本發(fā)明涉及陶瓷電子元件，尤其涉及一種矩形電子陶瓷芯片的制作方法。

背景技術(shù)：

1、常規(guī)的電子陶瓷芯片的制造工藝中，通常先將按規(guī)定配方混合均勻的粉狀電子陶瓷原材料壓制成獨(dú)立的陶瓷芯片生坯，由機(jī)械式的多工位旋轉(zhuǎn)壓機(jī)通過雙向加壓來完成相應(yīng)的壓制工藝。壓制好的生坯再進(jìn)行高溫?zé)Y(jié)，再在燒好的瓷片端面涂敷電極，制成芯片。這種工藝的優(yōu)點(diǎn)是芯片只需一次壓制成型就可得到所需尺寸。而主要缺點(diǎn)有：由于陶瓷生坯在高溫下燒結(jié)時(shí)要產(chǎn)生收縮，收縮率在10％～20％之間，又因?yàn)樘沾缮髟诔袩焕徶兴幍奈恢貌煌褪軣釡夭畹挠绊懀瑢?dǎo)致燒制后芯片的外形尺寸和平整度誤差都很大，通常認(rèn)為誤差率小于5％都可以接受，否則合格率就會(huì)太低；再就是整個(gè)工藝看似簡單，其實(shí)每一個(gè)步驟都存在大量的撿片、擺片等輔助動(dòng)作，由于都是針對(duì)單片進(jìn)行操作，特別是尺寸小于10mm的小芯片，數(shù)量巨大的大規(guī)模制造時(shí)，需要耗費(fèi)大量的人力和勞動(dòng)時(shí)間；還有就是陶瓷生坯的機(jī)械強(qiáng)度很低，單個(gè)產(chǎn)品大量制造時(shí)，很容易在撿片、裝缽的過程中因操作過快引起破損而造成合格率降低，形成產(chǎn)品一致性不好。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有電子陶瓷芯片制造工藝中，對(duì)單個(gè)陶瓷芯片生坯進(jìn)行單獨(dú)壓制，存在撿片、擺片工藝重復(fù)操作、合格率較低的問題，提供一種矩形電子陶瓷芯片的制作方法，通過先制造一個(gè)大尺寸(長度、寬度遠(yuǎn)大于芯片長度、寬度)的電子陶瓷瓷體，再基于芯片厚度將電子陶瓷體切割制成多個(gè)瓷片切片，再基于芯片的長度尺寸要求在瓷片切片上開設(shè)多個(gè)等間距的槽口，通過一次電極涂覆，在涂覆后基于芯片長寬要求進(jìn)行切割，即可實(shí)現(xiàn)帶端面電極電子陶瓷芯片的批量生產(chǎn)，本方法有效地減少了輔助勞動(dòng)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低制造成本；同時(shí)機(jī)械切割的尺寸精度要明顯優(yōu)于單片生坯燒結(jié)收縮后的尺寸精度，因此本方法可以提高電子陶瓷芯片的電參數(shù)一致性。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明提供了以下技術(shù)方案：

3、一種矩形電子陶瓷芯片的制作方法，所述矩形電子陶瓷芯片的厚度為h、長度為a、寬度為b，所述方法包括：

4、s1、通過壓制成型、燒結(jié)工藝，獲取電子陶瓷瓷體，其中，所述電子陶瓷瓷體的厚度≥h，長度≥2a，寬度≥2b；

5、s2、將所述電子陶瓷瓷體沿預(yù)設(shè)方向進(jìn)行切割，得到厚度為h的瓷片切片；

6、s3、間隔長度a在所述瓷片切片的兩面開設(shè)等距離槽口，對(duì)開設(shè)槽口后的瓷片切片進(jìn)行雙面全電極涂覆；

7、s4、在槽口背面沿槽口邊進(jìn)行切割，切至槽口底部位置，使得被切割部分從槽口底部斷開，再將兩個(gè)槽口之間的被切割部分割成寬度b，形成單個(gè)矩形電子陶瓷芯片。

8、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述s3中，所述等距離槽口的槽寬為l，槽深為d，其中，l為0.3～2mm，d為0.3h～0.7h。

9、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述s4，包括：

10、s41、在所述等距離槽口的開槽對(duì)應(yīng)面相向進(jìn)行開槽切割，將所述瓷片切片切斷，形成多個(gè)條狀瓷片切片；其中，切割槽口寬度≥l，切割槽口深度為d1，且滿足h-d≤d1≤h；

11、s42、將所述條狀瓷片切片進(jìn)行橫向切割，其中，基于所述矩形電子陶瓷芯片的寬度b設(shè)置橫向切割的間距。

12、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述方法還包括：通過切割前磨邊和/或電極涂覆掩膜的方式形成留邊量。。

