放射線檢測(cè)裝置和該放射線檢測(cè)裝置的控制方法
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種放射線檢測(cè)裝置和該放射線檢測(cè)裝置的控制方法，該放射線檢測(cè)裝置包括放射線檢測(cè)單元、輪廓信息獲取單元、控制條件決定單元和控制器。放射線檢測(cè)單元，該放射線檢測(cè)單元將從放射線照射裝置照射的放射線變換成電荷并且蓄積所述電荷。輪廓信息獲取單元，該輪廓信息獲取單元獲取表示從所述放射線照射裝置照射的所述放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變的輪廓信息。控制條件決定單元，該控制條件決定單元基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的控制條件?？刂破?，該控制器根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的控制條件來控制所述放射線檢測(cè)單元。
【專利說明】放射線檢測(cè)裝置和該放射線檢測(cè)裝置的控制方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種放射線檢測(cè)裝置和該放射線檢測(cè)裝置的控制方法。
【背景技術(shù)】
[0002]迄今為止，已經(jīng)知道捕捉用于醫(yī)療診斷目的的放射線圖像的放射線圖像捕捉系統(tǒng)。通常，放射線圖像捕捉系統(tǒng)由照射放射線的放射線照射裝置和裝備有放射線檢測(cè)裝置的放射線圖像捕捉裝置構(gòu)成，該放射線檢測(cè)裝置檢測(cè)已經(jīng)從放射線照射裝置照射并且穿過攝像受檢體的放射線來捕捉放射線圖像。放射線圖像捕捉裝置通過讀取已經(jīng)根據(jù)照射的放射線產(chǎn)生和蓄積在放射線檢測(cè)裝置中的電荷來捕捉放射線圖像。一般而言，該放射線圖像捕捉裝置裝備有傳感器部和開關(guān)部件，所述傳感器部由諸如光電變換元件的元件形成，其響應(yīng)于放射線所轉(zhuǎn)換成的光的照射產(chǎn)生電荷，所述開關(guān)部件讀出在所述傳感器部處產(chǎn)生的電荷。
[0003]一般已知，上升輪廓和下降輪廓取決于放射線照射裝置的種類而不同，所述上升輪廓即從照射的開始直至達(dá)到期望的放射線量的持續(xù)時(shí)間，每單位時(shí)間的改變量等，所述下降輪廓即從照射的結(jié)束直至達(dá)到期望的放射線量的持續(xù)時(shí)間，每單位時(shí)間的改變量等。例如，上升輪廓和下降輪廓取決于放射線照射裝置的類型是否為單相變壓器類型或逆變器類型等而不同。
[0004]因此，專利文件I (日本國家重新公開N0.2003/000136)敘述了一種技術(shù)，在該技術(shù)中，當(dāng)X射線圖像將被讀取時(shí)，規(guī)定對(duì)應(yīng)于照射的X射線的上升時(shí)間的延遲時(shí)間。
[0005]上述放射線圖 像捕捉裝置可以裝備有控制器，該控制器獲取對(duì)應(yīng)于在傳感器部處產(chǎn)生的電荷的電信號(hào)并且根據(jù)控制條件控制放射線檢測(cè)裝置的操作。基于照射的放射線的放射線量隨時(shí)間的改變(輪廓)來決定控制條件。然而，如上所述，上升輪廓和下降輪廓因不同類型的放射線照射裝置之類而不同。因此，適當(dāng)?shù)貦z測(cè)放射線的照射的開始或結(jié)束也許是不可能的。因此，因?yàn)樵诜派渚€照射裝置之間的差別，讓控制器適當(dāng)?shù)乜刂品派渚€檢測(cè)單元也許是不可能的。
[0006]已經(jīng)做出本發(fā)明以解決上述問題，并且本發(fā)明的目的是提供可以根據(jù)放射線照射裝置控制放射線檢測(cè)單元的放射線檢測(cè)裝置、用于該放射線檢測(cè)裝置的控制程序和用于該放射線檢測(cè)裝置的控制方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]根據(jù)本發(fā)明的第一方面的放射線檢測(cè)裝置包括:放射線檢測(cè)單元，所述放射線檢測(cè)單元將從放射線照射裝置照射的放射線變換成電荷并且蓄積所述電荷；輪廓信息獲取單元，所述輪廓信息獲取單元獲取輪廓信息，所述輪廓信息表示從所述放射線照射裝置照射的所述放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變；控制條件決定單元，所述控制條件決定單元基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的控制條件；以及控制器，所述控制器根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的控制條件來控制所述放射線檢測(cè)單元。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的第二方面的計(jì)算機(jī)可記錄介質(zhì)存儲(chǔ)促使計(jì)算機(jī)執(zhí)行用于控制放射線檢測(cè)裝置的過程的程序，所述過程包括:獲取表示從放射線照射裝置照射的所述放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變的輪廓信息；基于所獲取的輪廓信息來決定放射線檢測(cè)單元的控制條件，所述放射線檢測(cè)單元將從所述放射線照射裝置照射的放射線變換成電荷并且蓄積所述電荷；以及根據(jù)所決定的控制條件來控制所述放射線檢測(cè)單元。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的第三方面的放射線檢測(cè)裝置控制方法包括:獲取表示從放射線照射裝置照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變的輪廓信息；基于所獲取的輪廓信息來決定放射線檢測(cè)單元的控制條件，所述放射線檢測(cè)單元將從所述放射線照射裝置照射的放射線變換成電荷并且蓄積所述電荷；以及根據(jù)所決定的控制條件來控制所述放射線檢測(cè)單 J Li ο
[0010]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置的控制條件決定單元可以包括閾值設(shè)置單元，該閾值設(shè)置單元基于獲取的輪廓信息，設(shè)置對(duì)應(yīng)于照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變量的閾值，并且如果照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變量至少是由所述閾值設(shè)置單元設(shè)置的閾值，則控制器可以控制放射線檢測(cè)單元。
[0011]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置的控制條件決定單元可以包括閾值設(shè)置單元，該閾值設(shè)置單元基于獲取的輪廓信息，設(shè)置閾值和指定的次數(shù)，并且如果照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變量至少是由所述閾值設(shè)置單元設(shè)置的閾值的次數(shù)達(dá)到所述指定的次數(shù)，則控制器可以控制放射線檢測(cè)單元。
[0012]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置的輪廓信息獲取單元可以基于從所述放射線照射裝置照射的且由所述放射線檢測(cè)裝置檢測(cè)到的放射線的放射線量來獲取所述放射線照射裝置的輪廓信息。
[0013]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置的放射線檢測(cè)單元可以包括:用于放射線檢測(cè)的像素，從所述用于放射線檢測(cè)的像素連續(xù)地讀出從所述放射線照射裝置照射的放射線被轉(zhuǎn)換成的電荷；以及用于放射線圖像捕捉的像素，所述用于放射線圖像捕捉的像素裝備有用于讀出所述電荷的開關(guān)元件，所述控制器可以根據(jù)在用于放射線檢測(cè)的像素處檢測(cè)到的放射線和所述放射線檢測(cè)單元的控制條件來控制所述用于放射線圖像捕捉的像素。
[0014]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置的輪廓信息獲取單元可以獲取上升輪廓信息，所述上升輪廓信息表示從放射線照射裝置照射的放射線的放射線量從照射開始直至達(dá)到預(yù)定的放射線量的隨著時(shí)間的變化。所述控制條件決定單元可以基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的所述上升輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的電荷蓄積開始條件，并且所述控制器可以根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的蓄積開始條件在所述放射線檢測(cè)單元處開始電荷蓄積。
[0015]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置的輪廓信息獲取單元可以獲取下降輪廓信息，所述下降輪廓信息表示從所述放射線照射裝置照射的放射線的放射線量從預(yù)定的放射線量直至達(dá)到最小放射線量為止隨時(shí)間的改變，所述控制條件決定單元可以基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的所述下降輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的電荷蓄積結(jié)束條件，并且所述控制器可以根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的蓄積結(jié)束條件在所述放射線檢測(cè)單元處結(jié)束電荷蓄積。[0016]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置可以進(jìn)一步包括存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)多種放射線照射裝置相應(yīng)的輪廓信息。
[0017]本發(fā)明的放射線檢測(cè)裝置可以進(jìn)一步包括存儲(chǔ)單元，該存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)與多種放射線照射裝置的相應(yīng)的輪廓信息對(duì)應(yīng)的放射線檢測(cè)單元的相應(yīng)的控制條件。
