專利名稱：電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及例如在將半導(dǎo)體芯片等電子部件裝載于安裝基板等上的電子
部件安裝裝置中所使用的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件。本申請(qǐng)對(duì)2006年2月28 曰申請(qǐng)的日本特愿2006-054072號(hào)主張優(yōu)先權(quán)，在這里引用其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
在將IC、 LSI等半導(dǎo)體芯片和電阻器、電容器等電子部件裝載于安裝基 板等上的電子部件安裝裝置中，為了將電子部件真空吸附并進(jìn)行搬運(yùn)而使用 吸附管嘴構(gòu)件。該吸附管嘴構(gòu)件通過(guò)在吸附面開口形成吸附孔，并使電子部 件抵接該吸附面且利用吸附孔進(jìn)行真空吸引，將電子部件吸附在吸附面上。
目前，在吸附管嘴構(gòu)件中，為了能夠吸附各種電子部件以及為了抑制在 吸附時(shí)的位置偏差等，在吸附面上形成多個(gè)吸附孔的設(shè)計(jì)方案被提案。
例如，在專利文獻(xiàn)1中提案有在管嘴主體上用細(xì)管及間隔壁形成多個(gè)細(xì) 孔的吸附管嘴。另外，在專利文獻(xiàn)2中提案有在板狀的管嘴前端穿設(shè)在比工 件更寬的范圍內(nèi)分布的多個(gè)小徑孔而成的吸附管嘴構(gòu)件。
專利文獻(xiàn)l:(日本)特開平11 -261295號(hào)公報(bào)
專利文獻(xiàn)2:(日本)特開平1-321171號(hào)公報(bào)
上述現(xiàn)有的技術(shù)中存在以下問(wèn)題。
即，在上述專利文獻(xiàn)1所述的吸附管嘴附件中，由于是將多個(gè)細(xì)管及間 隔壁用的構(gòu)件組合而形成多個(gè)孔，所以存在構(gòu)件數(shù)量及構(gòu)件成本增大這樣的 不希望的問(wèn)題，并且，高精度地形成許多微細(xì)孔也很困難。尤其是，由于不 能形成微細(xì)孔，故在通過(guò)真空吸引時(shí)容易使雜物等進(jìn)入孔內(nèi)，存在由于容易 堵塞而使維修頻率增高的問(wèn)題。另外，由于各個(gè)孔徑較大，所以電子部件的 角部嵌入孔內(nèi)等，可能致使電子部件被傾斜吸附而形成吸附不良。還有，在 將圓筒細(xì)管捆扎形成多個(gè)細(xì)孔的情況下，細(xì)管內(nèi)的細(xì)孔和細(xì)管之間的細(xì)孔彼 此形狀及開口面積不一致，導(dǎo)致各細(xì)孔上的吸引力產(chǎn)生差異而致使吸引力及 吸附力不均勻這種不希望的情況發(fā)生。由此，存在導(dǎo)致電子部件吸附偏差(吸
附時(shí)的位置偏差)的問(wèn)題。
另外，在上述專利文獻(xiàn)2所述的吸附管嘴構(gòu)件中，通過(guò)在板狀的吸附管 嘴前端進(jìn)行穿設(shè)而形成多個(gè)微細(xì)的小徑孔，但由于孔的長(zhǎng)度受板厚限制，為 短的，故存在由于吸引而在孔開口部附近的空氣的流動(dòng)方向容易傾斜，并且 流量容易紊亂的不希望發(fā)生的情況。因此，雖然通過(guò)大范圍的微細(xì)孔抑制向 外面方向的氣流，但吸引力及吸附力的分布仍不均勻，仍可能產(chǎn)生吸附偏差。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述課題而構(gòu)成的，其目的在于，提供一種電子部件的吸 附管嘴構(gòu)件，不會(huì)招致部件數(shù)量等增加，使雜物不易進(jìn)入，并且能夠以均勻 的吸引力及吸附力吸附電子構(gòu)件。
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明采用了如下的構(gòu)成。即，本發(fā)明的電子部件的 吸附管嘴構(gòu)件，其具備由陶瓷形成的管嘴主體，在配置于該管嘴主體的前端 部的吸附面上形成吸附電子部件的多個(gè)吸附孔，所述多個(gè)吸附孔為被大致均 勻地密集配置的大致同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，所述吸附孔的長(zhǎng)度比被密集配 置的區(qū)域即密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊的部分長(zhǎng)，所述多個(gè)吸附孔直線狀且彼此平行 地形成。
