專利名稱：一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽及其制造工藝的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及物聯(lián)網(wǎng)RFID領(lǐng)域，更具體的說涉及一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽及其制造工藝。
背景技術(shù)：
電子標(biāo)簽，又稱射頻識別標(biāo)簽和射頻標(biāo)簽，主要由存有識別代碼的大規(guī)模集成線路芯片和收發(fā)天線構(gòu)成，目前主要為無源式，使用時的電能取自收發(fā)天線接收到的無線電波能量；該電子標(biāo)簽具體是與射頻識別讀寫設(shè)備以及相應(yīng)的信息服務(wù)系統(tǒng)實現(xiàn)相互通信， 比如進(jìn)存銷系統(tǒng)的聯(lián)網(wǎng)等。該電子標(biāo)簽與傳統(tǒng)的條碼(Barcode)技術(shù)相互比較，電子標(biāo)簽擁有如可容納較多容量、通訊距離長、難以復(fù)制、對環(huán)境變化有較高的忍受能力以及可同時讀取多個標(biāo)簽等優(yōu)點(diǎn)。
電子標(biāo)簽結(jié)構(gòu)基本上包括射頻芯片、天線和封裝材料，其中封裝形式及封裝材料是決定電子標(biāo)簽應(yīng)用范圍及性能發(fā)揮最關(guān)鍵的因素。當(dāng)前，普通封裝形式的柔性電子標(biāo)簽一般均是采用如紙質(zhì)、PET、硅膠、ABS工程塑料、PVC、PPS塑料及亞麻等材料進(jìn)行封裝，即其無法應(yīng)付如高溫、洗衣等強(qiáng)酸、強(qiáng)堿惡劣環(huán)境，從而具有適用面窄的缺陷。
有鑒于此，本發(fā)明人針對現(xiàn)有電子標(biāo)簽的上述缺陷深入研究，遂有本案產(chǎn)生。發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的第一目的在于提供一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽，以解決現(xiàn)有技術(shù)中電子標(biāo)簽無法應(yīng)對惡劣環(huán)境，從而具有適用面窄的缺陷。
為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的解決方案是一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽，其中，包括RFID芯片、承載基材、蝕刻層、第一膠層、 離型紙、第二膠層、聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層，該蝕刻層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該RFID芯片、承載基材以及蝕刻層一起構(gòu)成芯料組件，該承載基材還通過第一膠層而連接有離型紙，該RFID芯片則通過第二膠層而與聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層依次相連。
進(jìn)一步，該第一膠層采用的為壓敏膠；該第二膠層選自改性樹脂、聚丙烯酸酯、亞克膠或硅膠中的一種或兩種以上；該承載基材選自PI膜或PET膜。
本發(fā)明的第二目的在于提供一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽的制造工藝，其中， 包括如下步驟①、選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布膠層后與承載基材進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料；③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面，形成蝕刻天線；④、將RFID芯片固定在蝕刻天線上面而形成芯料組件；⑤、在芯料組件上涂上第二膠層，并在第二膠層上復(fù)合上聚酰亞胺薄膜；⑥、在聚酰亞胺薄膜上在涂布形成一層樹脂油墨層；⑦、對上述涂布好樹脂油墨層的電子標(biāo)簽材料上承載基材一面涂布第一膠層，并復(fù)合上離型紙。
進(jìn)一步，該感光型復(fù)合材料為感光型干膜材料、感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。
進(jìn)一步，該承載基材選自PI膜或PET膜。
進(jìn)一步，該銅箔或鋁箔與承載基材之間的膠層選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。
進(jìn)一步,該步驟②中感光型復(fù)合材料與招箔或銅箔之間的形成采用卷對卷貼合, 該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。
進(jìn)一步，該鋁箔或銅箔的厚度選擇9 38um，該承載基材的厚度則選擇為12 200um。
進(jìn)一步，該第一膠層采用的為壓敏膠。
進(jìn)一步，該第二膠層選自改性樹脂、聚丙烯酸酯、亞克膠或硅膠中的一種或兩種以上。