[0018]根據(jù)本發(fā)明，提供了可以根據(jù)放射線照射裝置來控制放射線檢測(cè)單元的效果。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]將基于隨后的附圖詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例:
[0020]圖1是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)的示意構(gòu)造的示例的示意結(jié)構(gòu)圖。
[0021]圖2是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒的總體結(jié)構(gòu)的示例的結(jié)構(gòu)圖。
[0022]圖3是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置的結(jié)構(gòu)的示例的平面圖。
[0023]圖4是根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置的示例的線截面圖。
[0024]圖5是根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置的示例的線截面圖。
[0025]圖6是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置的信號(hào)檢測(cè)電路的示意結(jié)構(gòu)的示例的示意結(jié)構(gòu)圖。
[0026]圖7是示出根 據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒的結(jié)構(gòu)的示例的功能框圖。
[0027]圖8是用于描述從根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線產(chǎn)生裝置照射的放射線的上升輪廓的解釋圖。
[0028]圖9是用于描述從根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線產(chǎn)生裝置照射的放射線的下降輪廓的解釋圖。
[0029]圖10是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的輪廓信息獲取處理的流程的示例的流程圖。
[0030]圖11是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例在電子暗盒處的放射線圖像捕捉處理的示例的流程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0031 ] 在下文中，參照所附的附圖描述當(dāng)前示例性實(shí)施例的示例。
[0032]首先，描述裝備有根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像處理裝置的放射線圖像捕捉系統(tǒng)的整體示意結(jié)構(gòu)。圖1示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)的示例的總體結(jié)構(gòu)的圖表的示意結(jié)構(gòu)圖。根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10可以捕捉作為視頻圖像并且還有靜止圖像的放射線圖像。如在本示例性實(shí)施例中使用的術(shù)語“視頻圖像”的含義包括被迅速地顯示以便被解讀為活動(dòng)圖像的連續(xù)的靜止圖像，其中，迅速地重復(fù)捕捉靜止圖像、將其變換為電信號(hào)、傳遞電信號(hào)、以及從電信號(hào)再現(xiàn)靜止圖像的過程。因此，取決于“迅速”的程度，相同區(qū)域(其一部分或全部)在預(yù)先規(guī)定的持續(xù)時(shí)間內(nèi)成像多次并且連續(xù)地再現(xiàn)圖像被認(rèn)為是“逐幀前進(jìn)(frame advance)”，也由術(shù)語“視頻圖像”包括。在根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10中，電子暗盒20本身提供檢測(cè)放射線的照射的開始(攝像的開始)的功能。
[0033]根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10提供響應(yīng)于醫(yī)生、放射線技師等的操作基于經(jīng)控制臺(tái)16從外部系統(tǒng)(例如，放射學(xué)信息系統(tǒng)(RIS))輸入的指令(攝像菜單選項(xiàng))捕捉放射線圖像的功能。
[0034]根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10還提供使得醫(yī)生、放射線技師等能夠通過在控制臺(tái)16的顯示器50處或在放射線圖像解讀裝置18等處顯示捕捉的放射線圖像來解讀放射線圖像的功能。
[0035]根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10裝備有放射線產(chǎn)生裝置12、放射線圖像處理裝置14、控制臺(tái)16、存儲(chǔ)部17、放射線圖像解讀裝置18、和電子暗盒20。
[0036]放射線產(chǎn)生裝置12裝備有電源22、放射線控制器23和高電壓產(chǎn)生裝置24。放射線控制器23提供促使來自放射線源25的放射線X根據(jù)放射線圖像處理裝置14的放射線控制器62的控制對(duì)在攝影臺(tái)32上的攝像受檢體30的攝像目標(biāo)區(qū)域照射的功能。根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線控制器23將從電源22供應(yīng)的電流供應(yīng)至高電壓產(chǎn)生裝置24并且將由高電壓產(chǎn)生裝置24產(chǎn)生的高電壓供應(yīng)至放射線源25，使得產(chǎn)生放射線X。電源22可以是交流電源和直流電源中的任一者。高電壓產(chǎn)生裝置24可以是單相變壓器類型、三相變壓器類型、逆變器類型和電容器類型中的任一種。圖1示出固定形式的放射線產(chǎn)生裝置12，但這不是限制性的，并且放射線產(chǎn)生裝置12可以采用移動(dòng)形式。
[0037]穿過攝像受檢體30的放射線X被照射到電子暗盒20上，該電子暗盒20被保持在攝影臺(tái)32內(nèi)的保持部34處。根據(jù)穿過攝像受檢體30的放射線X的放射線量，電子暗盒20產(chǎn)生電荷，并且提供基于產(chǎn)生的電荷量產(chǎn)生表示放射線圖像的圖像信息并且輸出該圖像信息的功能。根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20裝備有放射線檢測(cè)裝置26。如在本示例性實(shí)施例中使用的術(shù)語“放射線量”的含義包括放射線強(qiáng)度，以及表示例如給出預(yù)定的X射線管電壓和預(yù)定的X射線管電流每單位時(shí)間被照射的放射線。
[0038]在本示例性實(shí)施例中，表示由電子暗盒20輸出的放射線圖像的圖像信息經(jīng)放射線圖像處理裝置14被輸入到控制臺(tái)16。根據(jù)本`示例性實(shí)施例的控制臺(tái)16提供使用攝像菜單選擇和經(jīng)無線網(wǎng)絡(luò)(局域網(wǎng)(LAN))等從外部系統(tǒng)(RIS)等獲取的各種其它類型的信息來控制放射線產(chǎn)生裝置12和電子暗盒20的功能。根據(jù)本示例性實(shí)施例的控制臺(tái)16還提供與放射線圖像處理裝置14交換諸如放射線圖像的圖像信息的各種信息的功能，以及與電子暗盒20交換各種信息的功能。
[0039]根據(jù)本示例性實(shí)施例的控制臺(tái)16被構(gòu)成為服務(wù)器計(jì)算機(jī)，并且裝備有控制器49、顯示器驅(qū)動(dòng)器48、顯示器50、操作輸入檢測(cè)部52、操縱面板54、輸入/輸出部56、接口部57和接口部58。
[0040]控制器49提供控制控制臺(tái)16的整體操作的功能，并且設(shè)置有中央處理器、ROM、RAM和硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)。CPU提供控制控制臺(tái)16的整體操作的功能。包括將在CPU等處被使用的控制程序的各種程序在ROM中被預(yù)先記憶。RAM提供臨時(shí)記憶各種數(shù)據(jù)的功能。HDD提供記憶并保留各種數(shù)據(jù)的功能。
[0041]顯示器驅(qū)動(dòng)器48提供控制各種信息在顯示器50處的顯示的功能。根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示器50提供顯示攝像菜單項(xiàng)目、捕捉的放射線圖像等的功能。操作輸入檢測(cè)部52提供檢測(cè)操縱面板54的操作狀態(tài)的功能。操縱面板54用于讓醫(yī)生、放射線技師等輸入與放射線圖像的攝像相關(guān)的操作指令。根據(jù)本示例性實(shí)施例的操縱面板54包括例如觸控面板、接觸筆、多個(gè)按鈕和鼠標(biāo)等。在操縱面板54被構(gòu)造為觸控面板的情況下，它可以是與顯不器50相同的結(jié)構(gòu)。[0042]輸入/輸出部56和接口部58與放射線圖像處理裝置14和高電壓產(chǎn)生裝置24通過無線通信交換各種信息，并且提供與電子暗盒20交換諸如圖像信息的各種信息的功能。接口部57提供與RIS交換各種信息的功能。
[0043]控制器49、顯示器驅(qū)動(dòng)器48、操作輸入檢測(cè)部52、和輸入/輸出部56被連接以能夠通過總線59相互傳送信息，所述總線59是系統(tǒng)總線、控制總線等。因此，控制器49可以經(jīng)顯示器驅(qū)動(dòng)器48控制各種信息在顯示器50處的顯示，并且可以控制經(jīng)接口部58與放射線產(chǎn)生裝置12和電子暗盒20的各種信息的交換。
[0044]根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像處理裝置14提供根據(jù)來自控制臺(tái)16的指令來控制放射線產(chǎn)生裝置12和電子暗盒20的功能。放射線圖像處理裝置14還提供在存儲(chǔ)部17中記憶從電子暗盒20接收的放射線圖像以及控制在控制臺(tái)16的顯示器50和/或放射線圖像解讀裝置18處的顯示的功能。
[0045]根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像處理裝置14設(shè)置有系統(tǒng)控制器60、放射線控制器62、面板控制器64、圖像處理控制器66和接口部68。