在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，由于在由陶瓷形成的管嘴主體上形成吸 附孔，故不必裝入孔形成用的其它構(gòu)件，并且由于多個(gè)吸附孔為被大致均勻 地密集配置的大致同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，所以雜物等不易進(jìn)入孔內(nèi)。另外， 通過(guò)使各吸附孔的長(zhǎng)度比密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊的部分長(zhǎng)，且將其彼此直線狀且 平行地形成，從而與密集區(qū)域的尺寸對(duì)應(yīng)而能夠得到密集區(qū)域整體上所必要 的充分穩(wěn)定且均勻的吸引力及吸附力。
尤其是，由于彼此接近且密集的長(zhǎng)的微細(xì)的吸附孔由高硬度的陶瓷形成， 故即使吸附孔間的壁因密集化而變薄，也具有高的強(qiáng)度及耐久性，并且能夠 在長(zhǎng)度方向上以高的精度維持平行度及穩(wěn)定的內(nèi)徑尺寸。
另外，本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，優(yōu)選的是，所述多個(gè)吸附孔的 每一個(gè)橫跨所述管嘴主體的軸向全長(zhǎng)形成。即，在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)
件中，通過(guò)將各吸附孔橫跨管嘴主體的軸向全長(zhǎng)形成，可通過(guò)最大限長(zhǎng)地形 成的吸附孔得到更穩(wěn)定且均勻的吸引力及吸附力。
在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，所述吸附面上的所述吸附孔的
密集區(qū)域比所述電子部件的外形小且形狀與其大致相似。即，在該電子部件 的吸附管嘴構(gòu)件中，由于使吸附孔比所述電子部件的外形小且將其密集配置 為大致相似形狀，所以能夠以與電子部件的外形對(duì)應(yīng)的均等的吸引力吸引并 吸附電子部件，從而吸附時(shí)不易產(chǎn)生位置偏差。另外，所述現(xiàn)有的專利文獻(xiàn)l 及2所述吸附管嘴構(gòu)件，因?yàn)槠淇锥挤植荚诒人降碾娮硬考蟮姆秶鷥?nèi)， 因此，即使在吸附電子部件的狀態(tài)下，周圍的孔也處于開口狀態(tài)，而不能夠 得到高的吸附力，但在本發(fā)明中，在吸附時(shí)由于全部吸附孔由電子部件覆蓋 且閉塞，因此，不會(huì)導(dǎo)致真空度遺漏(真空抜it )，而能夠得到高的吸附力。 另外，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，優(yōu)選的是所述多個(gè)吸附 孔在所述吸附面被交錯(cuò)配置且開口形成網(wǎng)眼狀。即，在該電子部件的吸附管 嘴構(gòu)件中，由于通過(guò)交錯(cuò)配置形成網(wǎng)眼狀的吸附孔，因此，通過(guò)將各吸附孔 以窄節(jié)距有效地排列使之更加靠近、密集，能夠得到高的開口率。
另外，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，優(yōu)選的是鄰接的所述吸 附孔的間隔比所述吸附孔的內(nèi)徑小。即，在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中， 通過(guò)使鄰接的吸附孔間的壁厚(間隔)比吸附孔的內(nèi)徑小，能夠使各吸附孔 以窄節(jié)距靠近、密集，能夠得到高的開口率。
另外，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，所述吸附孔以0.15mm以 下的內(nèi)徑形成。即，在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，由于為具有0.15mm以 下的內(nèi)徑的吸附孔，所以能夠形成微細(xì)密集的吸附孔的開口區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn) 更均勻的吸引力及吸附力。
而且，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，優(yōu)選的是所述吸附孔以 0.07mm以下的內(nèi)徑形成。即，在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，由于為具有 0.07mm以下的內(nèi)徑的吸附孔，因此，能夠形成非常微細(xì)密集的吸附孔的開口 區(qū)域，可以實(shí)現(xiàn)更均勻的吸引力及吸附力。
