專利名稱：熱頭的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及熱頭(thermal head)的制造方法。
背景技術(shù)：
以往，制造用于感熱式打印機(jī)的熱頭的方法已為人所知(例如參照專利文獻(xiàn)1)。 專利文獻(xiàn)1記載的熱頭的制造方法，在上板基板的一個(gè)表面形成凹部并以閉塞凹部的方式接合支撐基板后，通過在上板基板的背面中的與凹部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器，制造在上板基板與支撐基板之間具有空洞部的熱頭。這樣地制造的熱頭，通過使空洞部作為熱導(dǎo)率低的絕熱層而起作用，降低從發(fā)熱電阻器經(jīng)由上板基板向支撐基板側(cè)逃逸的熱量，能夠增加用于印字的熱量，提高發(fā)熱效率。 該發(fā)熱效率由凹部的尺寸、或發(fā)熱電阻器和空洞部之間的上板基板的厚度尺寸等決定，需要降低這些各個(gè)尺寸的偏差。專利文獻(xiàn)1 日本特開2010-94939號公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
然而，在制造熱頭時(shí)，同一基板內(nèi)的凹部的尺寸產(chǎn)生偏差，或每個(gè)基板的凹部的尺寸也產(chǎn)生偏差。因此，在現(xiàn)有制造方法中，不能夠抑制發(fā)熱效率的偏差，存在難以制造質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭的問題。本發(fā)明是鑒于上述的情況而做出的，目的在于提供能夠制造發(fā)熱效率高且質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭的方法。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供如下的方案。本發(fā)明提供一種熱頭的制造方法，其中包括槽部形成工序，形成在平板狀的第1 基板及對該第1基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的第2基板的至少一方的一個(gè)表面開口的槽部；測定工序，測定采用該槽部形成工序形成的所述槽部的寬度尺寸；接合工序，以閉塞采用所述槽部形成工序形成的所述槽部的開口的方式將所述第1基板和所述第2基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序，將采用該接合工序與所述第1基板接合的所述第2基板薄板化到基于采用所述測定工序測定的所述槽部的寬度尺寸而設(shè)定的厚度為止；以及電阻器形成工序，在采用該薄板化工序薄板化的所述第2基板的表面中的與所述槽部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。依據(jù)本發(fā)明，通過采用接合工序?qū)⒌?基板和第2基板以層疊狀態(tài)接合并閉塞采用槽部形成工序形成的槽部，形成在第1基板和第2基板的層疊部分具有空洞部的層疊基板。另外，通過與槽部相向地配置采用電阻器形成工序形成的發(fā)熱電阻器，空洞部作為隔斷從發(fā)熱電阻器經(jīng)由第2基板向第1基板側(cè)傳遞的熱量的中空絕熱層而起作用，能夠?qū)崿F(xiàn)發(fā)熱效率的提高。在此情況下，發(fā)熱效率由槽部的尺寸或第2基板的厚度(從發(fā)熱電阻器到空洞部為止的距離)等決定。在本發(fā)明中，通過基于采用測定工序測定的槽部的寬度尺寸來設(shè)定采用薄板化工序薄板化的第2基板的厚度，能夠根據(jù)第2基板的厚度調(diào)節(jié)并抵消槽部的寬度尺寸的偏差。由此，降低不良的產(chǎn)生，能夠制造發(fā)熱效率高且質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭。本發(fā)明提供一種熱頭的制造方法，其中包括槽部形成工序，形成在平板狀的第1 基板及對該第1基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的第2基板的至少一方的一個(gè)表面開口的槽部；測定工序，測定采用該槽部形成工序形成的所述槽部的深度尺寸；接合工序，以閉塞采用所述槽部形成工序形成的所述槽部的開口的方式將所述第1基板和所述第2基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序，將采用該接合工序與所述第1基板接合的所述第2基板薄板化到基于采用所述測定工序測定的所述槽部的深度尺寸而設(shè)定的厚度為止；以及電阻器形成工序，在采用該薄板化工序薄板化的所述第2基板的表面中的與所述槽部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。依據(jù)本發(fā)明，通過根據(jù)采用槽測定工序測定的槽部的深度尺寸來設(shè)定采用薄板化工序薄板化的第2基板的厚度，根據(jù)第2基板的厚度調(diào)節(jié)并抵消槽部的深度尺寸的偏差，能夠制造發(fā)熱效率高且質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭。本發(fā)明提供一種熱頭的制造方法，其中包括槽部形成工序，形成在平板狀的第1 基板及對該第1基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的第2基板的至少一方的一個(gè)表面開口的槽部；測定工序，測定采用該槽部形成工序形成的所述槽部的寬度尺寸和深度尺寸；接合工序，以閉塞采用所述槽部形成工序形成的所述槽部的開口的方式將所述第1基板和所述第 2基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序，將采用該接合工序與所述第1基板接合的所述第2基板薄板化到基于采用所述測定工序測定的所述槽部的寬度尺寸和深度尺寸而設(shè)定的厚度為止；以及電阻器形成工序，在采用該薄板化工序薄板化的所述第2基板的表面中的與所述槽部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。依據(jù)本發(fā)明，通過基于槽部的寬度尺寸和深度尺寸來設(shè)定第2基板的厚度，根據(jù)第2基板的厚度調(diào)節(jié)并精度良好地抵消槽部的尺寸的偏差，能夠制造高發(fā)熱效率且高質(zhì)量的熱頭。依據(jù)本發(fā)明，取得能夠制造發(fā)熱效率高且質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭這一效果。


圖1是從厚度方向看本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的熱頭的概略結(jié)構(gòu)圖。圖2是圖1的熱頭的A-A剖面圖。圖3(a)是從厚度方向看本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的熱頭的制造方法中使用的大塊的層疊基板的圖，(b)是從長度方向看(a)的層疊基板的圖。圖4是示出本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的熱頭的制造方法的流程圖。圖5(a)是關(guān)于凹部的寬度尺寸的排序圖表，(b)是關(guān)于凹部的深度尺寸的排序圖表。圖6是示出基于凹部的寬度和深度的評分的上板基板的目標(biāo)值的圖。圖7(a)是示出凹部的寬度尺寸與熱頭的熱效率的關(guān)系的圖表，(b)是用線圖表示 (a)的圖表。圖8(a)是示出凹部的深度尺寸與熱頭的熱效率的關(guān)系的圖表，(b)是用線圖表示 (a)的圖表。
圖9(a)是示出上板基板的厚度與熱頭的熱效率的關(guān)系的圖表，(b)是用線圖表示 (a)的圖表。圖10(a)是示出熱頭的基本設(shè)計(jì)值的圖，(b)是示出實(shí)際測定值與發(fā)熱效率的關(guān)系的圖。圖11(a)是示出熱頭的另一基本設(shè)計(jì)值的圖，(b)是示出實(shí)際測定值與發(fā)熱效率的關(guān)系的圖。圖12(a)是示出熱頭的另一基本設(shè)計(jì)值的圖，(b)是示出實(shí)際測定值與發(fā)熱效率的關(guān)系的圖。附圖標(biāo)記說明10熱頭；12支撐基板(第1基板)；14上板基板(第2基板)；15發(fā)熱電阻器；21 凹部(槽部)；SAl凹部形成工序(槽部形成工序)；SA2測定工序；SA4接合工序；SA5薄板化工序；SA6電阻器形成工序。