[0046]系統(tǒng)控制器60提供對(duì)放射線圖像處理裝置14的整體控制的功能和控制放射線圖像捕捉系統(tǒng)10的功能。系統(tǒng)控制器60設(shè)置有CPU、ROM、RAM和HDD。CPU提供控制整個(gè)放射線圖像處理裝置14和放射線圖像捕捉系統(tǒng)10的操作的功能。諸如將在CPU等處被使用的控制程序的各種程序在ROM中被預(yù)先記憶。RAM提供臨時(shí)存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)的功能。HDD提供存儲(chǔ)并保留各種數(shù)據(jù)的功能。放射線控制器62提供根據(jù)來自控制臺(tái)16之類的指令來控制放射線產(chǎn)生裝置12的放射線控制器23的功能。面板控制器64提供基于來自控制臺(tái)16之類的指令來控制電子暗盒20的功能。圖像處理控制器66提供對(duì)放射線圖像施加各種圖像處理的功能。
[0047]系統(tǒng)控制器60、放射線控制器62、面板控制器64和圖像處理控制器66被連接以能夠通過總線69相互傳遞信息等，該總線69是系統(tǒng)總線、控制總線等。
[0048]根據(jù)本示例性實(shí)施例的存儲(chǔ)部17提供記憶捕捉的放射線圖像和關(guān)于放射線圖像的信息的功能。存儲(chǔ)部17可以是例如HDD等。
[0049]根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像解讀裝置18提供由放射線照相解讀人員解讀捕捉的放射線圖像的功能。放射線圖像解讀裝置18不特別地受到限制，但是可以是“放射線照相解讀查看器”或控制臺(tái)等。根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像解讀裝置18被構(gòu)成為個(gè)人計(jì)算機(jī)，并且類似于控制臺(tái)16和放射線圖像處理裝置14，該放射線圖像解讀裝置18設(shè)置有CPU、ROM、RAM、HDD、顯示器驅(qū)動(dòng)器、顯示器40、操作輸入檢測(cè)部、操縱面板42、輸入/輸出部、和接口部。在圖1中，為了避免在繪圖中的復(fù)雜性，僅示出這些結(jié)構(gòu)中的顯示器40和操縱面板42 ;其它結(jié)構(gòu)未非示出。
[0050]接著，描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20的一般結(jié)構(gòu)。圖2示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20的示意結(jié)構(gòu)的示例。在本示例性實(shí)施例中，描述的情況是，本發(fā)明被應(yīng)用于間接變換類型的放射線檢測(cè)裝置26，該放射線檢測(cè)裝置26將諸如X射線的放射線臨時(shí)變換為光然后將所變換的光變換為電荷。在本示例性實(shí)施例中，電子暗盒20裝備有間接變換類型放射線檢測(cè)裝置26。注意，在圖2中未示出用于將放射線變換為光的閃爍體。
[0051]在放射線檢測(cè)裝置26中，多個(gè)數(shù)量的像素100被以矩形圖案布置。各像素100包括傳感器部103和TFT開關(guān)74。傳感器部103感測(cè)光并且產(chǎn)生電荷，并且蓄積產(chǎn)生的電荷。TFT開關(guān)74是用于讀出蓄積在傳感器部103中的電荷的開關(guān)元件。在本示例性實(shí)施例中，當(dāng)用由閃爍體將放射線變換成的光照射傳感器部103時(shí)，傳感器部103產(chǎn)生電荷。
[0052]多個(gè)像素100在一個(gè)方向(圖2中柵極線的方向)和與柵極線方向相交的方向(圖2中的信號(hào)線的方向)上被以矩陣布置。在圖2中，像素100的布置被簡化地示出；例如，像素100被布置成1024 (在柵極線方向上)X 1024 (在信號(hào)線方向上)。
[0053]在本示例性實(shí)施例中，在多個(gè)像素100當(dāng)中，事先規(guī)定用于放射線圖像捕捉100A的像素和用于放射線檢測(cè)100B的像素。在圖2中，放射線檢測(cè)像素100B用虛線圈出。放射線圖像捕捉像素100A被用于檢測(cè)放射線X并且產(chǎn)生由放射線X表示的圖像。放射線檢測(cè)像素100B (將在下方詳細(xì)地描述)被用來檢測(cè)放射線X以便檢測(cè)放射線X的照射的開始等。放射線檢測(cè)像素100B在電荷蓄積時(shí)間段期間輸出電荷，無論TFT開關(guān)74被接通或斷開。 [0054]在放射線檢測(cè)裝置26中，多個(gè)柵極線101和多個(gè)信號(hào)線73被相互正交地布置在基板71上(參見圖3)。柵極線101用于接通和斷開TFT開關(guān)74。信號(hào)線73用于讀出蓄積在傳感器部103中的電荷。在本示例性實(shí)施例中，為在一個(gè)方向上的各個(gè)像素行設(shè)置信號(hào)線73中的相應(yīng)一條，并且在相交的方向上為各個(gè)像素行設(shè)置柵極線101中的相應(yīng)一條。例如，在1024X1024的像素100被布置在柵極線方向和信號(hào)線方向上的情況下，信號(hào)線73的和柵極線101中的每一者設(shè)置1024條。
[0055]在放射線檢測(cè)裝置26中，公共電極線95被布置成與信號(hào)線73平行。公共電極線95的一端和另一端并聯(lián)地連接，并且供應(yīng)預(yù)定的偏置電壓的偏置電源110連接到一端。傳感器部103連接至公共電極線95，并且偏置電壓經(jīng)公共電極線95被施加。
[0056]用于切換TFT開關(guān)74的掃描信號(hào)流經(jīng)柵極線101。通過在柵極線101中流動(dòng)的這些掃描信號(hào)來切換TFT開關(guān)74。
[0057]根據(jù)像素100的TFT開關(guān)74的切換狀態(tài)，對(duì)應(yīng)于蓄積在像素100中的電荷的電信號(hào)流入信號(hào)線73。更具體地，當(dāng)連接至信號(hào)線73的像素100的任一個(gè)像素的TFT開關(guān)74被接通時(shí)，對(duì)應(yīng)于蓄積在那個(gè)像素100中的電荷量的電信號(hào)在該信號(hào)線73中流動(dòng)。
[0058]檢測(cè)通過信號(hào)線73流出的電信號(hào)的信號(hào)檢測(cè)電路105連接到信號(hào)線73。將掃描信號(hào)輸出至柵極線101以便接通和斷開TFT開關(guān)74的掃描信號(hào)控制電路104連接到柵極線101。圖2被簡化以示出單個(gè)信號(hào)檢測(cè)電路105和掃描信號(hào)控制電路104。然而，例如，信號(hào)檢測(cè)電路105和掃描信號(hào)控制電路104可以被以復(fù)數(shù)形式設(shè)置，并且預(yù)定數(shù)量(例如，256)的信號(hào)線73或柵極線101被連接至各信號(hào)檢測(cè)電路105或掃描信號(hào)控制電路104。例如，在信號(hào)線73和柵極線101的每種設(shè)置1024條的情況下，四個(gè)掃描信號(hào)控制電路104被設(shè)置并且各個(gè)連接至柵極線101中的256條柵極線，并且四個(gè)信號(hào)檢測(cè)電路105被設(shè)置并且各個(gè)連接至信號(hào)線73中的256條信號(hào)線。
[0059]對(duì)于各信號(hào)線73，信號(hào)檢測(cè)電路105包含放大輸入的電信號(hào)的放大電路(參見圖6)。在信號(hào)檢測(cè)電路105中，從信號(hào)線73輸入的電信號(hào)由放大電路放大并且通過模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC)(在下文中詳細(xì)地描述)被變換成數(shù)字信號(hào)。
[0060]控制器106連接到信號(hào)檢測(cè)電路105和掃描信號(hào)控制電路104?？刂破?06對(duì)在信號(hào)檢測(cè)電路105處變換的數(shù)字信號(hào)施加諸如去噪等的預(yù)定的處理，將指示信號(hào)檢測(cè)定時(shí)的控制信號(hào)輸出至信號(hào)檢測(cè)電路105，并且將指示掃描信號(hào)輸出定時(shí)的控制信號(hào)輸出至掃描信號(hào)控制電路104。
[0061]根據(jù)本示例性實(shí)施例的控制器106由微型計(jì)算機(jī)構(gòu)成，該微型計(jì)算機(jī)設(shè)置有CPU、ROM和RAM、和形成有閃存存儲(chǔ)器的非易失性存儲(chǔ)部等?？刂破?06執(zhí)行在CPU處在RAM中記憶的程序，并且執(zhí)行控制以便捕捉放射線圖像?？刂破?06施加處理以將放射線檢測(cè)像素100B的圖像數(shù)據(jù)插補(bǔ)到(插補(bǔ)處理)上述預(yù)定的處理已經(jīng)被施加的圖像數(shù)據(jù)，以產(chǎn)生表示照射的放射線X的圖像。也就是，通過基于已經(jīng)經(jīng)歷上述預(yù)定的處理的圖像數(shù)據(jù)為放射線檢測(cè)像素100B插補(bǔ)圖像數(shù)據(jù)，控制器106產(chǎn)生由照射的放射線X表示的圖像。
[0062]圖3示出示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的間接變換類型放射線檢測(cè)裝置26的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4示出沿著圖3中的線A— A截取的放射線圖像捕捉像素100A的截面圖，并且圖5示出沿著圖3中的線B— B截取的放射線圖像捕捉像素100B的截面圖。
[0063]如圖4中所示，在放射線檢測(cè)裝置26的各個(gè)放射線圖像捕捉像素100A中，柵極線101 (參見圖3)和柵電極72形成在由無堿玻璃等形成的基板71上，并且柵極線101與柵電極72相連接(參見圖3)。柵極線101和柵電極72形成于其中的配線層(在下文中，該配線層被稱為“第一信號(hào)配線層”)使用鋁或銅或主要成份是鋁或銅的分層膜形成，但并不限于這些。
[0064]絕緣層85形成在第一信號(hào)配線層的整個(gè)面積上。絕緣層85的被布置在相應(yīng)的柵電極72上的一部分被用作TFT開關(guān)74的柵極絕緣層。絕緣層85由例如SiNx等形成，并且由例如化學(xué)汽相淀積(CVD)膜成型來形成。
[0065]半導(dǎo)體活性層78以在柵電極72上的島的模式形成在絕緣層85上。半導(dǎo)體活性層78是各個(gè)TFT開關(guān)74的溝道部。半導(dǎo)體活性層78由例如無定形硅的膜形成。
[0066]源電極79和漏電 極83形成為其上方的層。信號(hào)線73連同源電極79和漏電極83 一起形成在源電極79和漏電極83形成于其中的配線層中。源電極79連接至信號(hào)線73(參見圖3)。源電極79、漏電極83和信號(hào)線73形成于其中的配線層(在下文中該配線層被稱為“第二信號(hào)配線層”)使用鋁或銅或主要成份是鋁或銅的分層膜形成，但并不限于這些。摻雜有雜質(zhì)等的無定形硅的摻雜半導(dǎo)體層(在附圖中未示出)被形成在源電極79和漏電極83與半導(dǎo)體活性層78之間。用于切換的TFT開關(guān)74由這些部分構(gòu)成。注意，取決于將由下述TFT開關(guān)74的下電極81收集并蓄積的電荷的極性，源電極79和漏電極83可以交換。