而且，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，優(yōu)選的是所述吸附孔以 5mm以上的長(zhǎng)度形成。即，在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，由于具有相對(duì) 于內(nèi)徑足夠長(zhǎng)的5mm以上的吸附孔，因此，可得到在各吸附孔的開口部附近 的空氣的流動(dòng)方向不會(huì)傾斜而非常一致的穩(wěn)定的吸引力及吸附力。
另外，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，所述管嘴主體由氧化鋯 形成。即，在該電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，由于管嘴主體由氧化鋯(Zr02) 形成，因此，其具有與金剛石或藍(lán)寶石相媲美的非常高的硬度，使吸附面的
磨損度進(jìn)一步降低，能夠得到更為優(yōu)異的耐久性。
另外，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，優(yōu)選的是，所述密集區(qū) 域?yàn)殚L(zhǎng)方形，所述密集區(qū)域的所述最長(zhǎng)邊的部分是所述長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊。
另外，在本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件中，優(yōu)選的是，所述密集區(qū) 域?yàn)殚L(zhǎng)方形以外的形狀，所述密集區(qū)域的所述最長(zhǎng)邊的部分是在包含所述密 集區(qū)域整體的長(zhǎng)方形中最小的長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊。
根據(jù)本發(fā)明，實(shí)現(xiàn)以下效果。
即，根據(jù)本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，由陶乾一體形成的管嘴主 體的多個(gè)吸附孔為被大致均等地密集配置的大致同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，多 個(gè)吸附孔的每一個(gè)的長(zhǎng)度比被所述被密集配置的區(qū)域即密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊的 部分長(zhǎng)，多個(gè)吸附孔的每一個(gè)直線狀且彼此平行地形成，因此，能夠得到對(duì) 電子部件的吸引力及吸附力優(yōu)越的均勻性，能夠防止出現(xiàn)吸附偏差。因此， 只要電子部件安裝裝置采用本發(fā)明的吸附管嘴構(gòu)件，則能夠以高的精確度將 電子部件安裝在標(biāo)準(zhǔn)的位置。另外，根據(jù)本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件， 能夠?qū)⒂酶哂捕鹊奶沾梢惑w形成的極小徑的吸附孔以高強(qiáng)度及耐久性密集形 成。所以，不會(huì)導(dǎo)致部件數(shù)量增加，而能夠防止雜物等的堵塞或電子部件角 部的嵌入，同時(shí)，能夠得到吸附面的高耐久性。


圖1A是本發(fā)明第一實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的吸附面的正 面圖1B是本發(fā)明第一實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖1A中的吸 附面的正面圖的A1—A1線向視的管嘴主體剖面圖1C是本發(fā)明第一實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖1A中的吸 附面的正面圖的B1—B1線向^L的管嘴主體剖面圖2是表示在第一實(shí)施方式中安裝有吸附管嘴構(gòu)件的吸附管嘴支承構(gòu)件 的側(cè)面圖3A是本發(fā)明第二實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的吸附面的正 