具體實(shí)施例方式以下，參照

本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式涉及的熱頭的制造方法。本實(shí)施方式涉及的熱頭的制造方法，例如如圖1及圖2所示，制造用于感熱式打印機(jī)(省略圖示)的熱頭10。在本實(shí)施方式中，對從如圖3(a)、(b)所示的大型的支撐基板 (第1基板)12及上板基板(第2基板)14制造多個(gè)熱頭10的方法進(jìn)行說明。如圖4的流程圖所示，本制造方法包括凹部形成工序(槽部形成工序)SAl，形成在平板狀的支撐基板12的一個(gè)表面開口的多個(gè)凹部(槽部)21 ；測定工序SA2，測定凹部21 的寬度尺寸和深度尺寸；條件設(shè)定工序SA3，設(shè)定上板基板14的加工條件；接合工序SA4， 將支撐基板12和上板基板14以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序SA5，使與支撐基板12接合的上板基板14薄板化；以及電阻器形成工序SA6，在薄板化的上板基板14的表面形成發(fā)熱電阻器15。本制造方法還具備電極部形成工序SA7，在上板基板14的表面形成與發(fā)熱電阻器15連接的電極部17A、17B ；保護(hù)膜形成工序SA8，形成部分地覆蓋包含發(fā)熱電阻器15及電極部17A、17B的上板基板14的表面的保護(hù)膜19 ；以及切斷工序SA9，按每一個(gè)熱頭10切開。以下具體說明各工序。在凹部形成工序SAl中，使用例如具有300 μ m Imm左右的厚度的絕緣性玻璃基板作為支撐基板12。首先，分配大型的支撐基板12，按每一個(gè)熱頭10劃分區(qū)域。例如，在圖3(a)中，劃分一方向3個(gè)、另一方向8個(gè)的矩形狀的區(qū)域成為每一個(gè)熱頭10的區(qū)域。凹部形成工序SAl在該支撐基板12的一個(gè)表面中形成按每一個(gè)各熱頭10的區(qū)域沿長度方向延伸的矩形狀的凹部21 (步驟SAl)。凹部21的寬度和深度在熱效率這方面是各自的尺寸越大則越有效，但為了抑制制品間的質(zhì)量的偏差，需要抑制在既定范圍內(nèi)。另外，若凹部21的寬度尺寸過大，則上板基板14的強(qiáng)度變?nèi)?。另外，凹?1的深度尺寸的增大關(guān)聯(lián)到制造成本的上升，因而是不理想的。凹部21能夠通過例如在支撐基板12的一個(gè)表面實(shí)施噴射、干法蝕刻、濕法蝕刻、激光加工、或鉆孔加工等而形成。在實(shí)施采用噴射的加工的情況下，在支撐基板12的一個(gè)表面覆蓋光致抗蝕劑材料。然后，使用既定圖案的光掩模使光致抗蝕劑材料曝光，使形成凹部21的區(qū)域以外的部分固化。其后，清洗支撐基板12的表面，除去未固化的光致抗蝕劑材料。于是，得到在形成凹部21的區(qū)域形成了蝕刻窗的蝕刻掩模(省略圖示)。在該狀態(tài)下在支撐基板12的表面實(shí)施噴射，形成既定深度的凹部21。另外，在實(shí)施采用干法蝕刻或濕法蝕刻等蝕刻的加工的情況下，與上述的采用噴射的加工同樣地形成蝕刻掩模，該蝕刻掩模在支撐基板12的一個(gè)表面中的形成凹部21的區(qū)域形成有蝕刻窗。在該狀態(tài)下在支撐基板12的表面實(shí)施蝕刻，形成既定深度的凹部21。對于蝕刻處理，例如除了使用氫氟酸類的蝕刻液等的濕法蝕刻以外，還能夠使用活性離子蝕刻(RIE)或等離子體蝕刻等干法蝕刻。作為參考例，在支撐基板為單晶硅的情況下，能進(jìn)行采用氫氧化四甲銨溶液、KOH溶液、或氫氟酸和硝酸的混合液等的蝕刻液等的濕法蝕刻。接著，在測定工序SA2中使用例如測定顯微鏡、接觸式表面粗糙度計(jì)、或非接觸式激光位移計(jì)等，測定凹部21的寬度尺寸和深度尺寸(步驟SA》。優(yōu)選對1個(gè)大型的支撐基板12測定多個(gè)凹部21的寬度尺寸和深度尺寸并分別算出寬度尺寸和深度尺寸的平均。