[0067]TFT保護(hù)層98被形成以在像素100所設(shè)置的基板71的區(qū)域的大體整個(gè)面積(大體整個(gè)基板71)上覆蓋第二信號(hào)配線層。TFT保護(hù)層98用于保護(hù)TFT開關(guān)74和信號(hào)線73等。TFT保護(hù)層98由例如SiNx等形成，并且通過例如CVD膜成型而形成。
[0068]層間絕緣膜82被形成為在TFT保護(hù)層98上的涂層。該層間絕緣膜82由具有低介電常數(shù)(相對(duì)介電常數(shù)ε r=2至4)的具有I μ m至4 μ m的膜厚度的光敏有機(jī)材料形成(例如，正類型光敏丙烯酸樹脂，諸如其中萘醌二嗪農(nóng)基正類型光敏劑被混合到由甲基丙烯酸和甲基丙烯酸縮水甘油酯等的共聚物形成的基礎(chǔ)聚合物中的材料)。
[0069]在根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置26中，布置在層間絕緣膜82上方的層與下方的層中的金屬之間的電容由層間絕緣膜82保持為低的。此外，這種材料一般用作平坦化膜，并且在其下方的層中提供平坦化臺(tái)階(step)的效果。在根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置26中，接觸孔87形成在層間絕緣膜82和TFT保護(hù)層98的與漏電極83相對(duì)的位置處。[0070]傳感器部103的下電極81形成在層間絕緣膜82上以便覆蓋像素區(qū)域并且填充接觸孔87，并且下電極81與TFT開關(guān)74的漏電極83相連接。如果下述半導(dǎo)體層91具有約Iym的厚度，假如下電極81是導(dǎo)電的，則下電極81的材料幾乎根本不受限制。因此，假如下電極81使用諸如鋁基材料、ITO等的導(dǎo)電金屬形成，則不存在問題。
[0071]如果半導(dǎo)體層91的膜厚度是小的(約0.2 - 0.5 μ m)，則光被半導(dǎo)體層91不充分地吸收。因此，為了防止由光照射到TFT開關(guān)74上所引起的泄漏電流的增加，如果半導(dǎo)體層91是由具有遮光金屬作為其主要成分的合金或分層膜，則是優(yōu)選的。
[0072]用作光二極管的半導(dǎo)體層91形成在下電極81上。在本示例性實(shí)施例中，PIN架構(gòu)光二極管用作半導(dǎo)體層91,其中η+層、i層和p+層被分層(η+無定形娃、無定形娃、和ρ+無定形硅)。半導(dǎo)體層91從最低層由被分層的η+層21A、i層21B和ρ+層21C以該順序組成。i層21Β當(dāng)被用光照射時(shí)產(chǎn)生電荷(自由電子和自由空穴對(duì))。η+層21A和ρ+層21C用作接觸層并且將下述下電極81和上電極92與i層21Β電連接。
[0073]上電極92分別單獨(dú)地形成地半導(dǎo)體層91上。具有高光透射率的材料，例如，ΙΤ0、IZO (銦氧化鋅)等，被用于上電極92。在根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線檢測(cè)裝置26中，各個(gè)傳感器部103包括上電極92、半導(dǎo)體層91和下電極81。
[0074]涂覆型的層間絕緣膜93被形成在層間絕緣膜82、半導(dǎo)體層91和上電極92上，以便覆蓋半導(dǎo)體層91，且在與上電極92對(duì)應(yīng)的部分處形成開口 97A。
[0075]公共電極線95形成在鋁、銅、或合金或具有作為主要成份的鋁或銅的分層膜的層間絕緣膜93上。接觸焊盤97形成在公共電極線95上靠近開口 97A。接觸焊盤97通過在層間絕緣膜93中的開口 97A與上電極92電氣連接。
[0076]相反，在放射線檢測(cè)裝置26的各放射線檢測(cè)像素100B處，如圖5中所示，TFT開關(guān)74被形成使得源電極79和漏電極83相接觸。也就是，在像素100B中，TFT開關(guān)74的源電極和漏電極被短路。因此，在像素10`0B的下電極81處收集的電荷流入到信號(hào)線73中，無論TFT開關(guān)74的切換狀態(tài)如何。
[0077]作為放射線變換層的閃爍體設(shè)置在以此方式形成的放射線檢測(cè)裝置16上。如果需要，則利用具有低光吸收的絕緣材料形成保護(hù)膜，并且使用具有低光吸收的粘膠樹脂將閃爍體附接到該保護(hù)膜的表面。還可以通過真空汽相沉積來形成閃爍體。如果閃爍體產(chǎn)生具有相對(duì)寬波長范圍的熒光，使得產(chǎn)生在能夠被吸收的波長范圍內(nèi)的光，則是期望的。這種閃爍體可以包括 Cs1:Na、Caff04, YTa04:Nb、BaFX:Eu (其中 X 是 Br 或 Cl)、LaOBr:Tm、GOS等。具體地，在其中X射線被用作放射線X并且被攝像的情況下，優(yōu)選包括碘化銫(Csl)。特別優(yōu)選使用添加有鉈的碘化銫(CsI (Tl ))，當(dāng)將X射線照射到其上時(shí)，具有具有400nm至700nm的波長范圍的光發(fā)射譜。在可見光區(qū)域內(nèi)，CsI:T1具有565nm的光發(fā)射峰值波長。如果使用包含CsI的閃爍體，優(yōu)選使用通過真空汽相沉積以條形柱狀晶體結(jié)構(gòu)形成的閃爍體。
[0078]如圖4中所示，在放射線X從形成有半導(dǎo)體層91的放射線檢測(cè)裝置26的一側(cè)被照射并且放射線檢測(cè)裝置26利用相對(duì)于放射線X所入射的面設(shè)置在后面?zhèn)忍幍腡FT基板獲取放射線圖像(被稱為透過側(cè)采樣(PSS))的情況下，光更加強(qiáng)烈地發(fā)自閃爍體的設(shè)置在圖4中的頂面?zhèn)忍幍陌雽?dǎo)體層91處的一側(cè)。在放射線X從放射線檢測(cè)裝置26的TFT基板所形成的一側(cè)被照射并且放射線檢測(cè)裝置26利用相對(duì)于放射線X所入射的面設(shè)置在前面?zhèn)忍幍腡FT基板獲取放射線圖像(這被稱為照射側(cè)采樣(ISS))的情況下，已經(jīng)穿過TFT基板的放射線X入射在閃爍體上，并且光從閃爍體的TFT基板所布置的一側(cè)更加強(qiáng)烈地發(fā)出。電荷由從閃爍體到設(shè)置在TFT基板處的像素100的傳感器部103所發(fā)出的光產(chǎn)生。因此，在放射線檢測(cè)裝置26是ISS類型的情況下，與其中放射線檢測(cè)裝置26是PSS類型的情況相比，閃爍體的發(fā)光位置較靠近TFT基板。因此，由攝像獲得的放射線圖像的分辨率是較高的。[0079]放射線檢測(cè)裝置26并不限于圖3至圖5所示的結(jié)構(gòu)；各種修改是可能的。例如，在透過側(cè)采樣的情況下，放射線到達(dá)放射線檢測(cè)裝置26的概率是較低的。因此，代替上述結(jié)構(gòu)，對(duì)放射線X具有低阻擋的諸如互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)圖像傳感器等的另一個(gè)攝像部件可以被與TFT結(jié)合。此外，根據(jù)對(duì)應(yīng)于TFT掃描信號(hào)的移位脈沖使電荷移位的電荷耦合裝置(CXD)圖像傳感器可以被取代。
[0080]作為另一個(gè)示例，可以使用柔性基板。由最近研發(fā)的浮法過程形成的超薄板玻璃可以被用作柔性基板的基材，并且在提高放射線X的透射率方面是優(yōu)選的。在這種情況下可以被使用的超薄板玻璃在例如Asahi Glass C0., Ltd.的〃Successful development ofthe world's thinnest ultra-thin plate glass, 0.1mm thick, by a float process"中公開(在線訪問時(shí)間 2011 年 8 月 20 日，URL:http://www.age.com/news/2011/0516, pdf)。
[0081]現(xiàn)在，描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的信號(hào)檢測(cè)電路105的示意結(jié)構(gòu)。圖6是根據(jù)本示例性實(shí)施例的信號(hào)檢測(cè)電路105的示例的示意結(jié)構(gòu)圖。本示例性實(shí)施例的信號(hào)檢測(cè)電路105裝備有放大電路120和模擬/數(shù)字轉(zhuǎn)換器(ADC) 124。雖然未在圖6中示出，但是為每個(gè)信號(hào)線73設(shè)置相應(yīng)的一個(gè)放大電路120。也就是，信號(hào)檢測(cè)電路105裝備有與在放射線檢測(cè)裝置26中的信號(hào)線73的數(shù)量相同數(shù)量的多個(gè)放大電路120。
[0082]各個(gè)放大電路120被構(gòu)造為電荷放大電路并且設(shè)置有放大器122諸如運(yùn)算放大器等、與放大器122并聯(lián)連接的電容器C、和與放大器122并聯(lián)連接的電荷復(fù)位開關(guān)SWl。
[0083]當(dāng)放大電路120的電荷復(fù)位開關(guān)SWl處于斷開狀態(tài)時(shí)，從像素100的TFT開關(guān)74讀取電荷(電信號(hào))，從TFT開關(guān)74讀取的電荷被蓄積在電容器C處,并且從放大器122輸出的電壓值被根據(jù)所蓄積的電荷量放大。
[0084]控制器106對(duì)電荷復(fù)位開關(guān)SWl施加電荷復(fù)位信號(hào)并且執(zhí)行控制以接通和斷開電荷復(fù)位開關(guān)SWl。當(dāng)電荷復(fù)位開關(guān)SWl處于接通狀態(tài)時(shí)，該放大器122的輸入側(cè)和輸出側(cè)被短路，并且電荷從電容器C被放電。
[0085]當(dāng)采樣-和-保持(S/Η)開關(guān)SW處于接通狀態(tài)時(shí)，ADC124提供將作為從放大電路120輸入的模擬信號(hào)的電信號(hào)變換成數(shù)字信號(hào)的功能。ADC124將已經(jīng)被變換為數(shù)字信號(hào)的電信號(hào)順序地輸出到控制器106。
[0086]根據(jù)本示例性實(shí)施例，從設(shè)置在信號(hào)檢測(cè)電路105中的所有的放大電路120輸出的電信號(hào)被輸入到ADC124。也就是，根據(jù)本示例性實(shí)施例的信號(hào)檢測(cè)電路105裝備有單個(gè)ADC124，無論放大電路120 (和信號(hào)線73)的數(shù)量如何。
