ta)等導電元素、包含所述元素作為其主要成分的合金或化合物材料等作為 柵電極11205的材料。另外，還可使用其中氧化銦與氧化錫相混合的氧化銦錫(ITO)；其中 氧化銦錫(ITO)與氧化硅相混合形成的含有氧化硅的氧化銦錫(ITSO)；其中氧化銦與氧化 鋅相混合的氧化銦鋅(IZO)；氧化鋅(ZnO)；氧化錫(SnO2)等。注意氧化銦鋅(IZO)是通過 使用其中ITO與2到20襯％的氧化鋅(ZnO)相混合的靶通過濺射形成的透光導電材料。之后，使用柵電極11205作為掩模將雜質元素加入到半導體區(qū)域11203中。這里， 可通過加入例如磷(P)作為雜質元素形成展現(xiàn)η型導電類型的半導體區(qū)域，其中包含濃度 大約為5 X IO19/立方厘米到5 XlO2tl/立方厘米的磷?；蛘?，可通過加入例如賦予ρ型導電 類型的雜質元素形成展現(xiàn)P型導電類型的半導體區(qū)域?？墒褂昧?P)、砷(As)、等作為賦予 η型導電類型的雜質元素?？墒褂门?B)、鋁(Al)、鎵(Ga)等作為賦予ρ型導電類型的雜質 元素。注意可以低濃度添加雜質元素的LDD(輕摻雜漏極)區(qū)域。通過形成LDD區(qū)域，可制 造出具有減小斷開狀態(tài)泄漏電流的TFT。之后形成絕緣膜11206以覆蓋柵絕緣膜11204和柵電極11205 (見圖55C)。可適 當?shù)厥褂霉柩趸?SiOx :Χ > 0)、硅氮化物(SiNx :Χ > 0)、氮氧化硅(SiOxNy :X > y > 0), 氧氮化硅(SiNxOy :x > y > 0)等作為絕緣膜11206的材料。注意在該實施方式中絕緣膜 11206具有單層結構，然而，它也可具有兩層或多層的疊層結構。另外，也可在絕緣膜11206 上設置一個或多個層間絕緣膜。之后，使用光刻法步驟制造抗蝕劑掩模，并且柵絕緣膜11204和絕緣膜11206被蝕 刻以形成開口，從而露出已向其中加入雜質元素的半導體區(qū)域11203的區(qū)域。之后，形成用 作電極的導電膜11207以與半導體區(qū)域11203電連接(見圖55D)?？墒褂门c柵電極11205 相同的材料作為所述導電膜的材料。之后，使用光刻法步驟制造抗蝕劑掩模(未示出)，并且通過掩模將導電膜11207 加工成期望形狀以形成源電極11208和漏電極11209 (見圖55E)。注意，在該實施方式中通過等離子體蝕刻(干蝕刻)或濕蝕刻執(zhí)行蝕刻；然而等離 子體蝕刻也適合于處理大尺寸的襯底。使用已向其中適當?shù)丶尤胫T如氦或氬等惰性氣體的 諸如CF4、NF3> 3 6、或CHF3等氟基氣體、以Cl2、BC13、SiCl4, CCl4等為代表的氯基氣體、或氧氣作為蝕刻氣體。通過上述處理，可制造出形成有結晶半導體的頂部柵極的薄膜晶體管。注意，本實施方式7中所述的內容可與實施方式1到6中所述的內容以自由組合 的方式執(zhí)行。(實施方式8)在該實施方式中，將參照圖56A和56B等描述根據(jù)本發(fā)明的顯示板。注意，圖56A 是示出了顯示板的頂視圖，而圖56B是沿線A-A'所截取的圖56A的剖面圖。顯示板包括由 虛線表示的信號線驅動器電路(數(shù)據(jù)線)1101、像素部分1102、第一掃描線驅動器電路(Gl 線)1103、以及第二掃描線驅動器電路(G2線)1106。顯示板還包括密封襯底1104和密封 劑1105，由密封劑1105圍繞的部分是空間1107。注意，配線1108是用于傳輸將被輸入到第一掃描線驅動器電路1103、第二掃描線 驅動器電路1106以及信號線驅動器電路1101中的信號的配線，并且從用作外部輸入端的 FPC(撓性印刷電路)1109中接收視頻信號、時鐘信號、啟動信號等。IC芯片(設有存儲器 電路、緩沖電路等的半導體芯片)通過COG(玻璃上芯片)等被安裝在FPC1109與顯示板的 接合處。注意，此處僅示出了 FPC;然而，印刷線路板(PWB)也可被附于該FPC。本說明書中 的顯示器件不僅包括顯示板本身而且還包括附有FPC或PWB的顯示板。另外，還包括其上 安裝有IC芯片等的顯示板。接著，將參照圖56B描述剖面結構。像素部分1102和其外圍驅動器電路(第一掃 描線驅動器電路1103、第二掃描線驅動器電路1106和信號線驅動器電路1101)被形成在襯 底1110上。這里，示出了信號線驅動器電路1101和像素部分1102。注意，信號線驅動器電路1101是由諸如η-溝道晶體管1120或η_溝道TFT1121 的單極晶體管構成的。相似地，第一掃描線驅動器電路1103和第二掃描線驅動器電路1106 最好由η-溝道晶體管構成。注意，通過應用本發(fā)明的像素結構，可使得像素結構形成有單 極晶體管；因此，可制造出單極顯示板。在該實施方式中，描述了其中外圍驅動器電路結合 在襯底上的顯示板；然而，本發(fā)明不局限于此。全部或部分外圍驅動器電路可被形成在IC 芯片等中并且通過COG等安裝。在這種情況中，驅動器電路無需為單極的，并且可組合使用 P-溝道晶體管。像素部分1102具有多個電路，每個電路都形成包括切換TFT1111和驅動TFT 1112 的像素。注意，驅動TFT 1112的源電極與第一電極1113相連接。形成絕緣體1114使其覆 蓋第一電極1113的端部分。這里，使用正型感光丙烯酸樹脂膜。絕緣體1114被形成為在其上端部分或下端部分處具有彎曲表面，以使得其覆蓋 更為有利。例如，在使用正型感光丙烯酸作為絕緣體1114的材料的情況中，絕緣體1114最 好被形成為僅在其上端部分處具有擁有曲率半徑(0.2μπι到3μπι)的彎曲表面。通過光照 射在蝕刻劑中變得不可溶的負型或者通過光照射在蝕刻劑中變得可溶的正型也可用作絕 緣體1114。 包含有機化合物的層1116和第二電極1117被形成在第一電極1113上。這里，具 有高功函數(shù)的材料最好用作用于陽極的第一電極1113的材料。例如，可使用諸如ITO(氧 化銦錫)膜、氧化銦鋅(IZO)膜、氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜或Pt膜等單層膜；由氮化鈦膜 和以包含鋁作為其主要成分的膜形成的疊層；由氮化鈦膜、包含鋁作為其主要成分的膜和