接著，在條件設(shè)定工序SA3中，基于采用測定工序SA2測定的多個(gè)凹部21的寬度尺寸的平均值與深度尺寸的平均值的數(shù)據(jù)，設(shè)定上板基板14的加工條件(步驟SA3)。制作例如如圖5(a)所示的以既定尺寸間隔對凹部21的寬度尺寸分組并標(biāo)記評分的排序表，以及如圖5(b)所示的以既定尺寸間隔對凹部21的深度尺寸分組并標(biāo)記評分的排序表。另外，根據(jù)這些排序表中的凹部21的寬度的評分和深度的評分的總分，設(shè)定如圖 6所示的上板基板14的加工條件，即薄板化工序SA5中的上板基板14的薄板化的目標(biāo)值
(μ m) ο如圖7(a)、(b)所示，存在凹部21的寬度尺寸(μ m)越大則熱頭的發(fā)熱效率越高的傾向。圖7(a)、(b)示出與現(xiàn)有的一般性的熱頭相比較的發(fā)熱效率。下面，在圖8(a)、(b) 和圖9(a)、(b)中也是同樣的。另外，如圖8(a)、(b)所示，存在凹部21的深度尺寸(μ m)越大則熱頭的發(fā)熱效率越高的傾向。另一方面，如圖9(a)、(b)所示，存在上板基板14的厚度越厚則熱頭的發(fā)熱效率越低的傾向。于是，例如在圖5(a)所示的凹部21的寬度的排序表中，設(shè)定凹部21的寬度尺寸的平均值(Pm)越大則評分越高，設(shè)定平均值(ym)越小則評分越低。另外，例如在圖5(b) 所示的凹部21的深度的排序表中，設(shè)定凹部21的深度尺寸的平均值(ym)越大則評分越高，設(shè)定平均值(Pm)越小則評分越低。另外，例如在如圖6所示的上板基板14的厚度的加工條件中，設(shè)定凹部21的寬度尺寸的評分和深度尺寸的評分的總分越高則上板基板14的厚度的目標(biāo)值(ym)越大 (厚)，設(shè)定總分越低則上板基板14的厚度的目標(biāo)值(μ m)越小(薄)。接著，在接合工序SA4中，由與支撐基板12相同的材料構(gòu)成玻璃基板用作為上板基板14。厚度在100 μ m以下的玻璃基板難以制造或加工，且價(jià)格高昂。因此，不是從最初就將薄的上板基板14與支撐基板12接合，而是在將易于制造或加工的厚度的上板基板14與支撐基板12接合后，采用薄板化工序SA5將上板基板14加工到期望的厚度(步驟SA4)。在接合工序SA4中，首先，從支撐基板12的表面全部除去蝕刻掩模并清洗。然后， 在支撐基板12的表面以閉塞全部凹部21的方式貼合上板基板14。例如，在室溫下不使用粘接層而直接將上板基板14貼合到支撐基板12。通過用上板基板14覆蓋支撐基板12的一個(gè)表面從而閉塞各凹部21的開口，在支撐基板12和上板基板14之間形成多個(gè)空洞部23。在該狀態(tài)下，對粘合的支撐基板12和上板基板14進(jìn)行加熱處理，通過熱熔接將其接合(步驟SA4)。下面，稱接合支撐基板12和上板基板14而成的基板為層疊基板13。接著，在薄板化工序SA5中基于采用條件設(shè)定工序SA3設(shè)定的加工條件(參照圖 6)，使層疊基板13的上板基板14薄板化(步驟SA5)。上板基板14的薄板化采用蝕刻或研磨等進(jìn)行。例如，將上板基板14加工到10 50 μ m左右的厚度。上板基板14的蝕刻與凹部形成工序SAl同樣地能夠使用各種蝕刻。另外，上板基板14的研磨能夠使用例如用于高精度研磨半導(dǎo)體晶片等的CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)等。接著，在電阻器形成工序SA6中在上板基板14的表面中的與各凹部21相向的區(qū)域分別形成多個(gè)發(fā)熱電阻器15 (步驟SA6)。發(fā)熱電阻器15以在各空洞部23的長度方向隔開既定間隔地排列并分別在寬度方向跨過空洞部23的方式形成。發(fā)熱電阻器15的形成能夠使用濺射、CVD(化學(xué)氣相生長法)、或蒸鍍等薄膜形成法。通過在上板基板14上成膜Ta類或硅化物類等發(fā)熱電阻器材料的薄膜，并使用剝離 (lift-off)法或蝕刻法等成形該薄膜，能夠形成期望形狀的發(fā)熱電阻器15。接著，電極部形成工序SA7與電阻器形成工序SA6同樣地采用濺射或蒸鍍法等在上板基板14上成膜電極材料。