玻璃導(dǎo)管和玻璃板的制造裝置制造方法
【專利摘要】本實(shí)用新型提供一種玻璃導(dǎo)管和玻璃板的制造裝置，能夠在制造玻璃板時(shí)采用與以往不同的方式來高效地進(jìn)行熔融玻璃的通電加熱。玻璃板的制造裝置使用在對(duì)熔融玻璃進(jìn)行加熱的同時(shí)進(jìn)行搬送的下述玻璃導(dǎo)管。玻璃導(dǎo)管具有：金屬制成的管主體；一對(duì)凸緣，其設(shè)置于所述管主體的長度方向的不同的位置；以及板狀電極，其為了使電流流到所述管主體來進(jìn)行加熱而分別與所述凸緣連接，所述板狀電極與所述凸緣的外緣連接，在所述板狀電極的與所述凸緣連接的端部形成有切口部、或所述電極的板厚比周圍薄的薄板部。
【專利說明】玻璃導(dǎo)管和玻璃板的制造裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及在對(duì)熔融玻璃進(jìn)行加熱的同時(shí)進(jìn)行搬送的玻璃導(dǎo)管和制造玻璃板的玻璃板的制造裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]對(duì)于液晶顯示器或等離子顯示器等平板顯示器(以下，稱作“FPD”。)所使用的玻璃基板，采用厚度為例如0.5?0.7mm的薄玻璃板。該FTO用玻璃基板例如在第I代時(shí)為300 X 400mm的尺寸，但在第10代時(shí)成為了 2850 X 3050mm的尺寸。
[0003]對(duì)于這樣的第8代以后的大尺寸的Fro用玻璃基板、例如在玻璃表面形成TFT(Thin Film Transistor:薄膜晶體管)的玻璃基板，為了防止TFT的特性劣化，適合應(yīng)用這樣的玻璃板:其完全不含堿金屬，或者即使含有也是少量含有。另外，對(duì)于這樣的玻璃板，由于熱收縮極小，因此也適合用于下述情況:進(jìn)行400?500°C的熱處理以在玻璃表面形成多晶硅TFT。
[0004]另一方面，在完全不含堿金屬或者即使含有也是少量含有的玻璃板的制造階段，熔融玻璃的高溫粘性較高。因此，在用于進(jìn)行熔融玻璃的脫泡的澄清槽，為了有效地進(jìn)行上述熔融玻璃的脫泡，使上述熔融玻璃升溫至比含有堿金屬的現(xiàn)有的熔融玻璃高的溫度。另夕卜，在澄清處理中，在熔融玻璃中含有澄清劑，所述澄清劑用于排出氧氣等而使熔融玻璃內(nèi)的泡成長，但從近來的降低環(huán)境負(fù)擔(dān)的觀點(diǎn)出發(fā)，多使用使熔融玻璃成為1600?1630°C以上的高溫來有效地發(fā)揮脫泡處理功能的SnO2等澄清劑來代替澄清功能大但毒性高的As2O3O
[0005]根據(jù)以上的理由，在澄清槽中熔融玻璃被加熱至1600°C以上的高溫。關(guān)于這樣的加熱，為了從使玻璃原料熔解而形成熔融玻璃的熔解槽進(jìn)行幾百攝氏度的升溫，在用于將熔融玻璃從熔解槽搬送至澄清槽的玻璃導(dǎo)管上設(shè)有電極，所述電極對(duì)金屬制成的玻璃導(dǎo)管進(jìn)行通電加熱來對(duì)搬送中的熔融玻璃加熱。
[0006]另外，在用于將熔融玻璃從澄清槽搬送至澄清槽的后續(xù)工序、即用于使熔融玻璃均質(zhì)化的攪拌槽的玻璃導(dǎo)管上，為了將熔融玻璃的溫度調(diào)整為所希望的溫度，也設(shè)有電極，所述電極對(duì)金屬制成的玻璃導(dǎo)管進(jìn)行通電加熱來對(duì)搬送中的熔融玻璃加熱。
[0007]另外，在用于將熔融玻璃從攪拌槽搬送至成型裝置的玻璃導(dǎo)管上，為了將熔融玻璃的溫度調(diào)整為所希望的溫度，并且為了對(duì)金屬制成的玻璃導(dǎo)管進(jìn)行通電加熱來對(duì)搬送中的熔融玻璃加熱，也設(shè)有電極。
[0008]在玻璃導(dǎo)管上設(shè)置電極的情況下，一般經(jīng)在玻璃導(dǎo)管的管主體的周向上環(huán)繞的凸緣將電極與玻璃導(dǎo)管的管主體連接?？墒牵捎陔姌O從一個(gè)方向與管主體連接，因此在管主體中流動(dòng)的電流容易在管的周向上的一部分局部存在化。因此，通電加熱也局部存在化，玻璃導(dǎo)管的周向上的溫度具有不同的分布，也會(huì)對(duì)熔融玻璃的加熱產(chǎn)生影響，從而在熔融玻璃中產(chǎn)生溫度差。對(duì)于該溫度差，在通過成型工序成型出玻璃片時(shí)，容易因玻璃片的厚度的變動(dòng)而在玻璃表面產(chǎn)生凸凹。另外，由于溫度低的部分存在于玻璃導(dǎo)管的周向上的一部分，因此該部分的玻璃容易失透。