[0087]本示例性實(shí)施例被構(gòu)成以便實(shí)現(xiàn)與放射線X的照射相關(guān)的檢測(cè)，而無需來自外部(例如，來自放射線圖像處理裝置14)的控制信號(hào)。在本示例性實(shí)施例中，來自放射線檢測(cè)像素100B所連接到的信號(hào)線73的電信號(hào)(電荷信息)(在圖2所示的情況下，D2和D3中的一個(gè)或兩個(gè)，例如，D2)由信號(hào)檢測(cè)電路105的放大電路120檢測(cè)并且被變換為數(shù)字信號(hào)。在本示例性實(shí)施例中，控制器106獲取由信號(hào)檢測(cè)電路105變換的數(shù)字信號(hào)，并且根據(jù)規(guī)定的參數(shù)，控制器106檢測(cè)照射開始和照射結(jié)束。如在本示例性實(shí)施例中使用的術(shù)語電信號(hào)的“檢測(cè)”的含義包括對(duì)電信號(hào)的采樣。
[0088]圖7是對(duì)應(yīng)于根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20的控制器106的功能的結(jié)構(gòu)的示例的功能框圖。
[0089]控制器106設(shè)置有CPU、ROM、RAM和HDD。CPU提供控制電子暗盒20的整體操作的功能。在CPU處使用的各種程序在ROM中被預(yù)先記憶。RAM提供臨時(shí)存儲(chǔ)各種數(shù)據(jù)的功能。HDD提供記憶并保留各種數(shù)據(jù)的功能。根據(jù)本示例性實(shí)施例的控制器106提供獲取作為控制條件的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)并且在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置這些控制參數(shù)的功能，所述開始檢測(cè)參數(shù)是當(dāng)從放射線檢測(cè)部160檢測(cè)放射線X的照射的開始時(shí)所使用的，所述結(jié)束檢測(cè)參數(shù)是當(dāng)檢測(cè)照射的結(jié)束時(shí)所使用的。
[0090]放射線檢測(cè)部160提供獲得從放射線檢測(cè)像素100B輸出的電信號(hào)(電荷信息)并且根據(jù)在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置的開始檢測(cè)參數(shù)來檢測(cè)放射線的照射的開始的功能。放射線檢測(cè)部160進(jìn)一步提供根據(jù)在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置的結(jié)束檢測(cè)參數(shù)來檢測(cè)放射線的照射結(jié)束的功能。
[0091]輪廓獲取部161提供根據(jù)由控制器106的控制獲得照射的放射線的上升輪廓(被視為放射線X的照射的開始的、直至達(dá)到預(yù)定的放射線量為止的放射線量隨時(shí)間的改變)的功能。輪廓獲取部161還提供根據(jù)由控制器106的控制獲得下降輪廓(被視為放射線X的照射的結(jié)束的、直至達(dá)到預(yù)定的放射線量為止的放射線量隨時(shí)間的改變)的功能。
[0092]儲(chǔ)存部162提供存儲(chǔ)由輪廓獲取部161獲取的上升輪廓和下降輪廓、或基于上升輪廓產(chǎn)生的開始檢測(cè)參數(shù)和 基于下降輪廓產(chǎn)生的結(jié)束檢測(cè)參數(shù)的功能。
[0093]參數(shù)設(shè)置部164提供:控制條件決定功能，當(dāng)放射線圖像將被攝像時(shí)從上升輪廓產(chǎn)生(決定)開始檢測(cè)參數(shù)，該開始檢測(cè)參數(shù)被用于利用放射線檢測(cè)部160檢測(cè)放射線X的照射的開始；以及，設(shè)置所產(chǎn)生的(所決定的)開始檢測(cè)參數(shù)的閾值設(shè)置功能。同樣地，參數(shù)設(shè)置部164提供:控制條件決定功能，從下降輪廓產(chǎn)生(決定)將被用于利用放射線檢測(cè)部160檢測(cè)放射線X的照射的結(jié)束的結(jié)束檢測(cè)參數(shù)；以及，設(shè)置所產(chǎn)生的(所決定的)結(jié)束檢測(cè)參數(shù)的閾值設(shè)置功能。
[0094]接口部166提供通過無線通信或有線通信與放射線圖像處理裝置14、控制臺(tái)16等交換包括菜單項(xiàng)目、放射線圖像的圖像信息等的各種信息的功能。
[0095]控制器106、放射線檢測(cè)部160、輪廓獲取部161、儲(chǔ)存部162、參數(shù)設(shè)置部164以及接口部166被連接成能夠通過總線169相互交換信息，所述總線169是系統(tǒng)總線、控制總線
坐寸ο
[0096]下面描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的上升輪廓信息的獲取和下降輪廓信息的獲取。
[0097]在根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10中，如上所述，電子暗盒20本身檢測(cè)放射線X的照射的開始，并且當(dāng)檢測(cè)到照射開始時(shí)，電子暗盒20根據(jù)放射線X的照射的放射線量蓄積電荷。然后，電子暗盒20本身檢測(cè)放射線X的照射的結(jié)束，并且當(dāng)檢測(cè)到照射結(jié)束時(shí)，電子暗盒20停止電荷的蓄積，讀出蓄積的電荷并且產(chǎn)生放射線圖像。由此，電子暗盒20捕捉放射線圖像。根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20基于從放射線檢測(cè)像素100B輸出的電信號(hào)(電荷信息)來檢測(cè)放射線X的照射開始和照射結(jié)束。當(dāng)正在進(jìn)行此項(xiàng)時(shí)，由于照射到電子暗盒20 (放射線檢測(cè)裝置26)上的放射線X的輪廓(時(shí)間改變)上的差別，所以存在電子暗盒20不能適當(dāng)?shù)貦z測(cè)照射開始或照射結(jié)束的情況。
[0098]一般已知的是，上升輪廓和下降輪廓取決于放射線產(chǎn)生裝置12的種類等而不同。上升輪廓和下降輪廓取決于放射線產(chǎn)生裝置12的電源22的種類而不同；例如，輪廓取決于電源22是否為直流電源或交流電源而不同。上升輪廓和下降輪廓取決于放射線產(chǎn)生裝置12的高電壓產(chǎn)生裝置24的類型也不同；例如，輪廓取決于高電壓產(chǎn)生裝置24是否為單相變壓器類型、三相變壓器類型、逆變器類型或電容器類型而不同。上升輪廓和下降輪廓還取決于放射線產(chǎn)生裝置12的形式而不同；例如，輪廓在固定形式與移動(dòng)形式之間不同。
[0099]下面描述由于在上升輪廓上的差別不能適當(dāng)?shù)貦z測(cè)照射開始的具體示例。圖8是用于描述從放射線產(chǎn)生裝置12照射的放射線X的上升輪廓的解釋圖。圖8示出從放射線產(chǎn)生裝置12A照射的放射線X的上升輪廓以及從放射線產(chǎn)生裝置12B照射的放射線X的上升輪廓。放射線產(chǎn)生裝置12A和放射線產(chǎn)生裝置12B兩者用于照射相同的放射線量(在下文中被稱為“預(yù)定的放射線量”)但在達(dá)到預(yù)定的放射線量之前的輪廓上則不同。使用放射線產(chǎn)生裝置12A，放射線量迅速地增加(上升)以達(dá)到預(yù)定的放射線量。使用放射線產(chǎn)生裝置12B，放射線量穩(wěn)定地增加(上升)以達(dá)到預(yù)定的放射線量。如圖8中所示，使用放射線產(chǎn)生裝置12A的每單位時(shí)間的放射線量的改變量大于使用放射線產(chǎn)生裝置12B的每單位時(shí)間的放射線量的改變量(在這種情況下，時(shí)間單位是to - tl、tl - t2、t2 - t3、t3 - t4、t4 - t5或t5 - t6，這些時(shí)間單位均是相等的)。如在本示例性實(shí)施例中使用的術(shù)語“改變量”的含義包括絕對(duì)值。相應(yīng)地，放射線產(chǎn)生裝置12B達(dá)到預(yù)定的放射線量的持續(xù)時(shí)間長于放射線產(chǎn)生裝置12A達(dá)到預(yù)定的放射線量的持續(xù)時(shí)間。
[0100]考慮的情況是，基于放射線產(chǎn)生裝置12A的上升輪廓，開始檢測(cè)參數(shù)是例如根據(jù)在to - tl中的放射線量的改變量決定的閾值。當(dāng)由放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到的每單位時(shí)間的放射線量的改變量為閾值或大于閾值時(shí)，檢測(cè)到放射線X的照射已經(jīng)開始。在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12A照射的情況下，在t0 - tl中的放射線量的改變量至少是閾值。因此，放射線檢測(cè)部160能夠適當(dāng)?shù)貦z測(cè)放射線X的照射的開始。然而，在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12B照射的情況下，放射線量的改變量小于放射線產(chǎn)生裝置12A的改變量。因此，放射線量的改變量在從t0至t6的任`何時(shí)間單位中不會(huì)超過閾值。因?yàn)殚撝挡黄ヅ浠虺^，所以放射線檢測(cè)部160不能檢測(cè)放射線X的照射的開始。
[0101]現(xiàn)在考慮的情況是，基于放射線產(chǎn)生裝置12B的上升輪廓，開始檢測(cè)參數(shù)是例如改變量連續(xù)至少是閾值的次數(shù)。作為特定示例，該閾值是在放射線產(chǎn)生裝置12B的上升輪廓中的t3 - t4中的放射線量的改變量，并且次數(shù)是4。當(dāng)由放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到的每單位時(shí)間的放射線量的改變量連續(xù)在閾值以上的次數(shù)至少是被設(shè)置為開始檢測(cè)參數(shù)的次數(shù)時(shí)，檢測(cè)到放射線X的照射已經(jīng)開始。在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12B照射的情況下,放射線量的改變量在t0 - tl、tl - t2、t2 - t3和t3 - t4中至少是閾值。因此，放射線檢測(cè)部160能夠適當(dāng)?shù)貦z測(cè)放射線X的照射開始。然而，在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12A照射的情況下，放射線量的改變量至少是閾值的次數(shù)小于利用放射線產(chǎn)生裝置12B的次數(shù)。因?yàn)榇螖?shù)少，所以放射線檢測(cè)部160不能檢測(cè)放射線X的照射開始。