13、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述s3還包括，在雙面全電極涂覆之前的倒角處理步驟；

14、所述倒角處理步驟包括：將所述等距離槽口的邊緣進(jìn)行倒角處理。

15、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述倒角的半徑r為0.3～1.5mm。

16、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述s3中采用磁控濺射技術(shù)對(duì)開設(shè)等距離槽口后的瓷片切片進(jìn)行雙面全電極涂覆。

17、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述s3中采用印刷涂覆工藝對(duì)開設(shè)等距離槽口后的瓷片切片進(jìn)行雙面全電極涂覆。

18、根據(jù)一種具體的實(shí)施方式，上述矩形電子陶瓷芯片的制作方法中，所述s1中采用等靜壓機(jī)進(jìn)行所述電子陶瓷瓷體的壓制成型。

19、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果：

20、1、本發(fā)明實(shí)施例所提供的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，通過先制造一片大尺寸(長度、寬度遠(yuǎn)大于芯片的長度、寬度)的電子陶瓷瓷體，瓷片厚度等于芯片厚度，再基于芯片的長度尺寸要求在瓷片上開設(shè)多個(gè)等間距的槽口，進(jìn)行一次雙面電極涂覆(在槽面也進(jìn)行電極涂覆)，在涂覆后基于芯片長寬尺寸要求進(jìn)行切割，即可實(shí)現(xiàn)帶端面電極電子陶瓷芯片的批量生產(chǎn)，本方法有效地減少了輔助勞動(dòng)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低制造成本；同時(shí)機(jī)械切割的尺寸精度要明顯優(yōu)于單片生坯燒結(jié)收縮后的尺寸精度，因此本方法可以提高電子陶瓷芯片的電參數(shù)一致性。

21、2、通過本方法制造的電子陶瓷芯片的端面電極延伸到預(yù)設(shè)邊緣與側(cè)面，有利于將數(shù)片芯片重疊放置后，用連接導(dǎo)線在側(cè)面并聯(lián)連接后引出，成倍提高電參數(shù)容量。

技術(shù)特征：

1.一種矩形電子陶瓷芯片的制作方法，所述矩形電子陶瓷芯片的厚度為h、長度為a、寬度為b，其特征在于，所述方法包括：

2.如權(quán)利要求1所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述s3中，所述等距離槽口的槽寬為l，槽深為d，其中，l為0.3～2mm，d為0.3h～0.7h。

3.如權(quán)利要求2所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述s4，包括：

4.如權(quán)利要求1～3任一所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述方法還包括：通過切割前磨邊和/或電極涂覆掩膜的方式形成留邊量。

5.如權(quán)利要求1～3任一所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述s3還包括，在雙面全電極涂覆之前的倒角處理步驟；

6.如權(quán)利要求5所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述倒角的r為0.3～1.5mm。

7.如權(quán)利要求1～3任一所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述s3中采用磁控濺射技術(shù)對(duì)開設(shè)等距離槽口后的瓷片切片進(jìn)行雙面全電極涂覆。

8.如權(quán)利要求1～3任一所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述s3中采用印刷涂覆工藝對(duì)開設(shè)等距離槽口后的瓷片切片進(jìn)行雙面全電極涂覆。

9.如權(quán)利要求1～3任一所述的矩形電子陶瓷芯片的制作方法，其特征在于，所述s1中采用等靜壓機(jī)進(jìn)行所述電子陶瓷瓷體的壓制成型。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種矩形電子陶瓷芯片制作方法，本方法通過先制造一個(gè)大尺寸(長度、寬度遠(yuǎn)大于芯片長度、寬度)的電子陶瓷瓷體，再基于芯片厚度將電子陶瓷瓷體切割制成多個(gè)瓷片切片，再基于芯片的長度尺寸要求在瓷片切片上開設(shè)多個(gè)等間距的槽口，進(jìn)行一次電極涂覆，在涂覆后基于芯片長寬尺寸要求進(jìn)行切割，即可實(shí)現(xiàn)帶端面電極電子陶瓷芯片的批量生產(chǎn)，本方法有效地減少了輔助勞動(dòng)時(shí)間，提高了生產(chǎn)效率，降低制造成本；同時(shí)機(jī)械切割的尺寸精度要明顯優(yōu)于單片生坯燒結(jié)收縮后的尺寸精度，因此本方法可以提高電子陶瓷芯片的電參數(shù)一致性。

技術(shù)研發(fā)人員：張治成,李炬,葉磊,詹俊鵠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都鐵達(dá)電子股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9