[0009]另外，在將熔融玻璃加熱至所希望的溫度時(shí)，為了使電流流過通電加熱不充分的部分，在電極和凸緣中也都流動(dòng)過量的電流，從而凸緣超出需要地被加熱，進(jìn)而管的一部分也超出需要地被加熱至高溫。
[0010]關(guān)于這樣的玻璃導(dǎo)管，提出有用于將電極與玻璃導(dǎo)管連接來高效地對(duì)玻璃導(dǎo)管進(jìn)行通電加熱的電極相對(duì)于玻璃導(dǎo)管的連接方式。
[0011]例如，已知有可以防止通電加熱用的電極的局部過度加熱的熔融玻璃用的中空管體(玻璃導(dǎo)管)(專利文獻(xiàn)I)。
[0012]該中空管體是具有用于進(jìn)行通電加熱的用途的鉬或鉬合金制成的中空管的中空管體，在中空管的外周接合有環(huán)狀的電極。在該環(huán)狀的電極的外緣接合有一個(gè)或一個(gè)以上的引出電極，環(huán)狀的電極由鉬或鉬合金制成的電極中心部和設(shè)在該電極中心部的外側(cè)的鉬或鉬合金制成或者鉬以外的金屬材料制成的厚壁部構(gòu)成。
[0013]專利文獻(xiàn)1:國際公開2006/132044號(hào)小冊子
[0014]在上述的中空管體的環(huán)狀的電極的外緣，設(shè)有在電極中心部的外側(cè)設(shè)置的鉬或鉬合金制成或者鉬以外的金屬材料制成的厚壁部，從而使電流比以往均勻地在中空管的周向上流動(dòng)。因此，防止了通電加熱用的電極的局部過度加熱。可是，在該中空管中，由于從相對(duì)的方向在中空管設(shè)置兩個(gè)引出電極，因此電極的配置變得復(fù)雜，從而容易形成煩雜的裝
置結(jié)構(gòu)。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0015]本實(shí)用新型的目的在于提供一種能夠采用與以往不同的方式來高效地進(jìn)行熔融玻璃的通電加熱的玻璃導(dǎo)管和使用該玻璃導(dǎo)管來制作玻璃板的玻璃板的制造裝置。
[0016]本實(shí)用新型的一個(gè)形態(tài)是在對(duì)熔融玻璃進(jìn)行加熱的同時(shí)進(jìn)行搬送的玻璃導(dǎo)管。該玻璃導(dǎo)管具有:金屬制成的管主體；一對(duì)凸緣，其設(shè)置于所述管主體的長度方向的不同的位置；以及板狀電極，其為了使電流流到所述管主體來進(jìn)行加熱而分別與所述凸緣連接，所述板狀電極與所述凸緣的外緣連接，在所述板狀電極的與所述凸緣連接的端部形成有切口部、或所述電極的板厚比周圍薄的薄板部。
[0017]本實(shí)用新型的另一個(gè)形態(tài)是制造玻璃板的玻璃板的制造裝置。該制造裝置具有:熔解槽，其使玻璃原料熔解而形成熔融玻璃；澄清槽，其將熔融玻璃澄清；成型裝置，其將澄清后的熔融玻璃成型為片狀玻璃；以及玻璃導(dǎo)管，其將所述熔解槽與所述澄清槽連接起來，所述玻璃導(dǎo)管具有:金屬制成的管主體；一對(duì)凸緣，其設(shè)置于所述管主體的長度方向的不同的位置；以及板狀電極，其為了使電流流到所述管主體來進(jìn)行加熱而分別與所述凸緣連接，所述板狀電極與所述凸緣的外緣連接，在所述板狀電極的與所述凸緣連接的端部形成有切口部、或所述電極的板厚比周圍薄的薄板部。
[0018]在所述玻璃導(dǎo)管或所述玻璃板的制造裝置的優(yōu)選的另一個(gè)形態(tài)中，所述板狀電極的寬度方向上的中心線延伸的方向是從所述管主體的截面的中心點(diǎn)延伸的放射方向，所述切口形成在所述中心線上。
[0019]在所述玻璃導(dǎo)管或所述玻璃板的制造裝置的優(yōu)選的另一個(gè)形態(tài)中，所述板狀電極的寬度比所述管主體的直徑大，并且在所述凸緣的外徑以下。[0020]在所述玻璃導(dǎo)管或所述玻璃板的制造裝置的優(yōu)選的另一個(gè)形態(tài)中，所述凸緣具有:內(nèi)環(huán)部，其以包圍所述管主體的周圍的方式與所述管主體連接；和外環(huán)部，其包圍所述內(nèi)環(huán)部的周圍，且與所述電極連接，所述內(nèi)環(huán)部的厚度比所述外環(huán)部的厚度薄。
[0021]此時(shí)，優(yōu)選的是，所述外環(huán)部在周向上具有厚壁部和厚度比所述厚壁部薄的薄壁部，所述凸緣的與所述電極連接的連接部分是所述薄壁部。
