專利名稱：一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及食品加工技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)。
背景技術(shù)：
目前市場上的食品加工機(jī)，例如豆?jié){機(jī)、食品料理機(jī)等的加熱方式主要有在機(jī)頭(豆?jié){機(jī))安裝管狀發(fā)熱體、在杯底安裝盤狀包括電熱管或者陶瓷加熱器等發(fā)熱體、在加熱容器下部外圍焊接發(fā)熱管或者設(shè)置電磁感應(yīng)線圈等等。這些加熱技術(shù)的加熱接觸面小、力口熱速度慢、熱效率低、熱慣性大的缺陷很明顯。上述加熱方式在的加熱過程中普遍存在糊管、糊底等問題。糊管后容易燒焦，清洗困難。為了解決上述問題，出現(xiàn)了采用厚膜進(jìn)行加熱的食品加工機(jī)。厚膜俗稱電熱膜、發(fā)熱膜、加熱膜，其特點(diǎn)是熱效率高、加熱速度快、熱慣性小。由于熱慣性小，不存在剛開始加熱時(shí)的預(yù)熱階段和斷電后繼續(xù)煮水的階段，可以對食品加工工藝的溫度控制進(jìn)行精確控溫。但是現(xiàn)有米用厚I吳加熱的食品加工機(jī)，都是在食品加工機(jī)加熱容器底部設(shè)置厚膜，盡管厚膜的熱慣性小，但同樣存在容易糊底的問題。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型針對現(xiàn)有食品加工機(jī)的加熱方式存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的問題，提供一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)。本實(shí)用新型所需要 解決的技術(shù)問題，可以通過以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn):—種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，包括加熱容器，其特征在于:加熱容器下部側(cè)壁表面設(shè)有厚膜介電層，厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層，所述加熱容器的熱膨脹系數(shù)不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數(shù)。本實(shí)用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯(lián)有突跳式溫控器。本實(shí)用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū)，干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。本實(shí)用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，包括加熱容器，其特征在于:所述加熱容器下部側(cè)壁套設(shè)有導(dǎo)熱基體，所述基體表面設(shè)有厚膜介電層，厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層，所述導(dǎo)熱基體的熱膨脹系數(shù)不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數(shù)。本實(shí)用新型中，所述導(dǎo)熱基體設(shè)有沿其整個(gè)長度方向縱向槽，以便于將導(dǎo)熱基體套設(shè)在加熱容器下部側(cè)壁；所述套熱基體的內(nèi)徑小于加熱容器的外徑，以使得導(dǎo)熱基體緊密的套設(shè)在加熱容器下部側(cè)壁。本實(shí)用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯(lián)有突跳式溫控器。本實(shí)用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū)，干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。本實(shí)用新型中，所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。本實(shí)用新型通過在食品加工機(jī)加熱容器下部側(cè)壁直接或者間接設(shè)置厚膜，使得加熱容器的加熱接觸面更大，加熱更均勻，加熱速度和熱效率都有顯著提高，避免了糊底等問題的出現(xiàn)，同時(shí)，加熱容器外壁更加美觀，占用空間更小，對食品加工機(jī)整體結(jié)構(gòu)有顯著的優(yōu)化。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