面圖3B是本發(fā)明第二實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖3A中的吸 附面的正面圖的A2—A2線向視的管嘴主體剖面圖3C是本發(fā)明第二實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖3A中的吸 附面的正面圖的B2—B2線向視的管嘴主體剖面圖4A是本發(fā)明第三實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的吸附面的正 面圖4B是本發(fā)明第三實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖4A中的吸 附面的正面圖的A3—A3線向視的管嘴主體剖面圖4C是本發(fā)明第三實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖4A中的吸 附面的正面圖的B3—B3線向視的管嘴主體剖面圖5A是本發(fā)明第四實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的吸附面的正 面圖5B是本發(fā)明第四實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖5A中的吸 附面的正面圖的A4—A4線向視的管嘴主體剖面圖5C是本發(fā)明第四實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖4A中的吸 附面的正面圖的B4—B4線向視的管嘴主體剖面面圖6B是本發(fā)明第五實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的圖6A中的吸 附面的正面圖的A5—A5線向視的管嘴主體剖面圖6C是本發(fā)明第五實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，圖6A中的吸 附面的正面圖的B5—B5線向視的管嘴主體剖面圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明
1、 11、 21、 30、 41 吸附管嘴構(gòu)件 2管嘴主體
3 管嘴主體的吸附面
4 吸附孔
E 電子部件
具體實(shí)施例方式
下面，參照?qǐng)D1A 圖1C及圖2對(duì)本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的 第一實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
如圖1A 圖1C所示，本實(shí)施方式的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件1被安裝在將IC、 LSI等半導(dǎo)體芯片及電阻器及芯片電容器等片狀電子部件E安裝在 安裝基板等上的電子部件安裝裝置，在由陶瓷形成的管嘴主體2的前端部配 置的吸附面3上開口形成有吸附電子部件E的吸附孔4。
所述管嘴主體2在全長(zhǎng)上截面為長(zhǎng)方形狀，由具有上述吸附面3且截面 為長(zhǎng)方形狀的管嘴前端部2a、與管嘴前端部2a連設(shè)且在垂直于軸向的方向比 管嘴前端部2a擴(kuò)大的凸緣部2b、與凸緣部2b連設(shè)的管嘴后端部2c構(gòu)成。另 外，管嘴主體2由作為陶瓷的氧化鋯(Zr02)形成。
該吸附管嘴構(gòu)件1如圖2所示，將管嘴后端部2c插入固定于安裝并固定 在電子部件安裝裝置(圖示省略)的管嘴支承構(gòu)件5的前端部使用。該管嘴 支承構(gòu)件5為圓筒形狀，其內(nèi)部的真空孔與管嘴主體2的吸附孔4連通，并 且其基端部被安裝在電子部件安裝裝置上時(shí)，與電子部件安裝裝置的真空吸 引源連接。即，吸附管嘴構(gòu)件1的吸附孔4通過(guò)與真空吸引源連接的管嘴支 承構(gòu)件5的真空孔進(jìn)行吸引、吸附。