[0022]在所述玻璃導(dǎo)管或所述玻璃板的制造裝置的優(yōu)選的另一個(gè)形態(tài)中，所述管主體的中心點(diǎn)相對(duì)于所述凸緣的中心點(diǎn)向如下方向偏移，該方向是所述電極向所述凸緣延伸的方向。
[0023]在上述形態(tài)的玻璃導(dǎo)管和玻璃板的制造裝置中，能夠?qū)Π崴椭械娜廴诓ＡЦ咝У剡M(jìn)行通電加熱。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0024]圖1是本實(shí)施方式的玻璃板的制造方法的工序圖。
[0025]圖2是示意性地示出進(jìn)行圖1所示的熔解工序?切斷工序的玻璃板的制造裝置的圖。
[0026]圖3A和圖3B是說明本實(shí)施方式的玻璃導(dǎo)管的圖。
[0027]圖4A和圖4B是說明本實(shí)施方式的玻璃導(dǎo)管的變形例的圖。
[0028]標(biāo)號(hào)說明
[0029]100:熔解裝置；
[0030]101:熔解槽；
[0031]102:澄清槽；
[0032]103:攪拌槽；
[0033]104、105,106:玻璃導(dǎo)管；
[0034]110:管主體；
[0035]112、114:凸緣;
[0036]112a、114a:內(nèi)環(huán)部；
[0037]112b、114b:外環(huán)部；
[0038]IUb1UHb1:薄壁部；
[0039]112b2、114b2:厚壁部；
[0040]116、118:電極;
[0041]116a、116b、118a、118b:分支路；
[0042]117、119:切口。
【具體實(shí)施方式】
[0043]以下，對(duì)本實(shí)施方式的玻璃導(dǎo)管和玻璃板的制造裝置進(jìn)行說明。
[0044](玻璃板的制造方法的整體概要)
[0045]圖1是玻璃板的制造方法的工序圖。
[0046]玻璃板的制造方法主要具有熔解工序(ST1)、澄清工序(ST2)、均質(zhì)化工序(ST3)、供給工序(ST4 )、成型工序(ST5 )、退火工序(ST6 )以及切斷工序(ST7 )。此外，還具有磨削工序、研磨工序、清洗工序、檢查工序、包裝工序等，在包裝工序?qū)盈B的多個(gè)玻璃板被運(yùn)送給客戶。
[0047]圖2是示意性地示出進(jìn)行熔解工序(STl)?切斷工序(ST7)的玻璃板的制造裝置的圖。如圖2所示，該裝置主要具有熔解裝置100、成型裝置200以及切斷裝置300。熔解裝置100具有熔解槽101、澄清槽102、攪拌槽103以及玻璃導(dǎo)管104、105、106。
[0048]在熔解工序(STl)中，通過未圖示的火焰和電加熱器對(duì)供給至熔解槽101內(nèi)的玻璃原料加熱并使其熔解，由此獲得熔融玻璃。
[0049]澄清工序(ST2)主要在玻璃導(dǎo)管104、澄清槽102以及玻璃導(dǎo)管105中進(jìn)行，通過對(duì)澄清槽102內(nèi)的熔融玻璃MG加熱，來使熔融玻璃MG中含有的O2等的氣泡借助澄清劑的氧化還原反應(yīng)而成長并上浮至液面從而排除，或?qū)馀葜械臍怏w成分吸收到熔融玻璃中而消除氣泡。
[0050]在均質(zhì)化工序(ST3)中，利用攪拌器攪拌通過玻璃導(dǎo)管105供給的攪拌槽103內(nèi)的熔融玻璃MG，由此進(jìn)行玻璃成分的均質(zhì)化。
[0051]在供給工序(ST4)中，熔融玻璃MG通過玻璃導(dǎo)管106被供給至成型裝置200。
[0052]在成型裝置200中，進(jìn)行成型工序(ST5 )和退火工序(ST6 )。
[0053]在成型工序(ST5)中，使熔融玻璃MG成型為片狀玻璃G，并形成片狀玻璃SG的流動(dòng)。在本實(shí)施方式中，采用利用了未圖示的成型體的溢流下拉法。在退火工序(ST6)中，成型并流動(dòng)的片狀玻璃SG以成為所希望的厚度且不產(chǎn)生內(nèi)部應(yīng)變的方式冷卻。
[0054]在切斷工序(ST7)中，在切斷裝置300中，將從成型裝置200供給的片狀玻璃SG切斷成預(yù)定的長度，由此得到板狀的玻璃板。通過切斷而得到的玻璃板進(jìn)一步被切斷成預(yù)定的尺寸，從而制作出目標(biāo)尺寸的玻璃板。然后，進(jìn)行玻璃端面的磨削、研磨和玻璃主面的清洗，進(jìn)而檢查是否存在氣泡等異常缺陷，然后將檢查合格的玻璃板作為最終產(chǎn)品進(jìn)行包裝。