來進(jìn)一步說明本實(shí)用新型。


圖1為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層以及加熱容器的徑向剖視圖。圖3為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第二種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第三種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本實(shí)用新型第三種實(shí)施方式導(dǎo)熱基體和加熱容器的徑向剖視圖。圖6為本實(shí)用新型第三種實(shí)施方式導(dǎo)熱基體、厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層以及加熱容器的徑向剖視圖。圖7為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第四種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
為了使本實(shí)用新型的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。本實(shí)用新型的主旨在于，通過對現(xiàn)有食品加工機(jī)加熱方式的分析，發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有食品加工機(jī)存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的缺陷，通過本實(shí)用新型提供一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)。參見
圖1和圖2，本實(shí)用新型的食品加工機(jī)為了解決現(xiàn)有食品加工機(jī)加熱方式存在的缺陷，首先，在食品加工機(jī)的加熱容器I下部側(cè)壁表面通過絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置厚膜介電層2，絲網(wǎng)印刷的好處在于可以快速地將厚膜介電層2設(shè)置在加熱容器下部側(cè)壁表面，適合大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)。厚膜介電層2起到電絕緣的作用，在需要較高絕緣保護(hù)需求的場合，可以通過設(shè)置多層厚膜介電層2的方式來實(shí)現(xiàn)。厚膜介電層2上設(shè)有厚膜電阻層3，厚膜電阻層3同樣可以通過絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置在厚膜介電層2上，也可以通過直接寫入的方式設(shè)置在厚膜介電層2上。前者同樣是主要適用于大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)，后者在小規(guī)模生產(chǎn)時(shí)是較優(yōu)的選擇。厚膜電阻層3接入電源后即可產(chǎn)生熱量，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)對加熱容器I內(nèi)物料進(jìn)行加工，厚膜電阻層3在厚膜介電層2如何排布可以是任意的，但無論采用什么樣的排布方式，厚膜電阻層3應(yīng)該具有至少一對接入電源的接入端，這樣厚膜電阻層3通過在兩接入端之間的形成電流回路，通過自身發(fā)熱實(shí)現(xiàn)對加熱容器I內(nèi)物料的加熱。當(dāng)然，較好的方式是，厚膜電阻層3在厚膜介電層2上形成電阻軌跡，
圖1示意了沿著加熱容器I周向環(huán)形設(shè)置層一條電阻軌跡的方式，電阻軌跡具有一對接入端31，在本實(shí)施方式中，在接入端31處設(shè)置了電極32，通過電極32與電源(未示意)實(shí)現(xiàn)連接，當(dāng)然可以在電源一端的連線上設(shè)置電極或者其他方式實(shí)現(xiàn)與接入端31的連接。形成電阻軌跡可以使得電流沿著電阻軌跡流動(dòng)，電阻軌跡等寬且均勻設(shè)置可以使得厚膜電阻層3的發(fā)熱更均勻，對加熱容器I內(nèi)物料加熱更均勻。這里，電源可以是市電接入食品加工機(jī)后進(jìn)行轉(zhuǎn)換后直接接入的電源，也可以是市電接入食品加工機(jī)后通過其他電路或者期間間接進(jìn)行供電的電源，無論采用什么樣的方式，只要能實(shí)現(xiàn)對厚膜電阻層3的供電需求即可。除了