36氮化鈦膜形成的的三層結構；等形成第一電極1113。當?shù)谝浑姌O1113具有疊層結構時，作 為配線時它可具有低電阻并且可形成良好的歐姆接觸。另外，第一電極可用作陽極。另外，包含有機化合物的層1116是通過使用蒸發(fā)掩模的蒸發(fā)法或噴墨法形成的。 屬于元素周期表的第4組的金屬絡合物用作包含有機化合物的層1116的一部分，此外，可 組合使用的材料可為低分子量材料或高分子量材料。另外，作為用作包含有機化合物的層 的材料，通常也使用有機化合物的單層或疊層。然而，本實施方式還包括其中無機化合物用 作由有機化合物形成的膜的一部分。而且，還可使用已知的三重態(tài)材料。作為用于形成在包含有機化合物的層1116上的第二電極(陰極)1117的材料，可 使用具有低功函數(shù)的材料(Al、Ag、Li、Ca、或其合金諸如MgAg、MgIn、AlLi、CaF2或CaN等)。 在包含有機化合物的層1116中產(chǎn)生的光通過第二電極(陰極)1117被傳輸?shù)那闆r中，其厚 度較薄的金屬薄膜和透明導電膜(氧化銦和氧化錫的合金(ITO)、氧化銦和氧化鋅的合金 (In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)形成的疊層最好用作第二電極(陰極)1117。通過用密封劑1105將密封襯底1104附著于襯底1110，獲得了這樣一種結構，其 中發(fā)光元件1118被設在由襯底1110、密封襯底1104和密封劑1105圍繞的空間1107中。 注意，還存在這樣一種情況，即，空間1107中填充有密封劑1105以及惰性氣體(諸如氮或 氣)ο注意，環(huán)氧基樹脂最好用作密封劑1105。所述材料最好允許盡可能少的濕氣和氧 發(fā)生滲透。除玻璃襯底或石英襯底以外，還可使用FRP(玻璃纖維增強塑料)、PVF(聚氟乙 烯)、Myler、聚酯、丙烯酸等制成的塑料襯底作為密封襯底1104。如上所述，可獲得具有本發(fā)明像素結構的顯示板。通過如圖56A和56B中所示的那樣結合信號線驅動器電路1101、像素部分1102、 第一掃描線驅動器電路1103、以及第二掃描線驅動器電路1106可實現(xiàn)顯示器件的成本降 低。另外在這種情況中，通過使用用于信號線驅動器電路1101、像素部分1102、第一掃描 線驅動器電路1103、以及第二掃描線驅動器電路1106的單極晶體管，可簡化制造工藝，因 此可實現(xiàn)進一步的成本降低。通過將非晶硅應用于用于信號線驅動器電路1101、像素部分 1102、第一掃描線驅動器電路1103、以及第二掃描線驅動器電路1106的晶體管的半導體 層，可實現(xiàn)更進一步的成本降低。注意，顯示板的結構不局限于圖56A中所示的信號線驅動器電路1101、像素部分 1102、第一掃描線驅動器電路1103、以及第二掃描線驅動器電路1106被結合在一起的結 構。還可存在這樣一種結構，其中，與信號線驅動器電路1101相對應的信號線驅動器電路 被形成在IC芯片上并且通過COG等被安裝在顯示板上。換句話說，僅將要求高速操作的信號線驅動器電路使用CMOS等形成在IC芯片上 以降低能耗。另外，通過使用諸如硅晶片等半導體芯片作為IC芯片可實現(xiàn)更高速的操作和 更低的能耗。這樣，通過將掃描線驅動器電路與像素部分相組合可實現(xiàn)成本降低。當由單極晶 體管構成該掃描線驅動器電路與像素部分時，可實現(xiàn)進一步的成本降低。如實施方式3中 所述的，包含在像素部分中的像素可由η-溝道晶體管構成。而且，通過使用非晶硅用作晶 體管的半導體層，可簡化制造工藝并且可實現(xiàn)進一步的成本降低。因此，可實現(xiàn)高清晰度顯示器件的成本降低。另外，通過將具有功能電路(存儲器或緩沖器)的IC芯片安裝在FPC1109和襯底1110的連接部分上，可有效地利用襯底面積。另外，可存在這樣一種結構，其中分別與圖56A的信號線驅動器電路1101、第一掃 描線驅動器電路1103、以及第二掃描線驅動器電路1106相對應的信號線驅動器電路、第一 掃描線驅動器電路、以及第二掃描線驅動器電路可被形成在IC芯片上并且通過COG等被安 裝在顯示板上。在這種情況中，可進一步降低高清晰度顯示器件的能耗。因此，為了獲得具 有更低能耗的顯示器件，優(yōu)選使用多晶硅作為像素部分所用的晶體管的半導體層。而且，通過使用非晶硅用于像素部分1102中的晶體管的半導體層可實現(xiàn)成本降 低。另外，可制造大尺寸的顯示板。注意，掃描線驅動器電路和信號線驅動器電路不局限于沿像素的行方向和列方向 設置。接著，在圖57中示出了可應用于發(fā)光元件1118的發(fā)光元件的示例。所述發(fā)光元件具有這樣一種元件結構，其中陽極1202、由空穴注入材料形成的空 穴注入層1203、由空穴傳輸材料形成的空穴傳輸層1204、發(fā)光層1205、由電子傳輸材料形 成的電子傳輸層1206、由電子注入材料形成的電子注入層1207、以及陰極1208按上述順序 被層壓在襯底1201上。這里，發(fā)光層1205僅由一種發(fā)光材料制成，然而在某些情況中發(fā)光 層1205也可由兩種或多種材料制成。另外，本發(fā)明的元件結構不局限于該結構。除圖57中所示的各個功能層的疊層結構以外，在元件結構方面還存在廣范圍的 改變，諸如使用高分子量化合物的元件或其中發(fā)光層是使用從三重受激態(tài)下發(fā)射光線的三 重態(tài)發(fā)光材料構成的高效元件。另外，本發(fā)明的元件結構還適用于通過用空穴阻擋層控制 載流子復合區(qū)域以便于將發(fā)光區(qū)域分成為兩個區(qū)域等所獲得的白光發(fā)射元件。在圖57中所示的本發(fā)明元件的制造方法中，空穴注入材料、空穴傳輸材料和發(fā)光 材料按所述順序被蒸發(fā)在具有陽極(ITO) 1202的襯底1201上。之后，蒸發(fā)電子傳輸材料和 電子注入材料，最后通過蒸發(fā)形成陰極1208。下面將列示適用于空穴注入材料、空穴傳輸材料、電子傳輸材料、電子注入材料和 發(fā)光材料的合適材料。作為空穴注入材料，在有機化合物中，卟啉化合物、酞菁(在下文中稱之為 “H2Pc”)、銅酞菁(在下文中稱之為“CuPc”)等是有效的。另外，具有比所使用的空穴傳輸 材料更小電離電勢值并且具有空穴傳輸功能的材料也可用作空穴注入材料。還存在化學摻 雜的導電高分子量化合物，其中包括摻雜有聚苯乙烯磺酸(在下文中稱之為“PSS”)、聚苯 胺等的聚(乙烯二氧基噻吩)(在下文中稱之為“PED0T”)。另外，絕緣高分子量化合物在 陽極的平面化方面也是有效的，并且通常使用聚酰亞胺(在下文中稱之為“PI”)。另外，還 使用無機化合物，所述無機化合物包括鋁的氧化物(在下文中稱之為氧化鋁)的超薄膜以 及諸如金或鉬等金屬的薄膜。最廣泛用作空穴傳輸材料的材料是芳香族胺基化合物(即具有苯環(huán)-氮的鍵 的化合物)、廣泛使用的材料包括4，4-bis ( 二苯胺)_聯(lián)苯(在下文中稱之為“TAD” )、 諸如4，4-bis[N-(3-甲基苯基)-N-苯基-氨基]聯(lián)苯(在下文中稱之為“TPD”)或4， 4-bis[N-(l-萘基)-N_苯基-氨基]聯(lián)苯(在下文中稱之為“ α -NPD”)等其衍生物，除此 之外，還包括星爆式芳香族胺化合物，諸如4，4’，4”-三(N，N-二苯胺)-三苯胺(在下文 中稱之為“TDATA”)或4，4，，4”_三[Ν-(3-甲基苯基)-N-苯胺]-三苯胺(在下文中稱之