[0055](玻璃導(dǎo)管)
[0056]圖3A是更詳細(xì)地對(duì)圖2所示的玻璃導(dǎo)管104進(jìn)行說明的剖視圖。圖3B是從X方向觀察圖3A所示的玻璃導(dǎo)管104的左端的、用于說明電極和凸緣的配置的圖。在后面說明的玻璃導(dǎo)管104的形態(tài)也能夠在玻璃導(dǎo)管105、106中應(yīng)用。
[0057]玻璃導(dǎo)管104具有將熔解槽101與澄清槽102之間連接起來的由鉬或鉬合金構(gòu)成的管。具體來說，玻璃導(dǎo)管104具有:管主體110，其由鉬或鉬合金構(gòu)成；一對(duì)金屬制成的凸緣112、114，它們設(shè)在管主體110的長度方向上的不同的位置；以及板狀的電極116、118，它們?yōu)榱耸闺娏髁鬟^管主體110以進(jìn)行加熱而分別與凸緣112、114連接。在本實(shí)施方式中，電極116、118與凸緣112、114平行地進(jìn)行配置，但也可以相對(duì)于凸緣112、114傾斜地進(jìn)行配置。凸緣112、114的材質(zhì)只要是使電流流通的導(dǎo)體即可，優(yōu)選的是，從耐高溫的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選采用鉬或鉬合金。凸緣112、114具有:內(nèi)環(huán)部112a、114a，它們與管主體110連接；和外環(huán)部112b、114b，它們包圍內(nèi)環(huán)部112a、114a，且與電極116、118連接。內(nèi)環(huán)部112a、114a的厚度比外環(huán)部112b、114b的厚度薄。外環(huán)部112b、114b與電極116、118連接。
[0058]這樣，使與電極116、118連接的外環(huán)部112b、114b的厚度比內(nèi)環(huán)部112a、114a厚，是為了使外環(huán)部112b、114b的電阻比內(nèi)環(huán)部112a、114a的電阻小。由此，從電極116、118向凸緣112、114流動(dòng)的電流容易流過外環(huán)部112b、114b。即，在本實(shí)施方式中，與內(nèi)環(huán)部112a、114a和外環(huán)部112b、114b的厚度相同的情況相比，電流容易繞到隔著凸緣112、114與電極116、118相反的一側(cè)的部分并流動(dòng)。在圖3B所示的例子中，在電流從紙面上方流動(dòng)的情況下，電流繞到下方的部分。其結(jié)果是，在本實(shí)施方式中，能夠在管主體110的周向上形成更均勻的電流的流動(dòng)，從而能夠消除以往那樣的局部的通電加熱。
[0059]電極116、118中的朝向凸緣112、114流動(dòng)的電流的電流路具有分支路116a、116b(118a、118b )，所述分支路116a、116b (118a、118b )是為了在分別對(duì)凸緣112、114進(jìn)行供電之前對(duì)凸緣的周向上的不同的兩處部位進(jìn)行供電而分支出的。
[0060]對(duì)于這樣的分支路116a、116b(118a、118b)，優(yōu)選的是，例如，如圖3B所示，通過在電極116、118的與凸緣112、114連接的端部形成將電極116、118的一部分切掉而成的切口部117、119，來形成分支路116a、116b (118a、118b)。通過在電極116,118的一部分形成切口 117、119，能夠容易地形成分支路116a、116b(118a、118b)。并且，為了形成分支路116a、116b (118a、118b)，也可以不形成切口 117、119。例如，即使不像切口 117、119這樣使電極116,118的板厚完全為0，但通過在電極116、118的與凸緣112、114連接的端部形成電極116,118的板厚比周圍薄的薄板部，也能夠使電流如圖3B所示那樣分支成兩部分。
[0061]在本實(shí)施方式中，電極116、118從管主體110的上方與凸緣112、114連接，但電極116、118的連接并不限定于從管主體110的上方與凸緣112、114連接的方式，也可以從管主體110的斜上方、從橫向、從斜下方向、或者從正下方向進(jìn)行連接。