圖1所示實(shí)施方式外，本實(shí)用新型也可以采用圖3所示的實(shí)施方式對厚膜電阻層3進(jìn)行設(shè)置，厚膜電阻層3沿著加熱容器I長度方向往復(fù)進(jìn)行設(shè)置?？梢岳斫獾氖牵娮柢壽E同樣可以是多條的，多條電阻軌跡可以串聯(lián)、并聯(lián)或者其他任何方式形成回路(如果交叉可以進(jìn)行絕緣處理)，根據(jù)回路的數(shù)量和設(shè)置方式，在每一條電阻軌跡上設(shè)置相應(yīng)成對的接入端，實(shí)現(xiàn)與電源連接。由于電阻軌跡的設(shè)置方式很多，此處不可能一一進(jìn)行描述，但是任意形式的電阻軌跡都應(yīng)在本實(shí)用新型請求保護(hù)的范圍內(nèi)。
再參見
圖1，為了避免加熱容器I水位過低時(shí)而造成干燒，本實(shí)施方式在加熱容器I側(cè)壁表面頂部的電阻軌跡處串聯(lián)有突跳式溫控器61，這樣設(shè)置的目的在于，當(dāng)加熱容器I內(nèi)的水位低于突跳式溫控器61時(shí)，突跳式溫控器61處厚膜電阻軌跡溫度迅速升高，突跳式溫控器61突跳可以起到避免干燒的作用，當(dāng)然，突跳式溫控器61也可以串聯(lián)在其他位置。在安裝突跳式溫控器61時(shí)，較好的是在加熱容器I側(cè)壁設(shè)置一安裝面62，安裝面62上設(shè)置相應(yīng)的安裝結(jié)構(gòu)，以便于將突跳式溫控器61安裝在安裝面62上。除此之外，還可以將厚膜電阻軌跡分為正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū)，干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器安裝在干燒敏感區(qū)內(nèi)。本實(shí)施方式中，干燒敏感區(qū)可以設(shè)置在電阻軌跡的任何位置，較好的是干燒敏感區(qū)位于在加熱容器I下部側(cè)壁的下端，本實(shí)施方式在此處設(shè)置了一突跳式溫控器63，其安裝方式與突跳式溫控器61是相同的?？梢岳斫獾氖?，根據(jù)實(shí)際的需要，突跳式溫控器61和63可以同時(shí)設(shè)置，也可以分別單獨(dú)設(shè)置。為了對厚膜電阻層3過熱進(jìn)行保護(hù)或者實(shí)現(xiàn)溫度控制，也可以在一對接入端中，至少其中一端與電源之間串接有熔斷體或者突跳式溫控器。例如，只在一對接入端中的其中一端與電源之間串接一個(gè)熔斷體或者突跳式溫控器；在一對接入端中的兩端與電源之間均串接一個(gè)熔斷體或者突跳式溫控器；在一對接入端中的其中一端與電源之間串接熔斷體，在另一端與電源之間串接突跳式溫控器；當(dāng)然，還可以是在一對接入端中的其中一端與電源之間串接熔斷體，通過表貼在其他溫控器實(shí)現(xiàn)對溫度的控制。對于上述的熔斷體和溫控器，可以采用表貼或者設(shè)置輔助固定部件的方式設(shè)置在加熱容器上。在完成厚膜電阻層3的設(shè)置后，需要對厚膜電阻層3進(jìn)行絕緣處理，因此厚膜電阻層3上還設(shè)有絕緣層4，絕緣層至少應(yīng)當(dāng)完全覆蓋厚膜電阻層3，絕緣層4同樣可以采用絲網(wǎng)印刷或者其他方式設(shè)置在厚膜電阻層3上，絕緣層4 一方面起到絕緣防止厚膜電阻層3短路的作用，另一方面對厚膜電阻層3起到保護(hù)作用，避免磨損的出現(xiàn)。在加熱過程中，加熱容器I受熱后會產(chǎn)生膨脹，為了避免加熱容器I的膨脹使得厚膜介電層2、厚膜電阻層3以及絕緣層4過度拉伸而可能產(chǎn)生損壞，加熱容器I的熱膨脹系數(shù)最好不大于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數(shù)，更優(yōu)選的是加熱容器I的熱膨脹系數(shù)基本等于或者略小于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數(shù)。上述目的可以通過對加熱容器1、厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4適當(dāng)?shù)倪x材來實(shí)現(xiàn)，此處不再累述。參見圖4至圖6，在本實(shí)施方式中，在加熱容器I下部側(cè)壁套設(shè)有導(dǎo)熱基體5，厚膜介電層2通過絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置在導(dǎo)熱基體5表面，然后在按照前述實(shí)施方式相同的方式在厚膜介電層2上設(shè)置厚膜電阻層3，以及進(jìn)一步設(shè)置絕緣層4。這樣通過對導(dǎo)熱基體5進(jìn)行加熱后，對加熱容器I進(jìn)行間接加熱，一方面可以促進(jìn)加熱的均勻性，另一方面相關(guān)的加熱部件和導(dǎo)熱基體5成為一個(gè)整體部件，無需與加熱容器I制造為一體，從制造到安裝到拆卸都比較便利，有利于提高生產(chǎn)效率。對于導(dǎo)熱基體5則可以采用金屬、合金以及各種導(dǎo)熱性能好的復(fù)合材料，例如不銹鋼、鋁等，此處也不再進(jìn)行累述。