然后，使用剝離法或蝕刻法成形該膜，或在絲網(wǎng)印刷(screen print)電極材料后燒成，從而形成電極部17A、17B(步驟SA7)。作為電極材料，能夠使用例如 Al、Al-Si、Au、Ag、Cu、Pt 等。電極部17A、17B由與各發(fā)熱電阻器15的同排列方向正交的方向的一端連接的個(gè)別電極17A、以及與全部的發(fā)熱電阻器15的另一端連接成為一體的共同電極17B構(gòu)成。形成發(fā)熱電阻器15或電極部17A、17B的順序是任意的。在發(fā)熱電阻器15及電極部17A、17B 中的用于剝離或蝕刻的抗蝕劑材料的構(gòu)圖時(shí)，使用光掩模對光致抗蝕劑材料進(jìn)行構(gòu)圖。接著，在保護(hù)膜形成工序SA8中在形成了發(fā)熱電阻器15及電極部17A、17B的上板基板14上成膜保護(hù)膜材料，從而形成保護(hù)膜19 (步驟SA8)。作為保護(hù)膜材料，使用例如 Si02、T￡i205、SiA10N、Si3N4、類金剛石碳(diamond like carbon)等。另外，作為成膜方法，使用濺射、離子電鍍法、CVD法等。通過形成保護(hù)膜19，能夠保護(hù)發(fā)熱電阻器15及電極部17A、 17B免于磨損或腐蝕。接著，在切斷工序SA9中將大型的層疊基板13按每一個(gè)熱頭10的區(qū)域切斷(步驟SA9)。在本實(shí)施方式中，從1個(gè)大型的層疊基板13形成M個(gè)熱頭10。說明這樣地制造的熱頭10的作用。選擇性地對個(gè)別電極17A施加電壓時(shí)，連接有被選擇的個(gè)別電極17A和與其相向的共同電極17B的發(fā)熱電阻器15流過電流而發(fā)熱。發(fā)熱電阻器15中產(chǎn)生的熱量通過向保護(hù)膜19側(cè)的傳遞而被用于印字等，另一方面，一部分經(jīng)由上板基板14向支撐基板12側(cè)傳遞。
表面形成了發(fā)熱電阻器15的上板基板14作為蓄積發(fā)熱電阻器15中產(chǎn)生的熱量的蓄熱層而起作用。另一方面，在上板基板14與支撐基板12之間與發(fā)熱電阻器15相向地配置的空洞部23，作為抑制熱量從發(fā)熱電阻器15向支撐基板12側(cè)傳遞的中空絕熱層而起作用。因而，通過空洞部23能夠抑制發(fā)熱電阻器15中產(chǎn)生的熱量的一部分經(jīng)由上板基板14向支撐基板12側(cè)的逃逸。由此，增加從發(fā)熱電阻器15向保護(hù)膜19側(cè)傳遞并用于印字等的熱量，能夠?qū)崿F(xiàn)利用效率的提高。在此情況下，發(fā)熱效率由凹部21的寬度或深度、上板基板14的厚度(從發(fā)熱電阻器15到空洞部23為止的距離)等決定。在本實(shí)施方式涉及的熱頭的制造方法中，在薄板化工序SA5中，通過將上板基板14加工到基于凹部21的寬度尺寸和深度尺寸而設(shè)定的厚度，能夠根據(jù)上板基板14的厚度來調(diào)節(jié)并抵消每一個(gè)凹部21的寬度尺寸或深度尺寸的偏差。由此，降低不良的產(chǎn)生，能夠制造多個(gè)發(fā)熱效率高且質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭10。本實(shí)施方式能夠進(jìn)行如下的變形。例如，在本實(shí)施方式中，在條件設(shè)定工序SA3中，使用凹部21的寬度和深度的評分來設(shè)定上板基板14的加工條件，但也可取而代之，而根據(jù)凹部21的寬度尺寸和深度尺寸的測定值使用以下的式子來設(shè)定加工條件(上板基板14的適宜的厚度c ( μ m))。c = ln (e-0.0084xcX (1-0. 0005 X (a-A) + (0· 0055 X b-0.69) X (b_B))) /_0· 0084這里，Α:凹部21的寬度的基本設(shè)計(jì)值(μ m)，B:凹部21的深度的基本設(shè)計(jì)值 (μ m)，a:凹部21的寬度的實(shí)際測定值(ym)，b:凹部21的深度的實(shí)際測定值(μ m)。