上述吸附孔4為大致均勻地(在多個(gè)吸附孔4的整體上相鄰的吸附孔4 彼此之間的距離大致相同)密集配置的大致同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，其長(zhǎng)度 比密集配置的區(qū)域即密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊部分長(zhǎng)，且直線狀、平行地形成。另 外，本實(shí)施方式中，吸附孔4相互橫跨管嘴主體2的軸向全長(zhǎng)形成。另外， 吸附面3上的吸附孔4的密集區(qū)域比電子部件E的外形小，且為與其大致相 似形狀。另外，在本實(shí)施方式中，將吸附面3的外形設(shè)定為與電子部件E的 外形大致相同，為1.5mmx l.Omm的長(zhǎng)方形。另外，吸附孔4的密集區(qū)域設(shè) 定在1.05mmx 0.69mm的長(zhǎng)方形范圍內(nèi)。即，密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊部分的尺寸 (在圖1A中從多個(gè)吸附孔4中最左端的吸附孔4的左端到多個(gè)微細(xì)孔4中最 右端的吸附孔4的右端的距離)為1.05mm，且設(shè)定吸附孔4的長(zhǎng)度比其長(zhǎng)。
另外，所謂密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊部分是指，在密集區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)方形(含正方 形)的情況下為其長(zhǎng)邊。另外，在密集區(qū)域不是長(zhǎng)方形的情況下，即密集區(qū) 域例如為長(zhǎng)方形以外的四邊形、四邊形以外的多邊形、或者圓形等情況下， 是包含密集區(qū)域整體的長(zhǎng)方形中最小的長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊。
另外，吸附孔4在吸附面3上被交錯(cuò)配置且開口形成為網(wǎng)眼狀，同時(shí)， 鄰接的吸附孔4的間隔被設(shè)定為比吸附孔4的內(nèi)徑小。再有，在本實(shí)施方式 中，內(nèi)徑0.15mm的吸附孔4形成有25個(gè)。另外，在本實(shí)施方式中，鄰接的 吸附孔4的間隔(壁的壁厚)設(shè)定為0.02mm，且各吸附孔4以0.18mm的窄
節(jié)距排列。
另外，管嘴主體2軸向長(zhǎng)度為5mm,橫跨管嘴主體2的軸向全長(zhǎng)貫通形 成的吸附孔4也設(shè)定為5mm的長(zhǎng)度。
這樣，在本實(shí)施方式中，由于在由陶瓷形成的管嘴主體2上開口形成有 吸附孔4，因此，不必組裝孔形成用的其他構(gòu)件，并且由于吸附孔4為被大致 均勻地密集配置的同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，所以，其具有雜物不易進(jìn)入孔內(nèi) 的優(yōu)點(diǎn)。另外，各個(gè)吸附孔4比密集區(qū)域整體的最長(zhǎng)邊部分長(zhǎng)，根據(jù)密集區(qū) 域尺寸，能夠得到密集區(qū)域整體上所必需的、充分穩(wěn)定且均勻的吸引力及吸 附力。尤其是，各吸附孔4彼此橫跨管嘴主體2的軸向全長(zhǎng)形成，由此，通 過(guò)最大限長(zhǎng)地形成的吸附孔4能夠得到更穩(wěn)定且均勻的吸引力及吸附力。
另外，由于彼此接近且密集的長(zhǎng)的吸附孔4由高硬度的陶瓷形成，因此， 即使因密集化而吸附孔4間的壁厚變薄，其仍具有高的強(qiáng)度及耐久性，同時(shí)， 能夠在長(zhǎng)度方向上以高的精度維持平行度及一定的內(nèi)徑尺寸。尤其是，由于 吸附面3由具有與金剛石或藍(lán)寶石相媲美的非常高的硬度的氧化鋯形成，因 此能夠進(jìn)一步降低吸附面3的磨損度，得到更為優(yōu)越的耐久性。
另外，由于吸附孔4比電子部件E的外形小且被密集配置為與其大致相 似形，所以能夠以與電子部件E的外形對(duì)應(yīng)的均等的吸引力吸引并吸附電子 部件E,從而吸附時(shí)不易產(chǎn)生位置偏差。另外，由于吸附時(shí)全部吸附孔4被 電子部件E覆蓋且閉塞，因此不會(huì)產(chǎn)生真空度泄漏，能夠得到高的吸附力。
而且，通過(guò)交錯(cuò)配置形成網(wǎng)眼狀吸附孔4，同時(shí)，鄰接的吸附孔4之間的 壁厚比吸附孔4的內(nèi)徑小，由此，使各吸附孔4以窄節(jié)距有效地排列而更為 接近、密集，由此能夠得到高的開口率。
另外，由于具有相對(duì)于內(nèi)徑足夠長(zhǎng)的5mm的吸附孔4，因此，能夠得到 在各吸附孔4的開口部附近的空氣的流動(dòng)方向不傾斜而充分一致的穩(wěn)定的吸 引力及吸附力。