為了便于導(dǎo)熱基體5在加熱容器I上進(jìn)行安裝和拆卸，本實(shí)施方式中示意了一種較優(yōu)的實(shí)施方式，在導(dǎo)熱基體5上設(shè)置了沿其整個(gè)長度方向的縱向槽51，從徑向截面來看，整體上呈C形，加之導(dǎo)熱基體5通常具有一定的彈性，導(dǎo)熱基體5進(jìn)行微小的形變后，將更加容易地套設(shè)在加熱容器I下部側(cè)壁；套熱基體5的內(nèi)徑可以小于加熱容器I的外徑，這樣使得導(dǎo)熱基體5與加熱容器I下部側(cè)壁`的接觸更加緊密，有利于提高導(dǎo)熱基體5和加熱容器I之間的熱傳導(dǎo)。在加熱過程中，導(dǎo)熱基體5受熱后會產(chǎn)生膨脹，為了避免導(dǎo)熱基體5的膨脹使得厚膜介電層2、厚膜電阻層3以及絕緣層4過度拉伸而可能產(chǎn)生損壞，本實(shí)施方式中導(dǎo)熱基體5的熱膨脹系數(shù)最好不大于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數(shù)，更優(yōu)選的是導(dǎo)熱基體5的熱膨脹系數(shù)基本等于或者略小于厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4的熱膨脹系數(shù)。上述目的可以通過對導(dǎo)熱基體5、厚膜介電層2、厚膜電阻層3和絕緣層4適當(dāng)?shù)倪x材來實(shí)現(xiàn)。由于本實(shí)施方式與前所實(shí)施方式的區(qū)別主要在于，厚膜介電層2通過絲網(wǎng)印刷的方式設(shè)置在導(dǎo)熱基體5表面，厚膜電阻層3如何設(shè)置在厚膜介電層2上，厚膜電阻層3形成電阻軌跡的方式，厚膜電阻層3設(shè)置接入端31的方式，絕緣層4的設(shè)置在厚膜電阻層3上的方式等等與前述的實(shí)施方式是相同的，此處也不再累述。當(dāng)需要設(shè)置突跳式溫控器時(shí)(本實(shí)施方式未示意)，本實(shí)施方式則是在導(dǎo)熱基體5表面的電阻軌跡上串聯(lián)突跳式溫控器；將厚膜電阻軌跡分為正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū)后，本實(shí)施方式中，干燒敏感區(qū)則較好的是位于在導(dǎo)熱基體5的下端，并相應(yīng)地設(shè)置突跳式溫控器。參見圖7，本實(shí)施方式中，加熱容器I與前述實(shí)施方式不同之處在于，加熱容器I并非由完全豎直的側(cè)壁和底壁構(gòu)成，加熱容器I的底壁與豎直側(cè)壁之間采用錐形(也可以是弧形)的側(cè)壁進(jìn)行過渡。當(dāng)不設(shè)置導(dǎo)熱基體時(shí)，厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層同樣可以設(shè)置在錐形(弧形)的側(cè)壁上，設(shè)置方式同前所的實(shí)施方式。本實(shí)施方式中，在加熱容器I豎直側(cè)壁和和錐形側(cè)壁外套設(shè)了導(dǎo)熱基體5，導(dǎo)熱基體5被分為了導(dǎo)熱基體上部51和導(dǎo)熱基體下部52，除了在導(dǎo)熱基體上部51上設(shè)置厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層(未示意)外 ，同樣可以在導(dǎo)熱基體下部52上進(jìn)行設(shè)置。當(dāng)然也可以只在導(dǎo)熱基體上部51設(shè)置厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層，其他部分只采用導(dǎo)熱基體進(jìn)行包裹，導(dǎo)熱基體下部52只起到促進(jìn)加熱均勻的目的，可以理解的是，導(dǎo)熱基體的下部52可以直接連同導(dǎo)熱容器I底壁一起進(jìn)行包裹。對于本實(shí)施方式的導(dǎo)熱基體5同樣可以設(shè)置了沿其整個(gè)長度方向的縱向槽，以便于導(dǎo)熱基體5的安裝和拆卸，前所實(shí)施方式中對其基本原理已經(jīng)進(jìn)行了詳細(xì)的描述，此處不再累述。由于本實(shí)用新型主要涉及的是食品加工機(jī)的加熱部分，因此對食品加工機(jī)其他部件并未進(jìn)行過多的描述，本領(lǐng)域技術(shù)人員對其他部件的結(jié)構(gòu)是熟知的，再結(jié)合本實(shí)用新型加熱部分的描述，本實(shí)用新型已經(jīng)對請求保護(hù)的食品加工機(jī)進(jìn)行了充分公開。另外，本實(shí)用新型的食品加工機(jī)可以是任何設(shè)有加熱容器結(jié)構(gòu)且需要對加熱容器內(nèi)物料進(jìn)行加熱的食品加工機(jī)，例如豆?jié){機(jī)、料理機(jī)、咖啡機(jī)、飯煲等，對于豆?jié){機(jī)可以是電機(jī)上置的豆?jié){機(jī)，也可以電機(jī)下置的豆?jié){機(jī)，或者其他任意形式的豆?jié){機(jī)。對于加熱容器，針對不同的食品加工機(jī)可以呈杯體狀、桶體狀或者其他其他形狀，加熱容器本身為單層結(jié)構(gòu)時(shí)，加熱組件是直接設(shè)置在加熱容器下部的側(cè)壁上的；加熱容器為雙層或者多層結(jié)構(gòu)時(shí)，加熱組件則是設(shè)置在加熱容器最內(nèi)層的下部側(cè)壁上的。以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下本實(shí)用新型還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等同物界定。