38為 “ MTDATA ” )作為電子傳輸材料，通常使用金屬絡合物，其中包括具有喹啉基干或苯并喹啉基 干的金屬絡合物，諸如三(8-羥基喹啉)鋁(在下文中稱之為“Alq3”)、BAlq、三(4_甲 基-8-喹啉)鋁(在下文中稱之為“Almq”)或雙(10-羥基苯并[H]-喹啉根)鈹(在 下文中稱之為“BeBq”，除此之外，還包括具有唑基或噻唑基配合基的金屬絡合物，諸如雙 [2-(2_羥苯基)苯并噁唑]鋅(在下文中稱之為“Ζη(Β0Χ)2”)或雙[2-(2_羥苯基)苯 并噻唑]鋅(在下文中稱之為“Ζη(ΒΤΖ)2”)。另外，除金屬絡合物以外，諸如2-(4_聯(lián) 苯)-5_(4-特-正丁基苯基)-1，3，4_惡二唑(在下文中稱之為“PBD”)或(1，3_雙 [5-(ρ-特-正丁基苯基)_1，3，4-惡二唑-2-某基]苯(縮寫0XD-7)的oradiazole衍 生物、諸如3-(4_特-正丁基苯基)-4_苯基-5-(4-聯(lián)苯)-1，2，4_三唑(縮寫TAZ)或 3- (4-特-正丁基苯基)-4- (4-乙烷基苯基)-5- (4-聯(lián)苯)-1，2，4-三唑(在下文中稱之為 "ρ-EtTAZ")等三唑衍生物、以及諸如紅菲繞啉(bathophenanthroline)(在下文中稱之為 “BPhen")或BCP等菲繞啉衍生物也具有電子傳輸特性。可使用上述電子傳輸材料作為電子注入材料。另外，通常使用絕緣體的超薄膜，諸 如包含氟化鈣、氟化鋰、氟化銫等金屬鹵化物或包含氧化鋰的堿金屬氧化物。此外，諸如乙 酰丙酮鋰(在下文中稱之為“Li (acac)，，即lithium acetyl acetonate)或8_喹啉-鋰 (在下文中稱之為“Liq”)等堿金屬絡合物也是有效的。作為發(fā)光材料，除諸如Alq3、Almq、BeBq、BAlq、Zn (BOX) 2、Zn (BTZ) 2等上述金屬絡 合物以外，各種熒光顏料也是有效的。所述熒光顏料包括藍色的4，4-bis(2，2-聯(lián)苯-乙 烯基)聯(lián)苯、紅橙色的4- 二氰基乙撐-2-甲基-6-(ρ- 二甲基氨-苯乙烯)-4H-吡喃等。 另外，三重態(tài)發(fā)光材料也是可行的，所述三重態(tài)發(fā)光材料主要是以鉬或銥為中心金屬的絡 合物。作為三重態(tài)發(fā)光材料，三(2-苯基吡啶)銥、二 (2-(4' -tryl)比啶根合-N，C2') 乙酰丙酮銥(在下文中稱之為 “acaclr(tpy)2”:bis(2_(4' -tryl)pyridinato-N，C2') acetylacetonato 銥)、2，3，7,8,12，13，17，18-八乙基-21H, 23H-卟啉-鉬等是已知的。通過組合具有各個功能的上述材料，可制造出高可靠性發(fā)光元件。另外，還可使用具有按與圖57中相反的順序層壓的層的發(fā)光元件。也就是說，在 元件結構中，陰極1208、由電子注入材料形成的電子注入層1207、由電子傳輸材料形成的 電子傳輸層1206、發(fā)光層1205、由空穴傳輸材料形成的空穴傳輸層1204、由空穴注入材料 形成的空穴注入層1203、以及陽極1202被順序地層壓在襯底1201上。另外，為了提取發(fā)光元件的光線發(fā)射，陽極和陰極中的至少一個可為透明的。之 后，TFT和發(fā)光元件被形成在襯底上。還有包括其中通過與襯底相對的表面提取光發(fā)射的 頂部發(fā)射結構的發(fā)光元件、包括其中通過襯底側上的表面提取光發(fā)射的底部發(fā)射結構的發(fā) 光元件、以及包括其中通過與襯底相對的表面和襯底側上的表面兩者提取光線發(fā)射的雙發(fā) 射結構的發(fā)光元件。下面將參照圖58A描述具有頂部發(fā)射結構的發(fā)光元件。在襯底1300上，形成有驅動TFT1301，并且第一電極1302被形成得與驅動 TFT1301的源電極相接觸。包含有機化合物的層1303和第二電極1304被形成在其上。注意，第一電極1302是發(fā)光元件的陽極，而第二電極1304是發(fā)光元件的陰極。也 就是說，發(fā)光元件被形成在其中包含有機化合物的層1303被夾在第一電極1302與第二電極1304之間的區(qū)域中。最好使用具有高功函數(shù)的材料制成用作陽極的第一電極1302。例如，可使用諸如 氮化鈦膜、鉻膜、鎢膜、Zn膜、或Pt膜等單層膜；由氮化鈦膜和包含鋁為其主要成分的膜形 成的疊層；或由氮化鈦膜、包含鋁為其主要成分的膜和氮化鈦膜形成的三層膜結構等。注 意，疊層結構使得可降低作為配線的電阻、形成良好的歐姆接觸、以及用作陽極。通過使用 光反射金屬膜，可制成不傳輸光線的陽極。最好使用由具有低功函數(shù)的材料仏148、1^、01或其合金，諸如1%六8、1%1114比士、 CaF2XaN)制成的金屬薄膜與透明導電膜(氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、氧化鋅(ZnO) 等)形成的疊層制成用作陰極的第二電極1304。通過使用上述薄金屬膜和透明導電膜，可 制成可傳輸光線的陰極。因此，如圖58A中的箭頭所指示的，可從頂表面提取發(fā)光元件的光線。也就是說， 在將發(fā)光元件應用于圖56A和56B中所示的顯示板的情況中，光線朝向襯底1110 —側發(fā) 出。因此，當具有頂部發(fā)射結構的發(fā)光元件用于顯示器件時，傳輸光線的襯底用作密封襯底 1104。另外，在提供光學膜的情況中，所述光學膜可被設在密封襯底1104上。注意，可使用由具有低功函數(shù)的材料(諸如MgAg、MgIn或AlLi)制成的金屬膜制 成第一電極1302以使其用作陰極。在這種情況中，可使用透明導電膜(諸如氧化銦錫(ITO) 膜或氧化銦鋅(IZO)膜)制成第二電極1304。因此通過這種結構，可提高頂部發(fā)射的透光率。下面將參照圖58B描述具有底部發(fā)射結構的發(fā)光元件。由于除其發(fā)射結構以外的 結構都與圖58A相同，因此使用與圖58A中相同的附圖標記進行描述。最好使用具有高功函數(shù)的材料制成用作陽極的第一電極1302。例如，可使用透明 導電膜(諸如氧化銦錫(ITO)膜或氧化銦鋅(IZO)膜)。通過使用透明導電膜，可制成傳輸 光線的陽極。可使用由具有低功函數(shù)的材料(Al、Ag、Li、Ca或其合金，諸如MgAg、MgIruAlLi、 CaF2, CaN)制成的金屬膜制成用作陰極的第二電極1304。通過使用上述光線反射金屬膜， 可制成不傳輸光線的陰極。因此，如圖58B中的箭頭所指示的，可從底表面提取發(fā)光元件的光線。換句話說， 在將發(fā)光元件應用于圖56A和56B中所示的顯示板的情況中，光線朝向襯底1110 —側發(fā) 出。因此，當具有底部發(fā)射結構的發(fā)光元件用于顯示器件時，傳輸光線的襯底用作襯底 1110。另外，在提供光學膜的情況中，所述光學膜可被設在襯底1110上。下面將參照圖58C描述具有雙發(fā)射結構的發(fā)光元件。由于除其發(fā)射結構以外的結 構都與圖58A相同，因此使用與圖58A中相同的附圖標記進行描述。最好使用具有高功函數(shù)的材料制成用作陽極的第一電極1302。例如，可使用透明 導電膜(諸如氧化銦錫(ITO)膜或氧化銦鋅(IZO)膜)。通過使用透明導電膜，可制成能傳 輸光線的陽極。