本申請涉及紀念章，具體為內(nèi)置抗金屬nfc模塊且表面用漆膏做涂層封裝封閉保護的金屬紀念章。

背景技術(shù)：

1、紀念章是帶有紀念意義的章形物品的總稱，包括徽章和收藏紀念章、裝飾紀念章三大類。市面可見的紀念章基本是由金屬沖壓、壓鑄成型或拼接粘結(jié)成形，單層結(jié)構(gòu)，油壓或電鍍結(jié)合平面涂色圖案在章的正反面來呈現(xiàn)相關(guān)主題元素的表達，主題內(nèi)容表達單一，智能終端不可識別，不能與計算機網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)互通,?無法進行多維度內(nèi)容表述。

2、近場通信（near?field?communication，簡稱nfc），是一種新興的技術(shù)，使用了nfc技術(shù)的設(shè)備（例如移動電話）可以在彼此靠近的情況下進行數(shù)據(jù)交換，通過在單一芯片上集成感應(yīng)式讀卡器、感應(yīng)式卡片和點對點通信的功能，利用移動終端實現(xiàn)身份識別、數(shù)據(jù)交互等應(yīng)用，近年在識別和支付系統(tǒng)中得到越來越廣泛的應(yīng)用。

3、紀念章的圖案通常為油壓或電鍍烤漆、uv印刷等工藝，表面較為容易氧化或磨損，多用于擺放或盒裝收藏，不利于日常使用。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本說明書目的在于提供一種nfc紀念章以解決上述背景技術(shù)中所提及的問題。

2、為實現(xiàn)上述目的，本說明書提供如下技術(shù)方案：一種nfc紀念章，其包括底座、內(nèi)芯、封裝封閉層，所述內(nèi)芯為抗金屬nfc模塊。

3、所述底座，其上部有圓形凹槽結(jié)構(gòu)，用于放置抗金屬nfc模塊和漆膏保護材料封裝封閉，采用金屬壓鑄或沖壓成型，依紀念章所需顏色進行表面電鍍。

4、所述抗金屬nfc模塊，采用粘貼方式粘接在底座圓形凹槽底部。

5、所述封裝封閉層，是在抗金屬nfc模塊上，底座凹槽內(nèi)用漆膏材料做涂層封裝封閉。

6、作為優(yōu)選，所述抗金屬nfc模塊為底層有強粘結(jié)材料，基材為吸波材料的nfc高頻芯片模組。

7、作為優(yōu)選，所述封裝封閉層由無鉛樹脂烤漆在內(nèi)芯上表面攤平封裝，再用仿琺瑯色膏或陶瓷漆做表面涂布封閉組成。

8、作為優(yōu)選，所述內(nèi)芯與封裝封閉層的累加厚度與底座上部凹槽深度相同，四周邊緣與底座凹槽邊緣無縫結(jié)合。

9、作為優(yōu)選，所述底座及封閉層的表面均有浮雕打印或彩色印刷圖案。

10、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的有益效果是：將抗金屬nfc模塊內(nèi)置在紀念章中，使得紀念章可以與智能終端（例如手機）感應(yīng)識別聯(lián)通，進而使紀念章的主題要素通過智能終端可以給大眾提供多維度的信息展示，實現(xiàn)智能物聯(lián)，用途無限擴展；同時在封裝封閉層使用烤漆做封裝防止芯片氧化，使用仿琺瑯色膏或陶瓷漆封閉可防止表面磨損，或硬物觸及傷害芯片，并利用琺瑯和陶瓷的自身色澤，增加紀念章的美觀性。

技術(shù)特征：

1.一種nfc紀念章，其特征在于：包括

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的nfc紀念章，其特征在于：所述底座上部有圓形凹槽，采用金屬壓鑄或沖壓成型，表面電鍍。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的nfc紀念章，其特征在于：所述內(nèi)芯為抗金屬nfc模塊，由底層強粘結(jié)材料、基材為吸波材料、芯片為nfc高頻芯片組成。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的nfc紀念章，其特征在于：所述封裝封閉層由樹脂烤漆在抗金屬nfc模塊上做攤平封裝，其后用仿琺瑯色膏或陶瓷漆做外觀封閉。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的nfc紀念章，其特征在于：所述紀念章底座底面為主題要素歸屬單位logo浮雕或圖案印刷，封閉層表面為主題要素浮雕打印或印刷圖案。

技術(shù)總結(jié)
本說明書公開了一種NFC紀念章，包括：底座、內(nèi)芯、封裝封閉層，其中所述內(nèi)芯為抗金屬NFC模塊，模塊由底層粘結(jié)材料，基層吸波材料，頂層NFC高頻芯片組成，紀念章表面主題要素圖案為浮雕或彩色印刷。通過將抗金屬NFC模塊內(nèi)置在紀念章中，使得其與智能終端（例如手機）感應(yīng)識別，進而使紀念章的主題要素通過智能終端可以給大眾提供多維度的信息展示，實現(xiàn)智能物聯(lián)，用途無限擴展；同時在封裝封閉層使用仿琺瑯色膏或陶瓷漆可防止表面磨損，避免硬物傷害芯片，并利用琺瑯和陶瓷的自身色澤，增加紀念章的美觀性。

技術(shù)研發(fā)人員：曲作偉
受保護的技術(shù)使用者：開易科技（大連）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/1/9