[0102]現(xiàn)在考慮的情況是，開始檢測(cè)參數(shù)是被設(shè)置成在放射線產(chǎn)生裝置12B的上升輪廓中的t3 - t4中的放射線量的改變量的閾值。當(dāng)由放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到的每單位時(shí)間的放射線量的改變量為閾值以上時(shí)，檢測(cè)到放射線X的照射已經(jīng)開始。在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12A照射的情況下，放射線X的照射開始能夠被適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到。同時(shí)，在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12B照射的情況下，在tO - tl中放射線量的改變量超過該閾值，因此放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到放射線X的照射開始。然而，從當(dāng)檢測(cè)到照射開始直至達(dá)到預(yù)定的放射線量為止，比利用放射線產(chǎn)生裝置12A更長的持續(xù)時(shí)間是必須的，因此該方法是不適合的。
[0103]現(xiàn)在描述由于在下降輪廓上的差別不能適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到照射結(jié)束的具體示例。圖9是用于描述從放射線產(chǎn)生裝置12照射的放射線X的下降輪廓的解釋圖。圖9示出從放射線產(chǎn)生裝置12A照射的放射線X的下降輪廓以及從放射線產(chǎn)生裝置12B照射的放射線X的下降輪廓。[0104]當(dāng)照射結(jié)束時(shí)，放射線產(chǎn)生裝置12A和放射線產(chǎn)生裝置12B兩者從預(yù)定的放射線量下降到最小放射線量，但是在達(dá)到最小放射線量之前在輪廓上不同。如在本示例性實(shí)施例中使用的術(shù)語“最小放射線量”的含義包括在不存在來自放射線產(chǎn)生裝置12等的照射的狀態(tài)下的放射線量，考慮從放射線產(chǎn)生裝置12的外部產(chǎn)生的放射線諸如例如來自自然環(huán)境的放射線的放射線量。使用放射線產(chǎn)生裝置12A，放射線量迅速地減少(下降)以達(dá)到最小放射線量。使用放射線產(chǎn)生裝置12B，放射線量穩(wěn)定地減少(下降)以達(dá)到最小放射線量。如圖9中所示，類似于上述照射開始的檢測(cè)，來自放射線產(chǎn)生裝置12A的每單位時(shí)間的放射線量的改變量大于來自放射線產(chǎn)生裝置12B的放射線量的改變量(在這種情況下，時(shí)間單位是 tn-5 - tn-4、tn_4 - tn-3、tn_3 - tn-2、tn_2 - tn_l 或 tn_l - tn,這些時(shí)間單位均是相等)。相應(yīng)地，放射線產(chǎn)生裝置12B達(dá)到最小放射線量的持續(xù)時(shí)間長于放射線產(chǎn)生裝置12A達(dá)到最小放射線量的持續(xù)時(shí)間。
[0105]因此，類似于上述照射開始的檢測(cè)，考慮的情況是，基于放射線產(chǎn)生裝置12A的下降輪廓，結(jié)束檢測(cè)參數(shù)是例如根據(jù)在tn-4 - tn-3中的放射線量的改變量決定的閾值。當(dāng)由放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到的每單位時(shí)間的放射線量的改變量為閾值以上時(shí)，檢測(cè)到放射線X的照射已經(jīng)結(jié)束。在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12A照射的情況下，在tn-4 - tn-3中的放射線量的改變量至少是閾值。因此，放射線檢測(cè)部160能夠適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到放射線X照射結(jié)束。然而，在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12B照射的情況下，放射線量的改變量小于放射線產(chǎn)生裝置12A的改變量。因此，放射線量的改變量在從tn-5至tn的任何時(shí)間單位中不會(huì)超過閾值。因?yàn)殚撝挡黄ヅ浠虺^，所以放射線檢測(cè)部160不能檢測(cè)到放射線X照射結(jié)束。
[0106]現(xiàn)在考慮的情況是，基于放射線產(chǎn)生裝置12B的下降輪廓，結(jié)束檢測(cè)參數(shù)是例如改變量連續(xù)至少是閾值的次數(shù)。作為特定示例，該閾值是在放射線產(chǎn)生裝置12B的下降的輪廓中的tn-4 - tn-3中的放射線量的改變量，并且次數(shù)是4。當(dāng)由放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到的每單位時(shí)間的放射線量的改變量連續(xù)是閾值以上的次數(shù)至少是被設(shè)置為結(jié)束檢測(cè)參數(shù)的次數(shù)時(shí)，檢測(cè)到放射線X的照射已經(jīng)結(jié)束。在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12B照射的情況下，在tn-4 - tn-3、tn-3 - tn_2、tn_2 - tn_l和tn_l - tn中放射線量的改變量至少是閾值。因此，放射線檢測(cè)部160能夠適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到放射線X照射結(jié)束。然而，在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12A照射的情況下，放射線量的改變量至少是閾值的次數(shù)小于放射線產(chǎn)生裝置12B的次數(shù)。因?yàn)榇螖?shù)少，所以放射線檢測(cè)部160不能檢測(cè)到放射線X照射結(jié)束。[0107]下面考慮的情況是，在放射線產(chǎn)生裝置12B的下降輪廓中的tn-5 - tn_4中的放射線量的改變量被設(shè)置成閾值。當(dāng)由放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到的每單位時(shí)間的放射線量的改變量為閾值以上時(shí)，檢測(cè)到放射線X的照射已經(jīng)結(jié)束。在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12A照射的情況下，放射線X的照射的結(jié)束能夠被適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到。同時(shí)，在放射線X正被放射線產(chǎn)生裝置12B照射的情況下，在tn-5 - tn-4中放射線量的改變量超過閾值，因此，放射線檢測(cè)部160檢測(cè)到放射線X照射結(jié)束。然而，從當(dāng)檢測(cè)到照射結(jié)束直至達(dá)到最小放射線量為止時(shí)，比利用放射線產(chǎn)生裝置12A更長的持續(xù)時(shí)間是需要的，因此該方法是不適合的。例如，即使放射線X實(shí)際上正被照射，照射結(jié)束也被檢測(cè)到。因此，電子暗盒20結(jié)束在傳感器部103中產(chǎn)生的電荷被蓄積的蓄積期，并且切換到蓄積的電荷被讀出的讀取期。因此，蓄積期被縮短了。而且，如果電子暗盒20切換到讀取期同時(shí)放射線X仍然被照射，則存在的可能性是，照射放射線X的作用將會(huì)在放射線圖像中產(chǎn)生噪音。
[0108]因此，存在的情況是，因?yàn)楸徽丈涞诫娮影岛?0上的放射線X的輪廓，所以可能無法適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到照射開始和照射結(jié)束。因此，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20中，對(duì)應(yīng)于放射線產(chǎn)生裝置12的上升輪廓和下降輪廓被獲取，并且開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)被設(shè)置。
[0109]在本示例性實(shí)施例中，首先，獲取上升輪廓信息和下降輪廓信息。在下文中，將上升輪廓和下降輪廓統(tǒng)稱為“輪廓信息”。圖10是示出根據(jù)本示例性實(shí)施例的輪廓信息獲取處理的示例的流程的流程圖。在本示例性實(shí)施例中，在圖10中示出的輪廓信息獲取處理由電子暗盒20的控制器106執(zhí)行。該輪廓信息獲取處理被執(zhí)行預(yù)定的次數(shù)，諸如在放射線圖像的攝像的開始之前、在放射線圖像捕捉系統(tǒng)10的維持期間、當(dāng)放射線產(chǎn)生裝置12被改變時(shí)等。
[0110]在本示例性實(shí)施例中，來自放射線產(chǎn)生裝置12的放射線X照射在電子暗盒20處，并且在其間未布置包括攝像的受檢體30的被攝體的狀態(tài)下，獲取輪廓信息。當(dāng)來自放射線產(chǎn)生裝置12的放射線X的照射將被開始時(shí)，在圖10中示出的輪廓信息獲取處理被執(zhí)行。此時(shí)，放射線圖像處理裝置14、控制臺(tái)16等可以向電子暗盒20指示:從放射線產(chǎn)生裝置12的放射線X的照射正開始。
[0111]在步驟SlOO中，由輪廓獲取部161測(cè)量從放射線產(chǎn)生裝置12照射的放射線X并且獲取上升輪廓。上升輪廓的獲取方法并不特別地受到限制。例如，能夠提及如下方法:檢測(cè)在預(yù)定的時(shí)段內(nèi)預(yù)定時(shí)刻的放射線量的方法、檢測(cè)直至達(dá)到預(yù)定的放射線量為止的預(yù)定時(shí)刻的放射線量的方法等。根據(jù)放射線產(chǎn)生裝置12等的特性可以事先決定將被使用的方法。
[0112]然后，在步驟S102中，參數(shù)設(shè)置部164基于獲取的上升輪廓產(chǎn)生開始檢測(cè)參數(shù)并且將開始檢測(cè)參數(shù)存儲(chǔ)在儲(chǔ)存部162中。哪種開始檢測(cè)參數(shù)將被使用并不特別地受到限制。例如，如果達(dá)到預(yù)定的放射線量為止的持續(xù)時(shí)間是A秒，則(預(yù)定量X單位時(shí)間X (I/A))可以被指定為閾值。替代地，每單位時(shí)間的改變量連續(xù)大于閾值的次數(shù)可以被指定為開始檢測(cè)參數(shù)。這可以根據(jù)放射線產(chǎn)生裝置12等的上升輪廓的特性來決定。