最好使用由具有低功函數(shù)的材料仏1、六8、1^、01或其合金，諸如1%六8、1%111、 AlLi, CaF2, CaN)制成的金屬膜與透明導電膜(氧化銦錫(ITO)、氧化銦和氧化鋅的合金(In2O3-ZnO)、氧化鋅(ZnO)等)形成的疊層制成用作陰極的第二電極1304。通過使用上述 薄金屬膜和透明導電膜，可制成能傳輸光線的陰極。因此，如圖58C中的箭頭所指示的，可從兩個表面提取發(fā)光元件的光線。換句話 說，在將發(fā)光元件應用于圖56A和56B中所示的顯示板的情況中，光線朝向襯底1110 —側 和密封襯底1104—側發(fā)出。因此，當具有雙發(fā)射結構的發(fā)光元件用于顯示器件時，傳輸光 線的襯底用作襯底1110和密封襯底1104兩者。另外，在提供光學膜的情況中，所述光學膜可被設在襯底1110和密封襯底1104兩 者上。另外，本發(fā)明可應用于通過使用白光發(fā)射元件和濾色器實現(xiàn)全色顯示的顯示器 件。如圖59中所示的，在襯底1400上，形成有驅動TFT1401，并且第一電極1403被形 成得與驅動TFT1401的源電極相接觸。包含有機化合物的層1404和第二電極1405被形成
在其上。注意，第一電極1403是發(fā)光元件的陽極，而第二電極1405是發(fā)光元件的陰極。也 就是說，發(fā)光元件被形成在其中包含有機化合物的層1404被夾在第一電極1403與第二電 極1405之間的區(qū)域中。通過圖59中所示的結構發(fā)出白光。紅色濾光器1406R、綠色濾光 器1406G和藍色濾光器1406B分別被設在發(fā)光元件上方以實現(xiàn)全色顯示。另外，提供了用 于分隔這些彩色濾光器的黑色矩陣(也稱之為“BM”)1407。發(fā)光元件的上述結構可組合使用并且可適當?shù)貞糜诰哂斜景l(fā)明像素結構的顯 示器件。注意，以上所述的顯示板的結構以及發(fā)光元件僅是示例，并且勿庸置疑本發(fā)明的像 素結構可應用于具有其他結構的顯示器件。接下來示出了顯示板的像素部分的局部剖面圖。首先，將參照附圖60A、60B、61A和61B描述使用多晶硅(p_Si:H)膜作為晶體管的
半導體層的情況。這里，例如通過已知的膜形成方法在襯底上形成非晶硅(a-Si)膜作為半導體層。 注意，不必將半導體層限制為非晶硅膜，而是可使用具有非晶結構的任何半導體膜(包括 微晶半導體膜)。另外，也可使用具有非晶結構的化合物半導體膜，諸如非晶硅鍺膜。之后，通過激光結晶化方法、使用RTA或退火爐的熱結晶化方法、使用促進結晶化 的金屬元素的熱結晶化方法等使得非晶硅膜結晶。勿庸置疑，可通過上述方法的組合執(zhí)行 結晶化。作為上述結晶化的結果，在非晶半導體膜中部分地形成了結晶化區(qū)域。接著，其中結晶度被部分地增強的結晶半導體膜被構圖成預期形狀以便于從結晶 化區(qū)域中形成島狀半導體膜。該半導體膜用作晶體管的半導體層。如圖60A和60B中所示的，在襯底15101上形成基底膜15102，并且半導體層被 形成在其上。所述半導體層包括溝道形成區(qū)域15103、LDD區(qū)域15104、以及用作驅動晶體 管15118的源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質區(qū)域15105，并且還包括溝道形成區(qū)域15106、LDD區(qū)域 15107、以及用作電容器15119的下部電極的雜質區(qū)域15108。注意可對溝道形成區(qū)域15103 和溝道形成區(qū)域15106執(zhí)行溝道摻雜?？墒褂貌Ａбr底、石英襯底、陶瓷襯底等作為襯底。可使用氮化鋁(AlN)、氧化硅(SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等的單層或其疊層形成基底膜15102。柵電極15110和電容器的上部電極15111隔著柵絕緣膜15109被形成在半導體層上。形成層間絕緣膜15112使其覆蓋驅動晶體管15118和電容器15119。在層間絕緣 膜15112中形成有接觸孔，配線15113通過所述接觸孔與雜質區(qū)域15105相接觸。形成像 素電極15114使其與配線15113相接觸，并且形成絕緣體15115使其覆蓋像素電極15114 的端部分和配線15113;這里，絕緣體15115是使用正型感光丙烯酸樹脂膜制成的。之后，包 含有機化合物的層15116和相反電極15117被形成在像素電極15114上。發(fā)光元件15120 被形成在其中包含有機化合物的層15116被夾在像素電極15114和相反電極15117之間的 區(qū)域中。另外，如圖60B中所示的，LDD區(qū)域中的構成電容器15119下部電極的一部分區(qū)域 15202可被設置得與上部電極15111重疊。注意與圖60A中相同的附圖標記用于共同部分， 并且省略其描述。另外，如圖61A中所示的，可提供第二上部電極15301，所述第二上部電極15301 以與驅動晶體管15118的雜質區(qū)域15105相接觸的方式被形成在與配線15113相同的層 中。注意，與圖15A中相同的附圖標記用于共同部分，并且省略其描述。通過將層間絕緣膜 15112插在第二上部電極15301與上部電極15111之間來形成第二電容器。另外，第二上部 電極15301與雜質區(qū)域15108相接觸，因此其中柵絕緣膜15102被夾在上部電極15111與 溝道形成區(qū)域15106之間的第一電容器和其中層間絕緣膜15112被夾在上部電極15111與 第二上部電極15301之間的第二電容器以相互平行的方式被連接以便于形成包含第一電 容器和第二電容器的電容器15302。電容器15302具有第一電容器和第二電容器的電容的 組合電容；因此，可在小區(qū)域內形成具有大電容的電容器。也就是說，通過使用本發(fā)明的像 素結構中的電容器，可進一步改進孔徑比?；蛘撸墒褂脠D61B中所示的電容器的結構?；啄?6102被形成在襯底16101 上，并且半導體層被形成在其上。所述半導體層包括溝道形成區(qū)域16103、LDD區(qū)域16104、 以及用作驅動晶體管16118的源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質區(qū)域16105。注意可對溝道形成區(qū)域 16103執(zhí)行溝道摻雜?？墒褂貌Ａбr底、石英襯底、陶瓷襯底等作為襯底?？墒褂玫X(AlN)、氧化硅 (SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等的單層或其疊層形成基底膜16102。柵電極16107和第一電極16108隔著柵絕緣膜16106形成在半導體層上。形成第一層間絕緣膜16109使其覆蓋驅動晶體管16118和第一電極16108。在第 一層間絕緣膜16109中形成有接觸孔，配線16110通過所述接觸孔與雜質區(qū)域16105相接 觸。