下面，參照?qǐng)D3A-圖5C對(duì)本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的第二、 第三及第四實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。另外，在以下各實(shí)施方式的說(shuō)明中，對(duì)于與 上述實(shí)施方式中已說(shuō)明的同一構(gòu)成要素標(biāo)記同樣的符號(hào)，并且省略其說(shuō)明。
第二、第三及第四實(shí)施方式和第一實(shí)施方式的不同之處在于，在第一實(shí) 施方式中在吸附面3上開口形成25個(gè)吸附孔4，與之相對(duì)，如圖3A-圖5C 所示，第二、第三及第四實(shí)施方式的吸附管嘴構(gòu)件11、 21、 31中，在吸附面
3上分別密集地開口形成71個(gè)、162個(gè)及450個(gè)吸附孔4。
即，如圖3A-圖3C所示，第二實(shí)施方式的吸附管嘴構(gòu)件11形成71個(gè) 內(nèi)徑0.10mm的吸附孔4。另外，在第二實(shí)施方式中，鄰接的吸附孔4的間隔 (壁的厚度)設(shè)定為0.02mm,且將各吸附孔4以0.13mm的窄節(jié)距排列。另 外，如圖4A-圖4C所示，第三實(shí)施方式的吸附管嘴構(gòu)件21形成162個(gè)內(nèi)徑 0.07mm的吸附孔4。另外，在第三實(shí)施方式中，鄰接的吸附孔4的間隔(壁 的厚度)設(shè)定為O.Olmm，且將各吸附孔4以0.09mm的窄節(jié)距排列。還有， 如圖5A-圖5C所示，第四實(shí)施方式的吸附管嘴構(gòu)件31形成450個(gè)內(nèi)徑 0.04mm的吸附孔4。另外，在第四實(shí)施方式中，鄰接的吸附孔4的間隔(壁 的厚度)設(shè)定為O.Olmm，且將各吸附孔4以0.05mm的窄節(jié)距排列。
這樣，在第二-第四實(shí)施方式中，與第一實(shí)施方式相比，吸附孔4的形 成數(shù)量大幅增多，同時(shí)，通過(guò)被微細(xì)化、高密集度而交錯(cuò)配置為細(xì)網(wǎng)眼狀。 尤其是，在第三及第四實(shí)施方式中，因?yàn)橛?00個(gè)以上內(nèi)徑0.07mm以下的非 常微細(xì)的吸附孔4密集排列形成開口區(qū)域，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更為均勻的吸引力 及吸附力。
下面，參照?qǐng)D6A 圖6C對(duì)本發(fā)明的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件的第五實(shí) 施方式進(jìn)4亍i兌明。
第五實(shí)施方式和第一實(shí)施方式的不同之處在于，在第一實(shí)施方式中吸附 面3與其前端面形成為同一面，與之相對(duì)，如圖6A 圖6C所示，第五實(shí)施 方式的吸附管嘴構(gòu)件41中，在形成于前端面的凹部形成吸附面3。另一不同 之處在于，在第一實(shí)施方式中吸附孔4橫跨管嘴主體42的全長(zhǎng)形成，與之相 對(duì)，第五實(shí)施方式的吸附管嘴構(gòu)件41中'，吸附孔4在管嘴主體42大致全長(zhǎng) 的一半形成。
即，在第五實(shí)施方式中，在管嘴主體42的前端面形成有截面矩形的凹部，
在該凹部形成有密集配置了吸附孔4的吸附面3。另外，凹部周圍成為比吸附
面3突出若干的外周突條部45。所以，在吸附電子部件E時(shí)，電子部件E以
抵接在吸附面3周圍的外周突條部45上的狀態(tài)由吸附孔4吸引而形成吸附狀 太
心o
另外，在第五實(shí)施方式中，在管嘴主體42的管嘴前端部42a形成微細(xì)的 多個(gè)吸附孔4直到凸緣部2b附近，從凸緣部2b附近到管嘴后端部42c的端 部形成有連接于吸附孔4的一個(gè)吸引管路46。即，通過(guò)該吸引管路46使各吸
附孔4與真空吸引源連4妄。這樣，在第五實(shí)施方式中，通過(guò)任意設(shè)定吸引管
路46的長(zhǎng)度，可與管嘴主體42的長(zhǎng)度無(wú)關(guān)地任意調(diào)節(jié)吸附孔4的長(zhǎng)度。另 外，該情況下，將吸附孔4的長(zhǎng)度設(shè)定為比其密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊部分長(zhǎng)。
另外，本發(fā)明的技術(shù)范圍不限定于上述各實(shí)施方式，在不脫離本發(fā)明的 宗旨的范圍內(nèi)可以施加各種變更。
例如，在上述第五實(shí)施方式中，在前端面形成為截面矩形狀的凹部?jī)?nèi)形 成有吸附面4,但也可以在前端面形成為截面圓弧狀或截面彎曲狀的凹部?jī)?nèi)形 成p及附面4。