[0062]并且，電極116、118的寬度方向上的中心線CL是從管主體110的截面的中心點(diǎn)O延伸的放射方向，根據(jù)均等地分配電流來使電流在分支路116a、116b (118a、118b)上流動(dòng)的觀點(diǎn)，切口 117、119形成在中心線CL上是優(yōu)選的。由此，電流容易在管主體110的周向上分散地流動(dòng)。在此，電極116、118的寬度方向是與電極116、118的延伸方向正交的方向，所述電極116、118的延伸方向從電極116、118的上游側(cè)向凸緣112延伸，在圖3B中，電極116、118的寬度方向是紙面左右方向。
[0063]另外，在凸緣112的上部(電極連接位置一側(cè)的部分)，向比管主體110的外徑大的范圍供給電流，電流容易繞到管主體110的底部(與電極連接位置相反的一側(cè)的部分)，從這樣的觀點(diǎn)出發(fā)，形成為板狀的電極116、118的寬度比管主體110的直徑(外徑)大是優(yōu)選的。并且，電極116、118的寬度也可以比凸緣112的外徑(直徑)大。這種情況從下述觀點(diǎn)出發(fā)是優(yōu)選的:向比凸緣112的外徑大的范圍供給電流，電流更加容易繞到管主體110的底部(與電極連接位置相反的一側(cè)的部分)。另外，電極116、118的寬度也可以在凸緣112的直徑以下。在這種情況下，與電極116、118的寬度比凸緣112的直徑大的情況相比，能夠進(jìn)一步減少電極中的發(fā)熱。另外，考慮到電流的易繞過性與散熱性的平衡，也可以使電極116、118的寬度比管主體110的直徑(外徑)大且在凸緣112的直徑以下。從能夠使電流分散地流入管主體110、并且能夠抑制電極116、118中的發(fā)熱的觀點(diǎn)出發(fā)，如本實(shí)施方式這樣，電極116、118的寬度W1與凸緣112、114的直徑(W2)相等是優(yōu)選的。
[0064]本實(shí)施方式的凸緣112、114具有:內(nèi)環(huán)部112a、114a，其與管主體110連接；和外環(huán)部112b、114b，它們包圍內(nèi)環(huán)部112a、114a，且與電極116、118連接。內(nèi)環(huán)部112a、114a的厚度比外環(huán)部112b、114b的厚度小。本實(shí)施方式中的凸緣112、114具有厚度不同的內(nèi)環(huán)部和外環(huán)部，但凸緣112、114的厚度也可以是均勻的。在本實(shí)施方式中，電極116、118中的電流的電流路只要至少具有分支路116a、116b (118a、118b)即可，所述分支路116a、116b(118a、118b)是為了在分別對(duì)凸緣112、114進(jìn)行供電之前對(duì)凸緣的周向上的不同的兩處部位進(jìn)行供電而分支出的。
[0065](變形例I)
[0066]圖4A是與圖3A和圖3B所示的形態(tài)不同的變形例I。
[0067]在圖4A所示的變形例I中，管主體110的中心點(diǎn)相對(duì)于凸緣112、114的中心點(diǎn)向電極116、118的相反側(cè)(在圖4A中為下方的一側(cè))偏移。在圖3A和圖3B所示的形態(tài)中，凸緣112、114的中心點(diǎn)與管主體110的中心點(diǎn)一致。只有是否存在該中心點(diǎn)的偏移才是上述實(shí)施方式與本變形例I的差異。通過形成這樣的中心點(diǎn)的偏移，能夠使內(nèi)環(huán)部112a、114a的電極116、118側(cè)(圖4A中的上方側(cè))的長度L1比上述實(shí)施方式長，并能夠使內(nèi)環(huán)部112a、114a的與電極116、118相反的一側(cè)(圖4A中的下方側(cè))的長度L2比上述實(shí)施方式短。由于內(nèi)環(huán)部112a、114a的厚度比外環(huán)部112b、114b薄，因此電阻比較高。因此，在內(nèi)環(huán)部112a、114a的電極116、118側(cè)的、電流流動(dòng)的流路的長度比較長的部分，電流難以流動(dòng)，在內(nèi)環(huán)部112a、114a的與電極116、118相反的一側(cè)的、電流流動(dòng)的流路的長度比較短的部分，電流容易流動(dòng)。從而，在圖4A所示的變形例I的情況下，電流容易繞到內(nèi)環(huán)部112a、114a的與電極116、118相反的一側(cè)(圖4A中的下方側(cè))的部分，因此能夠在管主體110的周向上形成更均勻的電流的流動(dòng)。因此，能夠消除局部的通電加熱。[0068](變形例2)