[0113]在步驟S104中，由輪廓獲取部161測(cè)量從放射線產(chǎn)生裝置12照射的放射線X并且獲取下降輪廓。下降輪廓的獲取方法并非受到特別的限制。例如，能夠提及如下方法:檢測(cè)在預(yù)定的時(shí)段內(nèi)預(yù)定時(shí)刻的放射線量的方法、檢測(cè)從預(yù)定的放射線量直至達(dá)到最小放射線量為止的預(yù)定時(shí)刻的放射線量的方法等。根據(jù)放射線產(chǎn)生裝置12等的特性可以事先決定將被使用的方法。
[0114]在步驟S106中，參數(shù)設(shè)置部164基于獲取的下降輪廓產(chǎn)生結(jié)束檢測(cè)參數(shù)并且將結(jié)束檢測(cè)參數(shù)存儲(chǔ)在儲(chǔ)存部162中，之后結(jié)束本處理。類似于開始檢測(cè)參數(shù)，結(jié)束檢測(cè)參數(shù)不特別地受到限制。例如，如果從預(yù)定的放射線量直至達(dá)到最小放射線量的持續(xù)時(shí)間是B秒，則(預(yù)定量X單位時(shí)間X (1/B))可以被指定為閾值。替代地，每單位時(shí)間的改變量連續(xù)大于閾值時(shí)的次數(shù)可以被指定為結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。這可以根據(jù)放射線產(chǎn)生裝置12的下降輪廓的特性等來決定。
[0115]在該輪廓信息獲取處理之后，將基于對(duì)應(yīng)于放射線產(chǎn)生裝置12的輪廓信息產(chǎn)生的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參 數(shù)存儲(chǔ)在儲(chǔ)存部162中。
[0116]下面描述根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉處理。圖11是示出在根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20中的放射線圖像捕捉處理的示例的流程的流程圖。當(dāng)指示放射線圖像的攝像時(shí)，執(zhí)行圖11所示的放射線圖像捕捉處理。
[0117]在步驟S200中，獲取開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。然后，在步驟S202中，在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置獲取的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。在從上述輪廓信息獲取處理繼續(xù)地執(zhí)行放射線圖像捕捉處理的情況下，開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)無需在輪廓信息獲取處理中存儲(chǔ)在儲(chǔ)存部162中，而是可以直接在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置。在開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)被包括在攝像菜單項(xiàng)目中的情況下，可以從這些攝像菜單項(xiàng)目中獲取并設(shè)置開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。在該處理之后，在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置對(duì)應(yīng)于放射線產(chǎn)生裝置12的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。
[0118]當(dāng)開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)如上所述已經(jīng)被設(shè)置時(shí)，在步驟S204中，放射線檢測(cè)部160開始檢測(cè)放射線X的照射并且切換到照射開始檢測(cè)等待期中。然后，在步驟S206中，做出關(guān)于是否已經(jīng)檢測(cè)到放射線X照射開始的決定。
[0119]當(dāng)放射線從放射線產(chǎn)生裝置12被照射時(shí)，照射的放射線X在閃爍體處被吸收并且變換成可見光。將已經(jīng)由閃爍體變換成可見光的光被照射到像素100的傳感器部103上。當(dāng)光被照射在傳感器部103上時(shí)，電荷在傳感器部103內(nèi)部產(chǎn)生。產(chǎn)生的電荷由下部電極81收集。
[0120]在各放射線圖像捕捉像素100A中，因?yàn)槁╇姌O83和源電極79未短路，所以在下部電極81處收集的電荷被蓄積。然而，在各放射線檢測(cè)像素100B中，因?yàn)槁╇姌O83和源電極79被短路，所以在下部電極81處收集的電荷流出到信號(hào)線73中。
[0121]在根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20中，如上所述，從放射線檢測(cè)像素100B輸出的電信號(hào)(電荷信息)由信號(hào)檢測(cè)電路105的放大電路120檢測(cè)。放射線檢測(cè)部160將檢測(cè)到的電信號(hào)(電荷信息)與在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置的開始檢測(cè)參數(shù)相比較，并且因此，如上檢測(cè)放射線X的照射的開始。在此處，經(jīng)過攝像受檢體30的攝像目標(biāo)區(qū)域之后照射到電子暗盒20上的放射線X的放射線量小于在上述輪廓信息獲取處理期間被照射的放射線量。然而，因?yàn)閮蓚€(gè)輪廓具有類似的形狀，所以這不是問題。如果尚未檢測(cè)到放射線X照射開始，則決定的結(jié)果為否定的，并且控制器106停留在等待狀態(tài)中。另一方面，當(dāng)檢測(cè)到照射開始時(shí)，決定的結(jié)果是肯定的，并且控制器106前進(jìn)至步驟S208并且切換到電荷被蓄積的蓄積期中。因此，在步驟S208中，開始根據(jù)照射的放射線X產(chǎn)生的電荷的蓄積。[0122]在放射線檢測(cè)裝置26的各放射線圖像捕捉像素100A處，TFT開關(guān)74停留在斷開狀態(tài)中。因此，放射線圖像捕捉像素100A處于電荷被蓄積的狀態(tài)中。相反，在各放射線檢測(cè)像素100B處，TFT開關(guān)74被短路。因此，甚至在電荷蓄積期中(同時(shí)TFT開關(guān)74被斷開)，放射線檢測(cè)像素100B也輸出電荷到信號(hào)檢測(cè)電路105。在預(yù)定的時(shí)刻接通和斷開采樣-和-保持開關(guān)SW，并且將從放射線檢測(cè)像素100B輸出的電荷的信息作為電信號(hào)(電荷信息)經(jīng)放大電路120和信號(hào)檢測(cè)電路105的ADC124輸入到控制器106。
[0123]在步驟S210中，做出關(guān)于是否結(jié)束電荷的蓄積的決定。在本示例性實(shí)施例中，放射線檢測(cè)部160將檢測(cè)到的電信號(hào)(電荷信息)與在參數(shù)設(shè)置部164處設(shè)置的結(jié)束檢測(cè)參數(shù)相比較，并且由此如上檢測(cè)放射線X照射結(jié)束。如果尚未檢測(cè)到放射線X照射結(jié)束，則決定的結(jié)果是否定的并且電荷的蓄積繼續(xù)。另一方面，當(dāng)檢測(cè)到照射結(jié)束時(shí)，蓄積期將會(huì)結(jié)束。因此，決定的結(jié)果是肯定的，并且控制器106前進(jìn)至步驟S212并且切換到讀取期中。在步驟S212中，電荷從像素100中讀出，并且基于讀出的電荷產(chǎn)生放射線圖像并且輸出放射線圖像。具體地，在讀取期中，接通信號(hào)經(jīng)柵極線101被順序地施加到TFT開關(guān)74的柵電極72。因此，像素100A的TFT開關(guān)74被依次接通，并且根據(jù)在像素100A處蓄積的電荷量的電信號(hào)被輸出至信號(hào)線73。由此，電荷被讀出。
[0124]在步驟S214中，做出關(guān)于是否要結(jié)束攝像的決定。在連續(xù)的攝像的情況下，諸如視頻攝像等，決定的結(jié)果是否定的，控制器106返回至步驟S204，并且重復(fù)本處理。替代地，在攝像將要結(jié)束的情況下，決定的結(jié)果是肯定的并且本處理結(jié)束。因此，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的電子暗盒20中，一幀的放射線圖像(一個(gè)放射線圖像)由等待放射線X照射開始的檢測(cè)的等待期、放射線圖像捕捉像素100A蓄積根據(jù)照射的放射線X產(chǎn)生的電荷的蓄積期、以及蓄積電荷被讀出的讀取期來捕捉。
[0125]如上所述，在根據(jù)本示例性實(shí)施例的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10的電子暗盒20中，基于從放射線產(chǎn)生裝置12照射的放射線X獲取輪廓信息(上升輪廓和下降輪廓)?；讷@取的輪廓信息產(chǎn)生開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)，并且將它們存儲(chǔ)在儲(chǔ)存部162處或設(shè)置在參數(shù)設(shè)置部164處。當(dāng)放射 線圖像正被捕捉時(shí)，放射線檢測(cè)部160根據(jù)已經(jīng)設(shè)置的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)來檢測(cè)放射線X照射開始和照射結(jié)束。
[0126]因此，使用對(duì)應(yīng)于放射線產(chǎn)生裝置12的特性(種類)的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)，可以檢測(cè)到放射線X照射開始和照射結(jié)束。因?yàn)樵谳喞畔⒅械牟顒e，所以可能無法適當(dāng)?shù)貦z測(cè)到放射線X照射開始和照射結(jié)束。因此，可以根據(jù)放射線產(chǎn)生裝置12控制電子暗盒20。此外，因?yàn)榭梢赃m當(dāng)?shù)貦z測(cè)到放射線X照射開始和照射結(jié)束，所以可以抑制由于重新攝像等導(dǎo)致攝像受檢體30的不必要的曝光。而且，可以提高捕捉到的放射線圖像的圖像質(zhì)量。
[0127]在本示例性實(shí)施例中，描述的情況是，電子暗盒20獲取輪廓信息以及產(chǎn)生并設(shè)置開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)，但是這并非是限制性的。例如，放射線圖像處理裝置14、控制臺(tái)16等產(chǎn)生開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)并且在電子暗盒20處設(shè)置它們的結(jié)構(gòu)也是可能的。
