用于半導體硅片清洗加工溶液的制作方法
【專利摘要】一種用于半導體硅片清洗加工溶液，其采用超臨界CO2作為溶劑，并含有質量百分比為：20%異構脂肪醇烷氧基化物作為表面活性劑；20%的烷基醇酰胺磷酸酯；0.1%的羥基乙酸作為絡合劑；15%的乙二醇烷基醚；和5%的去離子水，其綠色環(huán)保、無污染，同時去污力強便于保存，適合半導體硅片材料的清洗。
【專利說明】用于半導體硅片清洗加工溶液
【技術領域】
[0001]本發(fā)明有關于半導體電子器件，特別是對其硅片清洗加工的溶液。
【背景技術】
[0002]半導體產(chǎn)業(yè)是現(xiàn)代電子工業(yè)的核心，而半導體產(chǎn)業(yè)的基礎是硅材料工業(yè)。雖然有各種各樣新型的半導體材料不斷出現(xiàn)，但90%以上的半導體器件和電路，尤其是超大規(guī)模集成電路(ULSI)都是制作在高純優(yōu)質的硅單晶拋光片和外延片上的。
[0003]硅片清洗對半導體工業(yè)的重要性，早在50年代初就已引起人們的高度重視，這是因為硅片表面的污染物會嚴重影響器件的性能、可靠性、和成品率。隨著微電子技術的飛速發(fā)展以及人們對原料要求的提高，污染物對器件的影響也愈加突出。
[0004]20世紀70年代在單通道電子倍增器基礎上發(fā)展起來一種多通道電子倍增器。微通道板具有結構簡單、增益高、時間響應快和空間成像等特點，因而得到廣泛應。
[0005]但在MCP的工藝制造過程中，不可避免遭到塵埃、金屬、有機物和無機物的污染。這些污染很容易造成其表面缺陷及孔內(nèi)污垢，產(chǎn)生發(fā)射點、黑點、暗斑等，導致MCP的良品率下降，使得管子質量不穩(wěn)定以至失效，因此在MCP的制造過程中利用清洗技術去除污染物十分重要。
[0006]因此需要一種適合半導體材料，特別是硅片的清洗加工溶液。
【發(fā)明內(nèi)容】
`[0007]為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種用于半導體硅片清洗加工溶液，其采用超臨界CO2作為溶劑，并含有質量百分比為:20%異構脂肪醇烷氧基化物作為表面活性劑；20%的烷基醇酰胺磷酸酯；0.1%的羥基乙酸作為絡合劑;15%的乙二醇烷基醚；和5%的去離子水。
[0008]本發(fā)明采用清潔無污染、沒有腐蝕性，對硅片在前期加工中帶有的污點能夠有效的去除。
【具體實施方式】
[0009]本發(fā)明提供一種用于半導體硅片清洗加工溶液，其采用超臨界CO2作為溶劑，并含有質量百分比為:20%異構脂肪醇烷氧基化物作為表面活性劑；20%的烷基醇酰胺磷酸酯；
0.1%的羥基乙酸作為絡合劑；15%的乙二醇烷基醚；和5%的去離子水。
[0010]所述超臨界CO2是溫度高于31.1 °C、壓力>7.4 X 106 Pa時的狀態(tài)。處于超臨界狀態(tài)的CO2表面張力幾乎為零，很容易滲入細孔和溝槽中，對不規(guī)則及高縱橫比的器件清洗能力強，并且沒有腐蝕性，不會造成硅的損失。
[0011]但由于C02是非極性化合物，所以光刻膠等有機物在其中的溶解度較小，這在很大程度上限制了 scC02作為清洗介質的應用。加人一些共溶劑，可以顯著改善scC02的溶解能力。采用本發(fā)明的其他溶質后，其能力得到有效的提升。[0012]作為本發(fā)明的一個實施例，用于半導體硅片清洗加工溶液還具有0.1%的芳香族唑類緩蝕劑。
[0013]作為本發(fā)明的另一個實施例，用于半導體硅片清洗加工溶液還具有5%的HCl和H2O2的混合物作為酸性氧化劑。即在酸性的工作條件下進行洗滌。
[0014]作為本發(fā)明的優(yōu)選，所述清洗加工溶液的絕緣電阻1.4X1013 Q。
[0015]作為本發(fā)明的另一個優(yōu)選，所述清洗加工溶液為pH值為6.5乳白色溶液。
[0016]應了解本發(fā)明所要保護的范圍不限于非限制性實施方案，應了解非限制性實施方案僅僅作為實例進行說明。本申請所要要求的實質的保護范圍更體現(xiàn)于獨立權利要求提供的范圍，以及其從屬權利要求。
【權利要求】
1.一種用于半導體硅片清洗加工溶液，其采用超臨界0)2作為溶劑，并含有質量百分比為: 20%異構脂肪醇烷氧基化物作為表面活性劑； 20%的烷基醇酰胺磷酸酯； 0.1%的羥基乙酸作為絡合劑； 15%的乙二醇烷基醚；和 5%的去離子水。
2.如權利要求1所述的清洗加工溶液，其特征在于:還具有0.1%的芳香族唑類緩蝕劑。
3.如權利要求1所述的清洗加工溶液，其特征在于:還具有5%的HCl和H2O2的混合物作為酸性氧化劑。
4.如權利要求1所述的清洗加工溶液，其特征在于:所述清洗加工溶液的絕緣電阻1.4X1013Q o
5.如權利要求1所述的清洗加工溶液，其特征在于:所述清洗加工溶液為PH值為6.5乳白色溶液。`
【文檔編號】C11D10/02GK103614260SQ201310538750
【公開日】2014年3月5日 申請日期:2013年11月5日 優(yōu)先權日:2013年11月5日
【發(fā)明者】夏澤軍 申請人:昆山宏凌電子有限公司