[0069]圖4B是與圖3A和圖3B所示的形態(tài)不同的變形例2。
[0070]在圖4B所示的變形例2中，凸緣112、114的作為與電極116、118連接的連接部分的上半部分形成為薄壁部IUb1UHb1，下半部分形成為厚壁部112b2、114b2。即，外環(huán)部112b、114b在周向上具有厚壁部112b2、114b2和厚度比厚壁部112b2、114b2薄的薄壁部IUb1UHb1，凸緣112、114的與電極116、118連接的連接部分為薄壁部IUb1UHb115這樣，通過使凸緣112、114的與電極116、118連接的連接部分形成為薄壁部1121^、IHb1，能夠使電流容易繞到位于電極116，118的相反側(cè)的厚壁部112b2、114b2。從而，在變形例2中，能夠在管主體110的周向上形成更均勻的電流的流動(dòng)。因此，能夠消除局部的通電加熱。
[0071](玻璃原料、玻璃組成)
[0072]本實(shí)施方式的玻璃板的制造方法能夠應(yīng)用于所有的玻璃板的制造，特別是適合液晶顯示裝置、有機(jī)EL顯示裝置或等離子顯示器裝置等平板顯示器用的玻璃基板、或者覆蓋顯示部的罩玻璃的制造。
[0073]為了根據(jù)本實(shí)施方式的玻璃板的制造方法來制造玻璃板，調(diào)合玻璃原料以使其成為所希望的玻璃組成。例如，在制造平板顯示器用的玻璃基板的情況下，優(yōu)選以具有以下組成的方式混合原料。
[0074](a) SiO2:50 ~70 質(zhì)量 ％，
[0075](b)B203:5 ~18 質(zhì)量 ％，
[0076](C)Al2O3:10 ~25 質(zhì)量 ％，
[0077](d)MgO:0 ~10 質(zhì)量 ％，
[0078](e)CaO:0 ~20 質(zhì)量 ％，
[0079](f)Sr0:0 ~20 質(zhì)量 ％，
[0080](ο) BaO:0 ~10 質(zhì)量 ％，
[0081](p)R0:5~20質(zhì)量％ (其中，R為選自Mg、Ca、Sr及Ba中的至少I種，且為玻璃板所含有的成分)，
[0082](q)R’ 20:超過0.10質(zhì)量％且在2.0質(zhì)量％以下(其中，R'為選自L1、Na及K中的至少I種，且為玻璃板所含有的堿金屬成分)，
[0083](r)選自氧化錫、氧化鐵以及氧化鈰等中的至少一種金屬氧化物合計(jì)0.05?1.5
質(zhì)量％。
[0084]并且，(q)R’ 20不是必須的，因此也可以不含有。在這種情況下，成為實(shí)際上不含R’ 20的無堿玻璃，從而能夠降低R’ 20從玻璃板流出而破壞TFT的可能性。另一方面，通過含有超過0.10質(zhì)量％且在2.0質(zhì)量％以下的(q) R’ 20，能夠?qū)FT特性的劣化和玻璃的熱膨脹抑制在固定范圍內(nèi)，同時(shí)能夠提高玻璃的堿度，使價(jià)數(shù)變動(dòng)的金屬的氧化變得容易，從而提高澄清性。進(jìn)而，由于能夠降低玻璃的電阻率，因此在熔解槽101中進(jìn)行電熔融時(shí)是優(yōu)選的。
[0085]進(jìn)而，近年來，為了進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高精細(xì)化，謀求采用了 ρ-Si(低溫多晶硅)*TFT或氧化物半導(dǎo)體的顯示器，而不是采用了 α -Si (非晶娃)*TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)的顯示器。在此，在P-Si *TFT或氧化物半導(dǎo)體的形成工序中，存在溫度比α-Si *TFT的形成工序高的熱處理工序。因此，對(duì)于形成P-Si *TFT或氧化物半導(dǎo)體的玻璃板，要求熱收縮率較小。為了減小熱收縮率，優(yōu)選提高玻璃的應(yīng)變點(diǎn)，但應(yīng)變點(diǎn)高的玻璃存在高溫時(shí)的粘度(高溫粘性)升高的趨勢。因此，在玻璃導(dǎo)管中，需要進(jìn)一步使熔融玻璃的溫度上升?？墒牵瑸榱耸谷廴诓ＡУ臏囟壬仙?，從電極116、118供給至凸緣112、114的電力增大。在現(xiàn)有的玻璃導(dǎo)管中，由于電流集中于電極側(cè)，因此存在玻璃導(dǎo)管破損的擔(dān)憂?？墒?，在本實(shí)施方式和變形例1、2中，能夠緩和電流向玻璃導(dǎo)管104的電極116、118側(cè)的集中，因此也適合高溫粘性容易升高的高應(yīng)變點(diǎn)玻璃的制造。