本發(fā)明由于雜物不易進(jìn)入孔內(nèi)，且各吸附孔比其密集區(qū)域的最長(zhǎng)徑邊的 部分長(zhǎng)且直線狀且平行地形成，從而能夠作為可以得到整體上穩(wěn)定且均勻的 吸引力及吸附力的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件加以利用。
權(quán)利要求
1、一種電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其具備由陶瓷形成的管嘴主體，在配置于該管嘴主體的前端部的吸附面上形成吸附電子部件的多個(gè)吸附孔，所述多個(gè)吸附孔為被大致均勻地密集配置的大致同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，所述吸附孔的長(zhǎng)度比被密集配置的區(qū)域即密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊的部分長(zhǎng)，所述多個(gè)吸附孔直線狀且彼此平行地形成。
2、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述多個(gè)吸附孔的每一個(gè)橫跨所述管嘴主體的軸向全長(zhǎng)形成。
3、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述吸附面上的所述吸附孔的所述密集區(qū)域比所述電子部件的外形小且形狀與其大致相似。
4、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述多個(gè)吸附孔在所述吸附面被交錯(cuò)配置且開口形成為網(wǎng)眼狀。
5、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 鄰接的所述吸附孔的間隔比所述吸附孔的內(nèi)徑小。
6、 如權(quán)利要求4所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述吸附孔以0.15mm以下的內(nèi)徑形成。
7、 如權(quán)利要求6所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述吸附孔以0.07mm以下的內(nèi)徑形成。
8、 如權(quán)利要求6所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述吸附孔以5mm以上的長(zhǎng)度形成。
9、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述管嘴主體由氧化鋯形成。
10、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中， 所述密集區(qū)域?yàn)殚L(zhǎng)方形，所述密集區(qū)域的所述最長(zhǎng)邊的部分是所述長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊。
11、 如權(quán)利要求1所述的電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其中，所述密集區(qū) 域?yàn)殚L(zhǎng)方形以外的形狀，所述密集區(qū)域的所述最長(zhǎng)邊的部分是包含所述密集 區(qū)域整體的長(zhǎng)方形中最小的長(zhǎng)方形的長(zhǎng)邊。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種電子部件的吸附管嘴構(gòu)件，其具備由陶瓷形成的管嘴主體，在配置于該管嘴主體的前端部的吸附面上形成吸附電子部件的多個(gè)吸附孔，所述多個(gè)吸附孔為被大致均勻地密集配置的大致同一形狀的多個(gè)微細(xì)孔，所述吸附孔的長(zhǎng)度比被密集配置的區(qū)域即密集區(qū)域的最長(zhǎng)邊的部分長(zhǎng)，所述多個(gè)吸附孔直線狀且彼此平行地形成。
文檔編號(hào)B25J15/06GK101390457SQ20078000678
公開日2009年3月18日 申請(qǐng)日期2007年1月26日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月28日
發(fā)明者德倉(cāng)涉, 石渡隆政 申請(qǐng)人:南都精密株式會(huì)社