專利名稱：多線切割機(jī)用導(dǎo)輪的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
多線切割機(jī)用導(dǎo)輪
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型屬于一種將硅單晶錠切割加工成硅片的多線切割機(jī)，尤其涉及 這種多線切割機(jī)用導(dǎo)輪。
背景技術(shù)：
DS265型硅單晶錠多線切割機(jī)是本實(shí)用新型所涉及的機(jī)種之一。所述導(dǎo)輪分 為主導(dǎo)輪、從導(dǎo)輪，兩只導(dǎo)輪的環(huán)面上設(shè)有很多環(huán)槽，環(huán)槽的作用是用于接納 切割線，多根切割線布設(shè)在兩只導(dǎo)輪的軸面上，便形成一網(wǎng)狀切割面。作業(yè)時(shí)， T件安裝在所述網(wǎng)狀切割面上方的工件夾具上，夾具可攜帶工件相對(duì)網(wǎng)狀切割 面作升降移動(dòng)，從而切割線對(duì)工件即硅單晶錠進(jìn)行切割。從上口T見，環(huán)槽與環(huán) 槽的間隙，決定了切割線排列的疏密程度，也就決定了該切割面所加工后的硅 片的厚薄程度。現(xiàn)有技術(shù)中，環(huán)槽與環(huán)槽的間隙具有嚴(yán)格的固定性，以致于所 切割的硅片的厚薄程度，與用戶的實(shí)際要求難以相吻合，即當(dāng)用戶提出硅片
實(shí)際用途要求后，如果更薄的硅片能滿足要求，那么就能大大提高單位長(zhǎng)度硅 單晶錠的利用率，而現(xiàn)有導(dǎo)輪則無法實(shí)現(xiàn)這一目的。

發(fā)明內(nèi)容
為克服上述現(xiàn)有技術(shù)存在的缺陷，本實(shí)用新型旨在提供一種結(jié)構(gòu)新型的多 線切割機(jī)用導(dǎo)輪，利用該導(dǎo)輪所形成的網(wǎng)狀切割面切割硅片，能大大提高單位 長(zhǎng)度硅單晶錠的利用率。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用了如下的技術(shù)方案，這種多線切割機(jī)用導(dǎo)輪， 包括主導(dǎo)輪、從導(dǎo)輪，主導(dǎo)輪、從導(dǎo)輪的軸向環(huán)面上均設(shè)有接納切割線的多條
環(huán)槽，其特征是環(huán)槽與環(huán)槽的槽距為0.339—0.341微米。
有益效果與現(xiàn)有技術(shù)相比，將現(xiàn)有通常使用的環(huán)槽與環(huán)槽的槽距從0.36 微米改進(jìn)至O. 339—0. 341微米后，明顯提高了出片率?，F(xiàn)有技術(shù)采用直徑為0. 12 微米的切割線，槽距為切割成的硅片厚度為220士20微米，每kg出片67.5片， 一根29cm長(zhǎng)的單晶棒可出片805.55片。改進(jìn)后，采用直徑為0. 12微米的切割
3線，0.340微米槽距的導(dǎo)輪切割成的硅片厚度為2002士0微米，每kg出片71.47 片，增加了3.97片。 一根29cm的單晶棒出片852.94片，增加了 47.39片，出 片率提高了5. 8%。


圖1為本實(shí)用新型一個(gè)實(shí)施例的立體結(jié)構(gòu)示意圖。
圖中切割線進(jìn)線l，切割線出線2，網(wǎng)狀切割面3，從導(dǎo)輪4，環(huán)槽5，主 導(dǎo)輪6。
具體實(shí)施方式
參見圖l。
本實(shí)用新型的主導(dǎo)輪6、從導(dǎo)輪4結(jié)構(gòu)，以及切割線環(huán)繞后，在主導(dǎo)輪6、 從導(dǎo)輪4的上平面形成的網(wǎng)狀切割面3等結(jié)構(gòu)不做任何變動(dòng)，切割線進(jìn)線1和 切割線出線2的進(jìn)出方式也未做改動(dòng)，因此，這種多線切割機(jī)的結(jié)構(gòu)不再作進(jìn) 一步的詳細(xì)介紹。
本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，唯一的變化僅在環(huán)槽5的槽距上作丫改進(jìn)， 即環(huán)槽與環(huán)槽的槽距為0. 339_0. 341微米。
權(quán)利要求1、一種多線切割機(jī)用導(dǎo)輪，包括主導(dǎo)輪(6)、從導(dǎo)輪(4)，主導(dǎo)輪(6)、從導(dǎo)輪(4)的軸向環(huán)面上均設(shè)有接納切割線的多條環(huán)槽，其特征是環(huán)槽與環(huán)槽的槽距為0.339—0.341微米。
專利摘要一種多線切割機(jī)用導(dǎo)輪，包括主導(dǎo)輪、從導(dǎo)輪，主導(dǎo)輪、從導(dǎo)輪的軸向環(huán)面上均設(shè)有接納切割線的多條環(huán)槽，其特征是環(huán)槽與環(huán)槽的槽距為0.339-0.341微米。與現(xiàn)有技術(shù)相比，將現(xiàn)有通常使用的環(huán)槽與環(huán)槽的槽距從0.36微米改進(jìn)至0.339-0.341微米后，有利于增加硅片出片率，提高單位長(zhǎng)度硅單晶錠的利用率。
文檔編號(hào)B28D5/04GK201264321SQ20082016609
公開日2009年7月1日 申請(qǐng)日期2008年10月14日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月14日
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