[0086]例如對(duì)于應(yīng)變點(diǎn)在655°C以上的玻璃板的制造，本實(shí)施方式和變形例1、2是適合的。特別是，對(duì)于P-Si *TFT或氧化物半導(dǎo)體也適合的應(yīng)變點(diǎn)在675°C以上的玻璃板在本實(shí)施方式和變形例1、2中是適合的，應(yīng)變點(diǎn)680°C以上的玻璃板更加適合，應(yīng)變點(diǎn)690°C以上的玻璃板特別適合。
[0087]作為應(yīng)變點(diǎn)在675°C以上的玻璃板的組成，例如，示出了玻璃板以質(zhì)量％表示而含有以下成分的例子。
[0088]SiO2:52 ?78 質(zhì)量 ％，
[0089]Al2O3:3 ?25 質(zhì)量 ％,
[0090]B2O3:3 ?15 質(zhì)量 ％，
[0091]RO (其中，RO是MgO、CaO、SrO以及BaO的組分，是玻璃板中含有的組分的總量):
3?20質(zhì)量％，
[0092]質(zhì)量比(Si02+Al203) /B2O3為7以上的范圍
[0093]是優(yōu)選的。
[0094]進(jìn)而，為了使應(yīng)變點(diǎn)進(jìn)一步上升，質(zhì)量比(Si02+Al203)/R0在7.5以上是優(yōu)選的。進(jìn)而，為了使應(yīng)變點(diǎn)上升，使β — OH值為0.1?0.3mm1是優(yōu)選的。另一方面，為了在熔解時(shí)防止電流流到熔解槽101而不是玻璃，使R2O (其中，R2O是Li20、Na20及K2O的組分，是玻璃板中含有的組分的總量)為0.01?0.8質(zhì)量％以降低玻璃的電阻率是優(yōu)選的?；蛘?，為了降低玻璃的電阻率，使質(zhì)量比Fe2O3為0.01?I質(zhì)量％是優(yōu)選的。進(jìn)而，為了在實(shí)現(xiàn)高應(yīng)變點(diǎn)的同時(shí)防止失透溫度上升，使質(zhì)量比CaO/RO在0.65以上是優(yōu)選的?；蛘?，使質(zhì)量比(Si02+Al203 VB2O3為7.5?20的范圍是優(yōu)選的。通過使失透溫度在1250°C以下，能夠應(yīng)用溢流下拉法。另外，考慮到應(yīng)用至移動(dòng)設(shè)備等，從輕量化的觀點(diǎn)出發(fā)，SrO和BaO的合計(jì)含有量在O以上且小于2質(zhì)量％是優(yōu)選的。
[0095]并且，上述的平板顯示器用的玻璃基板實(shí)質(zhì)上不含有砷是優(yōu)選的，實(shí)質(zhì)上不含有砷和銻是更加優(yōu)選的。即，即使含有這些物質(zhì)，它們也只是作為雜質(zhì)，具體來說，這些物質(zhì)還包括As2O3和Sb2O3這樣的氧化物，這些物質(zhì)為0.1質(zhì)量％以下是優(yōu)選的。
[0096]為了調(diào)節(jié)玻璃的各種物理、熔融、澄清以及成型特性，除了上述組分外，在本實(shí)施方式和變形例1、2中使用的玻璃也可以含有各種其他氧化物。作為其他的氧化物的例子，并不限于以下物質(zhì)，但可以列舉出SnO2, TiO2' Mn。、Z n0、Nb2O5' MoO3> Ta2O5' WO3> Y2O3以及La203。在此，液晶顯示器或有機(jī)EL顯示器等平板顯示器用玻璃基板對(duì)氣泡的要求特別嚴(yán)格，因此，在上述氧化物中至少含有澄清效果較大的SnO2是優(yōu)選的。
[0097]以上，對(duì)本實(shí)用新型的玻璃導(dǎo)管和玻璃板的制造裝置詳細(xì)地進(jìn)行了說明，但本實(shí)用新型并不限定于上述實(shí)施方式，在不脫離本實(shí)用新型宗旨的范圍內(nèi)，當(dāng)然也可以進(jìn)行各種改良或變更。
【權(quán)利要求】