另外，第二電極16111被形成在由與配線16110相同材料制成的相同層中。另外，形成第二層間絕緣膜16112使其覆蓋配線16110和第二電極16111。在第二 層間絕緣膜16112中形成有接觸孔，形成像素電極16113使其穿過所述接觸孔與配線16110 相接觸。第三電極16114被形成在由與像素電極16113相同的材料制成的同一層中。因此 形成了包括第一電極16108、第二電極16111和第三電極16114的電容器16119。包含有機化合物的層16116和相反電極16117被形成在像素電極16113上。發(fā)光 元件被形成在其中包含有機化合物的層16116被夾在像素電極16113和相反電極16117之間的區(qū)域中。如上所述的，附圖60A、60B、61A和61B中所示的結構可用作使用結晶半導體膜作 為其半導體層的晶體管的結構。注意具有圖60A、60B、61A和61B中所示的結構的晶體管是 具有頂部柵極結構的晶體管的示例。也就是說，LDD區(qū)域可與柵電極重疊或者無需與柵電 極重疊，或者LDD區(qū)域的一部分可與柵電極重疊。另外，柵電極可具有漸縮形狀并且LDD區(qū) 域可以自對準的方式被設在柵電極的漸縮形狀的下面。另外，柵電極的數(shù)量不局限于兩個。 可使用具有三個或更多柵電極的多柵極結構，或者可使用單柵極結構。通過使用結晶半導體膜作為包含在本發(fā)明像素中的晶體管的半導體層(諸如溝 道形成區(qū)域、源極區(qū)和漏極區(qū))，掃描線驅動器電路和信號線驅動器電路可容易地與像素部 分結合在一起。另外，信號線驅動器電路的一部分可與像素部分結合在一起，而其另一部分 可被形成在IC芯片上并且通過COG等被安裝，如圖56A和56B的顯示板中所示的。通過這 種結構，可降低制造成本。接著，圖62A和62B是如下顯示板的局部剖面圖該顯示板使用具有其中柵電極被 夾在襯底與半導體層之間的結構的晶體管(即，具有其中柵電極被布置在半導體層下面的 底部柵極結構的晶體管)且該顯示板作為使用多晶硅(p_Si:H)膜作為其半導體層的晶體
管結構?；啄?2702被形成在襯底12701上。之后，柵電極12703被形成在基底膜12702 上。第一電極12704被形成在由與柵電極相同的材料形成的相同層中?？墒褂闷渲屑尤肓?的多晶硅作為柵電極12703的材料。除多晶硅以外，也可使用作為金屬和硅的化合物的硅 化物。之后，形成柵絕緣膜12705使其覆蓋柵電極12703和第一電極12704。柵絕緣膜 12705是使用氧化硅膜、氮化硅膜等制成的。在柵絕緣膜12705上形成半導體層。所述半導體層包括溝道形成區(qū)域12706、 LDD區(qū)域12707、以及用作驅動晶體管12722的源極區(qū)或漏極區(qū)的雜質區(qū)域12708，并且還 包括溝道形成區(qū)域12709、LDD區(qū)域12710、以及用作電容器12723的第二電極的雜質區(qū)域 12711。注意可對溝道形成區(qū)域12706和溝道形成區(qū)域12709執(zhí)行溝道摻雜。可使用玻璃襯底、石英襯底、陶瓷襯底等作為襯底。可使用氮化鋁(AlN)、氧化硅 (SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等的單層或其疊層形成基底膜12702。形成第一層間絕緣膜12712使其覆蓋半導體層。在第一層間絕緣膜12712中形成 有接觸孔，形成配線12713使其穿過所述接觸孔與雜質區(qū)域12708相接觸。第三電極12714 被形成在由與配線12713相同的材料制成的相同層中。由第一電極12704、第二電極和第三 電極12714形成了電容器12723。另外，開口 12715被形成在第一層間絕緣膜12712中。形成第二層間絕緣膜12716 使其覆蓋驅動晶體管12722、電容器12723、以及開口 12715。像素電極12717穿過接觸孔 被形成在第二層間絕緣膜12716上。之后，形成絕緣體12718使其覆蓋像素電極12717的 端部分。例如，可使用正型感光丙烯酸樹脂膜。之后，包含有機化合物的層12719和相反電 極12720被形成在像素電極12717上，并且發(fā)光元件12721被形成在其中包含有機化合物 的層12719被夾在像素電極12717和相反電極12720之間的區(qū)域中。開口 12715被布置在 發(fā)光元件12721下面；因此，在從襯底一側提取發(fā)光元件12721的光發(fā)射的情況中，由于開口 12715的存在，可提高發(fā)光元件12721的透光度。此外，可將第四電極12724形成在由與圖62A中的像素電極12717相同的材料制 成的相同層中，從而形成圖62B中所示的結構。在所述情況中，電容器12725可由第一電極 12704、第二電極、第三電極12714和第四電極12724構成。接著，將描述使用非晶硅(a-Si:H)膜作為晶體管的半導體層的情況。圖63A和63B 示出了頂部柵極晶體管的情況，而圖64A、64B、65A和65B示出了底部柵極晶體管的情況。圖63A是使用非晶硅作為其半導體層的頂部柵極晶體管的剖面圖。如圖63A中所 示的，基底膜12802被形成在襯底12801上。另外，像素電極12803被形成在基底膜12802 上。另外，第一電極12804被形成在由與像素電極12803相同的材料制成的相同層中?？墒褂貌Ａбr底、石英襯底、陶瓷襯底等作為襯底?？墒褂玫X(AlN)、氧化硅 (SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等的單層或其疊層形成基底膜12802。配線12805和配線12806被形成在基底膜12802上，并且像素電極12803的端部 分由配線12805覆蓋。在配線12805和配線12806上，分別形成有具有η型導電類型的η 型半導體層12807和η型半導體層12808。另外，半導體層12809被形成在基底膜12802上 配線12805和配線12806之間，半導體層12809部分地延伸以覆蓋η型半導體層12807和 η型半導體層12808。注意該半導體層是使用非晶半導體膜(諸如非晶硅(a_Si:H)膜或微 晶半導體(y_Si:H)膜)形成的。之后，柵絕緣膜12810被形成在半導體層12809上，并且 絕緣膜12811被形成在由與柵絕緣膜12810相同的材料制成的相同層中，并且還位于第一 電極12804上。注意，氧化硅膜、氮化硅膜等被用作柵絕緣膜12810。在柵絕緣膜12810上，形成有柵電極12812。另外，第二電極12813被形成在由與 柵電極相同的材料制成的相同層中，并且隔著絕緣膜12811位于第一電極12804上。通過 將絕緣膜12811夾在第一電極12804與第二電極12813之間構成電容器12819。形成層間 絕緣膜12814使其覆蓋像素電極12803的端部分、驅動晶體管12818、和電容器12819。在層間絕緣膜12814和位于層間絕緣膜12814開口中的像素電極12803的上面， 形成有包含有機化合物的層12815和相反電極12816。