權(quán)利要求1.一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，包括加熱容器，其特征在于:加熱容器下部側(cè)壁表面設(shè)有厚膜介電層，厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層，所述加熱容器的熱膨脹系數(shù)不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數(shù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯(lián)有突跳式溫控器。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū)，干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。
5.一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，包括加熱容器，其特征在于:所述加熱容器下部側(cè)壁套設(shè)有導(dǎo)熱基體，所述基體表面設(shè)有厚膜介電層，厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層，所述導(dǎo)熱基體的熱膨脹系數(shù)不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數(shù)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述導(dǎo)熱基體設(shè)有沿其整個(gè)長度方向縱向槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述套熱基體的內(nèi)徑小于加熱容器的外徑。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述 的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，電阻軌跡上串聯(lián)有突跳式溫控器。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū)，干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度，突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)，其特征在于:所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡，所述電阻軌跡具有至少一對連接電源的接入端，所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。
專利摘要本實(shí)用新型針對現(xiàn)有食品加工機(jī)的加熱方式存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的問題，提供一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)。該食品加工機(jī)，在加熱容器或者套設(shè)在加熱容器下部側(cè)壁表面設(shè)有通過絲網(wǎng)印刷的厚膜介電層，厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層，厚膜電阻層具有至少一對連接電源的接入端，所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層。本實(shí)用新型使得加熱容器的加熱接觸面更大，加熱更均勻，加熱速度和熱效率都有顯著提高，避免了糊底等問題的出現(xiàn)，同時(shí)，加熱容器外壁更加美觀，占用空間更小，對食品加工機(jī)整體結(jié)構(gòu)有顯著的優(yōu)化。
文檔編號A47J43/07GK203088774SQ201320028718
公開日2013年7月31日 申請日期2013年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2013年1月21日
發(fā)明者王旭寧, 薛領(lǐng)瓏, 王麗軍 申請人:九陽股份有限公司