例如如圖10 (a)所示，設(shè)凹部21的寬度的基本設(shè)計(jì)值A(chǔ)為200 ( μ m)、凹部21的深度的基本設(shè)計(jì)值B為50 ( μ m)、上板基板14的厚度的基本設(shè)計(jì)值C為50 ( μ m)、目標(biāo)發(fā)熱效率E為1.35(倍)。如圖10(b)所示，在某一部位(測定值1)，在凹部21的寬度的實(shí)際測定值a為218 ( μ m)、深度的實(shí)際測定值b為58 ( μ m)的情況下，采用上述式子，上板基板14 的適宜的厚度c成為51.4(μπι)。同樣，在另一部位(測定值2)，在凹部21的寬度的實(shí)際測定值a為183( μ m)、 凹部21的深度的實(shí)際測定值b為43(μ m)的情況下，上板基板14的適宜的厚度c成為 48.7(μπι)。而且，在另一部位(測定值3)，在凹部21的寬度的實(shí)際測定值a為204( μ m)、 凹部21的深度的實(shí)際測定值b為52 ( μ m)的情況下，上板基板14的適宜的厚度c成為 50. 3 ( μ m)。這樣，也可使用上述式子設(shè)定上板基板14的適宜的厚度，即薄板化工序SA5中的上板基板14的目標(biāo)值(μπι)。另外，作為另一例子，如圖11(a)所示，設(shè)凹部21的寬度的基本設(shè)計(jì)值A(chǔ)為 ^O(ym)、凹部21的深度的基本設(shè)計(jì)值B為180( μ m)、目標(biāo)發(fā)熱效率E為1. 24(倍)。在此情況下，如圖11(b)所示，采用上述式子，在某一部位(測定值1)，上板基板14的適宜的厚度c成為81. 3 ( μ m)。另外，在另一部位(測定值2)，上板基板14的適宜的厚度c成為 78. 8 ( μ m)。而且，在另一部位(測定值3)，上板基板14的適宜的厚度c成為80. 3 ( μ m)。另外，例如如圖12 (a)所示，設(shè)凹部21的寬度的基本設(shè)計(jì)值A(chǔ)為150 ( μ m)、凹部21 的深度的基本設(shè)計(jì)值B為100 ( μ m)、目標(biāo)發(fā)熱效率E為1. 69 (倍)。在此情況下，如圖12 (b) 所示，采用上述式子，在某一部位(測定值1)，上板基板14的適宜的厚度c成為沈.1 ( μ m)。另外，在另一部位(測定值2)，上板基板14的適宜的厚度c成為23. 9 ( μ m)。而且，在另一部位(測定值3)，上板基板14的適宜的厚度c成為25. 2 ( μ m)。這樣，通過使用上述式子設(shè)定上板基板14的加工條件，能夠更準(zhǔn)確地調(diào)節(jié)上板基板14的厚度，且精度良好地抵消每個(gè)凹部21的寬度尺寸的偏差。以上，參照附圖詳述了本發(fā)明的實(shí)施方式，但具體結(jié)構(gòu)并不限于該實(shí)施方式，還包含不脫離本發(fā)明的思想的范圍內(nèi)的設(shè)計(jì)變更。例如，在上述實(shí)施方式中，以大型的層疊基板13為單位加工上板基板14，但也可按每一個(gè)熱頭10求出凹部21的尺寸，將上板基板14加工到按照熱頭10逐個(gè)設(shè)定的厚度。 于是，能夠制造質(zhì)量的均勻性更加優(yōu)良的熱頭10。另外，也可使用按每一個(gè)熱頭10預(yù)先切開的支撐基板12及上板基板14，個(gè)別地制造熱頭10。另外，在上述實(shí)施方式中，在條件設(shè)定工序SA3中，基于凹部21的寬度和深度的兩方面設(shè)定上板基板14的厚度，但取而代之，也可基于凹部21的寬度或深度的任一方面設(shè)定上板基板14的厚度。另外，在上述實(shí)施方式中，在凹部形成工序SAl中，在支撐基板12形成凹部21，但也可在支撐基板12及上板基板14的至少任一方形成凹部21。例如，可以在上板基板14的一個(gè)表面形成凹部，也可在支撐基板12及上板基板14的雙方形成凹部。另外，在上述實(shí)施方式中，在接合工序SA4中，通過熱熔接接合支撐基板12和上板基板14，但取而代之，也可例如采用極薄的粘接層接合支撐基板12和上板基板14，還可進(jìn)行陽極接合。采用厚粘接層的接合在熱效率方面不是最理想的。另外，在上述實(shí)施方式中，在測定工序SA2后進(jìn)行接合工序SA4，但在使用非接觸式的激光位移計(jì)的情況下，也能在接合工序后測定凹部21的寬度和深度。因而，在此情況下，也可在接合工序后、即將進(jìn)行薄板化工序之前進(jìn)行測定工序和條件設(shè)定工序。在這樣的情況下，在制造管理方面比較有利。