發(fā)光元件12817被形成在其中包含 有機化合物的層12815被夾在像素電極12803和相反電極12816之間的區(qū)域中。圖63A中所示的第一電極12804可為圖63B中所示的第一電極12820。第一電極 12820被形成在由與配線12805和12806相同的材料制成的相同層中。圖64A和64B是設有使用非晶硅作為其半導體層的底部柵極晶體管的顯示板的部 分剖面圖。基底膜12902被形成在襯底12901上。之后，柵電極12903被形成在基底膜12902 上。另外，第一電極12904被形成在由與柵電極相同的材料形成的相同層中?？墒褂闷渲?加入磷的多晶硅作為柵電極12903的材料。除多晶硅以外，也可使用作為金屬和硅的化合 物的硅化物。之后，形成柵絕緣膜12905使其覆蓋柵電極12903和第一電極12904。柵絕緣膜 12905是使用氧化硅膜、氮化硅膜等制成的。半導體層12906被形成在柵絕緣膜12905上。另外，半導體層12907被形成在由 與半導體層12906相同的材料形成的相同層中?？墒褂貌Ａбr底、石英襯底、陶瓷襯底等作為襯底?？墒褂玫X(AlN)、氧化硅
44(SiO2)、氮氧化硅(SiOxNy)等的單層或其疊層形成基底膜12902。具有η型導電類型的η型半導體層12908和12909被形成在半導體層12906上， 并且η型半導體層12910被形成在半導體層12907上。配線12911和12912分別被形成在η型半導體層12908和12909上，并且導電層 12913被形成在由與配線12911和12912相同的材料形成的相同層中，位于η型半導體層 12910上面。這樣，第二電極由半導體層12907、η型半導體層12910和導電層12913構成。注 意，形成了電容器12920，其中柵絕緣膜12905被夾在第二電極和第一電極12904之間。配線12911的一個端部分延伸，并且像素電極12914被形成在延伸的配線12911上。形成絕緣體12915使其覆蓋像素電極12914的端部分、驅動晶體管12919和電容 器 12920。之后，包含有機化合物的層12916和相反電極12917被形成在像素電極12914和 絕緣體12915上。發(fā)光元件12918被形成在其中包含有機化合物的層12916被夾在像素電 極12914和相反電極12917之間的區(qū)域中。無需提供作為一部分電容器第二電極的半導體層12907和η型半導體層12910。 換句話說，第二電極可僅由導電層12913構成，因此電容器可具有這樣一種結構，其中柵絕 緣膜被夾在第一電極12904與導電層12913之間。注意，可在形成圖64Α中的配線12911之前形成像素電極12914，因此可形成電容 器12922，其中如圖64Β中所示柵絕緣膜12905被夾在第一電極12904與由像素電極12914 構成的第二電極12921之間。注意，圖64Α和64Β示出了倒轉錯列的溝道蝕刻型晶體管；然而，可使用溝道保護 型晶體管。下面將參照圖65Α和65Β描述溝道保護型晶體管的情況。圖65Α中所示的溝道保護型晶體管不同于圖64Α中所示的溝道蝕刻型晶體管 12919之處在于，用作蝕刻掩模的絕緣體13001被設在半導體層12906中的溝道形成區(qū)域 上。其他共同部分由相同的附圖標記表示。相似地，圖65Β中所示的溝道保護型晶體管不同于圖64Β中所示的溝道蝕刻型晶 體管12919之處在于，用作蝕刻掩模的絕緣體13001被設在半導體層12906中的溝道形成 區(qū)域上。其他共同部分由相同的附圖標記表示。通過使用非晶半導體膜作為包含在本發(fā)明像素中的晶體管的半導體層(諸如溝 道形成區(qū)域、源極區(qū)和漏極區(qū))，可降低制造成本。注意，可適用本發(fā)明像素結構的晶體管和電容器的結構不局限于上述結構，而是 可使用晶體管和電容器的各種結構。注意，本實施方式中所述的內容可與實施方式1到7中所述的內容以自由組合的 方式執(zhí)行。(實施方式9)下面將參照圖38描述具有本發(fā)明顯示器件或在顯示部分中使用本發(fā)明驅動方法 的顯示器件的移動電話的結構的示例。顯示板3810被包含在外殼3800中以便于可拆卸?？筛鶕?jù)顯示板3810的尺寸適當?shù)馗淖兺鈿?800的形狀和尺寸。顯示板3810固定于其上的外殼3800被裝配在印刷電 路板3801中以將其組裝成模塊。顯示板3810通過FPC3811與印刷電路板3801相連接。在印刷電路板3801上，形 成有揚聲器3802、麥克風3803、傳輸和接收電路3804、以及包含CPU、控制器等的信號處理 電路3805。所述模塊、輸入裝置3806、以及電池3807被組合并保存在機殼3809和3812中。 顯示板3810的像素部分被插入以便于從形成在機殼3809中的視窗中可看到。在顯示板3810中，使用TFT將像素部分和外圍驅動器電路的部分(多個驅動器電 路中具有低操作頻率的驅動器電路)結合在襯底上，而外圍驅動器電路的另一部分(多個 驅動器電路中具有高操作頻率的驅動器電路)可被形成在IC芯片上。所述IC芯片可通過 COG(玻璃上芯片)被安裝在顯示板3810上。或者可使用TAB(自動載帶焊)或印刷電路板 將IC芯片連接于玻璃襯底上。注意，圖39A示出了如下的顯示板結構示例其中外圍驅動 器電路的部分與像素部分結合在相同襯底上并且外圍驅動器電路的其他部分形成在其上 的IC芯片通過COG等被安裝。圖39A中的顯示板包括襯底3900、信號線驅動器電路3901、 像素部分3902、掃描線驅動器電路3903、掃描線驅動器電路3904、FPC3905、IC芯片3906、 IC芯片3907、密封襯底3908、以及密封劑3909。通過使用上述結構，可降低顯示器件的能 耗并且可使得移動電話的每次充電后的工作時間更長。另外，可實現(xiàn)移動電話的成本降低。另外，通過使用緩沖器轉換由掃描線或信號線設定的信號阻抗，可縮短每行像素 的寫入期間。因此，可提供高清晰度的顯示器件。另外，為了進一步降低能耗，可在襯底上使用TFT形成像素部分，所有外圍驅動器 電路可被形成在IC芯片上，并且如圖39B中所示的，IC芯片可通過COG(玻璃上芯片)等 被安裝在顯示板上。注意圖39B中的顯示板包括襯底3910、信號線驅動器電路3911、像素 部分3912、掃描線驅動器電路3913、掃描線驅動器電路3914、FPC3915、IC芯片3916、IC芯 片3917、密封襯底3918、以及密封劑3919。通過使用本發(fā)明的顯示器件和其驅動方法，可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖 像。因此，甚至可清楚地顯示其色調細微地改變的圖像，諸如人類皮膚。注意，該實施方式中所述的結構是移動電話的示例，但是本發(fā)明的顯示器件不僅 適用于具有上述結構的移動電話而且還適用于具有各種結構的移動電話。注意，本實施方式9中所述的內容可與實施方式1到8中所述的內容以自由組合 的方式執(zhí)行。(實施方式10)圖40示出了其中組合有顯示板4001和電路板4002的EL模塊。顯示板4001包括 像素部分4003、掃描線驅動器電路4004、以及信號線驅動器電路4005。在電路板4002上， 例如形成有控制電路4006、信號線分割電路4007等。顯示板4001和電路板4002通過連接 配線4008相互連接?？墒褂肍PC等作為連接配線。控制電路4006對應于實施方式6中的控制器3708、存儲器3709、存儲器3710等。 在控制電路4006中主要控制子幀的出現(xiàn)順序等。在顯示板4001中，使用TFT將像素部分和一部分外圍驅動器電路(多個驅動器電 路中具有低操作頻率的驅動器電路)結合在襯底上，而外圍驅動器電路的另一部分(多個 驅動器電路中具有高操作頻率的驅動器電路)可被形成在IC芯片上。所述IC芯片可通過