采用上述結(jié)構(gòu)后，本發(fā)明涉及的一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽及其制造工藝， 由于其在制造成型過程中采用了承載基材、膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實施條件；同時由于采用了形成感光型復(fù)合材料以及曝光的方式而實現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材和膠層上的蝕刻層上線路的蝕刻精度公差在 ±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距< O. 12mm ;再者本發(fā)明還通過設(shè)置第二膠層、聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層，從而使得本發(fā)明具有耐高溫以及耐酸堿性的特點(diǎn)。


圖I為本發(fā)明涉及的一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽的剖視圖。
圖中電子標(biāo)簽100芯料組件IRFID芯片11承載基材12蝕刻層13第一膠層2離型紙3第二膠層4聚酰亞胺薄膜5樹脂油墨層6o具體實施方式

為了進(jìn)一步解釋本發(fā)明的技術(shù)方案，下面通過具體實施例來對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)闡述。
如圖I所示，本發(fā)明涉及的一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽100，包括RFID芯片11、承載基材12、蝕刻層13、第一膠層2、離型紙3、第二膠層4、聚酰亞胺薄膜5以及樹脂油墨層6 ;更具體的，該承載基材12與蝕刻層13結(jié)合之前還在承載基材12上涂布有一層膠， 從而起到將兩者粘結(jié)在一起的功效。
該蝕刻層13為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該RFID芯片11、承載基材12以及蝕刻層13 —起構(gòu)成芯料組件I，該承載基材12還通過第一膠層2而連接有離型紙3，該RFID芯片11則通過第二膠層4而與聚酰亞胺薄膜5以及樹脂油墨層6依次相連。更具體地，該第一膠層2采用的為壓敏膠；該第二膠層4選自改性樹脂、聚丙烯酸酯、亞克膠或硅膠中的一種或兩種以上；該承載基材12則選自PI膜或PET膜。
為了讓本發(fā)明涉及的耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽100能被充分公開，本發(fā)明還提供一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽100的制造工藝，下面以其較佳實施例進(jìn)行詳細(xì)闡述。
實施例一該制造工藝，包括如下步驟①、選擇厚度為9 38um的鋁箔，并在其上涂布膠層后與厚度為12 200um的承載基材12進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；具體的，該膠層可以選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種；②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料；該感光型復(fù)合材料采用感光型干膜材料，當(dāng)然其還可以被感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料所替代；③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面，形成蝕刻天線；④、將RFID芯片11固定在蝕刻天線上面而形成芯料組件I;具體其是通過點(diǎn)膠和綁定的方式進(jìn)行；⑤、在芯料組件I上涂上第二膠層4，并在第二膠層4上復(fù)合上聚酰亞胺薄膜5；⑥、在聚酰亞胺薄膜5上在涂布形成一層樹脂油墨層6；⑦、對上述涂布好樹脂油墨層6的電子標(biāo)簽100材料上承載基材12—面涂布第一膠層 2，并復(fù)合上離型紙3。
需要說明的是，在本實施例中，該承載基材12可以選自PI膜或PET膜；該第一膠層2采用的為壓敏膠；該第二膠層4選自改性樹脂、聚丙烯酸酯、亞克膠或硅膠中的一種或兩種以上。
實施例二 本實施例與第一實施例的步驟基本相同，其不同之處在于采用銅箔來替代第一實施例中的鋁箔。
實施例三在本實施例中，其可以采用第一實施例和第二實施例的全部方案，但是其為了達(dá)到提高生產(chǎn)效率的目的，其對前述步驟②和前述步驟③均進(jìn)行了改進(jìn)，具體的，該步驟②中感光型復(fù)合材料與鋁箔或銅箔之間的形成采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。
綜上所述，本發(fā)明涉及的一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽100及其制造工藝，由于其在制造成型過程中采用了承載基材12、膠層以及鋁箔或銅箔，從而確保了蝕刻工藝的實施條件；同時由于采用了形成感光型復(fù)合材料以及曝光的方式而實現(xiàn)線路轉(zhuǎn)移，接著再通過蝕刻的工藝，如此使得形成在承載基材12和膠層上的蝕刻層13上線路的蝕刻精度公差在±0. 02mm和/或線路端點(diǎn)最小間距< O. 12mm ;再者本發(fā)明還通過設(shè)置第二膠層4、聚酰亞胺薄膜5以及樹脂油墨層6，從而使得本發(fā)明具有耐高溫以及耐酸堿性的特點(diǎn)，具體其可耐280°C高溫，并可以耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿PH值I 14達(dá)24h以上，從而可以耐化學(xué)溶劑擦拭。
