專利名稱：用于切割at45度光學(xué)晶片的棒材的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種棒材，具體的說，涉及了一種用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材。
背景技術(shù)：
切型為45度0度或45度90度的光學(xué)晶片簡稱為AT45度光學(xué)晶片，其廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機等光學(xué)設(shè)備中，傳統(tǒng)工藝對其加工要求較低，一般只需將回轉(zhuǎn)角和邊的垂直度控制在30分以內(nèi)即可；隨著數(shù)碼產(chǎn)品質(zhì)量的逐步提高，垂直度、回轉(zhuǎn)角誤差需要控制在10 分以內(nèi)，在此種情況下，采用傳統(tǒng)工藝，將很難達到二者同時合格。為了解決以上存在的問題，人們一直在尋求一種理想的技術(shù)解決方案。
發(fā)明內(nèi)容本實用新型的目的是針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，從而提供了一種設(shè)計科學(xué)、結(jié)構(gòu)簡單、 便于切割加工、產(chǎn)品合格率高、利于提高生產(chǎn)效率的用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材。為了實現(xiàn)上述目的，本實用新型所采用的技術(shù)方案是一種用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，該棒材是單面長光學(xué)級X板，所述單面長光學(xué)級X板上設(shè)置有基準(zhǔn)切割面，所述基準(zhǔn)切割面是以所述單面長光學(xué)級X板的Z面為基準(zhǔn)、以所述單面長光學(xué)級X板的X軸為旋轉(zhuǎn)軸且逆時針旋轉(zhuǎn)45度所在的平面?；谏鲜?，所述單面長光學(xué)級X板上設(shè)置有晶片基準(zhǔn)切割面，所述晶片基準(zhǔn)切割面與所述基準(zhǔn)切割面垂直設(shè)置?；谏鲜觯鰡蚊骈L光學(xué)級X板的籽晶面與Z面角差不大于5分。基于上述，所述單面長光學(xué)級X板是無籽晶的、+X面平整的單面長光學(xué)級X板?；谏鲜觯龌鶞?zhǔn)切割面的切割角差不大于5分，所述晶片基準(zhǔn)切割面的垂直角差不大于1.5分。本實用新型相對現(xiàn)有技術(shù)具有實質(zhì)性特點和進步，具體的說，通過對具有該結(jié)構(gòu)的棒材切割，可直接將光學(xué)晶片的回轉(zhuǎn)角、晶片的長寬尺寸、垂直度做到位，切割成晶片以后，只需再對晶片厚度進行加工即可，不用再修正長度、寬度的外形，大大簡化了 AT45度光學(xué)晶片的加工工序；該棒材具有設(shè)計科學(xué)、結(jié)構(gòu)簡單、便于切割加工、產(chǎn)品合格率高、利于提高生產(chǎn)效率的優(yōu)點。

圖1是本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面通過具體實施方式
，對本實用新型的技術(shù)方案做進一步的詳細(xì)描述。如圖1所示，一種用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，該棒材是單面長光學(xué)級X板1，所述單面長光學(xué)級X板1上設(shè)置有基準(zhǔn)切割面2，所述基準(zhǔn)切割面2是以所述單面長光學(xué)級X板1的Z面11為基準(zhǔn)、以所述單面長光學(xué)級X板1的X軸為旋轉(zhuǎn)軸且逆時針旋轉(zhuǎn)45 度所在的平面，所述基準(zhǔn)切割面2的切割角a的角差不大于5分；所述單面長光學(xué)級X板1上設(shè)置有晶片基準(zhǔn)切割面3，所述晶片基準(zhǔn)切割面3與所述基準(zhǔn)切割面2垂直設(shè)置，所述晶片基準(zhǔn)切割面3的垂直角b的角差不大于1. 5分?；谏鲜?，所述單面長光學(xué)級X板1的籽晶面與Z面角差不大于5分；所述單面長光學(xué)級X板1是無籽晶的、+X面12平整的單面長光學(xué)級X板。加工時，將單面長光學(xué)級X板的籽晶面與Z面的角差控制在5分以內(nèi)，并將其籽晶去除、+X面磨平；然后，以其Z面為基準(zhǔn)，以X軸為旋轉(zhuǎn)軸，逆時針旋轉(zhuǎn)45度進行切割，得到基準(zhǔn)切割面；再對基準(zhǔn)切割面進行定向，并修正切割角度，使角差控制在5分以內(nèi)；最后，平磨切割的尺寸到客戶要求的尺寸及公差，即控制夾料的夾具垂直度在誤差1. 5分以內(nèi)，即可。該棒材利用單面長光學(xué)級X板為原材料，由傳統(tǒng)的沿Y向平行切割改為旋轉(zhuǎn)45度切割，通過切割及后續(xù)的輔助加工，使得晶片的外形尺寸、回轉(zhuǎn)角、垂直度在棒材上直接做到位，在切片加工中不用再經(jīng)過外形尺寸的加工等，直接將厚度研磨到客戶要求的即可。最后應(yīng)當(dāng)說明的是以上實施例僅用以說明本實用新型的技術(shù)方案而非對其限制；盡管參照較佳實施例對本實用新型進行了詳細(xì)的說明，所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解依然可以對本實用新型的具體實施方式
進行修改或者對部分技術(shù)特征進行等同替換；而不脫離本實用新型技術(shù)方案的精神，其均應(yīng)涵蓋在本實用新型請求保護的技術(shù)方案范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求1.一種用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，其特征在于該棒材是單面長光學(xué)級X板， 所述單面長光學(xué)級X板上設(shè)置有基準(zhǔn)切割面，所述基準(zhǔn)切割面是以所述單面長光學(xué)級X板的ζ面為基準(zhǔn)、以所述單面長光學(xué)級X板的X軸為旋轉(zhuǎn)軸且逆時針旋轉(zhuǎn)45度所在的平面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，其特征在于所述單面長光學(xué)級X板上設(shè)置有晶片基準(zhǔn)切割面，所述晶片基準(zhǔn)切割面與所述基準(zhǔn)切割面垂直設(shè)置。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，其特征在于所述單面長光學(xué)級X板的籽晶面與Z面角差不大于5分。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，其特征在于所述單面長光學(xué)級X板是無籽晶的、+X面平整的單面長光學(xué)級X板。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，其特征在于所述基準(zhǔn)切割面的切割角差不大于5分，所述晶片基準(zhǔn)切割面的垂直角差不大于1. 5分。
專利摘要本實用新型提供一種用于切割A(yù)T45度光學(xué)晶片的棒材，該棒材是單面長光學(xué)級X板，所述單面長光學(xué)級X板上設(shè)置有基準(zhǔn)切割面，所述基準(zhǔn)切割面是以所述單面長光學(xué)級X板的Z面為基準(zhǔn)、以所述單面長光學(xué)級X板的X軸為旋轉(zhuǎn)軸且逆時針旋轉(zhuǎn)45度所在的平面；所述單面長光學(xué)級X板上設(shè)置有晶片基準(zhǔn)切割面，所述晶片基準(zhǔn)切割面與所述基準(zhǔn)切割面垂直設(shè)置。該棒材具有設(shè)計科學(xué)、結(jié)構(gòu)簡單、便于切割加工、產(chǎn)品合格率高、利于提高生產(chǎn)效率的優(yōu)點。
文檔編號B28D5/02GK202241637SQ20112038243
公開日2012年5月30日 申請日期2011年10月10日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月10日
發(fā)明者于欽濤 申請人:北京石晶光電科技股份有限公司濟源分公司