46COG(玻璃上芯片)被安裝在顯示板4001上?；蛘呖墒褂肨AB(自動載帶焊)或印刷電路板 將IC芯片安裝在顯示板4001上。另外，通過使用緩沖器轉換由掃描線或信號線設定的信號的阻抗，可縮短每行像 素的寫入期間。因此，可提供高清晰度的顯示器件。另外，為了進一步降低能耗，可使用TFT將像素部分形成在襯底上，所有信號線驅 動器電路可被形成在IC芯片上，并且IC芯片可通過COG(玻璃上芯片)等被安裝在顯示板 上。使用上述EL模塊可完成EL TV接收器。圖41是示出了 EL TV接收器的主要結構 的框圖。調諧器4101接收視頻信號和音頻信號。通過視頻信號放大器電路4102、用于將從 視頻信號放大器電路4102中輸出的信號轉換為與紅、綠和藍每種顏色相對應的彩色信號 的視頻信號處理電路4103、以及用于將視頻信號轉換為驅動器電路的輸入說明的控制電路 4006來處理視頻信號?？刂齐娐?006向每個掃描線側和信號線側輸出信號。在以數(shù)字方 式驅動的情況中，可使用其中信號分割電路4007被設在信號線一側上以便于供應被分成 為m塊的輸入數(shù)字信號的這樣一種結構。由調諧器4101接收的信號之中的音頻信號被傳輸?shù)揭纛l信號放大器電路4104 中，并且其輸出通過音頻信號處理電路4105被提供給揚聲器4106。控制電路4107從輸入 部分4108中接收接收站的控制信息(接收頻率)或音量并且將信號傳輸給調諧器4101和 音頻信號處理電路4105。通過將EL模塊合并于機殼中，完成了 TV接收器。TV接收器的顯示部分形成有EL 模塊。另外，還可適當?shù)靥峁P聲器、視頻輸入終端等。當然，本發(fā)明不局限于TV接收器，并且可應用于各種用作顯示媒介的使用用途， 諸如車站、機場等處的信息顯示板，或街道上的廣告顯示板、以及個人電腦的監(jiān)控器。通過使用如上所述的本發(fā)明的顯示器件和其驅動方法，可清楚地看到減小了偽輪 廓線的圖像。因此，甚至可清楚地顯示其色調細微地改變的圖像，諸如人類皮膚。注意，本實施方式中所述的內容可與實施方式1到9中所述的內容以自由組合的 方式執(zhí)行。(實施方式11)使用本發(fā)明半導體器件的電子設備的示例如下所述的諸如攝影機和數(shù)碼相機等 照相機、護目鏡型顯示器(頭配式顯示器)、導航系統(tǒng)、聲音再現(xiàn)裝置(諸如汽車音響或音 頻部件)、個人電腦、游戲機、便攜式信息終端(諸如，移動電腦、移動電話、便攜式游戲機或 電子書等)、具有儲存媒介讀出部分的圖像再現(xiàn)裝置(具體地，一種可再現(xiàn)例如數(shù)字通用盤 (DVD)的記錄媒介并包括能夠顯示其圖像的顯示器的裝置)等。圖42A至42H示出了其具 體示例。圖42A示出了自發(fā)光顯示器，所述顯示器包括機殼4201、支撐部分4202、顯示部分 4203、揚聲器部分4204、音頻輸入終端4205、等。本發(fā)明可用于包含在顯示部分4203中的顯 示器件。另外，依照本發(fā)明，可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并且可完成圖42A中的 顯示器。由于顯示器是自發(fā)光類型的，因此所述顯示器不需要背光，并且可提供比液晶顯示 器更薄的顯示部分。注意，所述顯示器的范疇中包含用于顯示信息的所有顯示器件，例如， 用于個人電腦的顯示器件、用于TV廣播接收的顯示器件、或用于廣告顯示的顯示器件。
圖42B示出了數(shù)碼靜像照相機，包括主體4206、顯示部分4207、圖像接收部分 4208、操作鍵4209、外部連接端口 4210、快門4211等。本發(fā)明可用于包含在顯示部分4207 中的顯示器件。另外，依照本發(fā)明，可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并且完成了圖42B 中的數(shù)碼相機。圖42C示出了個人電腦，包括主體4212、機殼4213、顯示部分4214、鍵盤4215、外 部連接端口 4216、指示鼠標4217等。本發(fā)明可用于包含在顯示部分4214中的顯示器件。另 外，依照本發(fā)明，可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并且完成了圖42C中的個人電腦。圖42D示出了移動電腦，包括主體4218、顯示部分4219、開關4220、操作鍵4221、 紅外端口 4222等。本發(fā)明可用于包含在顯示部分4219中的顯示器件。另外，依照本發(fā)明， 可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并且完成了圖42D中的移動電腦。圖42E示出了具有存儲媒介讀出部分的圖像再現(xiàn)裝置(例如，具體地為DVD再現(xiàn) 裝置)，包括主體4223、外殼4224、顯示部分A4225、顯示部分B4226、存儲媒介(DVD等)讀 取部分4227、操作鍵4228、揚聲器部分4229等。顯示部分A4225主要顯示圖像信息，而顯 示部分B4226主要顯示字符信息。本發(fā)明可用于包含在顯示部分A4225和顯示部分B4226 中的顯示器件。注意，具有存儲媒介讀出部分的圖像再現(xiàn)裝置還包括家用游戲機等。另外， 依照本發(fā)明，可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并且完成了圖42E中的圖像再現(xiàn)裝置。圖42F示出了護目鏡型顯示器(頭配式顯示器)，包括主體4230、顯示部分4231、 臂部分4232等。本發(fā)明可用于包含在顯示部分4231中的顯示器件。另外，依照本發(fā)明，可 清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并且完成了圖42F中所示的護目鏡型顯示器。圖42G示出了攝影機，包括主體4233、顯示部分4234、外殼4235、外部連接端口 4236、遠程控制接收部分4237、圖像接收部分4238、電池4239、音頻輸入部分4240、操作鍵 4241等。本發(fā)明可用于包含在顯示部分4234中的顯示器件。另外，依照本發(fā)明，可清楚地 看到減小了偽輪廓線的圖像，并且完成了圖42G中的攝影機。