上述實施例和圖式并非限定本發(fā)明的產(chǎn)品形態(tài)和式樣，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員對其所做的適當(dāng)變化或修飾，皆應(yīng)視為不脫離本發(fā)明的專利范疇。
權(quán)利要求
1.一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽，其特征在于，包括RFID芯片、承載基材、蝕刻層、 第一膠層、離型紙、第二膠層、聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層，該蝕刻層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該RFID芯片、承載基材以及蝕刻層一起構(gòu)成芯料組件，該承載基材還通過第一膠層而連接有離型紙，該RFID芯片則通過第二膠層而與聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層依次相連。
2.如權(quán)利要求I所述的一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽，其特征在于，該第一膠層采用的為壓敏膠；該第二膠層選自改性樹脂、聚丙烯酸酯、亞克膠或硅膠中的一種或兩種以上；該承載基材選自PI膜或PET膜。
3.一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽的制造工藝，其特征在于，包括如下步驟①、選擇鋁箔或銅箔，并在其上涂布膠層后與承載基材進(jìn)行復(fù)合，而形成復(fù)合基材；②、在復(fù)合基材的鋁箔或銅箔上面形成感光型復(fù)合材料；③、將需要蝕刻的天線圖形制成菲林底片，采用曝光方法，將導(dǎo)線部線路轉(zhuǎn)移至感光型復(fù)合材料上面，形成蝕刻天線；④、將RFID芯片固定在蝕刻天線上面而形成芯料組件；⑤、在芯料組件上涂上第二膠層，并在第二膠層上復(fù)合上聚酰亞胺薄膜；⑥、在聚酰亞胺薄膜上再涂布形成一層樹脂油墨層；⑦、對上述涂布好樹脂油墨層的電子標(biāo)簽材料上承載基材一面涂布第一膠層，并復(fù)合上離型紙。
4.如權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，該感光型復(fù)合材料為感光型干膜材料、 感光型濕膜材料或者感光型絕緣油墨材料。
5.如權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，該承載基材選自PI膜或PET膜。
6.如權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，該銅箔或鋁箔與承載基材之間的膠層選用聚胺酯改性環(huán)氧樹脂膠、聚醚改性環(huán)氧樹酯膠、丙烯酸改性環(huán)氧樹酯膠、二聚酸環(huán)氧樹酯膠的一種或多種。
7.如權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，該步驟②中感光型復(fù)合材料與鋁箔或銅箔之間的形成采用卷對卷貼合，該步驟③中曝光則是采用卷對卷曝光機(jī)進(jìn)行曝光。
8.如權(quán)利要求3所述的制造工藝,其特征在于,該招箔或銅箔的厚度選擇9 38um,該承載基材的厚度則選擇為12 200um。
9.如權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，該第一膠層采用的為壓敏膠。
10.如權(quán)利要求3所述的制造工藝，其特征在于，該第二膠層選自改性樹脂、聚丙烯酸酯、亞克膠或硅膠中的一種或兩種以上。
全文摘要
本發(fā)明涉及的一種耐高溫抗酸堿柔性電子標(biāo)簽及其制造工藝，包括RFID芯片、承載基材、蝕刻層、第一膠層、離型紙、第二膠層、聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層，該蝕刻層為銅箔或鋁箔經(jīng)蝕刻工藝而成型，該RFID芯片、承載基材以及蝕刻層一起構(gòu)成芯料組件，該承載基材還通過第一膠層而連接有離型紙，該RFID芯片則通過第二膠層而與聚酰亞胺薄膜以及樹脂油墨層依次相連。其制造工藝則包括曝光形成蝕刻天線、形成芯料組件、復(fù)合聚酰亞胺薄膜以及涂布樹脂油墨層的步驟，從而讓本發(fā)明涉及的電子標(biāo)簽具有耐高溫以及耐酸堿性的特點(diǎn)，具體是可耐280℃高溫，并可以耐強(qiáng)酸強(qiáng)堿PH值1～14達(dá)24h以上，從而可以耐化學(xué)溶劑擦拭。
文檔編號B32B15/12GK102938086SQ20121000728
公開日2013年2月20日 申請日期2012年1月11日 優(yōu)先權(quán)日2012年1月11日
發(fā)明者李金華 申請人:廈門英諾爾電子科技股份有限公司