[0128]在本示例性實(shí)施例中，描述的情況是，將開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)存儲(chǔ)在儲(chǔ)存部162處，但是這并非是限制性的。例如，可以存儲(chǔ)獲取的輪廓信息本身，并且當(dāng)放射線圖像將被捕捉等時(shí)，適當(dāng)時(shí)從存儲(chǔ)的輪廓信息中產(chǎn)生并設(shè)置開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。[0129]在本示例性實(shí)施例中，測(cè)量從放射線產(chǎn)生裝置12照射的放射線X以獲取輪廓信息，但是這并非是限制性的。例如，經(jīng)接口部166從外部獲取輪廓信息的結(jié)構(gòu)是可能的。[0130]由上述的輪廓信息獲取處理獲取的輪廓信息、或開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)等可以被存儲(chǔ)在與放射線產(chǎn)生裝置12相關(guān)的儲(chǔ)存部162中，并且可以為多個(gè)種類的放射線產(chǎn)生裝置12中的每一個(gè)存儲(chǔ)輪廓信息、開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)等。因此，當(dāng)放射線圖像將被捕捉時(shí)，正被使用的放射線產(chǎn)生裝置12可以從攝像菜單等獲取。因此，可以設(shè)置合適的開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)。[0131]在本示例性實(shí)施例中，描述的情況是，設(shè)置開始檢測(cè)參數(shù)和結(jié)束檢測(cè)參數(shù)兩者，并且檢測(cè)放射線X照射開始和照射結(jié)束，但是這并非是限制性的?？梢栽O(shè)置參數(shù)中一個(gè)或另一個(gè)，使得可以檢測(cè)到開始或結(jié)束。[0132]用于利用電子暗盒20本身檢測(cè)放射線X照射開始的結(jié)構(gòu)和方法并不限于本示例性實(shí)施例。例如，在以上說明中，放射線檢測(cè)像素100B被描述為各個(gè)是裝備有其中源電極和漏電極被短路的TFT開關(guān)74的像素，但是這并非是限制性的。例如，連接布線可以從沿著漏電極83的中途形成并且連接至信號(hào)線73。在這種情況下，TFT開關(guān)74的源電極和漏電極也大體上被短路。在TFT開關(guān)74的源電極和漏電極被短路的情況下，可以形成遠(yuǎn)離柵極線101的柵電極72。作為進(jìn)一步的示例，在各個(gè)放射線檢測(cè)像素100B中，傳感器部103可經(jīng)層間絕緣膜82和接觸孔87與信號(hào)線73相連接。因此，漏電極83和接觸孔87被電氣地?cái)嚅_。[0133]在本示例性實(shí)施例中，描述的情況是，在TFT開關(guān)74被短路的像素被用作放射線檢測(cè)像素100B，但是放射線檢測(cè)像素100B并不特別地受到限制。例如，TFT開關(guān)74并未短路的像素可以被用作放射線檢測(cè)像素100B。在這種情況下，放射線檢測(cè)像素100B的TFT開關(guān)74的控制與放射線圖像捕捉像素100A的TFT開關(guān)74的控制分離。而且，放射線檢測(cè)裝置26的預(yù)定的像素100可以被用作放射線檢測(cè)像素100B，并且可以設(shè)置不同于在放射線檢測(cè)裝置26中的像素100的像素。[0134]在根據(jù)本示例性實(shí)施例(參見圖3)的電子暗盒20的放射線檢測(cè)裝置26中，放射線檢測(cè)像素100B被連接至信號(hào)線73中的一些，但是這并非是限制性的。放射線檢測(cè)像素100B可以被設(shè)置在連接至所有信號(hào)線73的位置處。放射線檢測(cè)像素100B被設(shè)置的位置并不特別地受到限制。[0135]在本示例性實(shí)施例中，描述的情況是，將本發(fā)明應(yīng)用到將變換的光變換成電荷的間接變換方式的放射線檢測(cè)裝置26，但是這并非是限制性的。例如，可以將本發(fā)明應(yīng)用到直接變換方式的放射線檢測(cè)裝置，其利用將放射線X直接變換至電荷的材料，諸如無定形硒等，作為吸收放射線并且將放射線變換至電荷的光電變換層。[0136]在其它方面中，在本示例性實(shí)施例中描述的放射線圖像捕捉系統(tǒng)10、放射線產(chǎn)生裝置12、電子暗盒20、放射線檢測(cè)裝置26等是示例，并且將清楚的是，在不脫離本發(fā)明的精神的范圍內(nèi)根據(jù)條件可以修改這些示例。[0137]本示例性實(shí)施例的放射線X不特別地受到限制；可以采用X射線、Y射線等。
【權(quán)利要求】
1.一種放射線檢測(cè)裝置，包括: 放射線檢測(cè)單元，所述放射線檢測(cè)單元將從放射線照射裝置照射的放射線變換成電荷并且蓄積所述電荷； 輪廓信息獲取單元，所述輪廓信息獲取單元獲取輪廓信息，所述輪廓信息表示從所述放射線照射裝置照射的所述放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變； 控制條件決定單元，所述控制條件決定單元基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的控制條件；以及 控制器，所述控制器根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的控制條件來控制所述放射線檢測(cè)單元。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)裝置，其中， 所述控制條件決定單元包括閾值設(shè)置單元，所述閾值設(shè)置單元基于所獲取的輪廓信息設(shè)置對(duì)應(yīng)于照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變量的閾值，并且 如果照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變量至少是由所述閾值設(shè)置單元設(shè)置的閾值，則所述控制器控制所述放射線檢測(cè)單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的放射線檢測(cè)裝置，其中， 所述控制條件決定單元包括閾值設(shè)置單元，所述閾值設(shè)置單元基于所獲取的輪廓信息來設(shè)置閾值和指定的次數(shù)，并且 如果照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變量至少是由所述閾值設(shè)置單元設(shè)置的閾值的次數(shù)到達(dá)所述指定的次數(shù)，則所述控制器控制所述放射線檢測(cè)單元。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)裝置，其中，所述輪廓信息獲取單元基于從所述放射線照射裝置照射的且由所述放射線檢測(cè)裝置檢測(cè)到的放射線的放射線量來獲取所述放射線照射裝置的輪廓信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)裝置，其中，所述放射線檢測(cè)單元包括: 用于放射線檢測(cè)的像素，從所述用于放射線檢測(cè)的像素連續(xù)地讀出從所述放射線照射裝置照射的放射線被轉(zhuǎn)換成的電荷；以及 用于放射線圖像捕捉的像素，所述用于放射線圖像捕捉的像素裝備有用于讀出電荷的開關(guān)元件， 并且其中，所述控制器根據(jù)在用于放射線檢測(cè)的像素處檢測(cè)到的放射線和所述放射線檢測(cè)單元的控制條件來控制所述用于放射線圖像捕捉的像素。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)裝置，其中， 所述輪廓信息獲取單元獲取上升輪廓信息，所述上升輪廓信息表示從放射線照射裝置照射的放射線的放射線量從照射開始直至達(dá)到預(yù)定的放射線量為止隨時(shí)間的改變， 所述控制條件決定單元基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的所述上升輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的電荷蓄積開始條件，并且 所述控制器根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的蓄積開始條件，在所述放射線檢測(cè)單元處開始電荷蓄積。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)裝置，其中， 所述輪廓信息獲取單元獲取下降輪廓信息，所述下降輪廓信息表示從放射線照射裝置照射的放射線的放射線量從預(yù)定的放射線量直至達(dá)到最小放射線量為止隨時(shí)間的改變，所述控制條件決定單元基于由所述輪廓信息獲取單元獲取的所述下降輪廓信息來決定所述放射線檢測(cè)單元的電荷蓄積結(jié)束條件，并且 所述控制器根據(jù)由所述控制條件決定單元決定的蓄積結(jié)束條件在所述放射線檢測(cè)單元處結(jié)束電荷蓄積。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)多種放射線照射裝置的相應(yīng)的輪廓信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項(xiàng)所述的放射線檢測(cè)裝置，進(jìn)一步包括存儲(chǔ)單元，所述存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)與多種放射線照射裝置的相應(yīng)的輪廓信息對(duì)應(yīng)的所述放射線檢測(cè)單元的相應(yīng)的控制條件。
10.一種用于放射線檢測(cè)裝置的控制方法，所述方法包括: 獲取表示從放射線照射裝置照射的放射線的放射線量的每單位時(shí)間的改變的輪廓信息； 基于所獲取的輪廓信息來決定放射線檢測(cè)單元的控制條件，所述放射線檢測(cè)單元將從所述放射線照射裝置照射的放射線變換成電荷并且蓄積所述電荷；以及根據(jù)所決定的控制條件來控制所述放射線檢測(cè)單元。
【文檔編號(hào)】A61B6/00GK103565450SQ201310303651
【公開日】2014年2月12日 申請(qǐng)日期:2013年7月18日 優(yōu)先權(quán)日:2012年7月19日
【發(fā)明者】小田泰史 申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社