圖42H示出了移動電話，包括主體4242、外殼4243、顯示部分4244、音頻輸入部分 4245、音頻輸出部分4246、操作鍵4247、外部連接端口 4248、天線4249等。本發(fā)明可用于包 含在顯示部分4244中的顯示器件。注意，當顯示部分4244在黑色背景上顯示白色字符時 可減小移動電話的電流消耗。另外，依照本發(fā)明，可清楚地看到減小了偽輪廓線的圖像，并 且完成了圖42H中的移動電話。注意，如果使用具有高亮度的發(fā)光材料，本發(fā)明可應用于通過透鏡等放大并投射 包含圖像信息的輸出光線的前投影儀或后投影儀。另外，前述電子設備通常用于顯示通過遠程通信線路(諸如因特網(wǎng)或CATV(有線 電視系統(tǒng)))分布的信息，特別正日益用于顯示移動的圖像信息。由于發(fā)光材料具有非常高 的響應速度，因此發(fā)光顯示器件適合于顯示運動圖像。由于發(fā)光部分在發(fā)光顯示器件中消耗能量，因此最好通過盡可能小的發(fā)光部分顯 示信息。因此，在使用主要顯示字符信息的便攜式信息終端(具體為移動電話、聲音放大裝 置等)的顯示部分中的發(fā)光顯示器件的情況中，最好驅動發(fā)光顯示器件，從而在不發(fā)光部 分用作背景的情況下，通過發(fā)光部分形成字符信息。如上所述的，本發(fā)明的應用范圍如此廣泛，以致于本發(fā)明可應用于各種領域的電 子設備。另外該實施方式中的電子設備可使用具有實施方式1到10中所述任意一種結構的顯示器件。 本申請是以2005年4月14日在日本專利局提交的日本專利申請序列號 No. 2005117610為基礎的，所述申請的全部內容以引用方式并入本文。
權利要求
一種電子書，包括像素，所述像素包括電容器和底部柵極晶體管，所述底部柵極晶體管包括化合物半導體；存儲器；以及電路，其中所述電容器包括第一電極和所述第一電極上方的第二電極，在所述第一電極和所述第二電極之間設置有柵極絕緣膜，所述電路被配置為通過使用所述存儲器將多個信號輸入到所述像素中，并且所述像素被配置為根據(jù)所述多個信號來表示灰度。
2.一種電子書，包括像素，所述像素包括電容器和底部柵極晶體管，所述底部柵極晶體管包括InGaZnO ；存儲器；以及電路，其中所述電容器包括第一電極和所述第一電極上方的第二電極，在所述第一電極和所 述第二電極之間設置有柵極絕緣膜，所述電路被配置為通過使用所述存儲器將多個信號輸入到所述像素中，并且 所述像素被配置為根據(jù)所述多個信號來表示灰度。
3.一種電子書，包括像素，所述像素包括電容器和底部柵極晶體管，所述底部柵極晶體管包括非晶 InGaZnO ；存儲器；以及 電路，其中所述電容器包括第一電極和所述第一電極上方的第二電極，在所述第一電極和所 述第二電極之間設置有柵極絕緣膜，所述電路被配置為通過使用所述存儲器將多個信號輸入到所述像素中，并且 所述像素被配置為根據(jù)所述多個信號來表示灰度。
4.根據(jù)權利要求1-3中任何一項的電子書，其中所述像素還包括發(fā)光元件。
5.一種電子書，包括像素，所述像素包括電容器和底部柵極晶體管，所述底部柵極晶體管包括化合物半導體；存儲器；以及 電路，其中所述電容器包括第一導電層、所述第一導電層上方的半導體層以及所述半導體層 上方的第二導電層，在所述第一導電層和所述半導體層之間設置有柵極絕緣膜， 所述電路被配置為通過使用所述存儲器將多個信號輸入到所述像素中，并且 所述像素被配置為根據(jù)所述多個信號來表示灰度。
6.一種電子書，包括像素，所述像素包括電容器和底部柵極晶體管，所述底部柵極晶體管包括InGaZnO ； 存儲器；以及電路，其中所述電容器包括第一導電層、所述第一導電層上方的半導體層以及所述半導體層 上方的第二導電層，在所述第一導電層和所述半導體層之間設置有柵極絕緣膜， 所述電路被配置為通過使用所述存儲器將多個信號輸入到所述像素中，并且 所述像素被配置為根據(jù)所述多個信號來表示灰度。
7.一種電子書，包括像素，所述像素包括電容器和底部柵極晶體管，所述底部柵極晶體管包括非晶 InGaZnO ；存儲器；以及 電路，其中所述電容器包括第一導電層、所述第一導電層上方的半導體層以及所述半導體層 上方的第二導電層，在所述第一導電層和所述半導體層之間設置有柵極絕緣膜， 所述電路被配置為通過使用所述存儲器將多個信號輸入到所述像素中，并且 所述像素被配置為根據(jù)所述多個信號來表示灰度。
8.根據(jù)權利要求5-7中任何一項的電子書，其中所述像素還包括發(fā)光元件。
9.一種驅動根據(jù)權利要求1-8中任何一項的電子書的方法，其中用η個比特表示灰度， η為整數(shù)，該驅動方法包括將每個都由二進制表示的灰度的比特分類為三種比特組，即，第一比特組、第二比特組 以及第三比特組；將一個幀分成為三個子幀組；將與屬于第一比特組的比特相對應的a個顯示期間中的每個顯示期間分成為六份，并 且將其每兩份布置在所述一個幀的三個子幀組中的每個中，其中a為滿足0 < a < η的整 數(shù)；將與屬于第二比特組的比特相對應的b個顯示期間中的每個顯示期間分成為三份，并 且將其每一份布置在所述一個幀的三個子幀組中的每個中，其中b為滿足0 < b < η的整 數(shù)；以及將與屬于第三比特組的比特相對應的c個顯示期間中的每個顯示期間布置在所述一 個幀的三個子幀組中的任何一個中，其中c為滿足0 < c < η并且a+b+c = η的整數(shù)；其中，與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀以及與屬于第二比特組的比特相對 應的多個子幀的出現(xiàn)順序在所述一個幀的三個子幀組之間大致相同，并且對于與屬于第一比特組的比特相對應的多個子幀和與屬于第二比特組的比特相對應 的多個子幀的部分或全部而言，在所述一個幀的三個子幀組的每個中使用重疊時間灰度 法。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種電子書及其驅動方法。該電子書包括具有電容器和底部柵極晶體管的像素；存儲器；以及電路，電容器的兩電極間設置有柵極絕緣膜，電路配置為通過使用存儲器將多個信號輸入到像素中，像素配置為根據(jù)該多個信號來表示灰度?；叶鹊谋忍乇环诸悶槿N比特組，一個幀被分成為三個子幀組。與屬于第一比特組的比特對應的子幀被分成為六份，其每兩份被布置在每個子幀組中；與屬于第二比特組的比特對應的子幀被分成為三份，其每一份被布置在每個子幀組中；與屬于第三比特組的比特對應的子幀被布置在子幀組中的任何一個中。這樣，在每個子幀組中應用重疊時間灰度法以表示灰度等級。本發(fā)明減少了當通過時間灰度法進行顯示時出現(xiàn)的偽輪廓線。
文檔編號G09B5/02GK101882421SQ20101020265
公開日2010年11月10日 申請日期2006年4月14日 優(yōu)先權日2005年4月14日
發(fā)明者木村肇, 肉戶英明 申請人:株式會社半導體能源研究所