1.一種玻璃導(dǎo)管，其在對(duì)熔融玻璃進(jìn)行加熱的同時(shí)搬送所述熔融玻璃，其特征在于， 所述玻璃導(dǎo)管具有: 金屬制成的管主體； 一對(duì)凸緣，其設(shè)置于所述管主體的長度方向的不同的位置；以及板狀電極，其為了使電流流到所述管主體來進(jìn)行加熱而分別與所述凸緣連接，所述板狀電極與所述凸緣的外緣連接，在所述板狀電極的與所述凸緣連接的端部形成有切口部、或所述電極的板厚比周圍薄的薄板部。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的玻璃導(dǎo)管，其特征在于， 所述板狀電極的寬度方向上的中心線延伸的方向是從所述管主體的截面的中心點(diǎn)延伸的放射方向， 所述切口形成在所述中心線上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的玻璃導(dǎo)管，其特征在于， 所述板狀電極的寬度比所述管主體的直徑大，并且在所述凸緣的外徑以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的玻璃導(dǎo)管，其特征在于， 所述凸緣具有: 內(nèi)環(huán)部，其以包圍所述管主體的周圍的方式與所述管主體連接；和 外環(huán)部，其包圍所述內(nèi)環(huán)部的周圍，且與所述電極連接， 所述內(nèi)環(huán)部的厚度比所述外環(huán)部的厚度薄。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的玻璃導(dǎo)管，其特征在于， 所述外環(huán)部在周向上具有厚壁部和厚度比所述厚壁部薄的薄壁部，所述凸緣的與所述電極連接的連接部分是所述薄壁部。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的玻璃導(dǎo)管，其特征在于， 所述管主體的中心點(diǎn)相對(duì)于所述凸緣的中心點(diǎn)向如下方向偏移，該方向是所述電極向所述凸緣延伸的方向。
7.一種玻璃板的制造裝置，其用于制造玻璃板，其特征在于， 所述玻璃板的制造裝置具有: 熔解槽，其使玻璃原料熔解而形成熔融玻璃； 澄清槽，其將熔融玻璃澄清； 成型裝置，其將澄清后的熔融玻璃成型為片狀玻璃；以及 玻璃導(dǎo)管，其將所述熔解槽與所述澄清槽之間連接起來， 所述玻璃導(dǎo)管具有: 金屬制成的管主體； 一對(duì)凸緣，其設(shè)置于所述管主體的長度方向的不同的位置；以及板狀電極，其為了使電流流到所述管主體來進(jìn)行加熱而分別與所述凸緣連接，所述板狀電極與所述凸緣的外緣連接，在所述板狀電極的與所述凸緣連接的端部形成有切口部、或所述電極的板厚比周圍薄的薄板部。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的玻璃板的制造裝置，其特征在于， 所述板狀電極的寬度方向上的中心線延伸的方向是從所述管主體的截面的中心點(diǎn)延伸的放射方向，所述切口形成在所述中心線上。
9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的玻璃板的制造裝置，其特征在于， 所述板狀電極的寬度比所述管主體的直徑大，并且在所述凸緣的外徑以下。
10.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的玻璃板的制造裝置，其特征在于， 所述凸緣具有: 內(nèi)環(huán)部，其以包圍所述管主體的周圍的方式與所述管主體連接；和 外環(huán)部，其包圍所述內(nèi)環(huán)部的周圍，且與所述電極連接， 所述內(nèi)環(huán)部的厚度比所述外環(huán)部的厚度薄。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的玻璃板的制造裝置，其特征在于， 所述外環(huán)部在周向上具有厚壁部和厚度比所述厚壁部薄的薄壁部，所述凸緣的與所述電極連接的連接部分是所述薄壁部。
12.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的玻璃板的制造裝置，其特征在于， 所述管主體的中心點(diǎn)相對(duì)于所述凸緣的中心點(diǎn)向如下方向偏移，該方向是所述電極向所述凸緣延伸的方向。`
【文檔編號(hào)】C03B7/07GK203513472SQ201320547812
【公開日】2014年4月2日 申請(qǐng)日期:2013年9月4日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月5日
【發(fā)明者】宇夫方孝顯, 苅谷浩幸 申請(qǐng)人:安瀚視特控股株式會(huì)社