權(quán)利要求
1.一種熱頭的制造方法，其中包括槽部形成工序，形成在平板狀的第1基板及對該第1基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的第2基板的至少一方的一個(gè)表面開口的槽部；測定工序，測定采用該槽部形成工序形成的所述槽部的寬度尺寸； 接合工序，以閉塞采用所述槽部形成工序形成的所述槽部的開口的方式將所述第1基板和所述第2基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序，將采用該接合工序與所述第1基板接合的所述第2基板薄板化到基于采用所述測定工序測定的所述槽部的寬度尺寸而設(shè)定的厚度為止；以及電阻器形成工序，在采用該薄板化工序薄板化的所述第2基板的表面中的與所述槽部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。
2.一種熱頭的制造方法，其中包括槽部形成工序，形成在平板狀的第1基板及對該第1基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的第2基板的至少一方的一個(gè)表面開口的槽部；測定工序，測定采用該槽部形成工序形成的所述槽部的深度尺寸； 接合工序，以閉塞采用所述槽部形成工序形成的所述槽部的開口的方式將所述第1基板和所述第2基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序，將采用該接合工序與所述第1基板接合的所述第2基板薄板化到基于采用所述測定工序測定的所述槽部的深度尺寸而設(shè)定的厚度為止；以及電阻器形成工序，在采用該薄板化工序薄板化的所述第2基板的表面中的與所述槽部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。
3.一種熱頭的制造方法，其中包括槽部形成工序，形成在平板狀的第1基板及對該第1基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的第2基板的至少一方的一個(gè)表面開口的槽部；測定工序，測定采用該槽部形成工序形成的所述槽部的寬度尺寸和深度尺寸； 接合工序，以閉塞采用所述槽部形成工序形成的所述槽部的開口的方式將所述第1基板和所述第2基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序，將采用該接合工序與所述第1基板接合的所述第2基板薄板化到基于采用所述測定工序測定的所述槽部的寬度尺寸和深度尺寸而設(shè)定的厚度為止；以及電阻器形成工序，在采用該薄板化工序薄板化的所述第2基板的表面中的與所述槽部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。
全文摘要
本發(fā)明的課題是制造發(fā)熱效率高且質(zhì)量穩(wěn)定的熱頭。本發(fā)明提供一種熱頭的制造方法，其中包括凹部形成工序(SA1)，形成在平板狀的支撐基板及對支撐基板以層疊狀態(tài)配置的平板狀的上板基板的至少一方的一個(gè)表面開口的凹部；測定工序(SA2)，測定采用凹部形成工序(SA1)形成的凹部的寬度尺寸；接合工序(SA4)，以閉塞凹部的開口的方式將支撐基板和上板基板以層疊狀態(tài)接合；薄板化工序(SA5)，將采用接合工序(SA4)與支撐基板接合的上板基板薄板化到基于采用測定工序(SA2)測定的凹部的寬度尺寸而設(shè)定的厚度；電阻器形成工序(SA6)，在薄板化的上板基板的表面中的與凹部相向的區(qū)域形成發(fā)熱電阻器。
文檔編號B41J2/32GK102555510SQ20111030599
公開日2012年7月11日 申請日期2011年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月24日
發(fā)明者三本木法光, 東海林法宜, 師岡利光, 頃石圭太郎 申請人:精工電子有限公司